JPH07128362A - 容量式センサ及び車両用エアバッグシステム - Google Patents
容量式センサ及び車両用エアバッグシステムInfo
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- JPH07128362A JPH07128362A JP5271695A JP27169593A JPH07128362A JP H07128362 A JPH07128362 A JP H07128362A JP 5271695 A JP5271695 A JP 5271695A JP 27169593 A JP27169593 A JP 27169593A JP H07128362 A JPH07128362 A JP H07128362A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小規模な電子回路とマイコン併用により加速
度等の物理量を検出でき、センサの感度を容易に可変調
整できる容量式センサを提供する。 【構成】 容量式センサの固定電極２０２と固定電極２
０７に互いに逆位相のパルス電圧をインバータを介して
印加する。固定電極２０２・可動電極２０６間の静電容
量Ｃ1と固定電極２０２に印加されるパルス電圧のハイ
レベルＶ1の積Ｃ1Ｖ1と、固定電極２０７・可動電極２
０６間の静電容量Ｃ2と固定電極２０７に印加されるパ
ルス電圧のハイレベルＶ2の積Ｃ2Ｖ2との差を電荷検出
器１０４で検出し、マイコン１０６によりＣ1Ｖ1＝Ｃ2
Ｖ2になるようＶ1，Ｖ2を制御する。Ｖ1は基準電圧Ｖ
REFとの関係でＶ1＝ＶREF−Ｖ2で、Ｃ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2の条
件の下で、（２Ｖ2−ＶREF）／ＶREFの関係式から可動
電極の変位を算出する。ＶREFは調整してセンサ出力の
感度を可変にした。
度等の物理量を検出でき、センサの感度を容易に可変調
整できる容量式センサを提供する。 【構成】 容量式センサの固定電極２０２と固定電極２
０７に互いに逆位相のパルス電圧をインバータを介して
印加する。固定電極２０２・可動電極２０６間の静電容
量Ｃ1と固定電極２０２に印加されるパルス電圧のハイ
レベルＶ1の積Ｃ1Ｖ1と、固定電極２０７・可動電極２
０６間の静電容量Ｃ2と固定電極２０７に印加されるパ
ルス電圧のハイレベルＶ2の積Ｃ2Ｖ2との差を電荷検出
器１０４で検出し、マイコン１０６によりＣ1Ｖ1＝Ｃ2
Ｖ2になるようＶ1，Ｖ2を制御する。Ｖ1は基準電圧Ｖ
REFとの関係でＶ1＝ＶREF−Ｖ2で、Ｃ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2の条
件の下で、（２Ｖ2−ＶREF）／ＶREFの関係式から可動
電極の変位を算出する。ＶREFは調整してセンサ出力の
感度を可変にした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば加速度のような
物理的な力が加わるとこれに応じて変位する可動電極と
これに対向して配置された固定電極との静電容量の変化
から上記物理量を検出する容量式センサ、及びこれを利
用したエアバッグシステムに関する。
物理的な力が加わるとこれに応じて変位する可動電極と
これに対向して配置された固定電極との静電容量の変化
から上記物理量を検出する容量式センサ、及びこれを利
用したエアバッグシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、加速度に応動して変位する可
動電極及びこの可動電極を介在させた状態で該可動電極
と微小間隙を保って対向配置される固定電極よりなる静
電容量式の加速度センサが提案されている。
動電極及びこの可動電極を介在させた状態で該可動電極
と微小間隙を保って対向配置される固定電極よりなる静
電容量式の加速度センサが提案されている。
【０００３】この種の容量式センサは、原理的には、可
動電極と一方の固定電極間に生じる静電容量Ｃ1と、可
動電極と他方の固定電極間に生じる静電容量Ｃ2との差
ΔＣ（＝Ｃ1−Ｃ2）を電圧変換して、加速度等の物理量
を検出するものである。さらに、これを応用して、ΔＣ
が常に零になるようにフィードバック制御して固定電極
・可動電極間に静電サーボ力を与え、この静電サーボ信
号より物理量を検出するも提案されている。
動電極と一方の固定電極間に生じる静電容量Ｃ1と、可
動電極と他方の固定電極間に生じる静電容量Ｃ2との差
ΔＣ（＝Ｃ1−Ｃ2）を電圧変換して、加速度等の物理量
を検出するものである。さらに、これを応用して、ΔＣ
が常に零になるようにフィードバック制御して固定電極
・可動電極間に静電サーボ力を与え、この静電サーボ信
号より物理量を検出するも提案されている。
【０００４】さらに、容量式センサとしては、特表平４
−５０４００３号公報に記載されたモノリシック加速度
計のように検出素子と検出回路をワンチップに集積化す
ることに適したものがある。
−５０４００３号公報に記載されたモノリシック加速度
計のように検出素子と検出回路をワンチップに集積化す
ることに適したものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】容量式センサ、特に容
量式加速度センサは車両用のエアーバッグシステム用の
衝突検知センサとして使われるため、低コスト化の要求
が非常に強くなっている。上記したモノリシック加速度
計では検出素子と電子回路をワンチップ化することで、
これに対応している。
量式加速度センサは車両用のエアーバッグシステム用の
衝突検知センサとして使われるため、低コスト化の要求
が非常に強くなっている。上記したモノリシック加速度
計では検出素子と電子回路をワンチップ化することで、
これに対応している。
【０００６】しかし、静電サーボ方式の容量式センサ
は、静電サーボ系の回路が付加されることで電子回路の
規模が大きくなり、低コスト化に限界があった。一方、
静電サーボ系を使用しないものは、微小静電容量差ΔＣ
の変化を高精度に検出する必要があるため、検出系のア
ナログ電子回路が複雑化し、やはり低コスト化に限界が
あった。
は、静電サーボ系の回路が付加されることで電子回路の
規模が大きくなり、低コスト化に限界があった。一方、
静電サーボ系を使用しないものは、微小静電容量差ΔＣ
の変化を高精度に検出する必要があるため、検出系のア
ナログ電子回路が複雑化し、やはり低コスト化に限界が
あった。
【０００７】ところで、エアーバッグシステムでは通常
マイクロコンピュータ（以下、マイコンと称する）が使
われる。従って、このマイコンにより電子回路の動作の
一部を負担させることで、電子回路の小型化を図り、低
コスト化を実現できる。
マイクロコンピュータ（以下、マイコンと称する）が使
われる。従って、このマイコンにより電子回路の動作の
一部を負担させることで、電子回路の小型化を図り、低
コスト化を実現できる。
【０００８】本発明は以上の点に着目してなされ、その
目的は、小規模な電子回路とマイコン併用によりシステ
ムの低コスト化を図り、しかも、センサの感度を容易に
自動調整し得る容量式センサを提供することにある。
目的は、小規模な電子回路とマイコン併用によりシステ
ムの低コスト化を図り、しかも、センサの感度を容易に
自動調整し得る容量式センサを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、検出対象たる
物理量に応動して変位する可動電極、該可動電極を介在
させた状態で対向配置される第１の固定電極，第２の固
定電極を備えた容量式センサにおいて、 前記第１の固定電極と第２の固定電極に互いに逆位相
のパルス電圧を印加する手段と、 前記第１の固定電極・可動電極間の静電容量Ｃ1と前
記第１の固定電極に印加されるパルス電圧のハイレベル
Ｖ1の積Ｃ1Ｖ1と、前記第２の固定電極・可動電極間の
静電容量Ｃ2と前記第２の固定電極に印加されるパルス
電圧のハイレベルＶ2の積Ｃ2Ｖ2との差もしくは大小を
検出して、前記Ｃ1Ｖ1とＣ2Ｖ2とがＣ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2にな
るように前記第１，第２の固定電極に印加されるパルス
電圧のハイレベルＶ1，Ｖ2を制御するフィードバック制
御系とを有し、 前記第１の固定電極の印加されるパルス電圧のハイレ
ベルＶ1は、予め設定した基準電圧ＶREFと前記第２の固
定電極に印加されるパルス電圧のハイレベルＶ2との差
（Ｖ1＝ＶREF−Ｖ2）になるように設定し、また、前記
第１，第２の固定電極に印加される各パルス電圧のロー
レベルが接地固定され、 且つ、前記Ｃ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2の条件の下で、（２Ｖ2−
ＶREF）／ＶREFの関係式から前記可動電極の変位を算出
してセンサ出力にする演算手段を備え、前記ＶRE Fはそ
