JPH07130492A - プラズマ製造方法及び装置 - Google Patents
プラズマ製造方法及び装置Info
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- JPH07130492A JPH07130492A JP5275174A JP27517493A JPH07130492A JP H07130492 A JPH07130492 A JP H07130492A JP 5275174 A JP5275174 A JP 5275174A JP 27517493 A JP27517493 A JP 27517493A JP H07130492 A JPH07130492 A JP H07130492A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 円筒型空胴共振器内でマイクロ波電磁界モー
ドの中からダイヤモンド薄膜などに適するプラズマを製
造することのできる進行波型のマイクロ波電界モードを
用いて試料ガスを均一に放電励起させることを目的とす
る。 【構成】 マイクロ波発振器から出力されたマイクロ波
を円筒型空胴共振器１中に導入し、その内部に導入した
電界によって試料ガスを放電させるプラズマ装置におい
て、円筒型空胴共振器１内部にマイクロ波をカップリン
グするコイル１２を設置とすることにより、円筒型空胴
共振器１内の試料ガス全体を放電励起させてプラズマを
製造するものである。
ドの中からダイヤモンド薄膜などに適するプラズマを製
造することのできる進行波型のマイクロ波電界モードを
用いて試料ガスを均一に放電励起させることを目的とす
る。 【構成】 マイクロ波発振器から出力されたマイクロ波
を円筒型空胴共振器１中に導入し、その内部に導入した
電界によって試料ガスを放電させるプラズマ装置におい
て、円筒型空胴共振器１内部にマイクロ波をカップリン
グするコイル１２を設置とすることにより、円筒型空胴
共振器１内の試料ガス全体を放電励起させてプラズマを
製造するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造のた
めのＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)装置、エッチ
ング装置、スパッタリング装置等として用いられるマイ
クロ波領域の電磁波によるプラズマ製造方法及び装置に
関するものである。
めのＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)装置、エッチ
ング装置、スパッタリング装置等として用いられるマイ
クロ波領域の電磁波によるプラズマ製造方法及び装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波を利用した従来のプラズマ製
造方法を用いたダイヤモンド薄膜製造装置を図６を参照
して説明する。
造方法を用いたダイヤモンド薄膜製造装置を図６を参照
して説明する。
【０００３】図６は従来のプラズマ製造装置の構成を示
す正面図である。同図に示すように、矩型導波管４を介
してマイクロ波発振器３に連結する円筒型空胴共振器１
の上面、下面にはスリーブ９が貫通して夫々設けられ、
これらスリーブ９を通じて放電管２が円筒型空胴共振器
１の内部に挿入・設置されている。
す正面図である。同図に示すように、矩型導波管４を介
してマイクロ波発振器３に連結する円筒型空胴共振器１
の上面、下面にはスリーブ９が貫通して夫々設けられ、
これらスリーブ９を通じて放電管２が円筒型空胴共振器
１の内部に挿入・設置されている。
【０００４】放電管２の内部には、基板６としてシリコ
ンウェハー及び基板ホルダー７が設置され、その上端は
試料ガス供給源５に接続される一方、その下端は排気管
８に接続している。試料ガス供給源５から放電管２内へ
試料ガスとして水素及びメタンの混合ガス（圧力２０To
rr、流量３０ml／min)が供給される。
ンウェハー及び基板ホルダー７が設置され、その上端は
試料ガス供給源５に接続される一方、その下端は排気管
８に接続している。試料ガス供給源５から放電管２内へ
試料ガスとして水素及びメタンの混合ガス（圧力２０To
rr、流量３０ml／min)が供給される。
【０００５】従って、マイクロ波発振器３から出力され
たマイクロ波が矩型導波管４を伝播して円筒型空胴共振
