JP3544449B2 - 低コストのポインティング・スティック回路 - Google Patents

低コストのポインティング・スティック回路 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、ディスプレイ画面上のカーソルの位置を制御するタイプのコンピュータ・ユーザ・インターフェ−スに関し、より詳細には、カーソル位置を制御しディスプレイ画面上のオブジェクトを選択するために使用されるポインティング・スティックのアナログ歪みゲージからデジタル信号を生成するための低コスト回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
たとえば、インターナショナル・ビジネス・マシーンズのThinkpadラップ・トップ・コンピュータでは、TrackPointカーソル・コントローラを実施するために、ポインティング・スティックが使用されている。このポインティング・スティックは、4つの歪みゲージを取り付けたカンチレバー・ビームによって構成されており、この4つの歪みゲージが、カンチレバー・ビームのたわみをそれぞれ3つの軸で検出する。歪みゲージからのアナログ信号は、アナログ−デジタル(A/D)変換器によって、デジタルのX信号とY信号に変換される。これらの信号がさらに処理されて、ディスプレイ画面上のカーソルの位置を制御するために使われる最終制御信号を生成する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ポインティング・スティックのこの実施態様は、いくつかの不都合を有する。まず第一に、電圧値の下位ビットは、高価なハードウェア・アナログ・デジタル(A/D)変換器によって読み取られる。第2に、3軸機能に必要な抵抗と演算増幅器の構成は相互作用し、少なくとも1つの演算増幅器は「計測器レベル」の品質でなければならず、コストがほぼ三倍または四倍になる。さらに、演算増幅器は、特性が線形で出力レンジ(レール間)が広くなければならず、コストが高くなる。
【0004】
カンチレバー・ビームの反対側で2つのほぼ釣り合ったゲージが、電圧源の両端間に直列に配線された構成の、歪みゲージ・センサについて考える。2つのゲージの接合部における電圧が、2つのゲージの相対抵抗の(供給電圧に対する)大きさを、したがってゲージを接続する方向におけるビームのたわみの大きさを示す。ゲージと直列に追加の固定抵抗を接続した場合、この抵抗の両端間の電圧は、ゲージ全体の抵抗の大きさを、したがってビームの圧縮/伸張の大きさを示す。この変化は、供給電圧の変動が数パーセントの場合に、10の数部の精度で測定される。精度の約250倍のダイナミック・レンジが必要であるが、このレンジの位置は、製造時にわずか数パーセント以内で予測可能である。コストは、重要な検討事項であり、1ドルの違いで、他社との競争の成否が決まることもある。
【0005】
したがって、本発明の一目的は、コンピュータ・ディスプレイ画面上でカーソルを制御するために使用されるポインティング・スティックの出力信号を処理するための改良された低価格の回路を提供することである。
【0006】
本発明の他の目的は、ディスプレイ画面に表示されるオブジェクトを選択するために使用できる信号を生成するポインティング・スティックからの出力信号を処理する回路を提供することである。
【0007】
本発明の他の目的は、測定が高速の供給電圧の変動の影響を受けないようにするために、臨界期間中に回路を電圧源から分離する手段を備えたポインティング・スティック回路を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、測定する電圧の範囲全体にわたって基準電圧を既知の速度で掃引し一致の時間を記録することによって、2段階の高精度中レンジのアナログ・デジタル(A/D)変換方法が、既知のA/D変換方法と組み合わされる。中品質の演算増幅器が開ループ・モードで使用され、それにより、演算増幅器の入力が高インピーダンスになり、相互作用が回避され、その結果従来の3軸機能のコストになる。電源の雑音および変動から十分に絶縁するために、測定の間中、アナログ回路が供給電圧から分離される。アナログ比較器のスイッチング時間に対するマイクロプロセッサのデジタル・スイッチング過渡電流の干渉を避けるために、マイクロプロセッサはアイドル・モードにされ、それにより、測定を行うために使用されるタイマを除いて、マイクロプロセッサのすべての内部回路から内部クロック駆動信号(およびそれに関連する過渡電流)が取り除かれる。この結果得られる回路は、何倍も大きなノイズ・スパイク中で微小信号を検出することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
