JPH07121825B2 - 耐スポーリング性セラミックス及び電子部品焼成用道具材 - Google Patents
耐スポーリング性セラミックス及び電子部品焼成用道具材Info
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- JPH07121825B2 JPH07121825B2 JP63028120A JP2812088A JPH07121825B2 JP H07121825 B2 JPH07121825 B2 JP H07121825B2 JP 63028120 A JP63028120 A JP 63028120A JP 2812088 A JP2812088 A JP 2812088A JP H07121825 B2 JPH07121825 B2 JP H07121825B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアルミナ−ジルコニア質の耐スポーリング性セ
ラミックス及びこの耐スポーリング性セラミックスから
なる電子部品焼成用道具材に関する。
ラミックス及びこの耐スポーリング性セラミックスから
なる電子部品焼成用道具材に関する。
一般的に、アルミナ質セラミックスは、高強度で、耐熱
性に優れ、化学的に安定で、比較的安価であるなどの特
長を有しているが、耐スポーリング性に劣るという欠点
がある。このため、アルミナ質セラミックスには耐スポ
ーリング性を向上させることが要求されている。
性に優れ、化学的に安定で、比較的安価であるなどの特
長を有しているが、耐スポーリング性に劣るという欠点
がある。このため、アルミナ質セラミックスには耐スポ
ーリング性を向上させることが要求されている。
また、セラミックスは各種の用途に用いられるが、電子
部品焼成用道具材としての用途に限ってみれば、従来は
例えばAl2O3−SiO2質のものが使用されてきたが、最近
では電子部品材料と直接接触するセッターには高純度Al
2O3質やSiO2分の少ないAl2O3質のものが使用されてい
る。これは、Al2O3−SiO2質の道具材に電子部品材料を
直接接触させて焼成すると以下のような問題が生じるた
めである。
部品焼成用道具材としての用途に限ってみれば、従来は
例えばAl2O3−SiO2質のものが使用されてきたが、最近
では電子部品材料と直接接触するセッターには高純度Al
2O3質やSiO2分の少ないAl2O3質のものが使用されてい
る。これは、Al2O3−SiO2質の道具材に電子部品材料を
直接接触させて焼成すると以下のような問題が生じるた
めである。
すなわち、フェライト焼成の際にAl2O3−SiO2質の道具
材を用いると、SiO2がフェライトの粒成長を促進させ
る。また、PZT焼成の際にAl2O3−SiO2質道具材を用いる
と、SiO2がPbOと反応して浸食性の強いガラス相を生成
するため、道具材の寿命を短くするとともにPZT中のPbO
量のコントロールが困難となる。
材を用いると、SiO2がフェライトの粒成長を促進させ
る。また、PZT焼成の際にAl2O3−SiO2質道具材を用いる
と、SiO2がPbOと反応して浸食性の強いガラス相を生成
するため、道具材の寿命を短くするとともにPZT中のPbO
量のコントロールが困難となる。
上記問題を解消するために、電子部品材料と直接接触す
るセッターとしては高純度Al2O3質やSiO2分の少ないAl2
O3質のものが使用されているが、上述したようにこうし
た材質の道具材には耐スポーリング性が劣るという問題
がある。
るセッターとしては高純度Al2O3質やSiO2分の少ないAl2
O3質のものが使用されているが、上述したようにこうし
た材質の道具材には耐スポーリング性が劣るという問題
がある。
また、電子部品材料と直接接触する道具材（例えばセッ
ター）としては、上記のほかにも例えばZrO2質のものが
使用されているが、ZrO2質の道具材にも以下のような問
題がある。すなわち、PZT焼成の際にZrO2質の道具材を
用いると、Al2O3−SiO2質の場合と同様な問題が生じ
る。また、蛍光体焼成の際にZrO2質の道具材を用いる
と、ZrO2の安定化剤と蛍光体とが反応してしまう。
ター）としては、上記のほかにも例えばZrO2質のものが
使用されているが、ZrO2質の道具材にも以下のような問
題がある。すなわち、PZT焼成の際にZrO2質の道具材を
用いると、Al2O3−SiO2質の場合と同様な問題が生じ
る。また、蛍光体焼成の際にZrO2質の道具材を用いる
と、ZrO2の安定化剤と蛍光体とが反応してしまう。
上述したことからわかるように、電子部品焼成用道具材