器１内に導入されると、放電管２内の試料ガスがマイク
ロ波の電界によりプラズマとなる。これによってメタン
及び水素が反応性の高いラジカルに放電励起される。こ
のようにして生成したプラズマによりダイヤモンドの合
成反応がおこり、基板６上にダイヤモンド粒子が析出す
る。
たマイクロ波が矩型導波管４を伝播して円筒型空胴共振
器１内に導入されると、放電管２内の試料ガスがマイク
ロ波の電界によりプラズマとなる。これによってメタン
及び水素が反応性の高いラジカルに放電励起される。こ
のようにして生成したプラズマによりダイヤモンドの合
成反応がおこり、基板６上にダイヤモンド粒子が析出す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したようにマイク
ロ波を封入した円筒型空胴共振器１内を使った場合種々
のガスでプラズマを製造することは可能であるが、円筒
型空胴共振器１内に存在する誘電体による共振周波数の
ずれにより、通常の円筒型空胴共振器１内で形成しうる
マイクロ波の定在波にはＴＭあるいはＴＥモード（Tran
sverse ElectricMode）のあることが知られているよう
に多数のモードが混在する。
ロ波を封入した円筒型空胴共振器１内を使った場合種々
のガスでプラズマを製造することは可能であるが、円筒
型空胴共振器１内に存在する誘電体による共振周波数の
ずれにより、通常の円筒型空胴共振器１内で形成しうる
マイクロ波の定在波にはＴＭあるいはＴＥモード（Tran
sverse ElectricMode）のあることが知られているよう
に多数のモードが混在する。
【０００７】従って、放電に作用するマイクロ波の電磁
界が複雑多岐な波動となるためマイクロ波電界強度は放
電管軸方向に一定とならない。更に、プラズマ中に薄膜
形成用に金属基板を置く場合、電界方向に金属面が垂直
になるようにしかマイクロ波の電界が形成しにくくなる
など、放電に使用する電界モードが複雑であればあるほ
ど製造するプラズマの特性が安定しなくなる。
界が複雑多岐な波動となるためマイクロ波電界強度は放
電管軸方向に一定とならない。更に、プラズマ中に薄膜
形成用に金属基板を置く場合、電界方向に金属面が垂直
になるようにしかマイクロ波の電界が形成しにくくなる
など、放電に使用する電界モードが複雑であればあるほ
ど製造するプラズマの特性が安定しなくなる。
【０００８】この為、従来技術では基板付近で電界が複
雑に乱れることと使用するマイクロ波電界のモードが複
雑であるために、矩型導波管４内にプランジャーを取り
付けて電界を微妙に制御しなければならないという欠点
がある。
雑に乱れることと使用するマイクロ波電界のモードが複
雑であるために、矩型導波管４内にプランジャーを取り
付けて電界を微妙に制御しなければならないという欠点
がある。
【０００９】円筒型空胴共振器１を用いる場合、放電管
２の軸方向とマイクロ波の電界方向を同一とするとき、
マイクロ波の電磁界モードはＴＭモードとなるが、マイ
クロ波発振器３と円筒型空胴共振器１の内径寸法により
ＴＭ01nあるいはＴＥ11n等の高次モードが発生する。
２の軸方向とマイクロ波の電界方向を同一とするとき、
マイクロ波の電磁界モードはＴＭモードとなるが、マイ
クロ波発振器３と円筒型空胴共振器１の内径寸法により
ＴＭ01nあるいはＴＥ11n等の高次モードが発生する。
【００１０】この場合の放電の分布はマイクロ波の高次
モードによる部分的な放電となり、放電管内の空間を全
てプラズマ製造に利用できないという欠点がある。
モードによる部分的な放電となり、放電管内の空間を全
てプラズマ製造に利用できないという欠点がある。
【００１１】マイクロ波の電磁界モードにおいて、円筒
型空胴共振器１の内径をＴＭモードの遮断波長に合わせ
ることによって、放電管軸方向の電界分布が均一となる
ＴＭ 010モードを形成する方法があるが、プラズマ製造
の場合については放電管の挿入及び放電プラズマの発生
により、誘電率が変化することからＴＭ010モードの共
振周波数がマイクロ波発振器の発振周波数からはずれる
ため、円筒型空胴共振器１の内径をＴＭモードの遮断波
長に合わせるだけでは均一な放電を得られないという欠
点がある。
型空胴共振器１の内径をＴＭモードの遮断波長に合わせ
ることによって、放電管軸方向の電界分布が均一となる
ＴＭ 010モードを形成する方法があるが、プラズマ製造