の値を自動的に可変調整できるよう設定して、このＶ
REFを変えることでセンサ出力の感度調整を可変にした
ことを特徴とする。
物理量に応動して変位する可動電極、該可動電極を介在
させた状態で対向配置される第１の固定電極，第２の固
定電極を備えた容量式センサにおいて、 前記第１の固定電極と第２の固定電極に互いに逆位相
のパルス電圧を印加する手段と、 前記第１の固定電極・可動電極間の静電容量Ｃ1と前
記第１の固定電極に印加されるパルス電圧のハイレベル
Ｖ1の積Ｃ1Ｖ1と、前記第２の固定電極・可動電極間の
静電容量Ｃ2と前記第２の固定電極に印加されるパルス
電圧のハイレベルＶ2の積Ｃ2Ｖ2との差もしくは大小を
検出して、前記Ｃ1Ｖ1とＣ2Ｖ2とがＣ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2にな
るように前記第１，第２の固定電極に印加されるパルス
電圧のハイレベルＶ1，Ｖ2を制御するフィードバック制
御系とを有し、 前記第１の固定電極の印加されるパルス電圧のハイレ
ベルＶ1は、予め設定した基準電圧ＶREFと前記第２の固
定電極に印加されるパルス電圧のハイレベルＶ2との差
（Ｖ1＝ＶREF−Ｖ2）になるように設定し、また、前記
第１，第２の固定電極に印加される各パルス電圧のロー
レベルが接地固定され、 且つ、前記Ｃ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2の条件の下で、（２Ｖ2−
ＶREF）／ＶREFの関係式から前記可動電極の変位を算出
してセンサ出力にする演算手段を備え、前記ＶRE Fはそ
の値を自動的に可変調整できるよう設定して、このＶ
REFを変えることでセンサ出力の感度調整を可変にした
ことを特徴とする。
【００１０】
【作用】まず、本発明の要旨となる作用の説明に先立
ち、容量式センサの検出素子の構造の一例を図２に示
し、本検出素子の基本的な構造と動作を説明する。
ち、容量式センサの検出素子の構造の一例を図２に示
し、本検出素子の基本的な構造と動作を説明する。
【００１１】本検出素子は、例えば、ガラス層２０１、
シリコン層２０４、ガラス層２０５の３層構造よりな
り、中央のシリコン層２０４には可動電極（質量部）２
０６及び電子回路２０３が配置されている。また、ガラ
ス層２０１，２０５には、可動電極２０６に対向して第
１の固定電極２０２、第２の固定電極２０７が配置され
ている。
シリコン層２０４、ガラス層２０５の３層構造よりな
り、中央のシリコン層２０４には可動電極（質量部）２
０６及び電子回路２０３が配置されている。また、ガラ
ス層２０１，２０５には、可動電極２０６に対向して第
１の固定電極２０２、第２の固定電極２０７が配置され
ている。
【００１２】この検出素子に、加速度等の物理力が所定
方向（図２では上下方向）に働くと、可動電極２０６
は、この物理力に応じて変位する。可動電極２０６が変
位すると可動電極２０６・第１の固定電極２０２間の静
電容量Ｃ1と、可動電極２０６・第２の固定電極２０７
間の静電容量Ｃ2が変化する。この静電容量の変化を検
出することにより加速度に応じた出力を得ることができ
る。
方向（図２では上下方向）に働くと、可動電極２０６
は、この物理力に応じて変位する。可動電極２０６が変
位すると可動電極２０６・第１の固定電極２０２間の静
電容量Ｃ1と、可動電極２０６・第２の固定電極２０７
間の静電容量Ｃ2が変化する。この静電容量の変化を検
出することにより加速度に応じた出力を得ることができ
る。
【００１３】本発明では、この静電容量の変化を次のよ
うにして検出する。
うにして検出する。
【００１４】第１の固定電極２０２と第２の固定電極２
０７には、互いに逆位相なパルス電圧が印加される。こ
のパルス電圧の立上り・立ち下がりにより、静電容量Ｃ
1，Ｃ2は充放電され、充放電するタイミングは逆にな
る。つまり静電容量Ｃ1が充電している時は静電容量Ｃ2
は放電しており、静電容量Ｃ1が放電している時は静電
容量Ｃ2は充電している。
０７には、互いに逆位相なパルス電圧が印加される。こ
のパルス電圧の立上り・立ち下がりにより、静電容量Ｃ
1，Ｃ2は充放電され、充放電するタイミングは逆にな
る。つまり静電容量Ｃ1が充電している時は静電容量Ｃ2
は放電しており、静電容量Ｃ1が放電している時は静電
容量Ｃ2は充電している。
【００１５】この、静電容量Ｃ1からの充電電荷と静電
容量Ｃ2からの放電電荷、或いは、静電容量Ｃ1からの放
電電荷と静電容量Ｃ2からの充電電荷の差分の電荷ΔＶ
を検出すると、Ｃ1Ｖ1−Ｃ2Ｖ2に比例した出力が得られ
る（このΔＶを求める動作原理については、実施例で詳
述してある）。
容量Ｃ2からの放電電荷、或いは、静電容量Ｃ1からの放
電電荷と静電容量Ｃ2からの充電電荷の差分の電荷ΔＶ
を検出すると、Ｃ1Ｖ1−Ｃ2Ｖ2に比例した出力が得られ
る（このΔＶを求める動作原理については、実施例で詳
述してある）。
【００１６】そして、本発明では、第１の固定電極２０
２・可動電極２０６間の静電容量Ｃ1と第１の固定電極
２０２に印加したパルス電圧のハイレベルＶ1の積Ｃ1Ｖ
1と、第２の固定電極２０７・可動電極２０６間の静電
容量Ｃ2と第２の固定電極２０７に印加したパルス電圧
のハイレベルＶ2の積Ｃ2Ｖ2とが等しくなるように、フ
ィードバック制御系により、第１，第２の固定電極２０
２，２０７に印加するパルス電圧のハイレベルＶ1，Ｖ2
が制御される(この電圧のハイレベル制御については、
実施例で詳細に説明する)。これにより次式が成り立
つ。
２・可動電極２０６間の静電容量Ｃ1と第１の固定電極
２０２に印加したパルス電圧のハイレベルＶ1の積Ｃ1Ｖ
1と、第２の固定電極２０７・可動電極２０６間の静電
容量Ｃ2と第２の固定電極２０７に印加したパルス電圧
のハイレベルＶ2の積Ｃ2Ｖ2とが等しくなるように、フ
ィードバック制御系により、第１，第２の固定電極２０
２，２０７に印加するパルス電圧のハイレベルＶ1，Ｖ2
が制御される(この電圧のハイレベル制御については、
実施例で詳細に説明する)。これにより次式が成り立
つ。
【００１７】
【数１】Ｃ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2 ここで、可動電極２０６と第１の固定電極２０２間の静
電容量Ｃ1、及び可動電極２０６と第２の固定電極２０
７間の静電容量Ｃ2は次のように表される。
電容量Ｃ1、及び可動電極２０６と第２の固定電極２０
７間の静電容量Ｃ2は次のように表される。
【００１８】
【数２】
【００１９】ε：空気中の誘電率 Ｓ：可動電極と固定電極の対向面積 ｄ：可動電極と固定電極間の初期ギャップ ｘ：可動電極の変位 第１の固定電極２０２に印加したパルス電圧のハイレベ
ルＶ1と、第２の固定電極２０７に印加したパルス電圧
のハイレベルＶ2の差と和の比(Ｖ2−Ｖ1)／(Ｖ2＋Ｖ1)
を求めると、前記Ｃ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2の条件の下では、次の
ように表される。
ルＶ1と、第２の固定電極２０７に印加したパルス電圧
のハイレベルＶ2の差と和の比(Ｖ2−Ｖ1)／(Ｖ2＋Ｖ1)
を求めると、前記Ｃ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2の条件の下では、次の
ように表される。
【００２０】
【数３】
【００２１】つまり、第１の固定電極２０２に印加した
パルス電圧のハイレベルＶ1と、第２の固定電極２０７
に印加したパルス電圧のハイレベルＶ2の差と和の比(Ｖ
2−Ｖ1)／(Ｖ2＋Ｖ1)を求めることにより、可動電極２
０６の変位に比例した出力を得ることができる。可動電
極２０６の変位は加速度等の物理量に比例するから、前
記(Ｖ2−Ｖ1)／(Ｖ2＋Ｖ1)を求めることにより、加速度
等の物理量に比例した出力を得ることができる。
パルス電圧のハイレベルＶ1と、第２の固定電極２０７
に印加したパルス電圧のハイレベルＶ2の差と和の比(Ｖ
2−Ｖ1)／(Ｖ2＋Ｖ1)を求めることにより、可動電極２
０６の変位に比例した出力を得ることができる。可動電
極２０６の変位は加速度等の物理量に比例するから、前
記(Ｖ2−Ｖ1)／(Ｖ2＋Ｖ1)を求めることにより、加速度
等の物理量に比例した出力を得ることができる。
【００２２】ところで、本発明では上記の構成要素の
ハイレベル設定値及びローレベル接地固定により、第１
の固定電極２０２に印加されるパルス電圧のハイレベル
Ｖ1は、予め設定した基準電圧ＶREFとＶ2の差（Ｖ1＝Ｖ
REF−Ｖ2）、第２の固定電極２０７に印加されるパルス
電圧のハイレベルがＶ2になるように設定してあるが、
ハイレベルＶ2の２倍と基準値ＶREFの差と基準値ＶREF
の比を求めると、次のように関係式が成立する。
ハイレベル設定値及びローレベル接地固定により、第１
の固定電極２０２に印加されるパルス電圧のハイレベル
Ｖ1は、予め設定した基準電圧ＶREFとＶ2の差（Ｖ1＝Ｖ
REF−Ｖ2）、第２の固定電極２０７に印加されるパルス
