JPH07115272A - 薄膜多層配線実装基板の製造方法及び製造装置 - Google Patents
薄膜多層配線実装基板の製造方法及び製造装置Info
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- JPH07115272A JPH07115272A JP26205493A JP26205493A JPH07115272A JP H07115272 A JPH07115272 A JP H07115272A JP 26205493 A JP26205493 A JP 26205493A JP 26205493 A JP26205493 A JP 26205493A JP H07115272 A JPH07115272 A JP H07115272A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、薄膜配線層において、エキシ
マレーザービームにより、絶縁層と導体層を選択的かつ
連続的に同一軸上で貫通させた接続用ホール形成を可能
ならしめる薄膜多層配線実装基板の製造方法及び製造装
置を提供することにある。 【構成】少なくとも一層以上の絶縁層と導体層からなる
薄膜多層配線実装基板の接続用ホールをエキシマレーザ
ービームで加工してなる工程を含む薄膜多層配線実装基
板の製造方法において、前記エキシマレーザービーム加
工が同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明
け加工ならしめ、接続用ホールを形成することを特徴と
する薄膜多層配線実装基板の製造方法。 【効果】本発明は、従来のドリル穴明け加工に比べ、よ
り微小な接続用ホール形成を達成できる。また、上記製
造方法を用いることにより、高信頼性を有する薄膜多層
配線実装基板が実現できる。
マレーザービームにより、絶縁層と導体層を選択的かつ
連続的に同一軸上で貫通させた接続用ホール形成を可能
ならしめる薄膜多層配線実装基板の製造方法及び製造装
置を提供することにある。 【構成】少なくとも一層以上の絶縁層と導体層からなる
薄膜多層配線実装基板の接続用ホールをエキシマレーザ
ービームで加工してなる工程を含む薄膜多層配線実装基
板の製造方法において、前記エキシマレーザービーム加
工が同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明
け加工ならしめ、接続用ホールを形成することを特徴と
する薄膜多層配線実装基板の製造方法。 【効果】本発明は、従来のドリル穴明け加工に比べ、よ
り微小な接続用ホール形成を達成できる。また、上記製
造方法を用いることにより、高信頼性を有する薄膜多層
配線実装基板が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子計算機用のＬＳＩ搭
載実装基板や民生用実装基板の製造方法及び製造装置に
関し、特に薄膜多層配線実装基板の接続用ホール形成方
法及び形成装置に関する。
載実装基板や民生用実装基板の製造方法及び製造装置に
関し、特に薄膜多層配線実装基板の接続用ホール形成方
法及び形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子計算機に用いる実装用のモジュール
基板においては、信号伝送の高速化を図るため、基板内
での信号遅延をできるだけ小さくすることが重要な課題
となっている。
基板においては、信号伝送の高速化を図るため、基板内
での信号遅延をできるだけ小さくすることが重要な課題
となっている。
【０００３】従来は、主としてＷやＭｏなどの配線層を
セラミック厚膜プロセスの積層焼結法により形成した厚
膜基板が用いられてきた。しかし、上記の信号伝送の高
速化を図るため、最近ではセラミック基板上に誘電率の
低いポリイミドを層間絶縁膜とし、高導電性のＣｕやＡ
ｌを導体層とした薄膜多層配線実装基板が注目されつつ
ある。
セラミック厚膜プロセスの積層焼結法により形成した厚
膜基板が用いられてきた。しかし、上記の信号伝送の高
速化を図るため、最近ではセラミック基板上に誘電率の
低いポリイミドを層間絶縁膜とし、高導電性のＣｕやＡ
ｌを導体層とした薄膜多層配線実装基板が注目されつつ
ある。
【０００４】しかし、近年、計算機の高性能化はますま
す進み、実装ゲート数の増大も著しく、これに対応する
ためには薄膜配線方式を採用しても配線層数の増大が必
要となる。上記薄膜多層配線実装基板としては、一般に
逐次積層方式が採用されている。この方式は、セラミッ
ク基板やＳｉ基板上にＣｕ，Ａｌなどの導体層を形成、
さらに接続用ホール及びポリイミド層のパターニングを
フォトリゾグラフィーによって形成し、層間の電気的な
接続を図っているものである。上記層間接続では、直径
１００μｍ以下の接続用ホール形成技術が必要となって
おり、将来的には、薄膜配線パターンとしてライン幅お
