JPH07111246A - レーザｃｖｄ装置 - Google Patents
レーザｃｖｄ装置Info
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- JPH07111246A JPH07111246A JP25437293A JP25437293A JPH07111246A JP H07111246 A JPH07111246 A JP H07111246A JP 25437293 A JP25437293 A JP 25437293A JP 25437293 A JP25437293 A JP 25437293A JP H07111246 A JPH07111246 A JP H07111246A
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- Japan
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- metal compound
- gas
- compound gas
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】試料表面のレーザ光照射点での金属化合物気体
の濃度を一様にして試料表面に金属薄膜を形成すること
を目的とする。 【構成】レーザ発振器１１から出射されたレーザ光を試
料３３まで導く光学系１０と、この試料３３の表面の加
工状態を観察する観察光学系２０と、試料３３を移動さ
せる搭載台３７と、前記試料３３および搭載台３７を収
納するチャンバ３０と、金属化合物気体２を試料収納容
器３０内に導入し、前記試料３３の表面のレーザ光照射
点３５にその金属化合物気体２をレーザ光の光路上にそ
の光軸１に対して垂直に配置され、ガス供給用に光軸１
を中心とした同心円上に複数の穴を有するガラスノズル
３４から吹き付けるガス導入部と、試料収納容器３０内
の金属化合物気体２をガラスノズル３４の周囲に設けら
れた排気口３２から外気に排気するガス排気部を有し、
試料３３表面のレーザ光照射点３５の垂直上方から、金
属化合物気体２を吹き付ける。
の濃度を一様にして試料表面に金属薄膜を形成すること
を目的とする。 【構成】レーザ発振器１１から出射されたレーザ光を試
料３３まで導く光学系１０と、この試料３３の表面の加
工状態を観察する観察光学系２０と、試料３３を移動さ
せる搭載台３７と、前記試料３３および搭載台３７を収
納するチャンバ３０と、金属化合物気体２を試料収納容
器３０内に導入し、前記試料３３の表面のレーザ光照射
点３５にその金属化合物気体２をレーザ光の光路上にそ
の光軸１に対して垂直に配置され、ガス供給用に光軸１
を中心とした同心円上に複数の穴を有するガラスノズル
３４から吹き付けるガス導入部と、試料収納容器３０内
の金属化合物気体２をガラスノズル３４の周囲に設けら
れた排気口３２から外気に排気するガス排気部を有し、
試料３３表面のレーザ光照射点３５の垂直上方から、金
属化合物気体２を吹き付ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザＣＶＤ装置に関
し、特に試料表面の垂直上方から金属化合物気体を吹き
付けるレーザＣＶＤ装置に関する。
し、特に試料表面の垂直上方から金属化合物気体を吹き
付けるレーザＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、レーザＣＶＤを行う際の金属化合
物気体の供給方法としては、次の方法が知られている。
第１の方法は試料収納容器（以下チャンバという）にノ
ズルを取付け、チャンバ内にこの金属化合物気体を充満
させる方法である。この方法はチャンバ内全体が一様の
濃度の金属化合物気体で満たされるため、加工条件の変
動が少なく、小型のチャンバを使用する際に適してい
る。また、第２の方法は試料表面のレーザ光照射点の側
方または斜め上方から金属化合物気体を照射点に吹きつ
ける方法である。
物気体の供給方法としては、次の方法が知られている。
第１の方法は試料収納容器（以下チャンバという）にノ
ズルを取付け、チャンバ内にこの金属化合物気体を充満
させる方法である。この方法はチャンバ内全体が一様の
濃度の金属化合物気体で満たされるため、加工条件の変
動が少なく、小型のチャンバを使用する際に適してい
る。また、第２の方法は試料表面のレーザ光照射点の側
方または斜め上方から金属化合物気体を照射点に吹きつ
ける方法である。
【０００３】図５は、金属化合物気体をレーザ光照射点
に直接吹きつける第２の方法について説明するものであ
って、金属化合物気体を試料に吹き付ける部分の拡大図