電圧のハイレベルがＶ2になるように設定してあるが、
ハイレベルＶ2の２倍と基準値ＶREFの差と基準値ＶREF
の比を求めると、次のように関係式が成立する。
【００２３】
【数４】
【００２４】つまり、(２Ｖ2−ＶREF)／ＶREFを求める
ことにより、可動電極２０６の変位に比例した出力を得
ることができる。また可動電極２０６の変位は加速度に
比例するから(２Ｖ2−ＶREF)／ＶREFを演算手段により
求めることで、加速度等の物理量に比例した出力を得る
ことができる。
ことにより、可動電極２０６の変位に比例した出力を得
ることができる。また可動電極２０６の変位は加速度に
比例するから(２Ｖ2−ＶREF)／ＶREFを演算手段により
求めることで、加速度等の物理量に比例した出力を得る
ことができる。
【００２５】また、上記の(２Ｖ2−ＶREF)／ＶREF＝ｘ
／ｄの関係式を変形すると、次式で表わすことができ
る。
／ｄの関係式を変形すると、次式で表わすことができ
る。
【００２６】
【数５】
【００２７】したがって、ＶREFの値を変えることによ
り、Ｖ2も変わり、これによりセンサの感度（変位ｘに
対するＶREF，Ｖ2）を変化させることができる。具体的
には、変位ｘに対して、ＶREFを大きくすればＶ2も大き
くなって高感度となり、ＶＲＥＦを小さくすればＶ２も
小さくなって低感度となる。
り、Ｖ2も変わり、これによりセンサの感度（変位ｘに
対するＶREF，Ｖ2）を変化させることができる。具体的
には、変位ｘに対して、ＶREFを大きくすればＶ2も大き
くなって高感度となり、ＶＲＥＦを小さくすればＶ２も
小さくなって低感度となる。
【００２８】その結果、加速度センサを高感度使用と低
感度使用したい時の感度切替を行ない得る。感度切替
は、次のような場合に便利である。
感度使用したい時の感度切替を行ない得る。感度切替
は、次のような場合に便利である。
【００２９】例えば、容量式センサは、車両用エアバッ
グシステムの衝突検知用加速度センサとして使用する場
合、衝突時の加速度は非常に大きい（２０Ｇ〜５０Ｇ程
度）ので、衝突検知モードにある時には、２０Ｇ〜５０
Ｇの加速度に対応した大きな変位ｘに応答すればよいの
で、センサ感度も比較的低感度でよい。
グシステムの衝突検知用加速度センサとして使用する場
合、衝突時の加速度は非常に大きい（２０Ｇ〜５０Ｇ程
度）ので、衝突検知モードにある時には、２０Ｇ〜５０
Ｇの加速度に対応した大きな変位ｘに応答すればよいの
で、センサ感度も比較的低感度でよい。
【００３０】一方、非衝突時にセンサに働く加速度は微
弱である（１Ｇ以下）が、この加速度を利用するか、或
いは故意的な静電気力を可動電極・固定電極間に印加し
て微弱な加速度を誘発させてセンサが正常に働くか否か
を動作チェック（診断）する場合には、低感度では思う
ようなＶ2値を得ることができず、この場合にはセンサ
を高感度にすれば、演算に必要な充分なＶ2を得ること
ができる。すなわち、通常（衝突検知モード）時には容
量式センサを低感度にし、診断モード時には容量式セン
サを高感度に切り替えることも可能となる。
弱である（１Ｇ以下）が、この加速度を利用するか、或
いは故意的な静電気力を可動電極・固定電極間に印加し
て微弱な加速度を誘発させてセンサが正常に働くか否か
を動作チェック（診断）する場合には、低感度では思う
ようなＶ2値を得ることができず、この場合にはセンサ
を高感度にすれば、演算に必要な充分なＶ2を得ること
ができる。すなわち、通常（衝突検知モード）時には容
量式センサを低感度にし、診断モード時には容量式セン
サを高感度に切り替えることも可能となる。
【００３１】さらに、本発明は、センサ出力を求める場
合に、従来のように可動電極と一方の固定電極の静電容
量Ｃ1と、可動電極と他方の固定電極の静電容量Ｃ2との
差ΔＣ＝Ｃ1−Ｃ2を電圧変換した値から加速度を検出す
るのではなく、Ｃ1Ｖ1とＣ2Ｖ2の差から最終的にＣ1Ｖ1
＝Ｃ2Ｖ2になるようなフィードバック制御するので、Ｃ
1Ｖ1とＣ2Ｖ2の差を求める検出系回路（例えば電荷検出
器）もＣ1Ｖ1，Ｃ2Ｖ2の大小関係を判別できれば足り、
このようなアナログ検出系回路も簡易なもので足り、ま
た、本検出系電子回路はマイコンと組み合わせることに
より、回路規模を非常に小さくすることができる(電子
回路の構成については実施例で詳細に説明する)。
合に、従来のように可動電極と一方の固定電極の静電容
量Ｃ1と、可動電極と他方の固定電極の静電容量Ｃ2との
差ΔＣ＝Ｃ1−Ｃ2を電圧変換した値から加速度を検出す
るのではなく、Ｃ1Ｖ1とＣ2Ｖ2の差から最終的にＣ1Ｖ1
＝Ｃ2Ｖ2になるようなフィードバック制御するので、Ｃ
1Ｖ1とＣ2Ｖ2の差を求める検出系回路（例えば電荷検出
器）もＣ1Ｖ1，Ｃ2Ｖ2の大小関係を判別できれば足り、
このようなアナログ検出系回路も簡易なもので足り、ま
た、本検出系電子回路はマイコンと組み合わせることに
より、回路規模を非常に小さくすることができる(電子
回路の構成については実施例で詳細に説明する)。
【００３２】すなわち、本発明における上記の構成要
素のようなフィードバック制御系は、Ｃ1Ｖ1とＣ2Ｖ2の
差をアナログ／デジタル変換した後に、この差をマイコ
ンによりデジタル処理してＣ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2となり得るＶ
1，Ｖ2を求めることができるので（具体的には実施例で
詳述してある）、このフィードバック制御系をマイコン
により構成することにより、アナログの検出系電子回路
は簡略化を図り小規模とすることができる。したがっ
て、検出素子と上記電子回路をワンチップに集積して
も、電子回路の歩留まりが非常に高く、電子回路の占有
する面積も小さくでき小形化を図り得る。また、検出素
子と電子回路をワンチップに集積化することにより、検
出素子・電子回路間の配線を短くでき、その結果、浮遊
容量等の誤差要因を小さくできる。
素のようなフィードバック制御系は、Ｃ1Ｖ1とＣ2Ｖ2の
差をアナログ／デジタル変換した後に、この差をマイコ
ンによりデジタル処理してＣ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2となり得るＶ
1，Ｖ2を求めることができるので（具体的には実施例で
詳述してある）、このフィードバック制御系をマイコン
により構成することにより、アナログの検出系電子回路
は簡略化を図り小規模とすることができる。したがっ
て、検出素子と上記電子回路をワンチップに集積して
も、電子回路の歩留まりが非常に高く、電子回路の占有
する面積も小さくでき小形化を図り得る。また、検出素
子と電子回路をワンチップに集積化することにより、検
出素子・電子回路間の配線を短くでき、その結果、浮遊
容量等の誤差要因を小さくできる。
【００３３】
【実施例】本発明の実施例を図面により説明する。
【００３４】図１は、本発明の第１実施例に係る容量式
センサの構成図で、ここでは、一例として加速度センサ
を例示している。
センサの構成図で、ここでは、一例として加速度センサ
を例示している。
【００３５】本実施例の加速度センサは、検出素子１０
３、電荷検出器１０４、インバータゲート１０１，１０
２，１０５、及びマイコン１０６から構成さる。
３、電荷検出器１０４、インバータゲート１０１，１０
２，１０５、及びマイコン１０６から構成さる。
【００３６】検出素子１０３は図２で説明した検出素子
を使用しており、図１では可動電極２０６、第１の固定
電極２０２、第２の固定電極２０７のみを表記してい
る。ここで、図面における電極の配置に合わせて、第１
の固定電極２０２を上側固定電極と、第２の固定電極２
０７を下側固定電極と称する。
を使用しており、図１では可動電極２０６、第１の固定
電極２０２、第２の固定電極２０７のみを表記してい
る。ここで、図面における電極の配置に合わせて、第１
の固定電極２０２を上側固定電極と、第２の固定電極２
０７を下側固定電極と称する。
【００３７】電荷検出器１０４は、可動電極２０６と上
側固定電極２０２間の静電容量Ｃ1と、可動電極２０６
と下側固定電極２０７間の静電容量Ｃ2に流れる充放電
電荷を検出する回路である。
側固定電極２０２間の静電容量Ｃ1と、可動電極２０６
と下側固定電極２０７間の静電容量Ｃ2に流れる充放電
電荷を検出する回路である。
【００３８】インバータゲート１０１，１０５は、上側
固定電極２０２及び下側固定電極２０７にパルス電圧を
印加するための駆動ゲートであり、インバータゲート１
０２により、上側固定電極２０２と下側固定電極２０７
に互いに逆位相のパルス電圧を印加している。
固定電極２０２及び下側固定電極２０７にパルス電圧を
印加するための駆動ゲートであり、インバータゲート１
０２により、上側固定電極２０２と下側固定電極２０７
に互いに逆位相のパルス電圧を印加している。
【００３９】上記電荷検出器１０４は、静電容量Ｃ1と
インバータゲート１０１を介して上側固定電極２０２に
印加されるパルス電圧のハイレベルＶ1の積Ｃ1Ｖ1と、