には耐スポーリング性を向上させるとともに、化学的安
定性が要求されている。
には耐スポーリング性を向上させるとともに、化学的安
定性が要求されている。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであ
り、耐スポーリング性に優れたセラミックス、及びこの
ようなセラミックスからなり、耐スポーリング性に優れ
かつ化学的安定性にも優れた電子部品焼成用道具材を提
供することを目的とする。
り、耐スポーリング性に優れたセラミックス、及びこの
ようなセラミックスからなり、耐スポーリング性に優れ
かつ化学的安定性にも優れた電子部品焼成用道具材を提
供することを目的とする。
本発明の耐スポーリング性セラミックスは、平均粒子径
の比ZrO2/Al2O3が10〜40であるAl2O3とZrO2とをAl2O360
〜95重量％、ZrO240〜５重量％の組成比で配合、成形
し、焼成してなることを特徴とするものである。
の比ZrO2/Al2O3が10〜40であるAl2O3とZrO2とをAl2O360
〜95重量％、ZrO240〜５重量％の組成比で配合、成形
し、焼成してなることを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品焼成用道具材は、電子部品材料
を焼成する際に電子部品材料と直接接触する電子部品焼
成用道具材において、平均粒子径の比ZrO2/Al2O3が10〜
40である Al2O3とZrO2とをAl2O360〜95重量％、ZrO240〜５重量％
の組成比で配合、成形し、焼成してなることを特徴とす
るものである。
を焼成する際に電子部品材料と直接接触する電子部品焼
成用道具材において、平均粒子径の比ZrO2/Al2O3が10〜
40である Al2O3とZrO2とをAl2O360〜95重量％、ZrO240〜５重量％
の組成比で配合、成形し、焼成してなることを特徴とす
るものである。
なお、本発明において、ZrO2は単斜晶系、正方晶系、立
方晶系のいずれでもよく、またこれらの結晶系の２種以
上を組合わせたものでもよい。
方晶系のいずれでもよく、またこれらの結晶系の２種以
上を組合わせたものでもよい。
セラミックスの耐スポーリング性を改善する手法とし
て、従来より知られているように、２種以上のセラミッ
クス原料を使用し、原料の熱膨張係数の差を利用して焼
成後の冷却時に焼結体に長さ数十〜数百μｍ程度の大き
なクラックを生じさせるという考え方がある。このよう
に大きなクラックが発生したセラミックスでは、熱衝撃
を受けても、それによる応力がクラックで吸収されるの
で、耐スポーリング性を改善することができる。こうし
た考え方に基づくセラミックスとしては、例えばMgO−M
gO・Al2O3（マグネシアースピネル系）やAl2O3−3Al2O3
・2SiO2（アルミナ−ムライト系）が知られている。
て、従来より知られているように、２種以上のセラミッ
クス原料を使用し、原料の熱膨張係数の差を利用して焼
成後の冷却時に焼結体に長さ数十〜数百μｍ程度の大き
なクラックを生じさせるという考え方がある。このよう
に大きなクラックが発生したセラミックスでは、熱衝撃
を受けても、それによる応力がクラックで吸収されるの
で、耐スポーリング性を改善することができる。こうし
た考え方に基づくセラミックスとしては、例えばMgO−M
gO・Al2O3（マグネシアースピネル系）やAl2O3−3Al2O3
・2SiO2（アルミナ−ムライト系）が知られている。
本発明者らは、上記の考え方をアルミナ−ジルコニア質
のセラミックスに適用し、種々の検討を行った。この場
合、焼結体中に発生させるクラックの量を最適に制御
し、かつ焼結性の悪化などによる強度の低下を防止しな
ければならない。
のセラミックスに適用し、種々の検討を行った。この場
合、焼結体中に発生させるクラックの量を最適に制御
し、かつ焼結性の悪化などによる強度の低下を防止しな
ければならない。
本発明においては、Al2O3とZrO2との平均粒子径の比ZrO
2/Al2O3（以下、Z/Aと記す）を10〜40に設定することが
最も重要である。この平均粒子径の比Z/Aは、曲げ強さ
と耐スポーリング性に与える影響を考慮して規定された
ものである。
2/Al2O3（以下、Z/Aと記す）を10〜40に設定することが
最も重要である。この平均粒子径の比Z/Aは、曲げ強さ
と耐スポーリング性に与える影響を考慮して規定された
ものである。
すなわち、アルミナ−ジルコニア質セラミックスの曲げ
強さに関しては、Z/Aが大きくなるにつれ曲げ強さが小
さくなるという関係があり、特にZ/Aが40を超えると焼
結性が悪くなって急激に曲げ強さが低下するため、Z/A
