JPH07121872A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH07121872A JPH07121872A JP26217893A JP26217893A JPH07121872A JP H07121872 A JPH07121872 A JP H07121872A JP 26217893 A JP26217893 A JP 26217893A JP 26217893 A JP26217893 A JP 26217893A JP H07121872 A JPH07121872 A JP H07121872A
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- Japan
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気記録媒体の製造方法に関するも
ので、特に、耐食性と機械強度を向上することを目的と
する。 【構成】 磁性薄膜を蒸着する蒸着室と、高分子基板４
の巻出し及び巻き取りを行う巻き取り室を、高分子基板
が通過する間隙を残した差圧板１３によって分離し、か
つ巻き取り室を、蒸着室に隣接する部分と巻出し・巻き
取りロール３、１０を含む部分に差圧板１３で分離し、
蒸着室と隣接する巻き取り室を、前記巻出し・巻き取り
ロールを含む巻き取り室、蒸着室のいずれよりも高真空
にすることを特徴とするものである。
ので、特に、耐食性と機械強度を向上することを目的と
する。 【構成】 磁性薄膜を蒸着する蒸着室と、高分子基板４
の巻出し及び巻き取りを行う巻き取り室を、高分子基板
が通過する間隙を残した差圧板１３によって分離し、か
つ巻き取り室を、蒸着室に隣接する部分と巻出し・巻き
取りロール３、１０を含む部分に差圧板１３で分離し、
蒸着室と隣接する巻き取り室を、前記巻出し・巻き取り
ロールを含む巻き取り室、蒸着室のいずれよりも高真空
にすることを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報化社会の進展にともない、磁気記録
媒体のより高密度化を目指し、薄膜磁気記録媒体の研究
開発が盛んである。高密度薄膜磁気記録媒体の中でも、
Ｃｏ系酸化物薄膜は既にビデオテープとして商品化され
ており、注目を集めている。
媒体のより高密度化を目指し、薄膜磁気記録媒体の研究
開発が盛んである。高密度薄膜磁気記録媒体の中でも、
Ｃｏ系酸化物薄膜は既にビデオテープとして商品化され
ており、注目を集めている。
【０００３】テープ状のＣｏ酸化物系薄膜磁気記録媒体
を製造する方法としては、連続巻き取り電子ビーム蒸着
法が特にその生産性において他を凌いでいる。即ち（図
２）のように長尺の高分子基板が円筒状キャンの周面に
沿って走行中に斜め入射成分を用いて磁性層を電子ビー
ム蒸着することによって磁気記録媒体の量産が出来る。
磁性体としてＣｏ、またはＣｏ−Ｎｉを用い、酸素雰囲
気蒸着を行う事によって長尺の磁気テープが生産でき
る。
を製造する方法としては、連続巻き取り電子ビーム蒸着
法が特にその生産性において他を凌いでいる。即ち（図
２）のように長尺の高分子基板が円筒状キャンの周面に
沿って走行中に斜め入射成分を用いて磁性層を電子ビー
ム蒸着することによって磁気記録媒体の量産が出来る。
磁性体としてＣｏ、またはＣｏ−Ｎｉを用い、酸素雰囲
気蒸着を行う事によって長尺の磁気テープが生産でき
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】斜め蒸着で形成した薄
膜磁気記録媒体の短波長記録再生特性は斜め入射成分が
強いほど向上する。また、反応蒸着中に導入する酸素量
を減らして膜の飽和磁化量を大きくした方が媒体の再生
出力は向上する。さらに、一般に短波長記録再生特性の
向上には磁性膜の薄膜化が有効である。
膜磁気記録媒体の短波長記録再生特性は斜め入射成分が
強いほど向上する。また、反応蒸着中に導入する酸素量
を減らして膜の飽和磁化量を大きくした方が媒体の再生
出力は向上する。さらに、一般に短波長記録再生特性の
向上には磁性膜の薄膜化が有効である。
【０００５】しかしながら斜め成分を強くすること、導
入酸素量を減らすこと、磁性膜厚を薄くすることはいず
れも磁性薄膜の耐食性の低下を招き、できあがった磁気
記録媒体が錆び易くなる。したがって斜め蒸着で形成し
た薄膜磁気記録媒体の記録再生特性向上と耐食性を両立
することは困難であった。