静電容量Ｃ2とインバータゲート１０５を介して下側固
定電極２０７に印加されるパルス電圧のハイレベルＶ2
の積Ｃ２Ｖ２の差もしくは大小を検出する手段となる。
インバータゲート１０１を介して上側固定電極２０２に
印加されるパルス電圧のハイレベルＶ1の積Ｃ1Ｖ1と、
静電容量Ｃ2とインバータゲート１０５を介して下側固
定電極２０７に印加されるパルス電圧のハイレベルＶ2
の積Ｃ２Ｖ２の差もしくは大小を検出する手段となる。
【００４０】マイコン１０６は、前記Ｃ1Ｖ1とＣ2Ｖ2と
がＣ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2になるように前記パルス電圧のハイレ
ベルＶ1，Ｖ2を制御するフィードバック制御系を構成
し、フィードバック制御系の構成要素は、電荷検出器１
０４及びインバータゲート１０１，１０２，１０５を動
作させるためのパルス信号を発生するパルスジェネレー
タ１０９、電荷検出器１０４の出力をデジタルに変換す
るＡ／Ｄ変換器(アナログ／デジタル変換器)１１０、Ａ
／Ｄ変換器１１０の出力を積分する積分器１１１、積分
器１１１の出力をアナログ量に変換するＤ／Ａ変換器
(デジタル／アナログ変換器)１０８、積分器１１１の出
力と基準電圧値ＶREFの差をアナログ量に変換するＤ／
Ａ変換器１０７より成る。
がＣ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2になるように前記パルス電圧のハイレ
ベルＶ1，Ｖ2を制御するフィードバック制御系を構成
し、フィードバック制御系の構成要素は、電荷検出器１
０４及びインバータゲート１０１，１０２，１０５を動
作させるためのパルス信号を発生するパルスジェネレー
タ１０９、電荷検出器１０４の出力をデジタルに変換す
るＡ／Ｄ変換器(アナログ／デジタル変換器)１１０、Ａ
／Ｄ変換器１１０の出力を積分する積分器１１１、積分
器１１１の出力をアナログ量に変換するＤ／Ａ変換器
(デジタル／アナログ変換器)１０８、積分器１１１の出
力と基準電圧値ＶREFの差をアナログ量に変換するＤ／
Ａ変換器１０７より成る。
【００４１】すなわち、フィードバック制御系は、大別
すると、電荷検出器１０４の出力をアナログ／デジタル
変換した後に積分して下側固定電極２０７に印加すべき
ハイレベルＶ2をデジタル生成する帰還要素と、この積
分された出力Ｖ2及び基準電圧ＶREFを基に上側固定電極
に印加されるパルス電圧のハイレベルＶ1＝ＶREF−Ｖ2
をデジタル生成する帰還要素より成る。
すると、電荷検出器１０４の出力をアナログ／デジタル
変換した後に積分して下側固定電極２０７に印加すべき
ハイレベルＶ2をデジタル生成する帰還要素と、この積
分された出力Ｖ2及び基準電圧ＶREFを基に上側固定電極
に印加されるパルス電圧のハイレベルＶ1＝ＶREF−Ｖ2
をデジタル生成する帰還要素より成る。
【００４２】また、マイコン１０６は、積分器１１１の
出力から加速度を演算する演算器１１２等を備えて成
る。この演算式については後述する。
出力から加速度を演算する演算器１１２等を備えて成
る。この演算式については後述する。
【００４３】Ｄ／Ａ変換器１０７の出力側（Ｖ1出力）
は、上側固定電極２０２対応のインバータゲート１０１
のハイレベル側電源端子に接続（入力）され、インバー
タゲート１０１のローレベル側電源端子が接地固定され
る。一方、Ｄ／Ａ変換器１０８の出力側（Ｖ2出力）
は、下側固定電極２０７対応のインバータゲート１０５
のハイレベル側電源端子に接続（入力）され、インバー
タゲート１０５のローレベル側電源端子も接地固定して
ある。
は、上側固定電極２０２対応のインバータゲート１０１
のハイレベル側電源端子に接続（入力）され、インバー
タゲート１０１のローレベル側電源端子が接地固定され
る。一方、Ｄ／Ａ変換器１０８の出力側（Ｖ2出力）
は、下側固定電極２０７対応のインバータゲート１０５
のハイレベル側電源端子に接続（入力）され、インバー
タゲート１０５のローレベル側電源端子も接地固定して
ある。
【００４４】このようなインバータゲートの電源構成に
より、マイコン１０６のパルスジェネレータ１０９，イ
ンバータゲート１０２を介して互いに逆位相のパルス状
のゲート信号φ1，φ2の各々がインバータゲート１０
１，１０５に入力されると、インバータゲート１０１
は、上側固定電極２０２にハイレベルがＶ１値であるパ
ルス電圧を出力して上側固定電極２０２に印加し、イン
バータゲート１０５は、下側電極２０７にハイレベルが
Ｖ２値であるパルス電圧（上記上側固定電極を印加する
パルス電圧と逆位相のもの）を出力して下側固定電極２
０７に印加する。
より、マイコン１０６のパルスジェネレータ１０９，イ
ンバータゲート１０２を介して互いに逆位相のパルス状
のゲート信号φ1，φ2の各々がインバータゲート１０
１，１０５に入力されると、インバータゲート１０１
は、上側固定電極２０２にハイレベルがＶ１値であるパ
ルス電圧を出力して上側固定電極２０２に印加し、イン
バータゲート１０５は、下側電極２０７にハイレベルが
Ｖ２値であるパルス電圧（上記上側固定電極を印加する
パルス電圧と逆位相のもの）を出力して下側固定電極２
０７に印加する。
【００４５】以上のように、上側固定電極２０２と下側
固定電極２０７には互いに逆位相のパルス電圧が印加さ
れる。このパルス電圧の立上り・立ち下がりにより、静
電容量Ｃ1，Ｃ2は充放電され、充放電するタイミングは
逆になる。つまり、静電容量Ｃ1が充電している時は静
電容量Ｃ2は放電しており、静電容量Ｃ1が放電している
時は静電容量Ｃ2は充電している。
固定電極２０７には互いに逆位相のパルス電圧が印加さ
れる。このパルス電圧の立上り・立ち下がりにより、静
電容量Ｃ1，Ｃ2は充放電され、充放電するタイミングは
逆になる。つまり、静電容量Ｃ1が充電している時は静
電容量Ｃ2は放電しており、静電容量Ｃ1が放電している
時は静電容量Ｃ2は充電している。
【００４６】従って、電荷検出器１０４にはパルス電圧
の立上り・立ち下がり時に、静電容量Ｃ1からの充電電
荷と静電容量Ｃ2からの放電電荷、或いは静電容量Ｃ1か
らの放電電荷と静電容量Ｃ2からの充電電荷の差分の電
荷が流れる。電荷検出器１０４は、この差分の電荷をア
ナログ値に変換し（この電荷検出器１０４の具体例につ
いては後述するが、電荷検出器１０４の出力はＣ1Ｖ1−
Ｃ2Ｖ2に比例した出力となる）、マイコン１０６のＡ／
Ｄ変化器１１０に出力する。
の立上り・立ち下がり時に、静電容量Ｃ1からの充電電
荷と静電容量Ｃ2からの放電電荷、或いは静電容量Ｃ1か
らの放電電荷と静電容量Ｃ2からの充電電荷の差分の電
荷が流れる。電荷検出器１０４は、この差分の電荷をア
ナログ値に変換し（この電荷検出器１０４の具体例につ
いては後述するが、電荷検出器１０４の出力はＣ1Ｖ1−
Ｃ2Ｖ2に比例した出力となる）、マイコン１０６のＡ／
Ｄ変化器１１０に出力する。
【００４７】マイコン１０６は、このＡ／Ｄ変換器１１
０の出力を処理して、Ｄ／Ａ変換器１０７，１０８に出
力し、上側固定電極２０２に印加するパルス電圧のハイ
レベルＶ1及び下側固定電極２０７に印加するパルス電
圧のハイレベルＶ2を、電荷検出器１０４の出力が零に
なるように制御する。これにより、上側固定電極２０２
に印加するパルス電圧のハイレベルＶ1と静電容量Ｃ1の
積Ｃ1Ｖ1と、下側固定電極２０７に印加するパルス電圧
のハイレベルＶ2と静電容量Ｃ2の積Ｃ2Ｖ2が等しくな
る。つまり、次式が成り立つ。
０の出力を処理して、Ｄ／Ａ変換器１０７，１０８に出
力し、上側固定電極２０２に印加するパルス電圧のハイ
レベルＶ1及び下側固定電極２０７に印加するパルス電
圧のハイレベルＶ2を、電荷検出器１０４の出力が零に
なるように制御する。これにより、上側固定電極２０２
に印加するパルス電圧のハイレベルＶ1と静電容量Ｃ1の
積Ｃ1Ｖ1と、下側固定電極２０７に印加するパルス電圧
のハイレベルＶ2と静電容量Ｃ2の積Ｃ2Ｖ2が等しくな
る。つまり、次式が成り立つ。
【００４８】
【数６】Ｃ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2 また、静電容量Ｃ1，Ｃ2は次式で表される。
【００４９】
【数７】
【００５０】ε：空気中の誘電率 Ｓ：可動電極と固定電極の対向面積 ｄ：可動電極と固定電極間の初期ギャップ ｘ：可動電極の変位 ここで、Ｖ1は、予め設定した基準電圧ＶREFから下側固
定電極２０７に印加したパルス電圧のハイレベルＶ2の
差となるように帰還要素を設定してあり、Ｃ1Ｖ1とＣ2
Ｖ2の条件の下では、Ｖ2の２倍と基準値ＶREFの差と基
準値ＶREFの比(２Ｖ2−ＶREF)／ＶREFを求めると次のよ
うに表される。
定電極２０７に印加したパルス電圧のハイレベルＶ2の
差となるように帰還要素を設定してあり、Ｃ1Ｖ1とＣ2
Ｖ2の条件の下では、Ｖ2の２倍と基準値ＶREFの差と基
準値ＶREFの比(２Ｖ2−ＶREF)／ＶREFを求めると次のよ
うに表される。
【００５１】
【数８】