である。試料５６上のレーザ光５１の照射点５５の斜め
上方のノズル５２から照射点５５に向かって金属化合物
気体５３を吹き付ける。反応後の金属化合物気体５３は
照射点５５に対してノズル５２と反対側に設けられた排
気口５４から外気に排気する。この第２の方法は試料５
６の表面に直接金属化合物気体５３を吹きつけるためチ
ャンバ内をこの金属化合物気体で充満させる必要はな
く、大きなチャンバでも使用できる。
に直接吹きつける第２の方法について説明するものであ
って、金属化合物気体を試料に吹き付ける部分の拡大図
である。試料５６上のレーザ光５１の照射点５５の斜め
上方のノズル５２から照射点５５に向かって金属化合物
気体５３を吹き付ける。反応後の金属化合物気体５３は
照射点５５に対してノズル５２と反対側に設けられた排
気口５４から外気に排気する。この第２の方法は試料５
６の表面に直接金属化合物気体５３を吹きつけるためチ
ャンバ内をこの金属化合物気体で充満させる必要はな
く、大きなチャンバでも使用できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記のチャンバ内を金
属化合物気体で充満させる第１の方法においては、チャ
ンバ内を一様の濃度の金属化合物気体で満たすために、
大型のチャンバ内の雰囲気置換を行う場合にかなりの時
間を浪費するため実用的ではない。
属化合物気体で充満させる第１の方法においては、チャ
ンバ内を一様の濃度の金属化合物気体で満たすために、
大型のチャンバ内の雰囲気置換を行う場合にかなりの時
間を浪費するため実用的ではない。
【０００５】また、金属化合物気体を照射点に直接吹き
付ける第２の方法においては、図５に示すように、金属
化合物気体５３が照射点周囲の雰囲気（他のガス）を巻
き込みながら照射点に到達するために金属化合物気体５
３の濃度変化が起こりやすくなることや、金属薄膜の堆
積に悪影響を及ぼす他のガスの混入があるなど、加工条
件の安定化が困難であった。
付ける第２の方法においては、図５に示すように、金属
化合物気体５３が照射点周囲の雰囲気（他のガス）を巻
き込みながら照射点に到達するために金属化合物気体５
３の濃度変化が起こりやすくなることや、金属薄膜の堆
積に悪影響を及ぼす他のガスの混入があるなど、加工条
件の安定化が困難であった。
【０００６】さらに、この第２の方法で試料の端部で加
工を行う場合、図６に示すように金属化合物気体５３が
試料５６の下側に流れ込み、照射点５５における金属化
合物気体５３の濃度が希薄になり、加工条件が変化する
という問題点があった。
工を行う場合、図６に示すように金属化合物気体５３が
試料５６の下側に流れ込み、照射点５５における金属化
合物気体５３の濃度が希薄になり、加工条件が変化する
という問題点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明のレーザＣＶＤ装置は、レーザ発振器から
出射されたレーザ光を試料まで導く光学系と、この試料
の表面の加工状態を観察する観察光学系と、試料を移動
させる搭載台と、前記試料および搭載台を収納するチャ
ンバと、金属化合物気体を試料収納容器内に導入し、前
記試料の表面のレーザ光照射点にその金属化合物気体を
レーザ光の光路上にその光軸に対して垂直に配置され、
ガス供給用に光軸を中心とした同心円上に複数の穴を有
するガラスノズルから吹き付けるガス導入部と、試料収
納容器内の金属化合物気体をガラスノズルの周囲に設け
られた排気口から外気に排気するガス排気部を有し、試
料表面のレーザ光照射点の垂直上方から、金属化合物気
体を吹き付けることを特徴としている。また、吹き付け
られる金属化合物気体の流量および排気される金属化合
物気体の流量を制御することにより、照射点付近での金
属化合物気体の濃度を制御する。
めに、本発明のレーザＣＶＤ装置は、レーザ発振器から
出射されたレーザ光を試料まで導く光学系と、この試料
の表面の加工状態を観察する観察光学系と、試料を移動
させる搭載台と、前記試料および搭載台を収納するチャ
ンバと、金属化合物気体を試料収納容器内に導入し、前
記試料の表面のレーザ光照射点にその金属化合物気体を
レーザ光の光路上にその光軸に対して垂直に配置され、
ガス供給用に光軸を中心とした同心円上に複数の穴を有
するガラスノズルから吹き付けるガス導入部と、試料収
納容器内の金属化合物気体をガラスノズルの周囲に設け
られた排気口から外気に排気するガス排気部を有し、試
料表面のレーザ光照射点の垂直上方から、金属化合物気
体を吹き付けることを特徴としている。また、吹き付け
られる金属化合物気体の流量および排気される金属化合
物気体の流量を制御することにより、照射点付近での金