入酸素量を減らすこと、磁性膜厚を薄くすることはいず
れも磁性薄膜の耐食性の低下を招き、できあがった磁気
記録媒体が錆び易くなる。したがって斜め蒸着で形成し
た薄膜磁気記録媒体の記録再生特性向上と耐食性を両立
することは困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明は、真空中で円筒状キャンの表面に沿って移動す
る高分子基板上に直接あるいは下地層を介して電子ビー
ム蒸着法によって磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製
造方法において、前記磁性薄膜を蒸着する蒸着室と、前
記高分子基板の巻出し及び巻き取りを行う巻き取り室
を、前記高分子基板が通過する間隙を残した差圧板によ
って分離し、かつ前記巻き取り室を、前記蒸着室に隣接
する部分と巻出し・巻き取りロールを含む部分に差圧板
で分離し、前記蒸着室と隣接する巻き取り室を、前記巻
出し・巻き取りロールを含む巻き取り室、前記蒸着室の
いずれよりも高真空にすることを特徴とするものであ
る。
本発明は、真空中で円筒状キャンの表面に沿って移動す
る高分子基板上に直接あるいは下地層を介して電子ビー
ム蒸着法によって磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製
造方法において、前記磁性薄膜を蒸着する蒸着室と、前
記高分子基板の巻出し及び巻き取りを行う巻き取り室
を、前記高分子基板が通過する間隙を残した差圧板によ
って分離し、かつ前記巻き取り室を、前記蒸着室に隣接
する部分と巻出し・巻き取りロールを含む部分に差圧板
で分離し、前記蒸着室と隣接する巻き取り室を、前記巻
出し・巻き取りロールを含む巻き取り室、前記蒸着室の
いずれよりも高真空にすることを特徴とするものであ
る。
【０００７】
【作用】蒸着室と隣接する巻き取り室を、蒸着室よりも
高真空にすることによって巻き取り室から蒸着室への不
純物ガス流入を防止することが出来、不純物ガス流入に
よる蒸着膜の成長の乱れや充填率低下による耐食性低下
を防止することが出来る。また、巻き取り室を、蒸着室
に隣接する部分と巻出し・巻き取りロールを含む部分に
差圧板で分離し、巻出し・巻き取りロールを含む巻き取
り室を、蒸着室と隣接する巻き取り室よりも低真空とす
ることによって、巻出し・巻き取りロールまたはその近
傍で高分子基板の除電処理が出来るので皺を発生しにく
くできる。
高真空にすることによって巻き取り室から蒸着室への不
純物ガス流入を防止することが出来、不純物ガス流入に
よる蒸着膜の成長の乱れや充填率低下による耐食性低下
を防止することが出来る。また、巻き取り室を、蒸着室
に隣接する部分と巻出し・巻き取りロールを含む部分に
差圧板で分離し、巻出し・巻き取りロールを含む巻き取
り室を、蒸着室と隣接する巻き取り室よりも低真空とす
ることによって、巻出し・巻き取りロールまたはその近
傍で高分子基板の除電処理が出来るので皺を発生しにく
くできる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について（図１）を用
いて説明する。排気系１によって真空排気された真空槽
２の中で巻き出しロール３から回転方向１２に沿って巻
出された長尺の高分子基板４はガイドロール１１及び円
筒状キャン５の表面に沿って走行中に、電子銃１８より
電子ビーム６を照射されている電子ビーム蒸発源７より
遮蔽板９の開口部において蒸着を受けた後に、巻き取り
ロール１０に巻きとられる。高分子基板の巻出し及び巻
き取りを行う巻き取り室と、磁性薄膜の蒸着を行う蒸着
室は差圧板１３によって分離されている。さらに巻き取
り室を、前記蒸着室に隣接する部分と巻出し・巻き取り
ロールを含む部分に差圧板で分離し、高分子基板を差圧
板に設けられた間隙１４を通って巻き取り室と蒸着室を
行き来させることにより、巻出し・巻き取り部からのア
ウトガスの影響が蒸着室に隣接する巻き取り室に影響し
にくいようにする。巻き取り室と蒸着室はそれぞれ独立
した排気系を有しており、実際の蒸着中に、蒸着室と隣
接する巻き取り室が、前記巻出し・巻き取りロールを含
む巻き取り室、蒸着室のいずれよりも高真空となるよう
な排気量の関係とする。
いて説明する。排気系１によって真空排気された真空槽
２の中で巻き出しロール３から回転方向１２に沿って巻
出された長尺の高分子基板４はガイドロール１１及び円
筒状キャン５の表面に沿って走行中に、電子銃１８より
電子ビーム６を照射されている電子ビーム蒸発源７より