は40以下であることが必要である。
強さに関しては、Z/Aが大きくなるにつれ曲げ強さが小
さくなるという関係があり、特にZ/Aが40を超えると焼
結性が悪くなって急激に曲げ強さが低下するため、Z/A
は40以下であることが必要である。
一方、アルミナ−ジルコニア質セラミックスの耐スポー
リング性に関しては、Z/Aが10未満では焼結体中に発生
するクラックの量が少なくなるため、またZ/Aが40を超
えると上述したように強度が低下するため（一般的に熱
衝撃に耐えうる最高温度差は強度に比例する）、いずれ
も耐スポーリング性を改善することができない。そし
て、Z/Aが10〜40の場合に適量のクラックが発生し、耐
スポーリング性を改善することができ、特にZ/Aが25〜3
0の場合に耐スポーリング性を改善する効果が大きい。
リング性に関しては、Z/Aが10未満では焼結体中に発生
するクラックの量が少なくなるため、またZ/Aが40を超
えると上述したように強度が低下するため（一般的に熱
衝撃に耐えうる最高温度差は強度に比例する）、いずれ
も耐スポーリング性を改善することができない。そし
て、Z/Aが10〜40の場合に適量のクラックが発生し、耐
スポーリング性を改善することができ、特にZ/Aが25〜3
0の場合に耐スポーリング性を改善する効果が大きい。
なお、Al2O3の平均粒子径は２μｍ以下、ZrO2の平均粒
子径は0.3〜20μｍであることが望ましい。Al2O3の平均
粒子径が２μｍを超えると、緻密な焼結体が得られず強
度が低下する。また、ZrO2の平均粒子径が0.3μｍ未満
では熱衝撃を緩和するのに充分なクラックが発生せず、
20μｍを超えるとZrO2がAl2O3の焼結を阻害するため緻
密な焼結体が得られない。
子径は0.3〜20μｍであることが望ましい。Al2O3の平均
粒子径が２μｍを超えると、緻密な焼結体が得られず強
度が低下する。また、ZrO2の平均粒子径が0.3μｍ未満
では熱衝撃を緩和するのに充分なクラックが発生せず、
20μｍを超えるとZrO2がAl2O3の焼結を阻害するため緻
密な焼結体が得られない。
本発明において、組成比をAl2O360〜95重量％、ZrO240
〜５重量％と規定したのは、以下のような理由による。
すなわち、Al2O3が60重量％未満で、ZrO2が40重量％を
超えると、強度が低下する。一方、Al2O3が95重量％を
超え、ZrO2が５重量％未満であると、耐スポーリング性
を向上させることが困難となる。
〜５重量％と規定したのは、以下のような理由による。
すなわち、Al2O3が60重量％未満で、ZrO2が40重量％を
超えると、強度が低下する。一方、Al2O3が95重量％を
超え、ZrO2が５重量％未満であると、耐スポーリング性
を向上させることが困難となる。
更に、本発明の電子部品焼成用道具材においては、特に
化学的安定性の向上が要求されるので、Al2O3及びZrO2
以外のMgO、CaO、Ma2O、SiO2、K2Oなどの酸化物の合計
量は１重量％以下であることが望ましい。
化学的安定性の向上が要求されるので、Al2O3及びZrO2
以外のMgO、CaO、Ma2O、SiO2、K2Oなどの酸化物の合計
量は１重量％以下であることが望ましい。
本発明に係る電子部品焼成用道具材は第２図（ａ）〜
（ｃ）に示すように台板やさやばちとして使用され、そ
の上に電子部品材料が直接接触した状態で焼成又は焙焼
が行われる。例えば、フェライトを焼成する場合、アル
ミナ−ジルコニア質の台板１上に直接（すなわちセッタ
ーを設けずに）フェライト原料４が載置される。また、
PZTを焼成する場合、アルミナ−ジルコニア質のさやば
ち２の底面上に直接PZT原料５が載置され、アルミナ−
ジルコニア質の蓋体３で密閉される。同様に、蛍光体を
焼成する場合、アルミナ−ジルコニア質のさやばち２内
部に直接蛍光体原料６が装入され、アルミナ−ジルコニ
ア質の蓋体３で密閉される。
（ｃ）に示すように台板やさやばちとして使用され、そ
の上に電子部品材料が直接接触した状態で焼成又は焙焼
が行われる。例えば、フェライトを焼成する場合、アル
ミナ−ジルコニア質の台板１上に直接（すなわちセッタ
ーを設けずに）フェライト原料４が載置される。また、
PZTを焼成する場合、アルミナ−ジルコニア質のさやば
ち２の底面上に直接PZT原料５が載置され、アルミナ−
ジルコニア質の蓋体３で密閉される。同様に、蛍光体を
焼成する場合、アルミナ−ジルコニア質のさやばち２内
部に直接蛍光体原料６が装入され、アルミナ−ジルコニ
ア質の蓋体３で密閉される。
上記のような本発明のアルミナ−ジルコニア質のセラミ
ックスは、高強度でかつ耐スポーリング性にも優れてい