属化合物気体の濃度を制御する。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
【０００９】図１は本発明のレーザＣＶＤ装置の一実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【００１０】光学系１０は、レーザ発振器１１と、この
レーザ発振器１１から発振したレーザ光のビーム径を拡
大するビームエキスパンダ１２と、ビーム径が拡大され
たレーザ光を矩形化するスリット１３と、そのレーザ光
を反射させるダイクロイックミラー１４と、反射された
レーザ光を集光し、照射点５に照射する対物レンズ１５
を有している。
レーザ発振器１１から発振したレーザ光のビーム径を拡
大するビームエキスパンダ１２と、ビーム径が拡大され
たレーザ光を矩形化するスリット１３と、そのレーザ光
を反射させるダイクロイックミラー１４と、反射された
レーザ光を集光し、照射点５に照射する対物レンズ１５
を有している。
【００１１】観察光学系１５は、前記光学系１０からの
加工用レーザ光が照射されている試料３３上の照射点３
５付近で行われている加工状態を観察するモニタカメラ
２１と、照射点３５付近の加工状態を直接肉眼で観察す
るための接眼レンズ２２が設けられる。前記モニタカメ
ラ２１と照射点３５および接眼レンズ２２と照射点３５
の光軸１上にはハーフミラー２３が設置されている。
加工用レーザ光が照射されている試料３３上の照射点３
５付近で行われている加工状態を観察するモニタカメラ
２１と、照射点３５付近の加工状態を直接肉眼で観察す
るための接眼レンズ２２が設けられる。前記モニタカメ
ラ２１と照射点３５および接眼レンズ２２と照射点３５
の光軸１上にはハーフミラー２３が設置されている。
【００１２】チャンバ３０内には試料３３と、この試料
３３を載せる搭載台３７とこの搭載台３７を外部からの
制御によりＸ方向あるいは／およびＹ方向に移動させる
ＸＹステージを備えている。さらにチャンバ３０は、光
軸１上に適当な大きさの加工窓３６が設けられ、その下
に一定の間隔を離してガラスノズル３４が設置される。
チャンバ３０内にはまた金属化合物気体２を導入するガ
ス導入口３１と、チャンバ内の金属化合物気体２をチャ
ンバ３０外に排気する排気口３２を有する。
３３を載せる搭載台３７とこの搭載台３７を外部からの
制御によりＸ方向あるいは／およびＹ方向に移動させる
ＸＹステージを備えている。さらにチャンバ３０は、光
軸１上に適当な大きさの加工窓３６が設けられ、その下
に一定の間隔を離してガラスノズル３４が設置される。
チャンバ３０内にはまた金属化合物気体２を導入するガ
ス導入口３１と、チャンバ内の金属化合物気体２をチャ
ンバ３０外に排気する排気口３２を有する。
【００１３】さらに、金属化合物気体２を希釈するキャ
リアガス４１に流量を制御する第１のマスフローコント
ローラ４２と、金属化合物気体２を発生するリザーバタ
ンク４３と、第１のマスフローコントローラ４２から送
出されるキャリアガス４１によって、あらかじめ設定し
た濃度に希釈された金属化合物気体２は前記導入口３１
へ送られる。
リアガス４１に流量を制御する第１のマスフローコント
ローラ４２と、金属化合物気体２を発生するリザーバタ
ンク４３と、第１のマスフローコントローラ４２から送
出されるキャリアガス４１によって、あらかじめ設定し
た濃度に希釈された金属化合物気体２は前記導入口３１
へ送られる。
【００１４】一方、チャンバ３０内で不要となった金属
化合物気体２は、第２のマスフローコントローラ４４に
よって排気量が制御されながら、排気ガス４５として外
部へ排気される。
化合物気体２は、第２のマスフローコントローラ４４に
よって排気量が制御されながら、排気ガス４５として外
部へ排気される。
【００１５】金属化合物気体２の導入部分および排気部
分（ガス系と呼ぶ）について、さらに説明すると、ガス
導入部においては、気体等の流体の流速を可変させる第
１のマスフローコントローラ４２で流量制御されたキャ
リアガス４１により、リザーバタンク４３内で発生した
金属化合物気体２を希釈し、その希釈された金属化合物
気体２をガラスノズル３４からチャンバ３０内の試料３
３上の照射点３５に吹き付ける。ガス排気部において
は、吹き付けられた金属化合物気体２はガラスノズル３
４の周囲にある排気口３２により吸い込まれ、チャンバ
３０の外部へ排気される。そして、金属化合物気体２を
排気口３２より吸い込み第２のマスフローコントローラ
４４で、吸い込まれた金属化合物気体２の量を制御する
ことにより、照射点３５での金属化合物気体２の濃度を
調整する。
分（ガス系と呼ぶ）について、さらに説明すると、ガス