次に、図面、特に図1を参照すると、本発明による回路の好ましい実施形態が示されている。この実施形態は、Phillips社製の83C754集積回路(IC)チップを使用しており、その関連回路を太い縦線10の右側に示す。制御信号ACn(n=1〜6)は、マイクロプロセッサのレジスタ内の対応するビットを表し、したがって、制御信号ACnはチップ内部にある。83C754チップは、デジタル・アナログ変換器(DAC)を含み、このDACは、概略的には、タップの位置によって決定される入力電圧VREGのある比率の出力電圧を伝えるタップ付き抵抗(たとえば、ポテンショメータ)である。タップの位置は、マイクロプロセッサの専用抵抗の値によってセットされる。
【0010】
まず、本発明による回路のオフチップ部品を検討すると、歪みゲージ11、12、13および14が、ポインティング・スティックのカンチレバー・ビーム(図示せず)に取り付けられ、2つの並列半ブリッジ回路として接続される。X入力信号とY入力信号は、それぞれ歪みゲージ11と12および歪みゲージ13と14からなる分圧器によって生成される。これらの信号が生成されているとき、電界効果トランジスタ(FET)15が閉じ(導通し)、歪みゲージ11と13がVREGに接続される。したがって、電圧XとYは、およそVREG/2である。それらの厳密な値は、まず、それぞれ、歪みゲージ11と12および歪みゲージ13と14の「休止」抵抗の一致に依存し、次いで、センサ・ビームの曲がりによって生じる歪みゲージ11と12および歪みゲージ13と14の変化の差にも依存する。有用な信号は、この最後の成分だけであり、これはおよそ±3mV変化し、約30μVの分解能が必要である。ビームが単に圧縮または伸張しても、ゲージ11と12およびゲージ13と14はそれぞれ同じ影響を受け、X信号およびY信号にはそれぞれ変化が生じない。
【0011】
Z信号は、FET15が開いているときに生成され、それにより、センサが抵抗16を介してVREGに接続される。この信号は、上の素子としての抵抗16と、下の素子としての直並列構成の4つの歪みゲージとからなる分圧器によって生成される。ビームが単に圧縮すると、4つの歪みゲージがすべて同じだけ圧縮され、したがって、その直並列構成の抵抗値が圧縮の大きさを示す。当然ながら、それに対応する抵抗16の変化はなく、したがってこれは「シングルエンド型」の分圧器である。Z信号の大きさと、X信号およびY信号の大きさとの関係は、センサ・ビームの幾何形状と材料に依存する。
【0012】
3つの入力信号X、YおよびZは、それぞれ演算増幅器17、18および19に入力され、その出力が連続的に測定される。XとYの測定中間、FET15は閉じ、したがってXYDACBIAS=VREGであり、それにより、抵抗16が短絡する。また、AC6によって制御されるスイッチ20は開いており(ZDACが遮断される)、FET21は閉じ、したがってXYSOURCEがVREGに接続され、XYRAMPの勾配が制御される。
【0013】
XとYそれぞれについて、3つの電圧、すなわちベース電圧と、83C754チップ上のデジタル・アナログ変換器(DAC)の出力と、XYZRAMPとを組み合わせることにより、比較電圧が生成される。公称スティック電圧である約VREG/2のベース電圧が、抵抗22と23からなる分圧器によって生成される。チップ上のDACの出力である電圧XYDACは、電源オン較正時に決定された設定を有する。DAC出力は、0からVREGの範囲であり、比較電圧をXおよびYのセンサ出力電圧の予想範囲のどこかに設定することができるように、抵抗24によってスケールダウンされる。この範囲は、様々な構成要素の公差によって決定され、おそらく±3%または±60mVである。DACは、反復探索アルゴリズムによって、信号電圧がサンプリング掃引のほぼ中間点になるように設定される。電圧XYZRAMPは、FET25が開いているときゼロから上に掃引する。FET25が閉じているとき、XYZRAMPはアース電位に保持されるが、FET25が開くと、キャパシタ26に電荷が蓄積し始め、電圧がVREGに向かって上昇する。この電圧は、抵抗27により、約60μ秒のサンプリング期間中に、約6mVの有効信号範囲全体にわたって比較電圧を掃引するようにスケールダウンされる。
【0014】
