JPH07111303A - 液晶マスク方式レーザ加工機及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

液晶マスク方式レーザ加工機及び樹脂封止型半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH07111303A
JPH07111303A JP5255553A JP25555393A JPH07111303A JP H07111303 A JPH07111303 A JP H07111303A JP 5255553 A JP5255553 A JP 5255553A JP 25555393 A JP25555393 A JP 25555393A JP H07111303 A JPH07111303 A JP H07111303A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
liquid crystal
resin
laser processing
crystal mask
Prior art date
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Pending
Application number
JP5255553A
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English (en)
Inventor
Akio Shimoyama
章夫 下山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP5255553A priority Critical patent/JPH07111303A/ja
Publication of JPH07111303A publication Critical patent/JPH07111303A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 加工マスクとワークとのアライメンとを簡便
に短時間で行う方法とその方法に使用される加工装置を
提供する。 【構成】 樹脂封止された半導体装置を所定の位置へ断
続的に載置する搬送手段6と、予め設定された基準位置
と実際の半導体装置の位置との差を測定するための映像
装置3及び演算装置2と、前記差により位置を補正しう
る液晶マスク1−1を備えたレーザー加工装置1からな
る液晶マスク方式レーザー加工機及びこの加工機を使用
する方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶マスク方式レーザ加
工機及び樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体の製造過程において、樹脂
封止後の樹脂ダム部に充填された樹脂及びダイバー部の
切断除去を行う工程では金型による方式が用いられてき
た。しかし、リード間ピッチのファインピッチ化(0.
5〜0.3mm)に伴い、加工の必要部分を切断し、マス
クパターンをワーク上に設置し、図5に示すようなレー
ザ光による加工方式が用いられている(特開平第2−1
43552号及び特開平第3−268456号)。この
場合、ワークとマスク位置とのズレを防止する機能が必
要になり、位置決めピンで行ったり、さらにファインピ
ッチ化が進み高精度が要求される場合、ワークの位置を
認識し、ワークの位置データを計測し、基準加工位置と
の位置補正を行う為、X−Y−θテーブル等を設け、ワ
ーク側を移動させて対応している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、加工マスクと
ワークとの位置合せ(アライメント)に機械的なX−Y
−θテーブルを用いている為、装置が複雑かつアライメ
ントに時間を要するという課題があった。さらに、帯状
のワークを巻いたフープ材の加工においては、ワーク側
でのアライメント動作は難しい。
【0004】そこでこの発明の発明者らは、上記の課題
に鑑み鋭意検討の結果液晶マスクの特性(電気信号でマ
スク位置が変更できる特性)を利用し、ワーク側でのア
ライメント動作をなくすことにより、シンプルな操作で
アライメントを完了させることができる高精度なレーザ
加工方法を見い出しこの発明に到った。
【0005】
【課題を解決するための手段】かくしてこの発明によれ
ば、樹脂封止された半導体装置を所定の位置に断続的に
載置し、前記半導体装置を映像装置及び演算装置により
認識し、予め設定された基準位置とのズレ量を演算し、
このズレ量に基づいてレーザー加工装置に備えられた液
晶マスク位置を補正し、その後レーザー加工を行い、ダ
ム部樹脂及びダイバー部を切断除去することを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法が提供される。
【0006】さらに樹脂封止された半導体装置を所定の
位置へ断続的に載置する搬送手段と、予め設定された基
準位置と実際の半導体装置の位置との差を測定するため
の、映像装置及び演算装置と、前記差により位置を補正
しうる液晶マスクを備えたレーザー加工装置からなるこ
とを特徴とする液晶マスク方式レーザー加工機も提供さ
れる。
【0007】この発明はどのような半導体装置にも適用
することができる。また、従来、連続して加工すること
が困難であったフープ材を使用した加工も容易に行うこ
とができる。映像装置としては、公知のものが使用で
き、例えば、CCDカメラ、フォトダイオート等が挙げ
られる。この映像装置に入力された樹脂封止された半導
体装置の認識位置は、更に演算装置に入力され、予め設
定された基準位置とのズレ量(X,Y,θ)が算出され
る。算出されたデータは、更に液晶マスクに入力され、
その入力に基づいて液晶マスクのレーザーの透過パター
ンが補正され、個々の半導体装置の適切な位置にレーザ
ーが照射されることとなり、液晶マスクサイズ144×
72mm、ドット数72×36、使用レンズの倍率1/4
0とした場合、レーザー加工エリアは3.6×1.8mm
で、1ドット当たり50μmの高精度な加工が可能とな
る。
【0008】次に、本発明の樹脂封止半導体装置の製造
方法を工程順に説明する。まず、樹脂封止された半導体
装置が搬送手段によって、ワーク加工位置に断続的に供
給される。ここで半導体装置は、ダム部樹脂及びダイバ
ー部を有する装置であれば特に限定されない。また搬送
手段には公知の装置を使用することができる。
【0009】ワーク加工位置に供給された半導体装置
は、固定され該ワーク加工位置の近傍に設置された映像
装置及び演算装置によってワーク位置が認識される。次
に、認識されたワーク位置と予め設定されている基準位
置とのズレ量(X,Y,θ)が演算装置により演算され
る。
【0010】次に、演算装置と接続されたレーザー加工
装置内の液晶マスクに、電圧を印加することにより、演
算されたズレ量に対応する部分に透過パターンが形成さ
れる。つまり、従来においては、実際にテーブルユニッ
トを移動させることにより位置補正を行っていたが、本
発明では簡便にマスク上で行うことができる。この後
に、前記透過パターンを通して、レーザーを照射するこ
とによって、ダム部樹脂及びダイバー部が除去され半導
体装置が完成する。
【0011】
【作用】この発明により、ワーク側にアライメント動作
が無くなる為、フープ材の連続加工が可能となるだけで
なく、ハード的なアライメント機構が無く、シンプルで
高速なアライメントが可能となる。
【0012】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図1は、本発明に係るフープ状で生産されるI
Cへのレーザ加工を行う装置のスケッチ図であり、図2
は加工時のフロー図であり、図3は、加工部分の概略構
成図であり、図4は液晶マスクのパターン位置補正機能
の動作説明図である。
【0013】以下に動作を説明すると、送り出された連
続したワーク(4)は搬送手段(6)により、加工位置
に搬送(図2(A))され、位置決めピン(7)により
固定(図2(B))される。この時の位置決め精度は映
像装置であるCCDカメラ認識範囲(認識範囲は認識精
度により異なるが、この場合約13×12mm程度で認識
精度は約25μm)であればどの位置にバラツイてもよ
い。次にカメラ(3)及び演算装置(2)によりワーク
の位置が認識(図2(C))され、図4に示すマスク基
準位置(図4の1−2)とワーク認識位置(図4の1−
3)との差(X,Y,θ)が算出(図2(A))され
る。その算出されたデータを液晶マスクを備えたレーザ
加工機に転送(図2(E))すると、基準位置のマスク
パターンが位置補正(図2(F),図4(C))され、
レーザ加工が実施(図2(G))される。また、液晶の
マスクドット数は72×36で加工エリアを3.6×
1.8mmとすると1ドット、約50μmとなり、ファイ
ンアライメントにより高精度の加工が可能である。
【0014】
【発明の効果】本発明のレーザ加工装置によれば、レー
ザ加工位置の補正を外部信号によりレーザマーク内の液
晶マスクパターン移動で行うため、X−Y−θテーブル
等によるワーク側での供給ワークの高精度な位置決めが
不必要となり、簡単な構成で高精度の加工が実現でき
る。ワーク側のアライメント動作が無い為フープ材への
加工も容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る装置の概略図である。
【図2】加工時のフローチャートである。
【図3】加工部分の概略構成図である。
【図4】液晶マスクのパターン位置補正機能説明図であ
る。
【図5】従来の金属マスクによる加工部分の概略構成図
である。
【符号の説明】
1 液晶マスク式レーザ加工機 2 演算装置 3 CCDカメラ(映像装置) 4 ワーク 5 ワーク供給ユニット 6 搬送手段 7 位置決めピン 8 X−Y−θテーブルユニット 9 金属マスク式レーザ加工機 1−1 液晶マスク 1−2 液晶マスク設定画像(基準画像) 1−3 取り込み画像 1−4 金属マスク