の場合については放電管の挿入及び放電プラズマの発生
により、誘電率が変化することからＴＭ010モードの共
振周波数がマイクロ波発振器の発振周波数からはずれる
ため、円筒型空胴共振器１の内径をＴＭモードの遮断波
長に合わせるだけでは均一な放電を得られないという欠
点がある。
【００１２】更に、放電管内部に設置する基板、試料台
等の形状及び位置も共振周波数を大きくずらす要因とな
るが、この効果を予め推測することは困難であり、基板
等を全く同じものを使わなければ結果の再現性は得られ
ないという欠点がある。
等の形状及び位置も共振周波数を大きくずらす要因とな
るが、この効果を予め推測することは困難であり、基板
等を全く同じものを使わなければ結果の再現性は得られ
ないという欠点がある。
【００１３】また、ダイヤモンド薄膜製造装置は上記の
ように構成されているので、均一なダイヤモンド薄膜を
得るためには大容量の低温プラズマを発生させる必要か
ら必然的に円筒型空胴共振器長を長くしなければならな
い。この場合、ＴＭ010モードの共振周波数は変化しな
いが、円筒型空胴共振器１を長くするほど、短波長のマ
イクロ波の電磁界モードが内部に共存可能となる。すな
わち、高次のモードの共振周波数が当該ＴＭ010モード
のそれに接近するため、電界分布が軸方向に不均一とな
り、それによって発生する放電にむらが生じる。
ように構成されているので、均一なダイヤモンド薄膜を
得るためには大容量の低温プラズマを発生させる必要か
ら必然的に円筒型空胴共振器長を長くしなければならな
い。この場合、ＴＭ010モードの共振周波数は変化しな
いが、円筒型空胴共振器１を長くするほど、短波長のマ
イクロ波の電磁界モードが内部に共存可能となる。すな
わち、高次のモードの共振周波数が当該ＴＭ010モード
のそれに接近するため、電界分布が軸方向に不均一とな
り、それによって発生する放電にむらが生じる。
【００１４】このため、円筒型空胴共振器の長さをうま
く選ばなければ、放電管内全体に均一なプラズマを製造
できないという欠点がある。
く選ばなければ、放電管内全体に均一なプラズマを製造
できないという欠点がある。
【００１５】更に、放電が放電管軸方向に不均一な状態
でプラズマを製造した場合、同じ放電領域を直流放電で
放電励起で得たプラズマよりも温度が高くなり、ダイヤ
モンド薄膜形成に必要な電子温度数ｅＶよりもはるかに
高くなるという欠点がある。
でプラズマを製造した場合、同じ放電領域を直流放電で
放電励起で得たプラズマよりも温度が高くなり、ダイヤ
モンド薄膜形成に必要な電子温度数ｅＶよりもはるかに
高くなるという欠点がある。
【００１６】本発明は上記従来技術に鑑みなされたもの
で、円筒型空胴共振器内でマイクロ波電磁界モードの中
からダイヤモンド薄膜などに適するプラズマを製造する
ことのできる進行波型のマイクロ波電界モードを用いて
試料ガスを均一に放電励起させることができるプラズマ
の製造方法及びプラズマ製造装置を提供することを目的
とする。
で、円筒型空胴共振器内でマイクロ波電磁界モードの中
からダイヤモンド薄膜などに適するプラズマを製造する
ことのできる進行波型のマイクロ波電界モードを用いて
試料ガスを均一に放電励起させることができるプラズマ
の製造方法及びプラズマ製造装置を提供することを目的
とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成する本
発明の構成はマイクロ波発振器から出力されたマイクロ
波を円筒型空胴共振器中に導入し、その内部に導入した
電界によって試料ガスを放電させるプラズマ装置におい
て、円筒型空胴共振器内部にマイクロ波をカップリング
するコイルを設置とすることにより、円筒型空胴共振器
内の試料ガス全体を放電励起させてプラズマを製造する
ことを特徴とする。
発明の構成はマイクロ波発振器から出力されたマイクロ
波を円筒型空胴共振器中に導入し、その内部に導入した
電界によって試料ガスを放電させるプラズマ装置におい
て、円筒型空胴共振器内部にマイクロ波をカップリング
するコイルを設置とすることにより、円筒型空胴共振器
内の試料ガス全体を放電励起させてプラズマを製造する
ことを特徴とする。
【００１８】更に、円筒型空胴共振器内部に設置するコ
イルの数を増減させることによって薄膜を成長させる基
板等の挿入による電界強度の低下を抑制する。
イルの数を増減させることによって薄膜を成長させる基