遮蔽板９の開口部において蒸着を受けた後に、巻き取り
ロール１０に巻きとられる。高分子基板の巻出し及び巻
き取りを行う巻き取り室と、磁性薄膜の蒸着を行う蒸着
室は差圧板１３によって分離されている。さらに巻き取
り室を、前記蒸着室に隣接する部分と巻出し・巻き取り
ロールを含む部分に差圧板で分離し、高分子基板を差圧
板に設けられた間隙１４を通って巻き取り室と蒸着室を
行き来させることにより、巻出し・巻き取り部からのア
ウトガスの影響が蒸着室に隣接する巻き取り室に影響し
にくいようにする。巻き取り室と蒸着室はそれぞれ独立
した排気系を有しており、実際の蒸着中に、蒸着室と隣
接する巻き取り室が、前記巻出し・巻き取りロールを含
む巻き取り室、蒸着室のいずれよりも高真空となるよう
な排気量の関係とする。
【０００９】高分子基板として厚さ５μｍのポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）基板を用い、酸素雰囲気で
の蒸着材料としてＣｏを用いて膜厚５０ｎｍのＣｏ薄膜
及びＣｏ酸化物薄膜を電子ビーム蒸着法によって形成し
た。Ｃｏ酸化物薄膜を形成する場合はガス導入ノズル８
より酸素を導入した。蒸気遮蔽板の開口部は、開口部で
の蒸気入射角を高分子基板法線から９０度から７０度と
なるようにした。磁性薄膜の膜厚は破断面の透過電子顕
微鏡像から求めた。蒸着室と隣接する巻き取り室の真空
度は、蒸着室と隣接する巻き取り室を排気する排気系の
コンダクタンスバルブを調整することによって変化させ
た。
ンテレフタレート（ＰＥＴ）基板を用い、酸素雰囲気で
の蒸着材料としてＣｏを用いて膜厚５０ｎｍのＣｏ薄膜
及びＣｏ酸化物薄膜を電子ビーム蒸着法によって形成し
た。Ｃｏ酸化物薄膜を形成する場合はガス導入ノズル８
より酸素を導入した。蒸気遮蔽板の開口部は、開口部で
の蒸気入射角を高分子基板法線から９０度から７０度と
なるようにした。磁性薄膜の膜厚は破断面の透過電子顕
微鏡像から求めた。蒸着室と隣接する巻き取り室の真空
度は、蒸着室と隣接する巻き取り室を排気する排気系の
コンダクタンスバルブを調整することによって変化させ
た。
【００１０】（表１）に成膜条件と錆試験の結果につい
て示す。
て示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】（表１）から分かるように、巻き取り室の
うち、蒸着室に隣接する部分を蒸着室よりも高真空とす
ることによって、蒸着室に酸素を導入しない場合、しな
い場合のいずれにおいても蒸着膜が錆にくくなる。これ
は蒸着室に隣接する巻き取り室部が蒸着室よりも低真空
の場合に巻き取り室から蒸着室に不純物ガスが流入し、
これによって磁性薄膜の成長が乱れるためではないかと
思われる。不純物ガスの流入は微量であるために、蒸着
室の真空度に大きな差はでないが、流入ガスが蒸着初期
部分近傍を通過して排気されることになるので、真空計
１５で計測する真空度に現れるよりも実際の影響が大き
いものと思われる。また、（表１）に示すように蒸着室
に隣接する巻き取り室部が蒸着室よりも低真空の場合に
は磁性薄膜の引っかき強度も低下する。これらの結果か
ら、蒸着室に隣接する巻き取り室部が蒸着室よりも低真
空の場合には、巻き取り室から蒸着室に不純物ガスが流
入することによって形成される磁性薄膜の空隙部が若干
大きくなっているのではないかと推定される。
うち、蒸着室に隣接する部分を蒸着室よりも高真空とす
ることによって、蒸着室に酸素を導入しない場合、しな
い場合のいずれにおいても蒸着膜が錆にくくなる。これ
は蒸着室に隣接する巻き取り室部が蒸着室よりも低真空
の場合に巻き取り室から蒸着室に不純物ガスが流入し、
これによって磁性薄膜の成長が乱れるためではないかと
思われる。不純物ガスの流入は微量であるために、蒸着
室の真空度に大きな差はでないが、流入ガスが蒸着初期
部分近傍を通過して排気されることになるので、真空計
１５で計測する真空度に現れるよりも実際の影響が大き
いものと思われる。また、（表１）に示すように蒸着室
に隣接する巻き取り室部が蒸着室よりも低真空の場合に
は磁性薄膜の引っかき強度も低下する。これらの結果か
ら、蒸着室に隣接する巻き取り室部が蒸着室よりも低真
空の場合には、巻き取り室から蒸着室に不純物ガスが流
入することによって形成される磁性薄膜の空隙部が若干
大きくなっているのではないかと推定される。
【００１３】（表１）の結果のように、蒸着室に隣接す
る巻き取り室部を蒸着室よりも高真空とすることが耐食
