JPH07120843B2 - Circuit board connection structure and method - Google Patents
Circuit board connection structure and methodInfo
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- JPH07120843B2 JPH07120843B2 JP1160990A JP1160990A JPH07120843B2 JP H07120843 B2 JPH07120843 B2 JP H07120843B2 JP 1160990 A JP1160990 A JP 1160990A JP 1160990 A JP1160990 A JP 1160990A JP H07120843 B2 JPH07120843 B2 JP H07120843B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、回路基板の接続構造および方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit board connection structure and method.
さらに詳しくは、たとえば半導体集積回路基板、プリン
ト回路基板、ガラス回路基板、フレキシブル回路基板、
またはセラミック回路基板などの回路基板の電極を、他
の回路基板の電極に、相互に圧接によって電気的に接続
するために好適に実施される回路基板の接続構造および
方法に関する。More specifically, for example, semiconductor integrated circuit board, printed circuit board, glass circuit board, flexible circuit board,
Further, the present invention relates to a circuit board connection structure and method suitably implemented for electrically connecting electrodes of a circuit board such as a ceramic circuit board to electrodes of another circuit board by pressure contact with each other.
従来の技術 従来、回路基板同士の電極を電気的に接続する方法とし
ては、通常、半田付けが行われている。半田付けによる
方法では、一方の回路基板の電極上にめっき法や印刷法
などによって半田層を形成し、この半田層を200〜250℃
程度の高温に加熱し、溶融して他方の回路基板の電極に
接続する。したがって電極材料として、予めAu、Cu、Ni
などの親半田金属を用いる必要がある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of electrically connecting electrodes of circuit boards to each other, soldering is usually performed. In the method by soldering, a solder layer is formed on the electrode of one circuit board by a plating method or a printing method, and this solder layer is heated to 200 to 250 ° C.
It is heated to a relatively high temperature, melted and connected to the electrode of the other circuit board. Therefore, as electrode material, Au, Cu, Ni
It is necessary to use a parent solder metal such as.
このような半田付けという高温処理による回路基板など
への熱的な弊害や、親半田金属を用いることによるコス
ト高を回避するために、最近では、接着剤中に導電性粒
子を分散させて成る異方性導電シートを用いる傾向にあ
る。異方性導電シートは、このシートに加えられる圧力
方向に対してのみ導電性を示し、それ以外の方向に対し
ては非導電性であるという異方性を有する。この性質を
利用し、接続したい電極や端子などの間にこの異方性導
電シートを介在し、電極間に介在したシート部分をシー
ト厚み方向にわたって加圧および加熱して両電極間の電
気的接続を行う。特に、配線材料としてITO（Indium Ti
n Oxide）を使用する液晶表示板の端子の接続には、そ
の接続の容易性および熱的条件の点から異方性導電シー
トが多く用いられている。In order to avoid thermal adverse effects on a circuit board or the like due to high temperature processing such as soldering and high cost due to use of a parent solder metal, recently, conductive particles are dispersed in an adhesive. There is a tendency to use an anisotropic conductive sheet. The anisotropic conductive sheet has anisotropy in that it is conductive only in the pressure direction applied to the sheet and is non-conductive in the other directions. Utilizing this property, the anisotropic conductive sheet is interposed between the electrodes or terminals to be connected, and the sheet portion interposed between the electrodes is pressed and heated in the sheet thickness direction to electrically connect both electrodes. I do. In particular, ITO (Indium Ti
Anisotropic conductive sheets are often used for connecting terminals of liquid crystal display panels using n Oxide) from the viewpoint of ease of connection and thermal conditions.
発明が解決しようとする課題 上記した異方性導電シートは、樹脂中に導電性粒子を分
散させた構成である。したがって隣接端子間のピッチ幅
が微細となつた場合、シート中に存在する導電性粒子に
起因して電気的短絡が生じ、微小ピッチ幅での接続が困
難であるという問題点がある。Problems to be Solved by the Invention The above-mentioned anisotropic conductive sheet has a configuration in which conductive particles are dispersed in a resin. Therefore, when the pitch width between the adjacent terminals is fine, an electrical short circuit occurs due to the conductive particles present in the sheet, and there is a problem that connection with a minute pitch width is difficult.