板等の挿入による電界強度の低下を抑制する。
【００１９】
【作用】上記した円筒型空胴共振器を用いて、放電の局
在化及びそれによる放電プラズマの温度の上昇を抑制
し、放電管内の全ての試料ガス媒質の放電励起及びプラ
ズマ温度の設定を行ったプラズマの製造ができる。ま
た、外部からのマイクロ波を円筒型空胴共振器内にカッ
プリングするコイルを放電空間に近接させて設置できる
ことから負荷となる放電プラズマの変動に応じたマイク
ロ波エネルギーの供給が可能である。
在化及びそれによる放電プラズマの温度の上昇を抑制
し、放電管内の全ての試料ガス媒質の放電励起及びプラ
ズマ温度の設定を行ったプラズマの製造ができる。ま
た、外部からのマイクロ波を円筒型空胴共振器内にカッ
プリングするコイルを放電空間に近接させて設置できる
ことから負荷となる放電プラズマの変動に応じたマイク
ロ波エネルギーの供給が可能である。
【００２０】
【実施例】本発明のプラズマ製造法によるダイヤモンド
薄膜の製造例についての実施例を図１〜図５、表１及び
表２を参照して説明する。
薄膜の製造例についての実施例を図１〜図５、表１及び
表２を参照して説明する。
【００２１】本発明の一実施例を、図１に示す。本実施
例は、マイクロ波放電用空胴共振器として円筒型空胴共
振器を用いるものである。
例は、マイクロ波放電用空胴共振器として円筒型空胴共
振器を用いるものである。
【００２２】同図に示すように、円筒型空胴共振器１
（内径９０mm、長さ１００mm）の上面及び下面にスリー
ブ９が貫通して夫々設けられ、これらスリーブ９を通じ
て放電管２が円筒型空胴共振器１の内部に挿入・設置さ
れている。放電管２の内部には、ダイヤモンド薄膜を成
膜させるための基板６としてシリコンウェハー及び基板
ホルダー７が設置され、放電管２の外周面にはコイル１
２が巻き付けられている。放電管２には、前述した従来
技術と同様に、試料ガスとして水素及びメタンの混合ガ
スが供給される。
（内径９０mm、長さ１００mm）の上面及び下面にスリー
ブ９が貫通して夫々設けられ、これらスリーブ９を通じ
て放電管２が円筒型空胴共振器１の内部に挿入・設置さ
れている。放電管２の内部には、ダイヤモンド薄膜を成
膜させるための基板６としてシリコンウェハー及び基板
ホルダー７が設置され、放電管２の外周面にはコイル１
２が巻き付けられている。放電管２には、前述した従来
技術と同様に、試料ガスとして水素及びメタンの混合ガ
スが供給される。
【００２３】円筒型空胴共振器１は、同軸導波管１４を
介して、図示しないマイクロ波発振器と連結されてい
る。同軸導波管１４は、外導体１０内に内導体１１を同
軸に配置したものであり、マイクロ波発振器で発生した
２．４５GHzのマイクロ波が、外導体１０と内導体１１
との間で伝播することになる。また、内導体１１はコイ
ル１２と電気的に接続しており、内導体１１を通じて円
筒型空胴共振器１内のコイル１２に通電することによ
り、放電管２内の試料ガスにマイクロ波電界が印加され
る。
介して、図示しないマイクロ波発振器と連結されてい
る。同軸導波管１４は、外導体１０内に内導体１１を同
軸に配置したものであり、マイクロ波発振器で発生した
２．４５GHzのマイクロ波が、外導体１０と内導体１１
との間で伝播することになる。また、内導体１１はコイ
ル１２と電気的に接続しており、内導体１１を通じて円
筒型空胴共振器１内のコイル１２に通電することによ
り、放電管２内の試料ガスにマイクロ波電界が印加され
る。
【００２４】コイル１２は、同軸導波管１４の内導体１
１からマイクロ波が放電管２内の試料ガスの放電プラズ
マとうまくカップリングするように、その巻き数及びピ
ッチを考慮して配置した。本実施例では、コイル長４ｃ
ｍ、巻き数５のコイル１２を使用した（表１）。
１からマイクロ波が放電管２内の試料ガスの放電プラズ
マとうまくカップリングするように、その巻き数及びピ
ッチを考慮して配置した。本実施例では、コイル長４ｃ
ｍ、巻き数５のコイル１２を使用した（表１）。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】表１に示す実施例１のコイルを用いて、表
２に示す条件でダイヤモンドの成膜実験を行なった。プ
ラズマ発生用の試料ガス５として水素とメタン（５％）
の混合ガスを約０．１Torr、流量１０００ml／min で流
した、図１に示すコイル１２を用いた放電では、コイル