性および機械的強度の観点から有効であるが、高分子基
板基板上に磁性薄膜を連続蒸着する場合には皺を防止す
る事もまた重要である。皺の防止には大別して、エキス
パンドロ−ラ等を用いて機械的に皺伸ばしをしながら基
板を走行させること及び、基板を除電することが一般的
である。特に後者の手段では高分子基板をプラズマ雰囲
気にさらす事が行われる。プラズマ雰囲気としてはグロ
ー放電雰囲気を用いる場合とイオン照射を用いる場合の
両方があるが、高真空が重要な場合には真空槽内に導入
するガス量が少なくてすむイオン照射を用いるとよい。
そこで（図３）のような構成でカウフマン型イオン源を
用いてイオン照射を行い、イオン照射部分を通過する間
にビーム電圧４００Ｖ、加速電圧２００Ｖのアルゴンイ
オンが中和電子と共に１平方ｃｍあたり０．２ｍＡ照射
される様にした。その際重要なことは、巻き取り室を２
室以上に分割して除電を行う部分と蒸着室に隣接する部
分を差圧構造とし、除電を行う部分に導入したガスが蒸
着室に隣接した部分にできるだけ影響を与えないように
した事である。イオン源を用いる場合には、イオン源の
機種による違いはあるが導入ガス量を１０ｓｃｃｍ以下
程度にまで抑えることが出来るので、グロー放電よりも
簡単に低ガス圧が実現できる。本発明の（図３）に示す
ような差圧構造を用いれば、グロー放電を用いた場合に
も効果はあるが、低ガス圧が実現容易なイオン源を用い
ることがより望ましい。実際に（表１）の各条件におい
て導入Ａｒガス１０ｓｃｃｍを用いて、イオン照射部分
を通過する間にビーム電圧４００Ｖ、加速電圧２００Ｖ
のアルゴンイオンが中和電子と共に１平方ｃｍあたり
０．２ｍＡ照射される様にした。このとき蒸着室に隣接
する巻き取り室の真空度の変化は０．１ｘ１０ー4ｔｏｒ
ｒ以下であり、耐食性並びに引っかき強度に関する試験
結果は、イオン照射のありなしで変わらなかった。一
方、蒸着後の巻き取りロールにおいてはイオン照射無し
の場合には帯電が強く、巻皺も発生したが、イオン照射
を行った場合には大幅に帯電が緩和され、巻皺も発生し
なかった。従って（図３）の様な構成で真空槽内に差圧
を設け、イオン照射を行うことは、膜特性と皺防止の両
立できる利点がある。
る巻き取り室部を蒸着室よりも高真空とすることが耐食
性および機械的強度の観点から有効であるが、高分子基
板基板上に磁性薄膜を連続蒸着する場合には皺を防止す
る事もまた重要である。皺の防止には大別して、エキス
パンドロ−ラ等を用いて機械的に皺伸ばしをしながら基
板を走行させること及び、基板を除電することが一般的
である。特に後者の手段では高分子基板をプラズマ雰囲
気にさらす事が行われる。プラズマ雰囲気としてはグロ
ー放電雰囲気を用いる場合とイオン照射を用いる場合の
両方があるが、高真空が重要な場合には真空槽内に導入
するガス量が少なくてすむイオン照射を用いるとよい。
そこで（図３）のような構成でカウフマン型イオン源を
用いてイオン照射を行い、イオン照射部分を通過する間
にビーム電圧４００Ｖ、加速電圧２００Ｖのアルゴンイ
オンが中和電子と共に１平方ｃｍあたり０．２ｍＡ照射
される様にした。その際重要なことは、巻き取り室を２
室以上に分割して除電を行う部分と蒸着室に隣接する部
分を差圧構造とし、除電を行う部分に導入したガスが蒸
着室に隣接した部分にできるだけ影響を与えないように
した事である。イオン源を用いる場合には、イオン源の
機種による違いはあるが導入ガス量を１０ｓｃｃｍ以下
程度にまで抑えることが出来るので、グロー放電よりも
簡単に低ガス圧が実現できる。本発明の（図３）に示す
ような差圧構造を用いれば、グロー放電を用いた場合に
も効果はあるが、低ガス圧が実現容易なイオン源を用い
ることがより望ましい。実際に（表１）の各条件におい
て導入Ａｒガス１０ｓｃｃｍを用いて、イオン照射部分
を通過する間にビーム電圧４００Ｖ、加速電圧２００Ｖ
のアルゴンイオンが中和電子と共に１平方ｃｍあたり
０．２ｍＡ照射される様にした。このとき蒸着室に隣接
する巻き取り室の真空度の変化は０．１ｘ１０ー4ｔｏｒ
ｒ以下であり、耐食性並びに引っかき強度に関する試験
結果は、イオン照射のありなしで変わらなかった。一
方、蒸着後の巻き取りロールにおいてはイオン照射無し
の場合には帯電が強く、巻皺も発生したが、イオン照射
を行った場合には大幅に帯電が緩和され、巻皺も発生し
なかった。従って（図３）の様な構成で真空槽内に差圧
を設け、イオン照射を行うことは、膜特性と皺防止の両
立できる利点がある。