よびスペース共に２０〜５０μｍのファインパターンが
要求されている。しかし、現状のドリル穴明け技術では
直径７０μｍの接続用ホール加工が限界である。また、
微細穴加工に好適な方法として、プラズマドライエッチ
ングやレーザー加工法が知られている。
す進み、実装ゲート数の増大も著しく、これに対応する
ためには薄膜配線方式を採用しても配線層数の増大が必
要となる。上記薄膜多層配線実装基板としては、一般に
逐次積層方式が採用されている。この方式は、セラミッ
ク基板やＳｉ基板上にＣｕ，Ａｌなどの導体層を形成、
さらに接続用ホール及びポリイミド層のパターニングを
フォトリゾグラフィーによって形成し、層間の電気的な
接続を図っているものである。上記層間接続では、直径
１００μｍ以下の接続用ホール形成技術が必要となって
おり、将来的には、薄膜配線パターンとしてライン幅お
よびスペース共に２０〜５０μｍのファインパターンが
要求されている。しかし、現状のドリル穴明け技術では
直径７０μｍの接続用ホール加工が限界である。また、
微細穴加工に好適な方法として、プラズマドライエッチ
ングやレーザー加工法が知られている。
【０００５】プラズマドライエッチングによる方法は、
真空プロセスを必要とし、バッチ処理となり、加工時間
が長くなるという欠点がある。これに対し、エキシマレ
ーザーによる穴加工法は、微小接続用ホール形成用とし
て優れた加工法であり、大気中において高速加工可能で
ある（特開昭60−261685号公報）。
真空プロセスを必要とし、バッチ処理となり、加工時間
が長くなるという欠点がある。これに対し、エキシマレ
ーザーによる穴加工法は、微小接続用ホール形成用とし
て優れた加工法であり、大気中において高速加工可能で
ある（特開昭60−261685号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたもので、その目的とするところは、薄膜配
線層において、エキシマレーザービームにより、絶縁層
と導体層を選択的かつ連続的に同一軸上で貫通させた微
細接続用ホール形成を可能ならしめる加工方法を特徴と
する薄膜多層配線実装基板の製造方法を提供することに
ある。
みてなされたもので、その目的とするところは、薄膜配
線層において、エキシマレーザービームにより、絶縁層
と導体層を選択的かつ連続的に同一軸上で貫通させた微
細接続用ホール形成を可能ならしめる加工方法を特徴と
する薄膜多層配線実装基板の製造方法を提供することに
ある。
【０００７】また、他の目的は、エキシマレーザーのビ
ームエネルギー密度（フルエンス）を制御し、照射方法
を考慮することにより、薄膜配線層において、絶縁層と
導体層を選択的かつ連続的に同一軸上で貫通させた微細
接続用ホールの形成を可能ならしめる装置を提供するこ
とにある。
ームエネルギー密度（フルエンス）を制御し、照射方法
を考慮することにより、薄膜配線層において、絶縁層と
導体層を選択的かつ連続的に同一軸上で貫通させた微細
接続用ホールの形成を可能ならしめる装置を提供するこ
とにある。
【０００８】一般にエキシマレーザーによるポリイミド
加工では、図１に示すように加工された穴が４〜８度の
テーパ状となり、レーザー入口の径に対し、先端が先細
りになる。積層数が多く、接続用ホールの深さが大きい
場合、先端の先細りは顕著であり、めっき接続抵抗値が
大きくなるという問題があった。
加工では、図１に示すように加工された穴が４〜８度の
テーパ状となり、レーザー入口の径に対し、先端が先細
りになる。積層数が多く、接続用ホールの深さが大きい
場合、先端の先細りは顕著であり、めっき接続抵抗値が
大きくなるという問題があった。
【０００９】本発明の他の目的は、レーザー加工方法を
工夫することにより、上記穴径の問題を解消することで
ある。
工夫することにより、上記穴径の問題を解消することで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたもので、その要旨は次のとおりで
ある。
決するためになされたもので、その要旨は次のとおりで
ある。
【００１１】本発明の第１の手段は、少なくとも一層以
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接
続用ホールをエキシマレーザービームで加工してなる工
程を含む薄膜多層配線実装基板の製造方法において、前
記エキシマレーザービーム加工が同軸上の絶縁層と導体
層を選択的かつ連続的に穴明け加工ならしめ、接続用ホ
ールを形成することを特徴とする薄膜多層配線実装基板
の製造方法。
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接
続用ホールをエキシマレーザービームで加工してなる工
程を含む薄膜多層配線実装基板の製造方法において、前
記エキシマレーザービーム加工が同軸上の絶縁層と導体