長４cmの内部で放電プラズマが発生した。１時間の放電
後、製造した薄膜の測定結果を表２に従来技術と比較し
て示す。この表から判るように、本発明は従来技術と比
較して、マイクロ波パワーが比較的小さくてもダイヤモ
ンド薄膜形成に必要なメタンの反応を十分制御でき、基
板温度も低くてもよいことがわかる。
２に示す条件でダイヤモンドの成膜実験を行なった。プ
ラズマ発生用の試料ガス５として水素とメタン（５％）
の混合ガスを約０．１Torr、流量１０００ml／min で流
した、図１に示すコイル１２を用いた放電では、コイル
長４cmの内部で放電プラズマが発生した。１時間の放電
後、製造した薄膜の測定結果を表２に従来技術と比較し
て示す。この表から判るように、本発明は従来技術と比
較して、マイクロ波パワーが比較的小さくてもダイヤモ
ンド薄膜形成に必要なメタンの反応を十分制御でき、基
板温度も低くてもよいことがわかる。
【００２８】次に、コイル形状を表１に示すように、コ
イル長及び巻き数を変化させた場合の実施例を示す。こ
れらのコイルを用いると円筒型空胴共振器１内の設置の
仕方はそれぞれ図２から図５に示すものになる。図２に
示す実施例では、円筒型空胴共振器１の下端に、上下動
自在なピッチ調節器１３を取り付け、コイル１２の一端
をそのピッチ調節器１３に固定したものである。
イル長及び巻き数を変化させた場合の実施例を示す。こ
れらのコイルを用いると円筒型空胴共振器１内の設置の
仕方はそれぞれ図２から図５に示すものになる。図２に
示す実施例では、円筒型空胴共振器１の下端に、上下動
自在なピッチ調節器１３を取り付け、コイル１２の一端
をそのピッチ調節器１３に固定したものである。
【００２９】従って、ピッチ調節器１３を上下動させる
ことにより、巻き数を変えずに円筒型空胴共振器１の軸
方向にコイル１２のピッチを延ばすことができる。この
ように、コイルピッチを変えることによって放電プラズ
マの状態を変えることができるため、放電管２内部で発
生する放電プラズマを軸方向に伸ばすことができる。こ
のような円筒型空胴共振器１により成膜実験を行なった
結果を表２に示す。
ことにより、巻き数を変えずに円筒型空胴共振器１の軸
方向にコイル１２のピッチを延ばすことができる。この
ように、コイルピッチを変えることによって放電プラズ
マの状態を変えることができるため、放電管２内部で発
生する放電プラズマを軸方向に伸ばすことができる。こ
のような円筒型空胴共振器１により成膜実験を行なった
結果を表２に示す。
【００３０】実施例１及び２で示したように円筒型空胴
共振器１内に設置したコイルによりマイクロ波が放電管
内部で発生する放電プラズマとうまくカップリングする
ことから、表１に示す実施例３、４及び５に示すコイル
形状で同様の成膜試験を行なった。コイルの設置の様子
をそれぞれ図３、図４及び図５に示す。図３に示す実施
例では、分岐型コイル１７を使用して、マイクロ波の放
電プラズマの供給を円筒型空胴共振器１の中心部から上
下双方へ行なうようにしたものである。
共振器１内に設置したコイルによりマイクロ波が放電管
内部で発生する放電プラズマとうまくカップリングする
ことから、表１に示す実施例３、４及び５に示すコイル
形状で同様の成膜試験を行なった。コイルの設置の様子
をそれぞれ図３、図４及び図５に示す。図３に示す実施
例では、分岐型コイル１７を使用して、マイクロ波の放
電プラズマの供給を円筒型空胴共振器１の中心部から上
下双方へ行なうようにしたものである。
【００３１】従って、この実施例では、円筒型空胴共振
器１中央に設置した基板６を中心にして軸方向に均等に
マイクロ波エネルギーが分配されることになる。また、
この分配率を変えるため、円筒型空胴共振器１の両端に
ピッチ調節器１３を上下動自在に取り付け、これらのピ
ッチ調節器１３に分岐型コイル１７の一端を接続するよ
うにしても良い。
器１中央に設置した基板６を中心にして軸方向に均等に
マイクロ波エネルギーが分配されることになる。また、
この分配率を変えるため、円筒型空胴共振器１の両端に
ピッチ調節器１３を上下動自在に取り付け、これらのピ
ッチ調節器１３に分岐型コイル１７の一端を接続するよ
うにしても良い。
【００３２】図４には同軸導波管の内導体１１にプロー
ブ状のアンテナ１５を取り付けて、円筒型空胴共振器１
内部に設置したカップリングコイル１６と容量的にカッ
プリングさせたものである。このカップリングコイル１