本発明の目的は、上記問題点を解決して、接続すべき電
極上にのみ導電性の粒子を配置することができ、したが
って電極の微細化に対応することができるとともに、接
続の信頼性を向上することができる回路基板の接続構造
および方法を提供することである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to dispose conductive particles only on electrodes to be connected, and thus to cope with miniaturization of electrodes, and to improve the reliability of connection. It is to provide a circuit board connection structure and method that can be improved.
課題を解決するための手段 本発明は、電極を有する第１の回路基板と、この第１の
回路基板の電極に対応する位置に電極を有する第２の回
路基板との接続構造において、 嫌気硬化性を有する樹脂に対して正の触媒作用を有する
遷移金属を少なくとも表面に含む第１の回路基板上の電
極と、第２の回路基板上の電極とを、 嫌気硬化性を有する熱可塑性樹脂によって保持された導
電性粒子を介して電気的に導通させることを特徴とする
回路基板の接続構造である。Means for Solving the Problems The present invention provides a connection structure between a first circuit board having an electrode and a second circuit board having an electrode at a position corresponding to the electrode of the first circuit board. The electrode on the first circuit board and the electrode on the second circuit board which have at least the surface thereof a transition metal having a positive catalytic action for the resin having a volatile property by an anaerobic-curable thermoplastic resin. It is a connection structure of a circuit board, which is electrically connected through the held conductive particles.
また本発明は、電極を有する第１の回路基板と、この第
１の回路基板の電極に対応する位置に電極を有する第２
の回路基板とを接続する方法において、 第１の回路基板に、嫌気硬化性を有する樹脂に対して正
の触媒作用を有する遷移金属を少なくとも表面に含む電
極を形成する工程と、 この電極が形成された第１の回路基板に嫌気硬化性を有
する熱可塑性樹脂を塗布する工程と、 電極上に塗布された嫌気硬化性を有する熱可塑性樹脂を
選択的に硬化する工程と、 未硬化の熱可塑性樹脂を除去する工程と、 電極上の熱可塑性樹脂を軟化させ、導電性粒子を付着す
る工程と、 上記第１の回路基板と第２の回路基板とを対向して配置
し、電極を導電性粒子を介して電気的に導通させる工程
とを含むことを特徴とする回路基板の接続方法である。The present invention also provides a first circuit board having an electrode, and a second circuit board having an electrode at a position corresponding to the electrode of the first circuit board.
In the method for connecting to a circuit board, the step of forming, on the first circuit board, an electrode including at least a surface of a transition metal having a positive catalytic action on a resin having an anaerobic curing property, and forming the electrode. Of applying an anaerobic-curing thermoplastic resin to the first circuit board, a step of selectively curing the anaerobic-curing thermoplastic resin applied on the electrodes, and an uncured thermoplastic resin The step of removing the resin, the step of softening the thermoplastic resin on the electrodes to attach the conductive particles, and the step of arranging the first circuit board and the second circuit board facing each other, and making the electrodes conductive. And a step of electrically conducting through particles, the method of connecting circuit boards.
作 用 本発明に従えば、第１の回路基板の電極上に選択的に熱
可塑性樹脂が形成される。この回路基板を加熱し、電極
上の熱可塑性樹脂を軟化させた状態で導電性粒子を散布
すると、散布された導電性粒子は電極上の樹脂にのみ付
着する。Operation According to the present invention, the thermoplastic resin is selectively formed on the electrodes of the first circuit board. When the conductive particles are sprayed while the circuit board is heated and the thermoplastic resin on the electrodes is softened, the sprayed conductive particles adhere only to the resin on the electrodes.
このように導電性粒子を選択的に電極上に配置すること
によって、電極の微細化に対応した、高い信頼性で第２
の回路基板に接続することができる回路基板の接続構造
および方法を得ることができる。By selectively disposing the conductive particles on the electrode in this way, the second electrode can be used with high reliability in correspondence with the miniaturization of the electrode.
It is possible to obtain a circuit board connection structure and method that can be connected to the circuit board.
実施例 第１図は本発明の第１の回路基板である半導体装置６と
嫌気硬化性を有する熱可塑性の樹脂層8aおよび導電性粒
子５の構成を示す断面図である。Example 1 FIG. 1 is a sectional view showing a structure of a semiconductor device 6 which is a first circuit board of the present invention, a thermoplastic resin layer 8a having an anaerobic curing property, and conductive particles 5.