層を選択的かつ連続的に穴明け加工ならしめ、接続用ホ
ールを形成することを特徴とする薄膜多層配線実装基板
の製造方法。
【００１２】本発明の第２の手段は、少なくとも一層以
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接
続用ホールを、エキシマレーザービームエネルギー密度
を絶縁層に対しては０.２〜３Ｊ／cm2，導体層に対して
は２.０〜９０Ｊ／cm2の範囲に制御し、エキシマレーザ
ービームにより、選択的かつ連続的に加工することを特
徴とする薄膜多層配線実装基板の製造方法。
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接
続用ホールを、エキシマレーザービームエネルギー密度
を絶縁層に対しては０.２〜３Ｊ／cm2，導体層に対して
は２.０〜９０Ｊ／cm2の範囲に制御し、エキシマレーザ
ービームにより、選択的かつ連続的に加工することを特
徴とする薄膜多層配線実装基板の製造方法。
【００１３】本発明の第３の手段は、少なくとも一層以
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の薄
膜層間が接続用ホールにより電気的に接続されてなる薄
膜多層配線実装基板において、前記接続用ホールが同軸
上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明け加工
し、接続用ホール直径０.５μｍ 以上であることを特徴
とする薄膜多層配線実装基板。
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の薄
膜層間が接続用ホールにより電気的に接続されてなる薄
膜多層配線実装基板において、前記接続用ホールが同軸
上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明け加工
し、接続用ホール直径０.５μｍ 以上であることを特徴
とする薄膜多層配線実装基板。
【００１４】本発明の第４の手段は、少なくとも一層以
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接
続用ホールをエキシマレーザービームで加工してなる工
程を含む薄膜多層配線実装基板の製造装置において、前
記エキシマレーザービームと加工終点検出器を連動さ
せ、同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明
け加工することを特徴とする薄膜多層配線実装基板の製
造装置。
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接
続用ホールをエキシマレーザービームで加工してなる工
程を含む薄膜多層配線実装基板の製造装置において、前
記エキシマレーザービームと加工終点検出器を連動さ
せ、同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明
け加工することを特徴とする薄膜多層配線実装基板の製
造装置。
【００１５】本発明の第５の手段は、少なくとも一層以
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接
続用ホールを、エキシマレーザービームエネルギー密度
を絶縁層に対しては０.２〜３Ｊ／cm2，導体層に対して
は２〜９０Ｊ／cm2 の範囲に制御し、エキシマレーザー
ビームにより、選択的かつ連続的に加工することを特徴
とする薄膜多層配線実装基板の製造装置。
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接
続用ホールを、エキシマレーザービームエネルギー密度
を絶縁層に対しては０.２〜３Ｊ／cm2，導体層に対して
は２〜９０Ｊ／cm2 の範囲に制御し、エキシマレーザー
ビームにより、選択的かつ連続的に加工することを特徴
とする薄膜多層配線実装基板の製造装置。
【００１６】本発明の第６の手段は、少なくとも一層以
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接
続用ホールを加工してなる工程を含む薄膜多層配線実装
基板の製造方法において、同軸上の絶縁層と導体層を選
択的かつ連続的に穴明け加工してなる直径０.５μｍ 以
上の接続用ホール形成がエキシマレーザービームによる
ものであり、直径７０μｍ以上の接続用ホール形成がＹ
ＡＧレーザービーム，ＣＯ2 レーザービーム，電子ビー
ムもしくはドリル機械穴明けであり、上記エキシマレー
ザービームによる接続用ホールとこれらの接続用ホール
のうちいずれか一種以上を組み合わせることを特徴とす
る薄膜多層配線実装基板の製造方法。
上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接
続用ホールを加工してなる工程を含む薄膜多層配線実装