６によるとマイクロ波はコイル内の放電管２に均等にカ
ップリングするために同軸導波管の内導体１１からコイ
ルまでの伝送損失が低減される。
ブ状のアンテナ１５を取り付けて、円筒型空胴共振器１
内部に設置したカップリングコイル１６と容量的にカッ
プリングさせたものである。このカップリングコイル１
６によるとマイクロ波はコイル内の放電管２に均等にカ
ップリングするために同軸導波管の内導体１１からコイ
ルまでの伝送損失が低減される。
【００３３】従って、放電プラズマへのエネルギー供給
の効率が向上する。図５には試料ガスの放電状態を変化
させるためにマイクロ波エネルギーを集中させたい空間
に二つのカップリングコイル１６を設置したものであ
る。即ち、図５に示すように円筒型空胴共振器１の中心
部に設置している基板６に重ならないように、その上下
にそれぞれカップリングコイル１６を配置して、基板６
に放電エネルギーが集中しないようにし、基板温度が異
常に上昇することを避けるようにしている。
の効率が向上する。図５には試料ガスの放電状態を変化
させるためにマイクロ波エネルギーを集中させたい空間
に二つのカップリングコイル１６を設置したものであ
る。即ち、図５に示すように円筒型空胴共振器１の中心
部に設置している基板６に重ならないように、その上下
にそれぞれカップリングコイル１６を配置して、基板６
に放電エネルギーが集中しないようにし、基板温度が異
常に上昇することを避けるようにしている。
【００３４】本実施例ではダイヤモンド薄膜の成膜を示
したが、更に、試料ガスを変えることによりダイヤモン
ド以外の薄膜を製造できる。また、本実施例で示したコ
イルは温度の上昇を伴う放電管に接触させてもよいこと
から、コイル内を冷却水を流しても問題がなく、これに
よりコイルに更にマイクロ波エネルギーを供給できるこ
とになり、多用途に適したプラズマ製造法となる。
したが、更に、試料ガスを変えることによりダイヤモン
ド以外の薄膜を製造できる。また、本実施例で示したコ
イルは温度の上昇を伴う放電管に接触させてもよいこと
から、コイル内を冷却水を流しても問題がなく、これに
よりコイルに更にマイクロ波エネルギーを供給できるこ
とになり、多用途に適したプラズマ製造法となる。
【００３５】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明によれば、プラズマ製造装置におい
て、その試料ガスに印加される電界強度分布の制御を行
うことによって均一な放電を発生させることができ、円
筒型空胴共振器内に導入する試料ガスを原料とした均一
なプラズマの製造を有効に行うことができる。
たように、本発明によれば、プラズマ製造装置におい
て、その試料ガスに印加される電界強度分布の制御を行
うことによって均一な放電を発生させることができ、円
筒型空胴共振器内に導入する試料ガスを原料とした均一
なプラズマの製造を有効に行うことができる。
【図１】本発明の実施例に係わる円筒型空胴共振器及び
円筒型空胴共振器内に設置するコイルの模式図である。
円筒型空胴共振器内に設置するコイルの模式図である。
【図２】本発明の実施例に係わる円筒型空胴共振器及び
円筒型空胴共振器内に設置するコイルの模式図である。
円筒型空胴共振器内に設置するコイルの模式図である。
【図３】本発明の実施例に係わる円筒型空胴共振器及び
円筒型空胴共振器内に設置するコイルの模式図である。
円筒型空胴共振器内に設置するコイルの模式図である。
【図４】本発明の実施例に係わる円筒型空胴共振器及び
円筒型空胴共振器内に設置するコイルの模式図である。
円筒型空胴共振器内に設置するコイルの模式図である。
【図５】本発明の実施例に係わる円筒型空胴共振器及び
円筒型空胴共振器内に設置するコイルの模式図である。
円筒型空胴共振器内に設置するコイルの模式図である。
【図６】従来のプラズマ製造装置を示す正面図である。
１ 円筒型空胴共振器 ２ 放電管 ３ マイクロ波発振器 ４ 導波管 ５ 試料ガス供給源 ６ 基板 ７ 試料台 ８ 排気管 ９ スリーブ １０ 同軸導波管内導体 １１ 同軸導波管外導体 １２ コイル １３ ピッチ調節器 １４ 同軸導波管 １５ アンテナ １６ カップリングコイル １７ 分岐型コイル
Claims (5)
- 【請求項１】 マイクロ波発振器から出力されたマイク
ロ波を空胴共振器に導入し、前記空胴共振器内部に導入