【００５２】つまり、(２Ｖ2−ＶREF)／ＶREFを求める
ことにより、可動電極２０６の変位に比例した出力を得
ることができる。また、可動電極２０６の変位は加速度
に比例するから、(２Ｖ2−ＶREF)／ＶREFをマイコン１
０６の演算器１１２により求めることで、加速度に比例
した出力を得ることができる。なお、パルスジェネレー
タ１０９、積分器１１１及び演算器１１２はソフトウェ
アにより実現している。
ことにより、可動電極２０６の変位に比例した出力を得
ることができる。また、可動電極２０６の変位は加速度
に比例するから、(２Ｖ2−ＶREF)／ＶREFをマイコン１
０６の演算器１１２により求めることで、加速度に比例
した出力を得ることができる。なお、パルスジェネレー
タ１０９、積分器１１１及び演算器１１２はソフトウェ
アにより実現している。
【００５３】次に、電荷検出器１０４の具体例について
説明する。
説明する。
【００５４】電荷検出器１０４の構成は複数あるが、こ
こでは代表的な３種類の電荷検出器について説明する。
なお、電荷検出器１０４の説明において、検出素子１０
３は静電容量Ｃ1，Ｃ2を表す電気記号で表記している。
こでは代表的な３種類の電荷検出器について説明する。
なお、電荷検出器１０４の説明において、検出素子１０
３は静電容量Ｃ1，Ｃ2を表す電気記号で表記している。
【００５５】まず、電荷検出器１０４の第１例を図３，
図４により説明する。図３は第１の電荷検出器の構成、
図４は第１の電荷検出器のタイミングチャートである。
本電荷検出器は、インバータゲート３０３、インバータ
ゲート３０３の入出力端子に接続された静電容量３０
２、静電容量３０２に並列に接続されてパルス信号φＲ
（マイコン１０６より供給される）によって動作するス
イッチ３０１より構成される。
図４により説明する。図３は第１の電荷検出器の構成、
図４は第１の電荷検出器のタイミングチャートである。
本電荷検出器は、インバータゲート３０３、インバータ
ゲート３０３の入出力端子に接続された静電容量３０
２、静電容量３０２に並列に接続されてパルス信号φＲ
（マイコン１０６より供給される）によって動作するス
イッチ３０１より構成される。
【００５６】次にこの電荷検出器１０４の動作について
説明する。電荷検出器は、タイミングｔ1では、パルス
信号φRがハイレベルであり、スイッチ３０１はオン状
態である。スイッチ３０１がオン状態なると、インバー
タゲート３０３の入出力端子を短絡するため、電荷検出
器の出力ＶOUTはインバータゲート３０３の入出力特性
によって決まる値になる。次にタイミングｔ2では、パ
ルス信号φ1は立下がり、パルス信号φ2は立上がる。従
って、静電容量Ｃ1は放電し、静電容量Ｃ2は充電する。
説明する。電荷検出器は、タイミングｔ1では、パルス
信号φRがハイレベルであり、スイッチ３０１はオン状
態である。スイッチ３０１がオン状態なると、インバー
タゲート３０３の入出力端子を短絡するため、電荷検出
器の出力ＶOUTはインバータゲート３０３の入出力特性
によって決まる値になる。次にタイミングｔ2では、パ
ルス信号φ1は立下がり、パルス信号φ2は立上がる。従
って、静電容量Ｃ1は放電し、静電容量Ｃ2は充電する。
【００５７】この時、静電容量Ｃ1の放電電荷と静電容
量Ｃ2の充電電荷の差分の電荷が静電容量３０２に充電
される。この静電容量３０２が充電されることにより、
電荷検出器の出力ＶOUTは変化する。この時の電荷検出
器の出力ＶOUTの変化量ΔＶは次式で表される。
量Ｃ2の充電電荷の差分の電荷が静電容量３０２に充電
される。この静電容量３０２が充電されることにより、
電荷検出器の出力ＶOUTは変化する。この時の電荷検出
器の出力ＶOUTの変化量ΔＶは次式で表される。
【００５８】
【数９】
【００５９】ＣF：静電容量３０２の容量値 従って、電荷検出器１０４の出力ＶOUTの変化量ΔＶか
ら(Ｖ1Ｃ1−Ｖ2Ｃ2)に比例した出力を得ることができ
る。
ら(Ｖ1Ｃ1−Ｖ2Ｃ2)に比例した出力を得ることができ
る。
【００６０】次に電荷検出器の第２例を図５，図６によ
り説明する。図５は第２の電荷検出器１０４の構成、図
６は第２の電荷検出器のタイミングチャートである。本
電荷検出器は、インバータゲート５０５、インバータゲ
ート５０５の入出力端子に接続される静電容量５０４、
パルス信号φR2によって動作するスイッチ５０３、パル
ス信号φR1によって動作するスイッチ５０１、スイッチ
５０３とスイッチ５０１に接続される静電容量５０２よ
り構成される。なお，パルス信号φR1，φR2は、マイコ
ン１０６から供給される信号である。
り説明する。図５は第２の電荷検出器１０４の構成、図
６は第２の電荷検出器のタイミングチャートである。本
電荷検出器は、インバータゲート５０５、インバータゲ
ート５０５の入出力端子に接続される静電容量５０４、
パルス信号φR2によって動作するスイッチ５０３、パル
ス信号φR1によって動作するスイッチ５０１、スイッチ
５０３とスイッチ５０１に接続される静電容量５０２よ
り構成される。なお，パルス信号φR1，φR2は、マイコ
ン１０６から供給される信号である。
【００６１】次に本電荷検出器の動作について説明す
る。本電荷検出器はタイミングｔ1では、パルス信号φ
R1はハイレベル、パルス信号φR2はローレベルであり、
スイッチ５０３はオフ状態、スイッチ５０１はオン状態
になる。従って電荷検出器と静電容量Ｃ1，Ｃ2は分離さ
れており、電荷検出器の出力は変化しない。次に、タイ
ミングｔ2では、パルス信号φ1は立ち下がり、パルス信
号φ2は立ち上がる。従って静電容量Ｃ1は放電し、静電
容量Ｃ2は充電する。この時、静電容量Ｃ1の放電電荷と
静電容量Ｃ2の充電電荷の差分の電荷が静電容量５０４
に充電される。これにより、電荷検出器１０４の出力Ｖ
OUTは静電容量５０４の充電電荷に応じて変化する。こ
の時の電荷検出器の出力ＶOUTの変化量ΔＶは次式で表
される。但し，静電容量５０２の容量値は静電容量
Ｃ1，Ｃ2に比して十分大きくしている。
る。本電荷検出器はタイミングｔ1では、パルス信号φ
R1はハイレベル、パルス信号φR2はローレベルであり、
スイッチ５０３はオフ状態、スイッチ５０１はオン状態
になる。従って電荷検出器と静電容量Ｃ1，Ｃ2は分離さ
れており、電荷検出器の出力は変化しない。次に、タイ
ミングｔ2では、パルス信号φ1は立ち下がり、パルス信
号φ2は立ち上がる。従って静電容量Ｃ1は放電し、静電
容量Ｃ2は充電する。この時、静電容量Ｃ1の放電電荷と
静電容量Ｃ2の充電電荷の差分の電荷が静電容量５０４
に充電される。これにより、電荷検出器１０４の出力Ｖ
OUTは静電容量５０４の充電電荷に応じて変化する。こ
の時の電荷検出器の出力ＶOUTの変化量ΔＶは次式で表
される。但し，静電容量５０２の容量値は静電容量
Ｃ1，Ｃ2に比して十分大きくしている。
【００６２】
【数１０】
【００６３】ＣF：静電容量５０４の容量値 また、タイミングｔ3でもタイミングｔ2における動作と
同様に、電荷検出器の出力ＶOUTは変化量ΔＶ変化す
る。従って、容量検出器の出力ＶOUTは(Ｖ1Ｃ1−Ｖ
2Ｃ2)を積分した出力を得ることができる。このように
本容量検出器では(Ｖ1Ｃ1−Ｖ2Ｃ2)を積分した出力を得
ことができるため、第１の電荷検出器よりもより高精度
に電荷の差分を検出することができる。
同様に、電荷検出器の出力ＶOUTは変化量ΔＶ変化す
る。従って、容量検出器の出力ＶOUTは(Ｖ1Ｃ1−Ｖ
2Ｃ2)を積分した出力を得ることができる。このように
本容量検出器では(Ｖ1Ｃ1−Ｖ2Ｃ2)を積分した出力を得
ことができるため、第１の電荷検出器よりもより高精度
に電荷の差分を検出することができる。
【００６４】次に、電荷検出器の第３例を図７，図８に
より説明する。図７は第３の電荷検出器の構成、図８は
第３の電荷検出器のタイミングチャートである。本電荷
検出器はインバータゲート７０２、インバータゲート７
０２の入出力端子に接続され、パルス信号φR(マイコン
１０６より供給される)によって動作するスイッチ７０
１より構成される。
より説明する。図７は第３の電荷検出器の構成、図８は
第３の電荷検出器のタイミングチャートである。本電荷
検出器はインバータゲート７０２、インバータゲート７
０２の入出力端子に接続され、パルス信号φR(マイコン
１０６より供給される)によって動作するスイッチ７０
１より構成される。
【００６５】次に本電荷検出器の動作を説明する。本電
荷検出器はタイミングｔ1では、パルス信号φRがハイレ
ベルにあり、スイッチ７０１はオン状態になり、この時
の電荷検出器の出力ＶOUTはインバータゲート７０２の
入出力特性によって決まる値になる。次にタイミングｔ
2では、パルス信号φ1は立下がり、パルス信号φ2は立
上がる。この時の静電容量Ｃ１，Ｃ２の接続点の電圧の
変化量ΔＶは次式で表される。
荷検出器はタイミングｔ1では、パルス信号φRがハイレ
ベルにあり、スイッチ７０１はオン状態になり、この時
の電荷検出器の出力ＶOUTはインバータゲート７０２の