基板の製造方法において、同軸上の絶縁層と導体層を選
択的かつ連続的に穴明け加工してなる直径０.５μｍ 以
上の接続用ホール形成がエキシマレーザービームによる
ものであり、直径７０μｍ以上の接続用ホール形成がＹ
ＡＧレーザービーム，ＣＯ2 レーザービーム，電子ビー
ムもしくはドリル機械穴明けであり、上記エキシマレー
ザービームによる接続用ホールとこれらの接続用ホール
のうちいずれか一種以上を組み合わせることを特徴とす
る薄膜多層配線実装基板の製造方法。
【００１７】本発明の第７の手段は、第１の手段に記載
の薄膜多層配線実装基板の製造方法において、上記基板
の両面からエキシマレーザー加工することを特徴とする
薄膜多層配線実装基板の製造方法。
の薄膜多層配線実装基板の製造方法において、上記基板
の両面からエキシマレーザー加工することを特徴とする
薄膜多層配線実装基板の製造方法。
【００１８】本発明において絶縁層とは、織布あるいは
不織布に絶縁性樹脂を含有して得られるプリプレグ，シ
ート，フィルム等がある。上記絶縁性樹脂としては、ポ
リイミド，エポキシ樹脂，シリコーン樹脂，フェノール
樹脂，ポリパラヒドロキシスチレン樹脂，不飽和ポリエ
ステル樹脂，ウレタンフォーム樹脂等があり、これらの
中で特に、耐熱性，接着性付与の観点からポリイミド，
エポキシ樹脂が有用である。また、フィルムとしては、
マイラ，ＰＭＭＡ等がある。
不織布に絶縁性樹脂を含有して得られるプリプレグ，シ
ート，フィルム等がある。上記絶縁性樹脂としては、ポ
リイミド，エポキシ樹脂，シリコーン樹脂，フェノール
樹脂，ポリパラヒドロキシスチレン樹脂，不飽和ポリエ
ステル樹脂，ウレタンフォーム樹脂等があり、これらの
中で特に、耐熱性，接着性付与の観点からポリイミド，
エポキシ樹脂が有用である。また、フィルムとしては、
マイラ，ＰＭＭＡ等がある。
【００１９】本発明において導体層とは、例えばＣｕ，
Ａｌ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ，Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉのサンドイッチ冶金等がある。こ
れらの中で特に、導電性の観点からＣｕ，Ａｌ，Ａｕが
有用である。
Ａｌ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ，Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉのサンドイッチ冶金等がある。こ
れらの中で特に、導電性の観点からＣｕ，Ａｌ，Ａｕが
有用である。
【００２０】本発明において接続用ホールとは、スルー
ホール（貫通穴）及びビアホール（行止り穴）を含む。
ホール（貫通穴）及びビアホール（行止り穴）を含む。
【００２１】本発明において、レーザービーム加工が同
軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明け加工
ならしめ、接続用ホールを形成するとは、レーザービー
ム加工が、同一の接続用ホールをレーザービーム加工の
進行方向を変えずに、上記絶縁層と導体層を選択しなが
ら、同一工程により途切れることなく加工することであ
る。
軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明け加工
ならしめ、接続用ホールを形成するとは、レーザービー
ム加工が、同一の接続用ホールをレーザービーム加工の
進行方向を変えずに、上記絶縁層と導体層を選択しなが
ら、同一工程により途切れることなく加工することであ
る。
【００２２】薄膜配線層において、エキシマレーザービ
ームにより絶縁層と導体層を選択的にエッチングするに
は、材料毎に加工に要するエネルギー密度に設定するこ
とが必要である。エネルギー密度が２Ｊ／cm2 以上のエ
キシマレーザービームが絶縁層と導体層からなる薄膜多
層構造に印加されると、導体層の方が優先的にエッチン
グされる。しかし、Ｃｕでは９０Ｊ／cm2，Ａｌでは５
０Ｊ／cm2，Ａｕでは６０Ｊ／cm2 を越えると、導体層
は溶融，変形し、熱的な損傷が生じる。望ましくは、２
０〜３０Ｊ／cm2である。一方、絶縁層を加工する場
合、３Ｊ／cm2のエネルギー密度を越えると絶縁層は溶
融，変形し、熱的な損傷が生じる。望ましくは、２Ｊ／
cm2以下が好ましい。また、導体層に対しては２Ｊ／cm2
未満，絶縁層に対しては０.２Ｊ／cm2未満のエネルギー
密度では、加工不可能である。なお、２〜３Ｊ／cm2で
は、導体層も絶縁層も加工可能である。
ームにより絶縁層と導体層を選択的にエッチングするに
は、材料毎に加工に要するエネルギー密度に設定するこ
とが必要である。エネルギー密度が２Ｊ／cm2 以上のエ
キシマレーザービームが絶縁層と導体層からなる薄膜多
層構造に印加されると、導体層の方が優先的にエッチン