る。また、このようなアルミナ−ジルコニア質の耐スポ
ーリング性セラミックスからなる本発明の電子部品焼成
用道具材は耐スポーリング性及び化学的安定性に優れて
おり、道具材自体の寿命が長くなるとともに高品質の電
子部品を焼成することができる。
ックスは、高強度でかつ耐スポーリング性にも優れてい
る。また、このようなアルミナ−ジルコニア質の耐スポ
ーリング性セラミックスからなる本発明の電子部品焼成
用道具材は耐スポーリング性及び化学的安定性に優れて
おり、道具材自体の寿命が長くなるとともに高品質の電
子部品を焼成することができる。
以下、本発明の実施例を説明する。
第１表に示す平均粒子径比のアルミナ及びジルコニア
（No1〜10）を、同表に示す組成比で配合し、ミキサー
にて混合した後、バインダーとしてPVA溶液を５重量％
投入して30分間混練した。この混練物の水分を2.0重量
％に調整した後、アイソスタティックプレス法により10
00kgf/cm2の圧力で成形して直径100mm、厚さ100mmの成
形体を得た。この成形体を70℃で５時間乾燥した後、16
00℃で３時間焼成した。
（No1〜10）を、同表に示す組成比で配合し、ミキサー
にて混合した後、バインダーとしてPVA溶液を５重量％
投入して30分間混練した。この混練物の水分を2.0重量
％に調整した後、アイソスタティックプレス法により10
00kgf/cm2の圧力で成形して直径100mm、厚さ100mmの成
形体を得た。この成形体を70℃で５時間乾燥した後、16
00℃で３時間焼成した。
得られた各焼結体の一部を切出して作製された試料につ
いて、気孔率、かさ比重、曲げ強さ、耐スポーリング性
（熱衝撃に耐えうる最高温度差ΔＴ）及び破壊靭性値K
ICを調べた。その結果を第１表に示す。また、平均粒子
径の比（Z/A）と、曲げ強さ及びΔＴとの関係を第１図
に示す。
いて、気孔率、かさ比重、曲げ強さ、耐スポーリング性
（熱衝撃に耐えうる最高温度差ΔＴ）及び破壊靭性値K
ICを調べた。その結果を第１表に示す。また、平均粒子
径の比（Z/A）と、曲げ強さ及びΔＴとの関係を第１図
に示す。
なお、第１表には従来のアルミナ磁器質及びAl2O3−SiO
2質の試料についても上記と同様の結果を併記する。
2質の試料についても上記と同様の結果を併記する。
更に、従来のアルミナ磁器質及び本発明に係るアルミナ
−ジルコニア質を用いてそれぞれさやばちと蓋体を作製
した。第２図（ｃ）に示すように、これらの道具材を用
い、1400℃で蛍光体を焼成した後、100℃/minの冷却速
度で冷却するという操作を連続的に行い、初期ワレが発
生するまでの通炉回数を調べた。その結果を第１表に示
す。
−ジルコニア質を用いてそれぞれさやばちと蓋体を作製
した。第２図（ｃ）に示すように、これらの道具材を用
い、1400℃で蛍光体を焼成した後、100℃/minの冷却速
度で冷却するという操作を連続的に行い、初期ワレが発
生するまでの通炉回数を調べた。その結果を第１表に示
す。
第１表及び第１図から明らかなように、アルミナ−ジル
コニア質セラミックスは平均粒子径の比（Z/A）が10〜4
0の範囲で、充分な曲げ強さを維持しつつ耐スポーリン
グ性を向上できることがわかる。特に、平均粒子径の比
が20〜30の範囲では耐スポーリング性を著しく向上する
ことができる。
コニア質セラミックスは平均粒子径の比（Z/A）が10〜4
0の範囲で、充分な曲げ強さを維持しつつ耐スポーリン
グ性を向上できることがわかる。特に、平均粒子径の比
が20〜30の範囲では耐スポーリング性を著しく向上する
ことができる。
また、第１表から明らかなように、上記のようなアルミ
ナ−ジルコニア質セラミックスを道具材として使用した
場合、道具材自在の寿命が著しく向上していることがわ
かる。
ナ−ジルコニア質セラミックスを道具材として使用した
場合、道具材自在の寿命が著しく向上していることがわ
かる。
また、本発明に係るアルミナ−ジルコニア質セラミック
スからなる台板は、従来のAl2O3−SiO2質セラミックス
からなる台板と比較して強度が大きいため、厚みを従来
の1/3にすることができ、熱効率を10％向上することが
できた。更に、上記のように強度が高くなったことか
ら、近年普及しつつあるワークロボットによる道具材の
自動搬送時の破損事故などを低減することができ、自動
化への対応も期待できる。
スからなる台板は、従来のAl2O3−SiO2質セラミックス
からなる台板と比較して強度が大きいため、厚みを従来
の1/3にすることができ、熱効率を10％向上することが
できた。更に、上記のように強度が高くなったことか
ら、近年普及しつつあるワークロボットによる道具材の
自動搬送時の破損事故などを低減することができ、自動