83C754チップ上のアナログ・マルチプレクサ(MUX)28は、測定中の信号に対応する演算増幅器(たとえばX)の出力をオンチップ比較器29に送るようにセットされる。FET25が開き、タイマが始動する。比較電圧は、ポインティング・スティックの出力の動作範囲全体にわたって掃引し、スティック電圧を越えると、X演算増幅器17がオンになり、急速に上昇する電圧を生成する。この電圧は、MUX28を通って比較器29に流れる。比較器29は、増幅器出力がBANDGAP REFを越えるときの時間を検出し、タイマを停止する。タイマの読みはスティック電圧の大きさを示す。
【0015】
Zの測定も同様であるが、FET15が開き、したがって抵抗16と1つの抵抗としてのセンサ・ブリッジ全体が分圧器を構成する点、スイッチ20が閉じ、したがって抵抗35が抵抗24と並列になってDAC出力をZ演算増幅器19に伝える点、およびFET21が開いて、したがってZ信号の異なる特性と一致するように抵抗30を通じてランプに電圧がかけられる点が異なる。
【0016】
電源の雑音および変動から十分に絶縁するために、測定の間中アナログ回路を電源電圧AVCCから分離する。FET31が開き、FET32が閉じるので、電力がキャパシタ33から供給される。毎回の測定の前に、FET32が開き、FET31は比較器34により、キャパシタ33が、AVCCの許容可能な最低値(公称5ボルトの回路では4.5V)よりも少し低い調整電圧に充電されるようにBANDGAP REFに基づいて制御される。測定中、その電圧(VREG)は、回路のワット損のために減少する。サンプリング時間の合間には、FET31と32は両方とも開いており、したがってキャパシタ33は内部の漏れによってのみ電荷を失うが、その量は一般に極めて小さい。アナログ比較器のスイッチング時間に対するマイクロプロセッサのデジタル・スイッチング過渡電流による干渉を避けるために、マイクロプロセッサは、アイドル・モードにされ、それにより、測定を行うために使用されるタイマを除き、マイクロプロセッサの全ての内部回路から内部クロック駆動信号(および関連する過度電流)が除去される。この絶縁によって、5ボルトのプロセッサ電源に任意の周波数の1ボルト程度の雑音がある場合に、この回路で30μVの入力信号の安定した正確な測定が可能になる。
【0017】
比較的安価な抵抗でも、必要な測定精度に十分な小さな公差を有する。小さな公差のキャパシタは、さらに高価である。とりわけ、キャパシタ33、特にキャパシタ26の値が、測定精度に影響を及ぼす。DACの線形性を較正に利用することにより、安価なキャパシタが使用できるようになる。電源オン較正プロセスでは、DACは、信号の測定値がスケールのほぼ中間になるように設定される。DACの各ステップは、たとえば200のレンジでは10など、測定におけるある単位数に対応し、キャパシタの値には依存しない。DACの設定が、ある一定のステップ数だけ変更される場合は、測定値も対応する量だけ変化するはずである。不一致があれば、後続の測定に補正率として適用することができる。
【0018】
この回路は、±10%にも及ぶ電源の変動に耐えることができる。入力と比較電圧は30μVレベルの信号を搬送し、相応に雑音の影響を受けるが、どちらも比較的低インピーダンスであり雑音を拾いにくい。他の回路網は、感度が約30分の一以下である。当然ながら、AVSSを場所ごとに異ならせる外来性のアース電流は、回避しなければならない。特に、センサからの接地帰路は、抵抗23のアース端に近くなければならない。
【0019】
図1の回路の動作を、図2にタイミング図で示す。図の下部に丸で囲んだ数で示したタイミング点を、次の表に示す。
【0020】
タイミング点 動作
1 変換サイクル開始
2 演算増幅器安定化およびキャパシタ再充電のための遅延
3 X MUX選択、DAC出力ゼロ
4 MUXとDACの整定のための遅延
5 AVCCから電源を分離
6 X DAC値設定
7 ランプ・キャパシタ解放、タイマ始動、マイクロプロセッサ−アイドル状態
8 比較器トリップ、タイマの停止、マイクロプロセッサ稼働
9 ランプ・キャパシタ短絡、減結合キャパシタの再充電
10 Y MUX選択、DAC出力ゼロ
11 MUXとDACの整定のための遅延
12 AVCCから電源を分離
13 Y DAC値設定
14 ランプ・キャパシタ解放、タイマ始動、マイクロプロセッサ−アイドル状態
15 比較器トリップ、タイマの停止、マイクロプロセッサ稼働
16 ランプ・キャパシタ短絡、減結合キャパシタの再充電
17 ランプ・バイアス変更、センサ・バイアス変更
18 Z MUX選択、DAC出力ゼロ
19 MUXとDACの整定のための遅延