入出力特性によって決まる値になる。次にタイミングｔ
2では、パルス信号φ1は立下がり、パルス信号φ2は立
上がる。この時の静電容量Ｃ１，Ｃ２の接続点の電圧の
変化量ΔＶは次式で表される。
【００６６】
【数１１】
【００６７】従って、この電圧の変化量ΔＶにより、イ
ンバータゲート７０２はハイレベルあるいはローレベル
に変化する。つまり、Ｖ1Ｃ1とＶ2Ｃ2の大小関係を比較
する比較器として働く。なお、図１で示した加速度セン
サの容量検出方法では電荷検出器の動作が比較動作であ
っても問題は無い。
ンバータゲート７０２はハイレベルあるいはローレベル
に変化する。つまり、Ｖ1Ｃ1とＶ2Ｃ2の大小関係を比較
する比較器として働く。なお、図１で示した加速度セン
サの容量検出方法では電荷検出器の動作が比較動作であ
っても問題は無い。
【００６８】本実施例によれば、(２Ｖ2−ＶREF)／Ｖ
REFを演算器１１２により求めることにより、可動電極
２０６の変位（換言すれば加速度）に比例した出力を得
ることができる。
REFを演算器１１２により求めることにより、可動電極
２０６の変位（換言すれば加速度）に比例した出力を得
ることができる。
【００６９】また、数８式の(２Ｖ2−ＶREF)／ＶREF＝
ｘ／ｄの関係式を変形すると、次式で表わすことができ
る。
ｘ／ｄの関係式を変形すると、次式で表わすことができ
る。
【００７０】
【数１２】
【００７１】したがって、ＶREFの値を変えることによ
り、Ｖ2も変わり、これによりセンサの感度（変位ｘに
対するＶREF，Ｖ2）を変化させることができる。具体的
には、変位ｘに対して、ＶREFを大きくすればＶ2も大き
くなって高感度となり、ＶREFを小さくすればＶ2も小さ
くなって低感度となる。
り、Ｖ2も変わり、これによりセンサの感度（変位ｘに
対するＶREF，Ｖ2）を変化させることができる。具体的
には、変位ｘに対して、ＶREFを大きくすればＶ2も大き
くなって高感度となり、ＶREFを小さくすればＶ2も小さ
くなって低感度となる。
【００７２】その結果、加速度センサを高感度使用と低
感度使用したい時の感度切替を行ない得る。
感度使用したい時の感度切替を行ない得る。
【００７３】例えば、車両用エアバッグシステムの衝突
検知用加速度センサとして使用する場合、衝突時の加速
度は非常に大きい（２０Ｇ〜５０Ｇ程度）ので、衝突検
知モードにある時には、２０Ｇ〜５０Ｇの加速度に対応
した大きな変位ｘに応答すればよいので、ＶREFを小さ
くしてセンサ感度を比較的低感度にする。
検知用加速度センサとして使用する場合、衝突時の加速
度は非常に大きい（２０Ｇ〜５０Ｇ程度）ので、衝突検
知モードにある時には、２０Ｇ〜５０Ｇの加速度に対応
した大きな変位ｘに応答すればよいので、ＶREFを小さ
くしてセンサ感度を比較的低感度にする。
【００７４】一方、非衝突時にセンサに働く加速度は微
弱である（１Ｇ以下）が、この加速度を利用したり或い
は故意的に静電気力（衝突に比べてはるかに小さい加速
度）を可動電極に与えてセンサが正常に働くか否かを動
作チェック（診断）する場合には、低感度では思うよう
なＶ2値を得ることができず、この場合にはＶREFを大き
くして、センサを高感度にし、演算に必要な充分なＶ2
を得る。すなわち、衝突検知モード時には容量式センサ
を低感度にし、診断モード時には容量式センサを高感度
に切り替える。
弱である（１Ｇ以下）が、この加速度を利用したり或い
は故意的に静電気力（衝突に比べてはるかに小さい加速
度）を可動電極に与えてセンサが正常に働くか否かを動
作チェック（診断）する場合には、低感度では思うよう
なＶ2値を得ることができず、この場合にはＶREFを大き
くして、センサを高感度にし、演算に必要な充分なＶ2
を得る。すなわち、衝突検知モード時には容量式センサ
を低感度にし、診断モード時には容量式センサを高感度
に切り替える。
【００７５】診断モードは、定期的或いは運転の１トリ
ップに一回といった単位で行なえばよい。ここで、加速
度センサの診断について図９より説明する。
ップに一回といった単位で行なえばよい。ここで、加速
度センサの診断について図９より説明する。
【００７６】ここでは、診断のために、故意的に固定電
極を介して可動電極に静電気力を与えて加速度センサの
動作チェックを行なうものとする。
極を介して可動電極に静電気力を与えて加速度センサの
動作チェックを行なうものとする。
【００７７】なお、電荷検出器１０４は上記第２の電荷
検出器を用いた。図９は診断時の第２の電荷検出器のタ
イミングチャートである。信号φ1，φ2，φR1，φR2は
図９から明らかなように図６で示した通常時の信号と同
じである。この第２の容量検出器では、信号φR1がハイ
レベルになった瞬間からローレベルになる直前までの期
間、電圧Ｖ1を任意に変化させても、電荷検出器１０４
と検出素子１０３は分離されているから、電荷検出器１
０４には全く影響が無い。従って、この期間の電圧Ｖ1
を数十ボルトに変化させ、この数十ボルトの電圧によ
り、上側固定電極２０２から可動電極２０６へ静電気力
を働かせる。この静電気力により可動電極２０６を移動
させる。この可動電極の移動を容量の変化で捕らえ、あ
らかじめ規定している基準値と比較することにより、加
速度センサの動作を診断することができる。
検出器を用いた。図９は診断時の第２の電荷検出器のタ
イミングチャートである。信号φ1，φ2，φR1，φR2は
図９から明らかなように図６で示した通常時の信号と同
じである。この第２の容量検出器では、信号φR1がハイ
レベルになった瞬間からローレベルになる直前までの期
間、電圧Ｖ1を任意に変化させても、電荷検出器１０４
と検出素子１０３は分離されているから、電荷検出器１
０４には全く影響が無い。従って、この期間の電圧Ｖ1
を数十ボルトに変化させ、この数十ボルトの電圧によ
り、上側固定電極２０２から可動電極２０６へ静電気力
を働かせる。この静電気力により可動電極２０６を移動
させる。この可動電極の移動を容量の変化で捕らえ、あ
らかじめ規定している基準値と比較することにより、加
速度センサの動作を診断することができる。
【００７８】図１４は上記実施例における容量式加速度
センサを用いたエアバッグシステムの構成図である。
センサを用いたエアバッグシステムの構成図である。
【００７９】本エアバッグシステムは、前述した検出素
子１０３、電荷検出器１０４、マイコン（Ｖ1，Ｖ2を可
変制御するフィードバック制御系）１０６の他に、上記
マイコン１０６からのセンサ出力により衝突を判定する
衝突判定回路（エアバッグ制御回路）１０６Ａ（衝突判
定回路１０６Ａはマイコン１０６内のソフトウエアによ
り構成される）、衝突判定回路１０６Ａが加速度センサ
出力の値を基に衝突を判定するとインフレータを起動さ
せる駆動回路１４０と、このインフレータが起動すると
火薬が着火して展開するエアバッグ１４１とを備える。
子１０３、電荷検出器１０４、マイコン（Ｖ1，Ｖ2を可
変制御するフィードバック制御系）１０６の他に、上記
マイコン１０６からのセンサ出力により衝突を判定する
衝突判定回路（エアバッグ制御回路）１０６Ａ（衝突判
定回路１０６Ａはマイコン１０６内のソフトウエアによ
り構成される）、衝突判定回路１０６Ａが加速度センサ
出力の値を基に衝突を判定するとインフレータを起動さ
せる駆動回路１４０と、このインフレータが起動すると
火薬が着火して展開するエアバッグ１４１とを備える。
【００８０】また、エアバッグ制御回路１０６Ａは、通
常時の車両衝突検知モードと前記容量式センサの動作チ
ェックを行なうための診断モードを設定するモード設定
手段として機能し、このモード設定手段により車両衝突
検知モードを選択した場合には、前記ＶREF値を小さく
して前記容量式センサを低感度とし、診断モードを選択
した場合には、前記ＶREF値を大きくして容量式センサ
を高感度にするように設定してある。
常時の車両衝突検知モードと前記容量式センサの動作チ
ェックを行なうための診断モードを設定するモード設定
手段として機能し、このモード設定手段により車両衝突
検知モードを選択した場合には、前記ＶREF値を小さく
して前記容量式センサを低感度とし、診断モードを選択
した場合には、前記ＶREF値を大きくして容量式センサ
を高感度にするように設定してある。
【００８１】診断モード時には、加速度検出部故障診断
回路１４２がセンサの可動電極２０６を故意的に変位さ
せる信号（静電気力信号）を発生して、その静電気力を
可動電極２０６・固定電極２０２（或いは２０７）に印
加して可動電極２０６が微小変位するか否かを、センサ
出力から判別する。その結果、センサに異常ありと判定
されると、故障表示回路１４３を通じてその旨が報知さ
れる。
回路１４２がセンサの可動電極２０６を故意的に変位さ
せる信号（静電気力信号）を発生して、その静電気力を
可動電極２０６・固定電極２０２（或いは２０７）に印
加して可動電極２０６が微小変位するか否かを、センサ
出力から判別する。その結果、センサに異常ありと判定
されると、故障表示回路１４３を通じてその旨が報知さ