導入部においては、気体等の流体の流速を可変させる第
１のマスフローコントローラ４２で流量制御されたキャ
リアガス４１により、リザーバタンク４３内で発生した
金属化合物気体２を希釈し、その希釈された金属化合物
気体２をガラスノズル３４からチャンバ３０内の試料３
３上の照射点３５に吹き付ける。ガス排気部において
は、吹き付けられた金属化合物気体２はガラスノズル３
４の周囲にある排気口３２により吸い込まれ、チャンバ
３０の外部へ排気される。そして、金属化合物気体２を
排気口３２より吸い込み第２のマスフローコントローラ
４４で、吸い込まれた金属化合物気体２の量を制御する
ことにより、照射点３５での金属化合物気体２の濃度を
調整する。
【００１６】次に金属化合物気体２を照射点３５に供給
する部分の構成について図１を用いてさらに詳しく説明
する。薄い透明ガラスにノズル用（ガス供給用）の穴を
開けたガラスノズル３４を加工用レーザ光の光路上に、
その光軸１に対して垂直に配置し、金属化合物気体２を
試料３３の垂直上方から照射点３５に吹き付ける。そし
て、吹き付けられた金属化合物気体２は、光軸１を中心
としてガラスノズル３４よりも外側に配置された排気口
３２より吸い込まれる。
する部分の構成について図１を用いてさらに詳しく説明
する。薄い透明ガラスにノズル用（ガス供給用）の穴を
開けたガラスノズル３４を加工用レーザ光の光路上に、
その光軸１に対して垂直に配置し、金属化合物気体２を
試料３３の垂直上方から照射点３５に吹き付ける。そし
て、吹き付けられた金属化合物気体２は、光軸１を中心
としてガラスノズル３４よりも外側に配置された排気口
３２より吸い込まれる。
【００１７】次に、本発明の動作について図１を用いて
説明する。
説明する。
【００１８】気体等の流体の流速を可変させる第１のマ
スフローコントローラ４２で流量を制御されたキャリア
ガス４１を用いて、リザーバタンク４３内で発生した金
属化合物気体２を希釈し、その希釈された金属化合物気
体２を、加工用レーザ光の光路上にその光軸１に対して
垂直に配置され薄い透明ガラスにガス供給用の穴が明け
られたガスノズル３４から、試料３３上の照射点３５に
その垂直上方から吹き付ける。この際、金属化合物気体
２は、レーザ光を遮ることはなく、また、垂直上方から
吹き付けるために照射点３５付近での金属化合物気体２
の濃度は一定であり、さらに、不要なガスの侵入を防い
でいる。
スフローコントローラ４２で流量を制御されたキャリア
ガス４１を用いて、リザーバタンク４３内で発生した金
属化合物気体２を希釈し、その希釈された金属化合物気
体２を、加工用レーザ光の光路上にその光軸１に対して
垂直に配置され薄い透明ガラスにガス供給用の穴が明け
られたガスノズル３４から、試料３３上の照射点３５に
その垂直上方から吹き付ける。この際、金属化合物気体
２は、レーザ光を遮ることはなく、また、垂直上方から
吹き付けるために照射点３５付近での金属化合物気体２
の濃度は一定であり、さらに、不要なガスの侵入を防い
でいる。
【００１９】次に、光学系１０のレーザ発振器１１から
のレーザ光はビームエキスパンダ１２、スリット１３、
ダイクロイックミラー１４、対物レンズ１５を介して照
射点３５まで導かれる。導かれたレーザ光により、照射
点３５付近の金属化合物気体２はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）反応を起
し、試料３３の表面に金属薄膜を堆積させていく。この
際、観察光学系２０において、モニターカメラ２１およ
び肉眼にて試料３３表面の加工状態を観察する。
のレーザ光はビームエキスパンダ１２、スリット１３、
ダイクロイックミラー１４、対物レンズ１５を介して照
射点３５まで導かれる。導かれたレーザ光により、照射
点３５付近の金属化合物気体２はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）反応を起
し、試料３３の表面に金属薄膜を堆積させていく。この
際、観察光学系２０において、モニターカメラ２１およ
び肉眼にて試料３３表面の加工状態を観察する。
【００２０】次に、反応後の金属化合物気体２は、ガラ
スノズル３４の外側に配置された排気口３２に吸い込ま
れ、チャンバ３０の外部に排気される。この吸い込まれ
た金属化合物気体２は第２のマスフローコントローラ４
４で流出量が制御されることにより、照射点３５付近の
金属化合物気体２の濃度を制御する。
スノズル３４の外側に配置された排気口３２に吸い込ま
れ、チャンバ３０の外部に排気される。この吸い込まれ
た金属化合物気体２は第２のマスフローコントローラ４
４で流出量が制御されることにより、照射点３５付近の