20 AVCCから電源を分離
21 Z DAC値設定
22 ランプ・キャパシタ解放、タイマ始動、マイクロプロセッサ−アイドル状態
23 比較器トリップ、タイマ停止、マイクロプロセッサ稼働
24 ランプ・キャパシタ短絡、減結合キャパシタの再充電
25 減結合キャパシタのフロート
26 変換サイクル完了
【0021】
本発明を1つの好ましい実施形態に関して説明したが、当業者は、本発明が、併記の特許請求の範囲の趣旨および意図の範囲内で修正を行うことができることを理解されよう。
【0022】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【0023】
(1)2つの抵抗の比率を測定するための回路であって、
同じ基準電圧源に基づいて、分圧器として接続された前記2つの抵抗によって生成される電圧に近い基準電圧を生成する手段と、
前記同じ基準電圧源に基づいて、既知の勾配の電圧ランプを前記基準電圧に加える手段と、
前記基準電圧および前記電圧ランプの一致を認識する比較手段と、
前記一致の発生を計時し、それにより前記比率を電圧の変化で測定する手段と
を含む回路。
(2)前記比較手段の前に挿入されたマルチプレクサ手段をさらに含み、測定が、複数の相互接続された抵抗対で行われる、上記(1)に記載の回路。
(3)測定期間中は電圧供給源から回路を分離する手段をさらに含む、上記(1)に記載の回路。
(4)前記分離する手段が、回路内の構成要素の物理特性に基づいた電圧調整手段を含む、上記(3)に記載の回路。
(5)2つの抵抗の比率を測定する方法であって、
同じ基準電圧源に基づいて、分圧器として接続された前記2つの抵抗によって生成される電圧に近い基準電圧を生成する段階と、
前記同じ基準電圧源に基づいて既知の勾配の電圧ランプを前記基準電圧に加える段階と、
前記基準電圧および前記電圧ランプの一致を検出する段階と、
前記一致の発生を計時し、それにより前記比率を電圧の変化で測定する段階と
を含む方法。
(6)測定が複数の相互接続された抵抗対で行われ、それぞれの抵抗対の基準電圧と電圧ランプの一致を別々に検出する段階をさらに含む、上記(5)に記載の方法。
(7)測定期間中、電圧供給源から回路を分離する段階をさらに含む、上記(5)に記載の方法。
(8)図形表示装置上でカーソルを制御するためのカーソル制御信号を生成する回路であって、
カンチレバー・ビームに取り付けられ、電圧源と回路グランドとの間で2つの並列な半ブリッジ回路として電気接続された第1、第2、第3および第4の歪みゲージを有するセンサと、
前記電圧源と前記回路グランドの間に接続された分圧器と、
前記半ブリッジ回路のそれぞれの中間点に接続され、かつ前記分圧器のタップに共通接続された第1および第2の演算増幅器と、
前記電圧源と前記回路グランドの間に接続され、既知の勾配のランプ電圧を前記分圧器の前記タップに供給することによって、前記第1および第2の演算増幅器から、前記センサからの出力に対応するX出力信号およびY出力信号をそれぞれ生成させるRCランプ回路と、
前記RCランプ回路に接続され、最初に前記RCランプ回路を放電し、次に充電サイクルを開始して前記ランプ電圧を生成するスイッチと、
前記X出力信号および前記Y出力信号を受け取って選択的に通過させるように接続されたマルチプレクサと、
前記マルチプレクサに接続され、前記マルチプレクサを通過した信号が所定のしきい値と等しくなったとき、出力を生成する比較器と、
前記ランプ電圧の開始時に始動し、前記比較器が前記出力を生成したときに停止するように制御されるタイマと
を含む回路。
(9)前記半ブリッジ回路と前記分圧器のタップとに接続され、前記RCランプ回路からのランプ電圧に応答して前記センサの第3の出力に対応するZ出力信号を生成して前記マルチプレクサに供給する第3の演算増幅器と、
前記RCランプ回路と前記センサとに接続され、前記Z出力信号の測定中にランプ・バイアスおよびセンサ・バイアスを変更するバイアス手段と
をさらに含む、上記(8)に記載の回路。
(10)電圧供給源および当該回路に交互に接続され、前記電圧供給源から分離されている間に当該回路に電力を供給する記憶キャパシタをさらに含む、上記(8)に記載の回路。
(11)測定が電源電圧の変動の影響を受けないようにするために、構成要素のバンドギャップ特性に基づく電圧調整手段をさらに含む、上記(10)に記載の回路。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による回路の好ましい実施形態の概略図である。
【図2】図1の回路の動作を示すタイミング図である。