グされる。しかし、Ｃｕでは９０Ｊ／cm2，Ａｌでは５
０Ｊ／cm2，Ａｕでは６０Ｊ／cm2 を越えると、導体層
は溶融，変形し、熱的な損傷が生じる。望ましくは、２
０〜３０Ｊ／cm2である。一方、絶縁層を加工する場
合、３Ｊ／cm2のエネルギー密度を越えると絶縁層は溶
融，変形し、熱的な損傷が生じる。望ましくは、２Ｊ／
cm2以下が好ましい。また、導体層に対しては２Ｊ／cm2
未満，絶縁層に対しては０.２Ｊ／cm2未満のエネルギー
密度では、加工不可能である。なお、２〜３Ｊ／cm2で
は、導体層も絶縁層も加工可能である。
【００２３】エキシマレーザービームを使用すれば、分
子内の結合を電子励起により破断、すなわち光分解させ
ることができ、被加工物を過熱させずに加工可能であ
る。従って、材料の損傷を防ぎ、ＹＡＧレーザー等に生
ずる接続用ホールの熱的な溶融を防ぎ、直径０.５μｍ
以上の接続用ホール加工が可能である。また、従来同軸
上の絶縁層と導体層を連続的に穴明け加工するには、ド
リル機械穴明けが使用されており、直径７０μｍのホー
ル加工が限界である。
子内の結合を電子励起により破断、すなわち光分解させ
ることができ、被加工物を過熱させずに加工可能であ
る。従って、材料の損傷を防ぎ、ＹＡＧレーザー等に生
ずる接続用ホールの熱的な溶融を防ぎ、直径０.５μｍ
以上の接続用ホール加工が可能である。また、従来同軸
上の絶縁層と導体層を連続的に穴明け加工するには、ド
リル機械穴明けが使用されており、直径７０μｍのホー
ル加工が限界である。
【００２４】本発明において加工終点検出器とは、材料
の違いによるエキシマレーザービームの反射率を検出す
るものである。
の違いによるエキシマレーザービームの反射率を検出す
るものである。
【００２５】また、本発明においてＹＡＧレーザービー
ム，ＣＯ2 レーザービーム，電子ビームもしくはドリル
機械穴明けのいずれか一種以上を組み合わせることも可
能である。特に、薄膜多層配線実装基板において、部分
的に直径７０μｍ以上の接続用ホールが敷設されるもの
は、上記加工手段の組み合わせが有効である。
ム，ＣＯ2 レーザービーム，電子ビームもしくはドリル
機械穴明けのいずれか一種以上を組み合わせることも可
能である。特に、薄膜多層配線実装基板において、部分
的に直径７０μｍ以上の接続用ホールが敷設されるもの
は、上記加工手段の組み合わせが有効である。
【００２６】エキシマレーザービームエネルギー密度を
制御し、同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に
穴明け加工する装置としては、一つには図２に示すよう
に、１台のエキシマレーザー装置において、所望のエネ
ルギー密度を有するビームを、内部発振回路を制御し高
速にスイッチングさせる装置がある。他には図３に示す
ように、それぞれ所望のエネルギー密度に設定された複
数台のエキシマレーザービーム装置をセットし、加工対
象物によって反転ミラーを介して照射する装置がある。
これら二つの装置は、図４に示すように、上記加工終点
検出器の信号を受け、所望のエネルギー密度に切り替わ
る。
制御し、同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に
穴明け加工する装置としては、一つには図２に示すよう
に、１台のエキシマレーザー装置において、所望のエネ
ルギー密度を有するビームを、内部発振回路を制御し高
速にスイッチングさせる装置がある。他には図３に示す
ように、それぞれ所望のエネルギー密度に設定された複
数台のエキシマレーザービーム装置をセットし、加工対
象物によって反転ミラーを介して照射する装置がある。
これら二つの装置は、図４に示すように、上記加工終点
検出器の信号を受け、所望のエネルギー密度に切り替わ
る。
【００２７】
【作用】従来のエキシマレーザー加工技術は、絶縁層の
加工と導体層の加工はそれぞれ別々の技術として別々に
開発が進められてきた。本発明はエキシマレーザービー
ムエネルギー密度を制御することにより、接続用ホール
同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明け加
工できる。
加工と導体層の加工はそれぞれ別々の技術として別々に
開発が進められてきた。本発明はエキシマレーザービー
ムエネルギー密度を制御することにより、接続用ホール
同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明け加
工できる。
【００２８】薄膜多層配線実装基板の接続用ホール加工
において、上記接続用ホール同軸上の絶縁層と導体層を
連続的に穴明け加工するには、従来ドリル機械穴明けを
使用していた。本発明はエキシマレーザービームを使用
することにより、従来のドリル機械穴明けでは不可能で
あった直径７０μｍ未満の微細な接続用ホール形成が可
能である。