金属化合物気体２の濃度を制御する。
【００２１】ここで、ガス導入部における第１のマスフ
ローコントローラ４２およびガス排気部における第２の
マスフローコントローラ４４による照射点３５付近の金
属化合物気体２の濃度制御は、観察光学系２０による加
工状態の観察結果や、チャンバ３０内の真空度（金属化
合物気体２の濃度）に従って制御される。また、ガス排
気流量と金属薄膜の状態との関係を分析して、制御を行
ってもよい。経験的には排気流量が多いほど照射点３５
での金属化合物気体２の濃度が薄くなり、また、逆に少
ないほど濃度は濃くなる。
ローコントローラ４２およびガス排気部における第２の
マスフローコントローラ４４による照射点３５付近の金
属化合物気体２の濃度制御は、観察光学系２０による加
工状態の観察結果や、チャンバ３０内の真空度（金属化
合物気体２の濃度）に従って制御される。また、ガス排
気流量と金属薄膜の状態との関係を分析して、制御を行
ってもよい。経験的には排気流量が多いほど照射点３５
での金属化合物気体２の濃度が薄くなり、また、逆に少
ないほど濃度は濃くなる。
【００２２】次に、ガラスノズル３４の形状について説
明する。
明する。
【００２３】ガラスノズル３４の形状は図２および図３
に示す２種類がある。図２（Ａ）に示すガラスノズル３
４は薄い透明ガラスの光軸上に任意の長さを直径とする
開口部３４１を１つ配置したものである。原理的にはこ
の例の構造でも実現できるが、このような配置である
と、レーザ光を照射点３５に集光させる際にこのガラス
ノズルの開口部３４１を中心に光軸を厳密に調整する必
要があるため、図２（Ｂ）に示すようにレーザ光が開口
部３４１の縁に当たってしまい集光位置をずらしてしま
う恐れがある。したがって最も好ましくは、図３（Ａ）
に示すようにガラスノズル３４は薄い透明ガラスの光軸
を中心とした同心円上に開口部３４１〜３４４を設けた
ものである。このような配置であれば、図３（Ｂ）で示
すように、レーザ光はガラス部分を透過するのみで開口
部３４１〜３４４とは干渉しない。なお、開口部の数は
この実施例に限定されるものではない。
に示す２種類がある。図２（Ａ）に示すガラスノズル３
４は薄い透明ガラスの光軸上に任意の長さを直径とする
開口部３４１を１つ配置したものである。原理的にはこ
の例の構造でも実現できるが、このような配置である
と、レーザ光を照射点３５に集光させる際にこのガラス
ノズルの開口部３４１を中心に光軸を厳密に調整する必
要があるため、図２（Ｂ）に示すようにレーザ光が開口
部３４１の縁に当たってしまい集光位置をずらしてしま
う恐れがある。したがって最も好ましくは、図３（Ａ）
に示すようにガラスノズル３４は薄い透明ガラスの光軸
を中心とした同心円上に開口部３４１〜３４４を設けた
ものである。このような配置であれば、図３（Ｂ）で示
すように、レーザ光はガラス部分を透過するのみで開口
部３４１〜３４４とは干渉しない。なお、開口部の数は
この実施例に限定されるものではない。
【００２４】次に、ガラスノズル３４と排気口３２との
位置関係について図４を用いて説明する。
位置関係について図４を用いて説明する。
【００２５】排気口３２は、図２（Ａ）または図３
（Ａ）のように加工されたガラスノズル３４の周囲に光
軸を中心として同心円を描くように設けられている。こ
のような配置により、金属化合物気体２はガラスノズル
３４より導入され照射点３５に当たった後、横方向に広
がり、ガラスノズル３４の周囲に設けられた排気口３２
に向かって流れていく。これにより、加工を妨げる要因
となる金属化合物気体２以外のガスが照射点３５付近に
侵入することを防ぐ。また、排気口３２はガラスノズル
３４に近ければ近いほど加工に悪影響を及ぼす金属化合
物気体２以外のガスの浸入を防ぎやすくなる。
（Ａ）のように加工されたガラスノズル３４の周囲に光
軸を中心として同心円を描くように設けられている。こ
のような配置により、金属化合物気体２はガラスノズル
３４より導入され照射点３５に当たった後、横方向に広
がり、ガラスノズル３４の周囲に設けられた排気口３２
に向かって流れていく。これにより、加工を妨げる要因
となる金属化合物気体２以外のガスが照射点３５付近に
侵入することを防ぐ。また、排気口３２はガラスノズル
３４に近ければ近いほど加工に悪影響を及ぼす金属化合
物気体２以外のガスの浸入を防ぎやすくなる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザＣ
ＶＤ装置は、薄い透明ガラスにノズル用の穴を設け、こ
れを試料上のレーザ光照射点に金属化合物気体を吹き付
けるためのノズル（ガラスノズル）として用いるため
に、このガラスノズルをレーザ光を遮ることなく照射点