れる。
【００８２】次に、検出素子と電子回路を集積化する構
造についてい説明する。可動電極２０６とシリコン層２
０４は電気的に接続されているので、電子回路２０３を
シリコン層２０４に実装する為には、電子回路２０３で
使用する回路素子とシリコン層２０４を絶縁する必要が
ある。
造についてい説明する。可動電極２０６とシリコン層２
０４は電気的に接続されているので、電子回路２０３を
シリコン層２０４に実装する為には、電子回路２０３で
使用する回路素子とシリコン層２０４を絶縁する必要が
ある。
【００８３】本実施例の容量式センサにおける電子回路
では、インバータゲート，スイッチ及びコンデンサが必
要であるから、回路素子としてコンデンサとＭＯＳトラ
ンジスタを必要とする。ここで、ＭＯＳトランジスタを
構成できると仮定すれば、コンデンサとしてＭＯＳ容量
を使えるので、コンデンサは構成可能である。従って、
回路素子としてシリコン層と絶縁されたＭＯＳトランジ
スタを構成できれば、本実施例の容量式センサに必要な
全ての回路素子を構成できる。
では、インバータゲート，スイッチ及びコンデンサが必
要であるから、回路素子としてコンデンサとＭＯＳトラ
ンジスタを必要とする。ここで、ＭＯＳトランジスタを
構成できると仮定すれば、コンデンサとしてＭＯＳ容量
を使えるので、コンデンサは構成可能である。従って、
回路素子としてシリコン層と絶縁されたＭＯＳトランジ
スタを構成できれば、本実施例の容量式センサに必要な
全ての回路素子を構成できる。
【００８４】以下、電子回路を実装する方法について、
４種類の方法について説明する。
４種類の方法について説明する。
【００８５】まず、第１の電子回路の実装方法を図１０
より説明する。本実装方法ではシリコン層２０４にＮ基
板を使用し、このシリコン層２０４にＰ拡散１００６を
行い、このＰ拡散１００６を最低電位（接地）にするこ
とにより，回路素子とシリコン層２０４を絶縁する方法
である。
より説明する。本実装方法ではシリコン層２０４にＮ基
板を使用し、このシリコン層２０４にＰ拡散１００６を
行い、このＰ拡散１００６を最低電位（接地）にするこ
とにより，回路素子とシリコン層２０４を絶縁する方法
である。
【００８６】ここで，Ｎ型ＭＯＳトランジスタはＮ拡散
１００１，１００２により構成した。またＰ型ＭＯＳト
ランジスタはＮ拡散１００３にＰ拡散１００４，１００
５を行うことにより構成した。
１００１，１００２により構成した。またＰ型ＭＯＳト
ランジスタはＮ拡散１００３にＰ拡散１００４，１００
５を行うことにより構成した。
【００８７】次に第２の電子回路の実装方法を図１１よ
り説明する。
り説明する。
【００８８】本容量検出方法の電子回路は、Ｎ型ＭＯＳ
トランジスタと抵抗のみでも構成できる。従って、シリ
コン層２０４にＰ拡散１１０１を行い、このＰ拡散１１
０１を最低電位にすることにより、回路素子とシリコン
層２０４を絶縁し、単一のＮ拡散のみで本容量検出器に
必要な電子回路を構成できる。つまり、Ｎ型ＭＯＳトラ
ンジスタはＮ拡散１１０２，１１０３により構成でき、
また抵抗はＮ拡散１１０４により構成できる。
トランジスタと抵抗のみでも構成できる。従って、シリ
コン層２０４にＰ拡散１１０１を行い、このＰ拡散１１
０１を最低電位にすることにより、回路素子とシリコン
層２０４を絶縁し、単一のＮ拡散のみで本容量検出器に
必要な電子回路を構成できる。つまり、Ｎ型ＭＯＳトラ
ンジスタはＮ拡散１１０２，１１０３により構成でき、
また抵抗はＮ拡散１１０４により構成できる。
【００８９】次に第３の電子回路の実装方法を図１２よ
り説明する。本実装方法ではシリコン層２０４にＮ基板
を使用し、このシリコン層２０４に打ち抜きのＰ拡散１
２０１を行い、このＰ拡散１２０１を最低電位にするこ
とにより、回路素子とシリコン層２０４を絶縁する方法
である。ここでＰ型ＭＯＳトランジスタは、Ｐ拡散１２
０２，１２０３により構成した。また，Ｎ型ＭＯＳトラ
ンジスタはＰ拡散１２０４にＮ拡散１２０５，１２０６
を行うことにより構成した。
り説明する。本実装方法ではシリコン層２０４にＮ基板
を使用し、このシリコン層２０４に打ち抜きのＰ拡散１
２０１を行い、このＰ拡散１２０１を最低電位にするこ
とにより、回路素子とシリコン層２０４を絶縁する方法
である。ここでＰ型ＭＯＳトランジスタは、Ｐ拡散１２
０２，１２０３により構成した。また，Ｎ型ＭＯＳトラ
ンジスタはＰ拡散１２０４にＮ拡散１２０５，１２０６
を行うことにより構成した。
【００９０】次に第４電子回路の実装方法を図１３より
説明する。本実装方法ではシリコン層２０４に酸化膜層
１３０１を配置し、電子回路を誘電体分離により、回路
素子とシリコン層２０４を絶縁する方法である。ここ
で、Ｎ型ＭＯＳトランジスタはＮ拡散１３０２，１３０
３により構成した。またＰ型ＭＯＳトランジスタはＮ拡
散１３０４にＰ拡散１３０５，１３０６を行うことによ
り構成した。
説明する。本実装方法ではシリコン層２０４に酸化膜層
１３０１を配置し、電子回路を誘電体分離により、回路
素子とシリコン層２０４を絶縁する方法である。ここ
で、Ｎ型ＭＯＳトランジスタはＮ拡散１３０２，１３０
３により構成した。またＰ型ＭＯＳトランジスタはＮ拡
散１３０４にＰ拡散１３０５，１３０６を行うことによ
り構成した。
【００９１】
【発明の効果】本発明によれば、小規模な電子回路とマ
イコンにより静電容量を検出する容量式センサを構成す
ることができるから、この種容量式センサや該センサを
利用するエアバッグシステム等のシステムの低コスト化
を図ることができ、しかも、センサの感度を使用目的に
応じて容易に調整或いは可変制御することができる。
イコンにより静電容量を検出する容量式センサを構成す
ることができるから、この種容量式センサや該センサを
利用するエアバッグシステム等のシステムの低コスト化
を図ることができ、しかも、センサの感度を使用目的に
応じて容易に調整或いは可変制御することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る容量式センサの構成図
【図２】容量式加速度センサの検出素子の構造を示す断
面図
面図
【図３】上記実施例に用いる電荷検出器の第１例を示す
構成図
構成図
【図４】図３の電荷検出器の動作状態を示すタイミング
チャート
チャート
【図５】上記実施例に用いる電荷検出器の第２例を示す
構成図
構成図
【図６】図５の電荷検出器の動作状態を示すタイミング
チャート
チャート
【図７】上記実施例に用いる電荷検出器の第３例を示す
構成図
構成図
【図８】図７の電荷検出器の動作状態を示すタイミング
チャート
チャート
【図９】容量式センサの診断モード時の上記第２例の電
荷検出器のタイミングチャート
荷検出器のタイミングチャート
【図１０】上記容量式センサに用いる電子回路の第１例
の実装方式を示す説明図
の実装方式を示す説明図
【図１１】上記容量式センサに用いる電子回路の第２例
の実装方式を示す説明図
の実装方式を示す説明図
【図１２】上記容量式センサに用いる電子回路の第３例
の実装方式を示す説明図
の実装方式を示す説明図
【図１３】上記容量式センサに用いる電子回路の第４例
の実装方式を示す説明図
の実装方式を示す説明図
【図１４】上記容量式センサを応用したエアバッグシス
テムの構成図
テムの構成図
【符号の説明】 １０１…インバータゲート、１０２…インバータゲー
ト、１０３…検出素子、１０４…電荷検出器、１０５…
インバータゲート、１０６…マイコン（フィードバック
制御系、センサ出力演算手段）、１０６Ａ…エアバッグ
制御回路、１０７…Ｄ／Ａ変換器、１０８…Ｄ／Ａ変換
器、１０９…パルスジェネレータ、１１０…Ａ／Ｄ変換
器、１１１…積分器、１１２…演算器、１４０…インフ
レータ駆動回路、１４１…エアバッグ、１４２…加速度
検出部故障回路、１４３…故障表示回路、２０１…ガラ
ス層、２０２…第１の固定電極（上側固定電極）、２０
３…電子回路、２０４…シリコン層、２０５…ガラス
層、２０６…可動電極、２０７…第２の固定電極（下側
固定電極）。
ト、１０３…検出素子、１０４…電荷検出器、１０５…
インバータゲート、１０６…マイコン（フィードバック
制御系、センサ出力演算手段）、１０６Ａ…エアバッグ
制御回路、１０７…Ｄ／Ａ変換器、１０８…Ｄ／Ａ変換
器、１０９…パルスジェネレータ、１１０…Ａ／Ｄ変換
器、１１１…積分器、１１２…演算器、１４０…インフ
レータ駆動回路、１４１…エアバッグ、１４２…加速度
検出部故障回路、１４３…故障表示回路、２０１…ガラ
ス層、２０２…第１の固定電極（上側固定電極）、２０
３…電子回路、２０４…シリコン層、２０５…ガラス
層、２０６…可動電極、２０７…第２の固定電極（下側
固定電極）。
フロントページの続き (72)発明者 笹山 隆生 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会社 日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 鈴木 政善 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会社 日立製作所自動車機器事業部内