半導体装置６は、電気絶縁性の基板１と、この基板１上
に予め形成される電極２とを含む。この電極２は、少な
くとも表面に、Fe、Ni、Cu、Co、Nnなどの嫌気硬化性を
有する樹脂に対して正の触媒作用を有する遷移金属を含
む。また、基板１上の電極２が形成されていない領域に
は、表面保護層３が形成されている。この表面保護層３
は、たとえばSiN、SiO2またはポリイミドなどから成
る。The semiconductor device 6 includes an electrically insulating substrate 1 and an electrode 2 previously formed on the substrate 1. At least the surface of the electrode 2 contains a transition metal such as Fe, Ni, Cu, Co, and Nn, which has a positive catalytic action for a resin having an anaerobic curing property. A surface protective layer 3 is formed on the substrate 1 in a region where the electrode 2 is not formed. This surface protection layer 3
Is made of, for example, SiN, SiO 2 or polyimide.
この電極上には嫌気硬化性を有する熱可塑性の樹脂層8a
が形成されており、この樹脂層8aには、後述する方法に
よって導電性粒子５の一端が電極２の表面に接触し、他
端が樹脂層8aから突出した状態で保持されている。導電
性粒子５としては、Au、Ag、Cu、Ｃ、Ni、Pt、In、Pa、
SnおよびPbなどの金属またはこれらの二種以上の合金を
使用できる。また、第１図に示したように高分子から成
る弾性粒子5bの表面に導電性材料から成る被覆層5aを形
成した導電性粒子５を用いてもよい。An anaerobic-curable thermoplastic resin layer 8a is formed on this electrode.
In this resin layer 8a, one end of the conductive particle 5 is held in contact with the surface of the electrode 2 and the other end is projected from the resin layer 8a by a method described later. The conductive particles 5 include Au, Ag, Cu, C, Ni, Pt, In, Pa,
Metals such as Sn and Pb or alloys of two or more of these can be used. Alternatively, as shown in FIG. 1, conductive particles 5 having a coating layer 5a made of a conductive material formed on the surface of elastic particles 5b made of a polymer may be used.
第２図は、第１図の電気絶縁性基板１の電極２上に選択
的に導電性粒子５を散布する方法を説明する断面図であ
る。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a method of selectively spraying the conductive particles 5 on the electrodes 2 of the electrically insulating substrate 1 of FIG.
第２図（１）に示すように、予め電極２および表面保護
層３を形成した基板１において、この電極２および表面
保護層３上に、たとえばスピンコートまたはロールコー
トなどの方法によって嫌気硬化性を有する熱可塑性の樹
脂を塗布し樹脂層８を形成する。その後、この基板１を
N2、Ar、などの不活性ガス中、または真空中に放置する
などして、O2を遮断すると、嫌気硬化性によって電極上
の樹脂層のみが選択的に硬化する。この理由を以下に説
明する。As shown in FIG. 2 (1), in the substrate 1 on which the electrode 2 and the surface protective layer 3 are formed in advance, the anaerobic curability is formed on the electrode 2 and the surface protective layer 3 by a method such as spin coating or roll coating. The resin layer 8 is formed by applying a thermoplastic resin having After that, this substrate 1
When O 2 is blocked by leaving it in an inert gas such as N 2 or Ar or in a vacuum, only the resin layer on the electrode is selectively cured due to anaerobic curability. The reason for this will be described below.
通常、嫌気硬化性樹脂は、成分中の反応開始剤である過
酸化物と遷移金属その反応によって、硬化が開始され
る。Usually, curing of the anaerobic curable resin is initiated by the reaction between the reaction initiator peroxide and the transition metal.
但しM:金属原子 R:アルキル基 ROOH:過酸化物 上記の［RO2・］，［RO・］が樹脂の主成分のモノマー
の対して反応し、開裂、重合を開始させる。 However, M: metal atom R: alkyl group ROOH: peroxide The above [RO 2 ·] and [RO ·] react with the monomer as the main component of the resin to initiate cleavage and polymerization.
但しX:樹脂モノマー しかしながら、周囲にO2が存在する状態では、 の反応が起こり、重合が阻止される。 However, X: resin monomer However, in the state where O 2 exists in the surroundings, And the polymerization is blocked.
以上の事から、無酸素雰囲気中で嫌気硬化性を有する樹
脂の成分の過酸化物と容易に酸化還元反応を起こす還元
状態の遷移金属に隣接している樹脂が選択的に、硬化す
ることになる。From the above, it is possible to selectively cure the resin adjacent to the transition metal in the reduced state which easily undergoes the redox reaction with the peroxide which is the component of the resin having the anaerobic curing property in the oxygen-free atmosphere. Become.