した電界によってガスを放電させるプラズマ装置におい
て、前記空胴共振器内に設置したコイルによって当該空
胴共振器中の放電管内のガス全体を放電させることを特
徴とするプラズマ製造方法。 - 【請求項２】 前記空胴共振器内部の電界強度を内部に
設置したコイルのピッチで制御することを特徴とする請
求項１記載のプラズマ製造方法。 - 【請求項３】 前記空胴共振器内部に複数のコイルを設
置することによって前記空胴共振器内部の電界強度分布
を制御することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ
製造方法。 - 【請求項４】 前記マイクロ波発振器から出力されたマ
イクロ波を前記空胴共振器に導入し、放電発生空間にコ
イルを備えたことを特徴とする請求項１記載のプラズマ
製造装置。 - 【請求項５】 前記空胴共振器の側面から内部のコイル
のピッチを変換させる治具を備えたことを特徴とする請
求項４記載のプラズマ製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5275174A JPH07130492A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | プラズマ製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5275174A JPH07130492A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | プラズマ製造方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130492A true JPH07130492A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17551704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5275174A Withdrawn JPH07130492A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | プラズマ製造方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130492A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1174097A (ja) * | 1997-04-22 | 1999-03-16 | Applied Materials Inc | 効率が良くコンパクトなリモートマイクロ波プラズマ発生用の装置及び方法 |
| WO2004068559A3 (en) * | 2003-01-30 | 2004-11-11 | Axcelis Tech Inc | Helix coupled remote plasma source |
| JP2009032545A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Md Luminous Kk | マイクロ波プラズマニードル発生装置 |
| WO2013121467A1 (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| CN106465530A (zh) * | 2014-03-27 | 2017-02-22 | Mks仪器股份有限公司 | 具有改进的功率均匀性的微波等离子体施加器 |
-
1993
- 1993-11-04 JP JP5275174A patent/JPH07130492A/ja not_active Withdrawn
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| CN106465530A (zh) * | 2014-03-27 | 2017-02-22 | Mks仪器股份有限公司 | 具有改进的功率均匀性的微波等离子体施加器 |
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| Date | Code | Title | Description |
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