の真上に配置することができ、また、金属化合物気体を
光軸に沿って照射点に吹き付けることができるため、試
料上のどの位置においてもレーザ光照射点での金属化合
物気体を一様の濃度で吹き付けることができる。
ＶＤ装置は、薄い透明ガラスにノズル用の穴を設け、こ
れを試料上のレーザ光照射点に金属化合物気体を吹き付
けるためのノズル（ガラスノズル）として用いるため
に、このガラスノズルをレーザ光を遮ることなく照射点
の真上に配置することができ、また、金属化合物気体を
光軸に沿って照射点に吹き付けることができるため、試
料上のどの位置においてもレーザ光照射点での金属化合
物気体を一様の濃度で吹き付けることができる。
【００２７】また、ガラスノズルの周囲に排気口を設け
ることにより、加工に悪影響をあたえるガスがレーザ光
照射点付近に侵入するのを防ぐことができる。
ることにより、加工に悪影響をあたえるガスがレーザ光
照射点付近に侵入するのを防ぐことができる。
【００２８】また、吹き付ける金属化合物気体および排
気する金属化合物気体の流量を制御することにより、レ
ーザ光照射点での金属化合物気体の濃度を任意に変化さ
せることができる。
気する金属化合物気体の流量を制御することにより、レ
ーザ光照射点での金属化合物気体の濃度を任意に変化さ
せることができる。
【図１】本発明のレーザＣＶＤ装置の一実施例を示す構
成図。
成図。
【図２】本発明のレーザＣＶＤ装置におけるガラスノズ
ルを示す平面図。
ルを示す平面図。
【図３】本発明のレーザＣＶＤ装置におけるガラスノズ
ルを示す平面図。
ルを示す平面図。
【図４】本発明のレーザＣＶＤ装置におけるガラスノズ
ルと排気口との位置関係を示す図。
ルと排気口との位置関係を示す図。
【図５】従来のレーザＣＶＤ装置における金属化合物気
体の試料吹き付け部分を示す図。
体の試料吹き付け部分を示す図。
【図６】図５において、金属化合物気体を試料の端部に
吹き付ける場合を示す図。
吹き付ける場合を示す図。
１ 光軸 ２ 金属化合物気体 １０ 光学系 １１ レーザ発振器 １２ ビームエキスパンダ １３ スリット １４ ダイクロイックミラー １５ 対物レンズ ２０ 観察光学系 ２１ モニタカメラ ２２ 接眼レンズ ２３ ハーフミラー ３０ チャンバ ３１ 導入口 ３２ 排気口 ３３ 試料 ３４ ガラスノズル ３５ 照射点 ３６ 加工窓 ３７ 搭載台 ３８ ＸＹステージ ４１ キャリアガス ４２ 第１のマスフローコントローラ ４３ リザーバタンク ４４ 第２のマスフローコントローラ ４５ 排気ガス
Claims (7)
- 【請求項１】 レーザ発振器から出射されたレーザ光を
試料に導く光学系と、 この試料の表面の加工状態を観察する観察光学系と、 前記試料を移動させる搭載台と、 前記試料および搭載台を収納する試料収納容器と、 金属化合物気体を前記試料収納容器内に導入し、前記試
料の表面のレーザ光照射点にその金属化合物気体を吹き
付けるガス導入部と、 前記試料収納容器内の金属化合物気体を外に排気するガ
ス排気部とを有し、 前記ガス導入部は、レーザ光の光路上にその光軸に対し
て垂直に配置され、金属化合物気体を試料表面のレーザ
光照射点に吹き付けるために穴が開けられたガラスノズ
ルを有することを特徴とするレーザＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記金属化合物気体は、試料表面のレー
ザ光照射点の垂直上方から吹き付けられることを特徴と
する前記請求項１に記載のレーザＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記ガス導入部は、金属化合物気体を希
釈するキャリアガスの流量を制御する第１のマスフロー
コントローラを有することを特徴とする前記請求項１に
記載のレーザＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記ガス排気部は、排気する金属化合物
気体の流量を制御する第２のマスフローコントローラを
有することを特徴とする前記請求項１に記載のレーザＣ
ＶＤ装置。 - 【請求項５】 前記ガラスノズルは、光軸上に任意の長
さを直径とするノズル穴を１つ有することを特徴とする
前記請求項１に記載のレーザＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 前記ガラスノズルは、光軸を中心とした
同心円上に複数の穴を有することを特徴とする前記請求
項１に記載のレーザＣＶＤ装置。 - 【請求項７】 前記ガス排気部は、前記ガラスノズルの
周囲に光軸を中心として同心円を描くように設けられた
排気口を有することを特徴とする前記請求項１に記載の
レーザＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5254372A JP2776218B2 (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | レーザｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5254372A JP2776218B2 (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | レーザｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07111246A true JPH07111246A (ja) | 1995-04-25 |
| JP2776218B2 JP2776218B2 (ja) | 1998-07-16 |
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ID=17264078
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5254372A Expired - Fee Related JP2776218B2 (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | レーザｃｖｄ装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2776218B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6758941B1 (en) | 1999-06-02 | 2004-07-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing unit, window member for plasma processing unit and electrode plate for plasma processing unit |
| US7270724B2 (en) * | 2000-12-13 | 2007-09-18 | Uvtech Systems, Inc. | Scanning plasma reactor |
| JP2010215947A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Omron Corp | レーザｃｖｄによる薄膜形成方法、及び同方法に好適なガスウィンドウ |
| TWI512139B (zh) * | 2011-09-16 | 2015-12-11 | Kern Energy Entpr Co Ltd | 薄膜製程設備及其製作流程 |
| JP2017088995A (ja) * | 2015-11-11 | 2017-05-25 | チャム エンジニアリング カンパニー リミテッド | 蒸着装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62116770A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-28 | Canon Inc | 成膜装置 |
| JPS6393108A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-23 | Toshiba Corp | 光励起膜形成方法 |
| JPS63197333U (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | ||
| JPH01136973A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Nec Corp | 成膜方法 |
-
1993
- 1993-10-12 JP JP5254372A patent/JP2776218B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2017088995A (ja) * | 2015-11-11 | 2017-05-25 | チャム エンジニアリング カンパニー リミテッド | 蒸着装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2776218B2 (ja) | 1998-07-16 |
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