化への対応も期待できる。
なお、以上では本発明に係る耐スポーリング性セラミッ
クスの用途として電子部品焼成用道具材を挙げている
が、その他の用途としてセメント工業用耐摩耗板やセラ
ミックフェルールなども挙げられる。
クスの用途として電子部品焼成用道具材を挙げている
が、その他の用途としてセメント工業用耐摩耗板やセラ
ミックフェルールなども挙げられる。
以上詳述したように本発明によれば、高強度を維持しつ
つ耐スポーリング性を改善したアルミナ−ジルコニア質
のセラミックス、及びこのようなセラミックスからな
り、耐スポーリング性に優れかつ化学的安定性にも優れ
た電子部品焼成用道具材を提供することができる。
つ耐スポーリング性を改善したアルミナ−ジルコニア質
のセラミックス、及びこのようなセラミックスからな
り、耐スポーリング性に優れかつ化学的安定性にも優れ
た電子部品焼成用道具材を提供することができる。
第１図は本発明に係る耐スポーリング性セラミックスの
平均粒子径比（ZrO2/Al2O3）と、曲げ強さ及びΔＴとの
関係を示す特性図、第２図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本
発明に係る電子部品焼成用道具材による焼成方法を示す
断面図である。 １……台板、２……さやばち、３……蓋体、４……フェ
ライト原料、５……PZT原料、６……蛍光体原料。
平均粒子径比（ZrO2/Al2O3）と、曲げ強さ及びΔＴとの
関係を示す特性図、第２図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本
発明に係る電子部品焼成用道具材による焼成方法を示す
断面図である。 １……台板、２……さやばち、３……蓋体、４……フェ
ライト原料、５……PZT原料、６……蛍光体原料。
Claims (2)
- 【請求項１】平均粒子径の比ZrO2/Al2O3が10〜40である
Al2O3とZrO2とをAr2O360〜95重量％、ZrO240〜５重量％
の組成比で配合、成形し、焼成してなることを特徴とす
る耐スポーリング性セラミックス。 - 【請求項２】電子部品材料を焼成する際に電子部品材料
と直接接触する電子部品焼成用道具材において、平均粒
子径の比ZrO2/Al2O3が10〜40であるAl2O3とZrO2とをAl2
O360〜95重量％、ZrO240〜５重量％の組成比で配合、成
形し、焼成してなることを特徴とする電子部品焼成用道
具材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028120A JPH07121825B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 耐スポーリング性セラミックス及び電子部品焼成用道具材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028120A JPH07121825B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 耐スポーリング性セラミックス及び電子部品焼成用道具材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01203263A JPH01203263A (ja) | 1989-08-16 |
| JPH07121825B2 true JPH07121825B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=12239942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63028120A Expired - Fee Related JPH07121825B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 耐スポーリング性セラミックス及び電子部品焼成用道具材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07121825B2 (ja) |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP63028120A patent/JPH07121825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01203263A (ja) | 1989-08-16 |
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