電極上の樹脂層8aが硬化した後、第２図（２）に示すよ
うに未硬化の樹脂層を溶剤によって除去する。After the resin layer 8a on the electrode is cured, the uncured resin layer is removed by a solvent as shown in FIG. 2 (2).
次に、この回路基板を50℃〜200℃程度に加熱すると、
樹脂層8aは熱可塑性によって軟化する。この状態で、第
２図（３）に示すように、前記導電性粒子５を散布し、
電極２上の樹脂層8aに付着させる。このとき熱軟化した
樹脂層8aは粘着性を有しており、これによって導電性粒
子５を吸着する。一方、樹脂層8aが形成されていない表
面保護層３上などでは、導電性粒子５が単に付着した状
態である。したがって電極２以外の他の領域に静電気力
などによって付着した不要な導電性粒子５は、エアブロ
ーによって、または、ブラシなどを使用して容易に除去
することができる。Next, when this circuit board is heated to about 50 ℃ ~ 200 ℃,
The resin layer 8a is softened by thermoplasticity. In this state, as shown in FIG. 2 (3), the conductive particles 5 are dispersed,
It is attached to the resin layer 8a on the electrode 2. At this time, the heat-softened resin layer 8a has an adhesive property, whereby the conductive particles 5 are adsorbed. On the other hand, on the surface protection layer 3 where the resin layer 8a is not formed, the conductive particles 5 are simply attached. Therefore, the unnecessary conductive particles 5 attached to areas other than the electrode 2 by electrostatic force can be easily removed by air blowing or using a brush or the like.
上述のようにして電極２上の樹脂層8aに配置された導電
性粒子５は、導電性粒子５の一端が電極２表面に接触
し、その他端は樹脂層8aから突出するように樹脂層8aに
埋設される。あるいは、導電性粒子５が電極上に配置さ
れた半導体装置６を、他の回路基板に圧接によって接続
する際に、両回路基板に加えられた圧力によって導電性
粒子５が樹脂層8aを貫通して、その一端が電極２に接触
するようにしてもよい。また導電性粒子５を介して両回
路基板の相互に対応する電極が接続されるように加圧す
る際に、予め両回路基板間に接着剤を充填して硬化させ
るようにしてもよい。これによって電気的な接続部分が
接着剤によって封止され、接続の信頼性が向上する。The conductive particles 5 arranged in the resin layer 8a on the electrode 2 as described above have one end of the conductive particles 5 contacting the surface of the electrode 2 and the other end protruding from the resin layer 8a. Buried in. Alternatively, when the semiconductor device 6 having the conductive particles 5 arranged on the electrodes is connected to another circuit board by pressure contact, the conductive particles 5 penetrate the resin layer 8a by the pressure applied to both circuit boards. The one end may be in contact with the electrode 2. Further, when pressure is applied so that the electrodes corresponding to each other on both circuit boards are connected via the conductive particles 5, an adhesive may be filled between both circuit boards in advance and cured. As a result, the electrically connected portion is sealed with the adhesive, and the reliability of the connection is improved.
第３図は、上記した半導体装置６が実装された、本発明
の一実施例である液晶表示装置10の断面図である。また
第４図は第３図の切断面線IV−IVから見た一部断面図で
あり、第５図は第４図の細部を詳細に示す拡大断面図で
ある。FIG. 3 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device 10, which is an embodiment of the present invention, in which the semiconductor device 6 described above is mounted. 4 is a partial sectional view taken along the section line IV-IV in FIG. 3, and FIG. 5 is an enlarged sectional view showing details of FIG. 4 in detail.
第３図を参照して、本発明の第２の回路基板に相当する
表面に電極13および対向電極16がそれぞれ形成された一
対の液晶表示板11,12は、シール樹脂15を介して貼り合
わされており、その間に液晶17が封入されている。液晶
表示装置10において、電極13は液晶表示板11上を図面右
方に延び、液晶表示装置10の表示駆動を行うために実装
された半導体装置６と導電性粒子５を介して本発明の接
続構造および方法を用いて接続されている。また、半導
体装置６と液晶表示板11との接続部分と、接続の信頼性
を向上させるために接着剤14によって封止されている。Referring to FIG. 3, a pair of liquid crystal display panels 11 and 12 each having an electrode 13 and a counter electrode 16 formed on the surface corresponding to the second circuit board of the present invention are bonded together with a sealing resin 15 interposed therebetween. The liquid crystal 17 is enclosed between them. In the liquid crystal display device 10, the electrode 13 extends on the liquid crystal display plate 11 to the right in the drawing, and the semiconductor device 6 mounted for driving the display of the liquid crystal display device 10 and the connection of the present invention via the conductive particles 5. Connected using structure and method. Further, the semiconductor device 6 and the liquid crystal display panel 11 are sealed with a connecting portion and an adhesive 14 in order to improve the connection reliability.