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 樹脂封止された半導体装置を所定の位置
    に断続的に載置し、前記半導体装置を映像装置及び演算
    装置により認識し、予め設定された基準位置とのズレ量
    を演算し、このズレ量に基づいてレーザー加工装置に備
    えられた液晶マスク位置を補正し、その後レーザー加工
    を行い、ダム部樹脂及びダイバー部を切断除去すること
    を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 樹脂封止された半導体装置を所定の位置
    へ断続的に載置する搬送手段と、予め設定された基準位
    置と実際の半導体装置の位置との差を測定するための映
    像装置及び演算装置と、前記差により位置を補正しうる
    液晶マスクを備えたレーザー加工装置からなることを特
    徴とする液晶マスク方式レーザー加工機。
JP5255553A 1993-10-13 1993-10-13 液晶マスク方式レーザ加工機及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPH07111303A (ja)

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JP5255553A JPH07111303A (ja) 1993-10-13 1993-10-13 液晶マスク方式レーザ加工機及び樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPH07111303A true JPH07111303A (ja) 1995-04-25

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ID=17280326

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JP5255553A Pending JPH07111303A (ja) 1993-10-13 1993-10-13 液晶マスク方式レーザ加工機及び樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JP (1) JPH07111303A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010120079A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Komatsu Engineering Corp 微細加工装置および微細加工方法

Cited By (1)

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