において、上記接続用ホール同軸上の絶縁層と導体層を
連続的に穴明け加工するには、従来ドリル機械穴明けを
使用していた。本発明はエキシマレーザービームを使用
することにより、従来のドリル機械穴明けでは不可能で
あった直径７０μｍ未満の微細な接続用ホール形成が可
能である。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【００３０】［実施例１］図４は、絶縁層と導体層から
なる薄膜多層体に接続用ホールを形成する概略図を示
す。
なる薄膜多層体に接続用ホールを形成する概略図を示
す。
【００３１】（ａ）は、２５μｍの厚さのポリイミドシ
ートの両面に１８μｍの厚さの銅層が形成した両面Ｃｕ
張りポリイミド配線シートを１５０mm四方の大きさに切
断し、各々のシート両面にフォトエッチング法により配
線パターンを形成したものである。
ートの両面に１８μｍの厚さの銅層が形成した両面Ｃｕ
張りポリイミド配線シートを１５０mm四方の大きさに切
断し、各々のシート両面にフォトエッチング法により配
線パターンを形成したものである。
【００３２】（ｂ）は、上記（ａ）のシートにエキシマ
レーザービームによる層間穴明けと化学銅めっきによ
り、部分的に上下配線間を接続用ホール加工したもので
ある。 （ｃ）は、上記（ｂ）のシート各層間に、ポリイミド系
接着シートを挿入し積み重ね、加圧力１５ｋｇ／cm2 ，
加熱温度２５０℃で加圧プレスを用い一括積層接着した
ものである。
レーザービームによる層間穴明けと化学銅めっきによ
り、部分的に上下配線間を接続用ホール加工したもので
ある。 （ｃ）は、上記（ｂ）のシート各層間に、ポリイミド系
接着シートを挿入し積み重ね、加圧力１５ｋｇ／cm2 ，
加熱温度２５０℃で加圧プレスを用い一括積層接着した
ものである。
【００３３】この絶縁層と導体層からなる薄膜多層体を
エキシマレーザービームにより穴明け加工する。（ｃ）
に示すように、はじめは配線パッドの銅層があり、これ
をエネルギー密度５０Ｊ／cm2 で穴明けした。この銅層
加工終点判定は、図５に示したように、材料の違いによ
るエキシマレーザービームの反射率を検出することによ
って行われる。つまり、銅層に穴が明き、反射率が下が
って、ポリイミド面に到達したことを認識すると同時
に、自動的にエキシマレーザーエネルギー密度を０.７
Ｊ／cm2まで下げ、ポリイミド層の加工に入る。さら
に、反射率のモニタリングを続行し、次の銅層に対応す
る反射率となるまで穴加工を続行する。
エキシマレーザービームにより穴明け加工する。（ｃ）
に示すように、はじめは配線パッドの銅層があり、これ
をエネルギー密度５０Ｊ／cm2 で穴明けした。この銅層
加工終点判定は、図５に示したように、材料の違いによ
るエキシマレーザービームの反射率を検出することによ
って行われる。つまり、銅層に穴が明き、反射率が下が
って、ポリイミド面に到達したことを認識すると同時
に、自動的にエキシマレーザーエネルギー密度を０.７
Ｊ／cm2まで下げ、ポリイミド層の加工に入る。さら
に、反射率のモニタリングを続行し、次の銅層に対応す
る反射率となるまで穴加工を続行する。
【００３４】（ｄ）は、同様な繰返し穴明け操作によっ
て、同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明
け加工ならしめ、直径５０μｍの貫通穴明けをしたもの
である。
て、同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明
け加工ならしめ、直径５０μｍの貫通穴明けをしたもの
である。
【００３５】（ｅ）は、上記（ｄ）の接続用ホールを化
学銅めっきしたものである。以上により、所望の薄膜多
層配線実装基板が製造できる。
学銅めっきしたものである。以上により、所望の薄膜多
層配線実装基板が製造できる。
【００３６】［実施例２］図６は、実施例１に示したよ
うなエキシマレーザー加工条件による穴明けを、基板両
面から実施したものである。このような両面穴明け法
は、穴径の問題が解消されるだけでなく、両側の穴を大
きくできることから、銅めっき付き回り性も一段と向上
する。
うなエキシマレーザー加工条件による穴明けを、基板両
面から実施したものである。このような両面穴明け法
は、穴径の問題が解消されるだけでなく、両側の穴を大
きくできることから、銅めっき付き回り性も一段と向上
する。
【００３７】［実施例３］図７（Ａ）は、銅とポリイミ
ドからなる多層配線板の断面を示す。ここでは、微細配
線エリアの直径５０μｍの接続用ホールをエキシマレー
ザー加工し、一部電源供給配線のような粗いパターン部
で、直径１００μｍのスルーホールを従来のドリル穴明
けした場合の例を示す。（Ｂ）は、このようにしてでき
た接続用ホールを銅めっきしたものである。
ドからなる多層配線板の断面を示す。ここでは、微細配
線エリアの直径５０μｍの接続用ホールをエキシマレー