半導体装置６は、シリコンあるいはガリウムヒ素などの
基板上に拡散層（図示せず）が形成され、これによって
多数のトランジスタやダイオードなどが構成されて液晶
表示装置10の表示駆動を行う機能を有する。半導体装置
６の電極２上には、前述した方法に従って、導電性粒子
５が樹脂層8aによって埋設して保持されている。一方、
液晶表示板11の電極13は、たとえばソーダガラスなどの
表面上にITO（Indium Tin Oxide）、あるいは接触抵抗
を低減するためにNiでめっきしたITOなどで形成されて
おり、通常厚みは50〜200nm程度である。The semiconductor device 6 has a diffusion layer (not shown) formed on a substrate such as silicon or gallium arsenide, and a large number of transistors, diodes, etc. are formed by this, and has a function of performing display drive of the liquid crystal display device 10. On the electrode 2 of the semiconductor device 6, the conductive particles 5 are embedded and held by the resin layer 8a according to the method described above. on the other hand,
The electrode 13 of the liquid crystal display panel 11 is formed of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) on the surface of soda glass or the like, or ITO plated with Ni to reduce the contact resistance, and usually has a thickness of 50 to 200 nm. It is a degree.
第６図に示されるように、半導体装置６の導電性粒子５
から成る突起電極が形成された表面と、液晶表示板11の
電極13が形成された表面とは対向され、導電性粒子５と
電極13とが位置合わせされる。位置合わせされた基板1,
11間には、接着剤14が充填され、半導体装置６は液晶表
示板11に対して導電性粒子５および接着剤14を介して矢
符19方向に、電極2,13間が第５図示の所定の間隔l1とな
るまで加圧される。この加圧状態において接着剤14を硬
化させることによって、半導体装置６が液晶表示板11に
実装される。As shown in FIG. 6, the conductive particles 5 of the semiconductor device 6 are
The surface of the liquid crystal display panel 11 on which the electrode 13 is formed is opposed to the surface of the liquid crystal display panel 11 on which the protruding electrode formed of is formed, and the conductive particles 5 and the electrode 13 are aligned with each other. Aligned board 1,
An adhesive 14 is filled between the gaps 11, and the semiconductor device 6 is attached to the liquid crystal display panel 11 through the conductive particles 5 and the adhesive 14 in the arrow 19 direction, and between the electrodes 2 and 13 is shown in the fifth illustration. Pressure is applied until a predetermined interval l1 is reached. The semiconductor device 6 is mounted on the liquid crystal display panel 11 by curing the adhesive 14 in this pressurized state.
接着剤14としては、たとえば反応硬化性、嫌気硬化性、
熱硬化性、光硬化性などの各種接着剤を使用することが
できる。特に本実施例においては、液晶表示板11が透光
性材料であるガラスから成るので、接着剤14には、高速
接合可能な光硬化性接着剤を使用することが有効であ
る。As the adhesive 14, for example, reaction curable, anaerobic curable,
Various kinds of adhesives such as thermosetting and photocurable can be used. In particular, in this embodiment, since the liquid crystal display panel 11 is made of glass which is a translucent material, it is effective to use a photocurable adhesive that can be bonded at high speed as the adhesive 14.
また上記実施例においては、半導体装置６上に導電性粒
子５を配置する場合について説明したけれども、半導体
装置に限定する必要はなく、他の回路基板上に導電性粒
子を配置して圧接する場合についても本発明は実施する
ことができる。Further, although the case where the conductive particles 5 are arranged on the semiconductor device 6 has been described in the above-mentioned embodiment, it is not necessary to limit to the semiconductor device, and the case where the conductive particles are arranged on another circuit board and pressed. The present invention can also be implemented.