Claims (3)
- 【請求項１】 検出対象たる物理量に応動して変位する
可動電極、該可動電極を介在させた状態で対向配置され
る第１の固定電極，第２の固定電極を備えた容量式セン
サにおいて、 前記第１の固定電極と第２の固定電極に互いに逆位相の
パルス電圧を印加する手段と、 前記第１の固定電極・可動電極間の静電容量Ｃ1と前記
第１の固定電極に印加されるパルス電圧のハイレベルＶ
1の積Ｃ1Ｖ1と、前記第２の固定電極・可動電極間の静
電容量Ｃ2と前記第２の固定電極に印加されるパルス電
圧のハイレベルＶ2の積Ｃ2Ｖ2との差もしくは大小を検
出して、前記Ｃ1Ｖ1とＣ2Ｖ2とがＣ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2になる
ように前記第１，第２の固定電極に印加されるパルス電
圧のハイレベルＶ1，Ｖ2を制御するフィードバック制御
系とを有し、 前記第１の固定電極の印加されるパルス電圧のハイレベ
ルＶ1は、予め設定した基準電圧ＶREFと前記第２の固定
電極に印加されるパルス電圧のハイレベルＶ2との差
（Ｖ1＝ＶREF−Ｖ2）になるように設定し、また、前記
第１，第２の固定電極に印加される各パルス電圧のロー
レベルが接地固定され、 且つ、前記Ｃ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2の条件の下で、（２Ｖ2−Ｖ
REF）／ＶREFの関係式から前記可動電極の変位を算出し
てセンサ出力にする演算手段を備え、前記ＶRE Fはその
値を可変調整できるよう設定して、このＶREFを変える
ことでセンサ出力の感度調整を可変にしたことを特徴と
する容量式センサ。 - 【請求項２】 請求項１において、前記第１，第２の固
定電極にそれぞれ逆位相のパルス電圧を印加する手段
は、パルス状のゲート信号に応じてハイレベル，ローレ
ベルの電源電圧を前記パルス電圧にして前記各固定電極
に出力するインバータゲートより成り、 前記フィードバック制御系は、前記Ｃ1Ｖ1とＣ2Ｖ2との
差を検出する電荷検出器と、該電荷検出器の出力をアナ
ログ／デジタル変換した後に積分して前記第２の固定電
極に印加すべきハイレベルＶ2をデジタル生成する帰還
要素と、この積分された出力Ｖ2及び基準電圧ＶREFを基
に前記第１の固定電極に印加されるパルス電圧のハイレ
ベルＶ1＝ＶREF−Ｖ2をデジタル生成する帰還要素と、
このデジタル生成されたＶ1，Ｖ2をアナログ変換するＤ
／Ａ変換器を備えて成り、 このアナログ変換されたハイレベルＶ1が前記第１の固
定電極に対応のインバータゲートのハイレベル側電源端
子に、ハイレベルＶ2が前記第２の固定電極に対応のイ
ンバータゲートのハイレベル側電源端子に入力されるよ
う設定してあることを特徴とする容量式センサ。 - 【請求項３】 車両の衝突時の加速度を検出してエアバ
ッグを作動させるエアバッグシステムにおいて、 前記加速度を検知するセンサとして請求項１又は請求項
２記載の容量式センサが使用され、且つ通常時の車両衝
突検知モードと前記容量式センサの動作チェックを行な
うための診断モードを設定するモード設定手段を備え、
このモード設定手段により前記車両衝突検知モードを選
択した場合には、前記ＶREF値を小さくして前記容量式
センサを低感度とし、前記診断モードを選択した場合に
は、前記ＶREF値を大きくして前記容量式センサを高感
度にするように設定してあることを特徴とする車両用エ
アバッグシステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271695A JPH07128362A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 容量式センサ及び車両用エアバッグシステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271695A JPH07128362A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 容量式センサ及び車両用エアバッグシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128362A true JPH07128362A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17503560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5271695A Pending JPH07128362A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 容量式センサ及び車両用エアバッグシステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07128362A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6082196A (en) * | 1996-04-26 | 2000-07-04 | Denso Corporation | Physical quantity detecting device |
| JP2011089980A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-05-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 微小電気機械システム、システム、及びその動作方法 |
| WO2013047787A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 曙ブレーキ工業株式会社 | 加速度センサ回路 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP5271695A patent/JPH07128362A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6082196A (en) * | 1996-04-26 | 2000-07-04 | Denso Corporation | Physical quantity detecting device |
| JP2011089980A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-05-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 微小電気機械システム、システム、及びその動作方法 |
| US8629795B2 (en) | 2009-09-09 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Micro-electro-mechanical systems (MEMS), systems, and operating methods thereof |
| US9236877B2 (en) | 2009-09-09 | 2016-01-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Micro-electro-mechanical systems (MEMS), systems, and operating methods thereof |
| US10014870B2 (en) | 2009-09-09 | 2018-07-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Micro-electro-mechanical systems (MEMS), apparatus, and operating methods thereof |
| WO2013047787A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 曙ブレーキ工業株式会社 | 加速度センサ回路 |
| JP2013076610A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Akebono Brake Ind Co Ltd | 加速度センサ回路 |
| US9846176B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-12-19 | Akebono Brake Industry Co., Ltd. | Acceleration sensor circuit |
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