ザー加工し、一部電源供給配線のような粗いパターン部
で、直径１００μｍのスルーホールを従来のドリル穴明
けした場合の例を示す。（Ｂ）は、このようにしてでき
た接続用ホールを銅めっきしたものである。
【００３８】エキシマレーザーによる穴加工は、直径
０.５μｍ 以上の穴加工に対して可能であるが、従来の
ドリル穴明け法を併用することも有用な方法である。
０.５μｍ 以上の穴加工に対して可能であるが、従来の
ドリル穴明け法を併用することも有用な方法である。
【００３９】［実施例４］図８は、本発明のエキシマレ
ーザー加工法により製造された両面銅張りポリイミドシ
ートを用いたフレキシブルシート積層多層配線板を示
す。（Ａ）は上から見た図、（Ｂ）は横から見た図であ
る。微細な配線パターンは省略されている。上記配線板
は以下のようにして製造される。シートの銅箔部をフォ
トエッチングにより配線パターンを形成しておき、層間
の配線パッド位置を同軸上に整合させておく。このパッ
ドにエキシマレーザービームを照射し、ポリイミド層及
び銅配線パッドの貫通穴明けを行う。穴明けの際は、ス
ルーホール部以外の配線パターン部にメタルマスクの覆
いをかけ、穴明けしたい部分にのみレーザービームがあ
たるようにし、実施例１のような加工条件で貫通穴明け
を行ったものである。次いで、化学銅めっきによりスル
ーホール接続を行い、多層シート間の電気的接続を図っ
た。
ーザー加工法により製造された両面銅張りポリイミドシ
ートを用いたフレキシブルシート積層多層配線板を示
す。（Ａ）は上から見た図、（Ｂ）は横から見た図であ
る。微細な配線パターンは省略されている。上記配線板
は以下のようにして製造される。シートの銅箔部をフォ
トエッチングにより配線パターンを形成しておき、層間
の配線パッド位置を同軸上に整合させておく。このパッ
ドにエキシマレーザービームを照射し、ポリイミド層及
び銅配線パッドの貫通穴明けを行う。穴明けの際は、ス
ルーホール部以外の配線パターン部にメタルマスクの覆
いをかけ、穴明けしたい部分にのみレーザービームがあ
たるようにし、実施例１のような加工条件で貫通穴明け
を行ったものである。次いで、化学銅めっきによりスル
ーホール接続を行い、多層シート間の電気的接続を図っ
た。
【００４０】このようにして、所定の層数のフレキシブ
ルシート多層配線板やＴＡＢ(TapeAutomated Bonding）
を製造できる。
ルシート多層配線板やＴＡＢ(TapeAutomated Bonding）
を製造できる。
【００４１】
【発明の効果】本発明は、従来のドリル穴明け加工に比
べ、より微小な接続用ホール形成を達成できる。また、
上記製造方法を用いることにより、高信頼性を有する薄
膜多層配線実装基板が実現できる。
べ、より微小な接続用ホール形成を達成できる。また、
上記製造方法を用いることにより、高信頼性を有する薄
膜多層配線実装基板が実現できる。
【図１】エキシマレーザーによる加工断面図を示す。
【図２】本発明によるレーザー加工方法の概念図を示
す。
す。
【図３】本発明によるミラー反転型レーザー加工方法の
概念図を示す。
概念図を示す。
【図４】本発明による薄膜多層配線実装基板を示す。
【図５】本発明によるレーザー加工終点判定方法の概念
図を示す。
図を示す。
【図６】本発明によるレーザー加工断面図を示す。
【図７】本発明によるレーザー及びドリル併用加工断面
図を示す。
図を示す。
【図８】本発明によるフレキシブルシート配線板を示
す。
す。
１０…銅配線、１１…ポリイミドシート、１２…接着シ
ート、１３…ビアホール化学銅めっき、１４…スルーホ
ール化学銅めっき。
ート、１３…ビアホール化学銅めっき、１４…スルーホ
ール化学銅めっき。
Claims (7)
- 【請求項１】少なくとも一層以上の絶縁層と導体層から
なる薄膜多層配線実装基板の接続用ホールをエキシマレ
ーザービームで加工してなる工程を含む薄膜多層配線実
装基板の製造方法において、前記エキシマレーザービー
ム加工が同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に
穴明け加工ならしめ、接続用ホールを形成することを特
徴とする薄膜多層配線実装基板の製造方法。 - 【請求項２】少なくとも一層以上の絶縁層と導体層から
なる薄膜多層配線実装基板の接続用ホールを、エキシマ
レーザービームエネルギー密度を絶縁層に対しては０.
２〜３Ｊ／cm2、導体層に対しては２〜９０Ｊ／cm2の範
囲に制御し、エキシマレーザービームにより、選択的か
つ連続的に加工することを特徴とする薄膜多層配線実装
基板の製造方法。 - 【請求項３】少なくとも一層以上の絶縁層と導体層から
なる薄膜多層配線実装基板の薄膜層間が接続用ホールに
より電気的に接続されてなる薄膜多層配線実装基板にお
いて、前記接続用ホールが同軸上の絶縁層と導体層を選
択的かつ連続的に穴明け加工し、接続用ホール直径０.