【符号の説明】
11 歪みゲージ
12 歪みゲージ
13 歪みゲージ
14 歪みゲージ
15 電界効果トランジスタ(FET)
16 抵抗
17 演算増幅器
18 演算増幅器
19 演算増幅器
20 スイッチ
21 FET
22 抵抗
23 抵抗
24 抵抗
25 FET
26 キャパシタ
27 抵抗
28 マルチプレクサ(MUX)
29 オンチップ・キャパシタ
30 抵抗

Claims (11)

  1. 2つの抵抗の比率を測定するための回路であって、
    同じ基準電圧源に基づいて、基準電圧を生成する手段と、
    前記同じ基準電圧源に基づいて、既知の勾配の電圧ランプを前記基準電圧に組み合わせて比較電圧を生成する手段と、
    分圧器として接続された前記2つの抵抗によって前記基準電圧源に基づいて生成される電圧と前記比較電圧との一致を認識する比較手段と、
    前記一致の発生を計時し、それにより前記比率を電圧の変化で測定する手段と
    を含む、回路。
  2. 前記比較手段の前に挿入されたマルチプレクサ手段をさらに含み、測定が、複数の相互接続された抵抗対で行われる、請求項1に記載の回路。
  3. 測定期間中は電圧供給源から回路を分離する手段をさらに含む、請求項1に記載の回路。
  4. 前記分離する手段が、回路内の構成要素の物理特性に基づいた電圧調整手段を含む、請求項3に記載の回路。
  5. 2つの抵抗の比率を測定する方法であって、
    同じ基準電圧源に基づいて、基準電圧を生成する段階と、
    前記同じ基準電圧源に基づいて、既知の勾配の電圧ランプを前記基準電圧に組み合わせて比較電圧を生成する段階と、
    分圧器として接続された前記2つの抵抗によって前記基準電圧源に基づいて生成される電圧と前記比較電圧との一致を検出する段階と、
    前記一致の発生を計時し、それにより前記比率を電圧の変化で測定する段階と
    を含む、方法。
  6. 測定が複数の相互接続された抵抗対で行われ、それぞれの抵抗対の基準電圧と電圧ランプの一致を別々に検出する段階をさらに含む、請求項5に記載の方法。
  7. 測定期間中、電圧供給源から回路を分離する段階をさらに含む、請求項5に記載の方法。
  8. 図形表示装置上でカーソルを制御するためのカーソル制御信号を生成する回路であって、
    カンチレバー・ビームに取り付けられ、電圧源と回路グランドとの間で2つの並列な半ブリッジ回路として電気接続された第1、第2、第3および第4の歪みゲージを有するセンサと、
    前記電圧源と前記回路グランドの間に接続された分圧器と、
    前記半ブリッジ回路のそれぞれの中間点に接続され、かつ前記分圧器のタップに共通接続された第1および第2の演算増幅器と、
    前記電圧源と前記回路グランドの間に接続され、既知の勾配のランプ電圧を前記分圧器の前記タップに供給することによって、前記第1および第2の演算増幅器から、前記センサからの出力に対応するX出力信号およびY出力信号をそれぞれ生成させるRCランプ回路と、
    前記RCランプ回路に接続され、最初に前記RCランプ回路を放電し、次に充電サイクルを開始して前記ランプ電圧を生成するスイッチと、
    前記X出力信号および前記Y出力信号を受け取って選択的に通過させるように接続されたマルチプレクサと、
    前記マルチプレクサに接続され、前記マルチプレクサを通過した信号が所定のしきい値と等しくなったとき、出力を生成する比較器と、
    前記ランプ電圧の開始時に始動し、前記比較器が前記出力を生成したときに停止するように制御されるタイマと
    を含む回路。
  9. 前記半ブリッジ回路と前記分圧器のタップとに接続され、前記RCランプ回路からのランプ電圧に応答して前記センサの第3の出力に対応するZ出力信号を生成して前記マルチプレクサに供給する第3の演算増幅器と、
    前記RCランプ回路と前記センサとに接続され、前記Z出力信号の測定中にランプ・バイアスおよびセンサ・バイアスを変更するバイアス手段と
    をさらに含む、請求項8に記載の回路。
  10. 電圧供給源および当該回路に交互に接続され、前記電圧供給源から分離されている間に当該回路に電力を供給する記憶キャパシタをさらに含む、請求項8に記載の回路。
  11. 測定が電源電圧の変動の影響を受けないようにするために、構成要素のバンドギャップ特性に基づく電圧調整手段をさらに含む、請求項10に記載の回路。
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