【００１４】これまで、実施例の中で基板としてポリエ
チレンテレフタレートを用いた場合についてのみ述べた
が、ポリエチレンナフタレート、ポリエステル、ポリア
ミド、ポリイミドその他の高分子基板をはじめ、円筒状
キャンに沿って走行させることの出来る基板材料であれ
ばこれを用いることが出来る。さらに、実施例としては
薄膜としてＣｏ磁性層及びＣｏ−Ｏ磁性層を形成する場
合についてのみ述べたが、磁性層としてＣｏ−ＮｉーＯ
をはじめとする他の酸化物薄膜を用いる場合、Ｆｅ系そ
の他磁性金属材料を用いる場合、磁性層の形成に先立っ
て下地層を形成した後に磁性層を形成する場合について
も本発明が有効であることは言うまでもない。
チレンテレフタレートを用いた場合についてのみ述べた
が、ポリエチレンナフタレート、ポリエステル、ポリア
ミド、ポリイミドその他の高分子基板をはじめ、円筒状
キャンに沿って走行させることの出来る基板材料であれ
ばこれを用いることが出来る。さらに、実施例としては
薄膜としてＣｏ磁性層及びＣｏ−Ｏ磁性層を形成する場
合についてのみ述べたが、磁性層としてＣｏ−ＮｉーＯ
をはじめとする他の酸化物薄膜を用いる場合、Ｆｅ系そ
の他磁性金属材料を用いる場合、磁性層の形成に先立っ
て下地層を形成した後に磁性層を形成する場合について
も本発明が有効であることは言うまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上の様に本発明の磁気記録媒体の製造
方法によれば、耐食性に優れた磁気記録媒体が得られ
る。
方法によれば、耐食性に優れた磁気記録媒体が得られ
る。
【図１】本発明の薄膜の製造装置の一例を示す図
【図２】従来の薄膜磁気記録媒体の製造方法の一般的な
例を示す図
例を示す図
【図３】本発明の薄膜の製造装置の一例を示す図
１ 排気系 ２ 真空槽 ３ 巻き出しロール ４ 高分子基板 ５ 円筒状キャン ６ 電子ビーム ７ 電子ビーム蒸発源 ８ ガス導入ノズル ９ 遮蔽板 １０ 巻き取りロール １１ ガイドロール １２ 回転方向 １３ 差圧板 １４ 間隙 １５ 真空計 １６ イオン源 １８ 電子銃
Claims (2)
- 【請求項１】真空中で円筒状キャンの表面に沿って移動
する高分子基板上に直接あるいは下地層を介して電子ビ
ーム蒸着法によって磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の
製造方法において、前記磁性薄膜を蒸着する蒸着室と、
前記高分子基板の巻出し及び巻き取りを行う巻き取り室
を、前記高分子基板が通過する間隙を残した差圧板によ
って分離し、かつ前記巻き取り室を、前記蒸着室に隣接
する部分と巻出し・巻き取りロールを含む部分に差圧板
で分離し、前記蒸着室と隣接する巻き取り室を、前記巻
出し・巻き取りロールを含む巻き取り室、前記蒸着室の
いずれよりも高真空にすることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項２】前記巻き取りロールを含む巻き取り室にお
いて少なくとも前記巻出しロールまたは前記巻き取りロ
ールの一方あるいはその近傍の前記高分子基板にイオン
を照射することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26217893A JPH07121872A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26217893A JPH07121872A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07121872A true JPH07121872A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17372157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26217893A Pending JPH07121872A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07121872A (ja) |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP26217893A patent/JPH07121872A/ja active Pending
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