５μｍ 以上であることを特徴とする薄膜多層配線実装
基板。 - 【請求項４】少なくとも一層以上の絶縁層と導体層から
なる薄膜多層配線実装基板の接続用ホールをエキシマレ
ーザービームで加工してなる工程を含む薄膜多層配線実
装基板の製造装置において、前記エキシマレーザービー
ムと加工終点検出器を連動させ、同軸上の絶縁層と導体
層を選択的かつ連続的に穴明け加工することを特徴とす
る薄膜多層配線実装基板の製造装置。 - 【請求項５】少なくとも一層以上の絶縁層と導体層から
なる薄膜多層配線実装基板の接続用ホールを、エキシマ
レーザービームエネルギー密度を絶縁層に対しては０.
２〜３Ｊ／cm2、導体層に対しては２〜９０Ｊ／cm2の範
囲に制御し、エキシマレーザービームにより、選択的か
つ連続的に加工することを特徴とする薄膜多層配線実装
基板の製造装置。 - 【請求項６】少なくとも一層以上の絶縁層と導体層から
なる薄膜多層配線実装基板の接続用ホールを加工してな
る工程を含む薄膜多層配線実装基板の製造方法におい
て、同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明
け加工してなる直径０.５μｍ以上の接続用ホール形成
がエキシマレーザービームによるものであり、直径７０
μｍ以上の接続用ホール形成がＹＡＧレーザービーム，
ＣＯ2 レーザービーム，電子ビームもしくはドリル機械
穴明けであり、上記エキシマレーザービームによる接続
用ホールとこれらの接続用ホールのうちいずれか一種以
上を組み合わせることを特徴とする薄膜多層配線実装基
板の製造方法。 - 【請求項７】請求項１記載の薄膜多層配線実装基板の製
造方法において、上記基板の両面からエキシマレーザー
加工することを特徴とする薄膜多層配線実装基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26205493A JPH07115272A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 薄膜多層配線実装基板の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26205493A JPH07115272A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 薄膜多層配線実装基板の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115272A true JPH07115272A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=17370397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26205493A Pending JPH07115272A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 薄膜多層配線実装基板の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115272A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308492A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 炭酸ガスレーザーによる銅張板への孔形成方法 |
| US6326561B1 (en) | 1995-07-05 | 2001-12-04 | Hitachi, Ltd. | Thin-film multilayer wiring board with wiring and via holes in a thickness of an insulating layer |
| EP1703555A3 (en) * | 1997-03-13 | 2006-09-27 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| JP2008016520A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Nitto Denko Corp | 貫通孔形成方法および配線回路基板の製造方法 |
| US8101865B2 (en) | 2006-02-22 | 2012-01-24 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and a method of production thereof |
| JP2020013973A (ja) * | 2018-07-16 | 2020-01-23 | 健鼎（無錫）電子有限公司Ｔｒｉｐｏｄ （ＷＵＸＩ） Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 回路基板構造及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP26205493A patent/JPH07115272A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6326561B1 (en) | 1995-07-05 | 2001-12-04 | Hitachi, Ltd. | Thin-film multilayer wiring board with wiring and via holes in a thickness of an insulating layer |
| US7612295B2 (en) | 1997-03-13 | 2009-11-03 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| EP1703555A3 (en) * | 1997-03-13 | 2006-09-27 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7339118B1 (en) | 1997-03-13 | 2008-03-04 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| JP2001308492A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 炭酸ガスレーザーによる銅張板への孔形成方法 |
| US8890000B2 (en) | 2006-02-22 | 2014-11-18 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board having through-hole and a method of production thereof |
| US8101865B2 (en) | 2006-02-22 | 2012-01-24 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and a method of production thereof |
| US8324506B2 (en) | 2006-02-22 | 2012-12-04 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and a method of production thereof |
| US9029711B2 (en) | 2006-02-22 | 2015-05-12 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing a printed wiring board having a through-hole conductor |
| KR101336485B1 (ko) * | 2006-07-04 | 2013-12-03 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 관통 구멍 형성 방법 및 배선 회로 기판의 제조 방법 |
| JP2008016520A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Nitto Denko Corp | 貫通孔形成方法および配線回路基板の製造方法 |
| JP2020013973A (ja) * | 2018-07-16 | 2020-01-23 | 健鼎（無錫）電子有限公司Ｔｒｉｐｏｄ （ＷＵＸＩ） Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 回路基板構造及びその製造方法 |
| CN110730560A (zh) * | 2018-07-16 | 2020-01-24 | 健鼎（无锡）电子有限公司 | 电路板结构及其制造方法 |
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