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、簡単な方法によっ
て回路基板の電極上に導電性粒子を配置することができ
る。これによって電極の微細化に対応する回路基板の接
続構造および方法が得られ、回路基板と他の回路基板と
を圧接によって接続する場合の信頼性が向上する。した
がって生産性が向上し、コストを低減することができ
る。As described above, according to the present invention, the conductive particles can be arranged on the electrodes of the circuit board by a simple method. As a result, a circuit board connection structure and method corresponding to the miniaturization of the electrodes can be obtained, and the reliability when connecting the circuit board and another circuit board by pressure welding is improved. Therefore, productivity can be improved and cost can be reduced.
第１図は本発明の第１の回路基板である半導体装置６の
断面図、第２図は第１図示の半導体装置６の製造工程を
説明する断面図、第３図は本発明の一実施例である半導
体装置６が実装された液晶表示装置10の断面図、第４図
は第３図の切断面線IV−IVから見た断面図、第５図は第
４図の一部拡大断面図、第６図は圧接によって第４図示
の接続を得るための断面図である。 １……基板、2,13,16……電極、５……導電性粒子、６
……半導体装置、８…樹脂層、10……液晶表示装置、19
……加圧方向FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device 6 which is a first circuit board of the present invention, FIG. 2 is a sectional view for explaining a manufacturing process of the semiconductor device 6 shown in FIG. 1, and FIG. 3 is one embodiment of the present invention. A sectional view of a liquid crystal display device 10 in which a semiconductor device 6 as an example is mounted, FIG. 4 is a sectional view taken along section line IV-IV of FIG. 3, and FIG. 5 is a partially enlarged sectional view of FIG. 6 and 6 are sectional views for obtaining the connection shown in FIG. 4 by pressure welding. 1 ... Substrate, 2, 13, 16 ... Electrode, 5 ... Conductive particle, 6
...... Semiconductor device, 8… Resin layer, 10 …… Liquid crystal display device, 19
...... Pressure direction
Claims (2)
の回路基板の電極に対応する位置に電極を有する第２の
回路基板との接続構造において、 嫌気硬化性を有する樹脂に対して正の触媒作用を有する
遷移金属を少なくとも表面に含む第１の回路基板上の電
極と、第２の回路基板上の電極とを、 嫌気硬化性を有する熱可塑性樹脂によって保持された導
電性粒子を介して電気的に導通させることを特徴とする
回路基板の接続構造。1. A first circuit board having an electrode and the first circuit board.
In a connection structure with a second circuit board having an electrode at a position corresponding to the electrode of the circuit board, a first circuit containing a transition metal having a positive catalytic action on a resin having an anaerobic curing property on at least a surface thereof. Connection structure of circuit board, characterized in that the electrode on the board and the electrode on the second circuit board are electrically connected to each other through the conductive particles held by the thermoplastic resin having anaerobic curing property. .
の回路基板の電極に対応する位置に電極を有する第２の
回路基板とを接続する方法において、 第１の回路基板に、嫌気硬化性を有する樹脂に対して正
の触媒作用を有する遷移金属を少なくとも表面に含む電
極を形成する工程と、 この電極が形成された第１の回路基板に嫌気硬化性を有
する熱可塑性樹脂を塗布する工程と、 電極上に塗布された嫌気硬化性を有する熱可塑性樹脂を
選択的に硬化する工程と、 未硬化の熱可塑性樹脂を除去する工程と、 電極上の熱可塑性樹脂を軟化させ、導電性粒子を付着す
る工程と、 上記第１の回路基板と第２の回路基板とを対向して配置
し、電極を導電性粒子を介して電気的に導通させる工程
とを含むことを特徴とする回路基板の接続方法。2. A first circuit board having electrodes, and the first circuit board.
In the method for connecting a second circuit board having an electrode at a position corresponding to the electrode of the circuit board, the first circuit board is provided with a transition metal having a positive catalytic action to the anaerobic curable resin. A step of forming an electrode including at least the surface, a step of applying a thermoplastic resin having an anaerobic curing property to the first circuit board having the electrode formed thereon, and a thermoplastic resin having an anaerobic curing property applied on the electrode A step of selectively curing the resin, a step of removing the uncured thermoplastic resin, a step of softening the thermoplastic resin on the electrodes and attaching conductive particles, the first circuit board and the second circuit board The circuit board connection method, which comprises arranging the circuit board and the circuit board so as to face each other and electrically connecting the electrodes through conductive particles.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160990A JPH07120843B2 (en) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Circuit board connection structure and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160990A JPH07120843B2 (en) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Circuit board connection structure and method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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- 1990-01-19 JP JP1160990A patent/JPH07120843B2/en not_active Expired - Fee Related
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