JPH0710686A - 単結晶製造用ルツボおよびそのルツボを組み込んだ単結晶引上装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 単結晶製造用ルツボにおける黒鉛ルツボのガ
スによる浸食抑止。 【構成】 ルツボ１は、石英ルツボ１１と、前記石英ル
ツボを収容支持する複数のブロックによって形成される
黒鉛ルツボ２とからなる。黒鉛ルツボ２は、たとえば底
中央部分を形成する底板３と、円周壁を形成する３個の
ルツボ本体４とからなる。黒鉛ルツボ２は底部内周壁に
全周に亘って設けられた嵌合溝５０に黒鉛からなる嵌合
体５１が着脱自在に嵌め込まれている。嵌合体５１によ
ってルツボ本体４間のスリット１３は表面に露出しなく
なり、石英ルツボ１１から蒸発したＳｉＯガスが含まれ
るガスが通過するスリット１３には、石英ルツボ１１が
食い込まなくなり、黒鉛ルツボ２の局所的な高温化が防
げ、浸食が発生し難くなる。なお、浸食が発生した場
合、嵌合体５１を交換する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は単結晶製造用ルツボおよ
びそのルツボを組み込んだ単結晶引上装置に関し、特に
石英ルツボの外側を黒鉛ルツボで保持する二重構造ルツ
ボを有する単結晶引上装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコン, ゲルマニウム，化合物半導体
等の単結晶を製造する製造技術の一つとして、ルツボ内
の融液に種子結晶の先端を浸漬させ、この種子結晶を前
記ルツボに対して相対的に回転させかつ徐々に上昇させ
ることによって結晶を製造する単結晶引上法（チョクラ
ルスキー法：ＣＺ法）が知られている。単結晶引上装置
については、たとえば工業調査会発行「電子材料別冊
号」1984年11月20日発行、Ｐ25〜Ｐ29について記載され
ている。この文献には、単結晶引上装置の構造が図解さ
れているとともに、構造説明において「ルツボなどホッ
トゾーン部品は，図２に示した概念断面図形でチャンバ
内に設置される。カーボンヒータがグラファイトのルツ
ボ容器を取り囲む形で設置され，ヒータの回りは，断熱
材で被われている。それぞれのカーボン部品の熱膨張係
数と熱伝導度は整合のとれるように選択されている。こ
の部分は，引上機構部と並んで引上装置の核になる部分
である。結晶の歩留り，結晶中に取り込まれる酸素濃
度，炭素濃度などは，この部分の熱バランスによって決
定される。したがって，ルツボを中心としたチャンバ全
体の熱バランスと，Ａｒガス流の流れ方が重要なパラメ
ータになる。…ルツボはルツボ容器とともに上下され，
また回転される機構になっている。ルツボの回転速度
は，０〜４０ｒｐｍ（通常は結晶回転と逆方向）で回転
され，上下には０〜６インチ／時間で移動できる。」旨
記載されている。また、この文献には「結晶作製におい
ては，ルツボ径が結晶径の倍以上であることが理想的で
ある。したがって，８インチ結晶作製では１６インチル
ツボが必要となり，それが収納できるホットゾーンを持
つ装置が必要になる。」旨記載されている。現状の８イ
ンチの結晶の量産においては、生産効率を向上させるた
めに、２２〜２４インチのルツボが使用されている。

【０００３】また、工業調査会発行「電子材料」1981年
６月号、同年６月１日発行、Ｐ59には通常のＣＺ単結晶
引き上げ法とＭＣＺ（Magnetic-field-applied Czochra
lskimethod)法が図解されている。この図には、石英ル
ツボは黒鉛ルツボの内側に収容されて支持される状態が
開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来、シリコン単結晶
製造の主流となっているＣＺ法において、多結晶シリコ
ンを溶融した石英ルツボを保持する黒鉛ルツボは、結晶
引上終了後の冷却過程における残液（融液）固化に伴う
体積膨張のため、一体式では亀裂が入り使用不可能とな
るため、分割組立方式としているのが一般的である。黒
鉛ルツボは、一般的に二あるいは三等分したルツボ本体
と、底板とによって構成されている。図６はルツボ本体
を三分割構成とした黒鉛ルツボの断面図、図７は同じく
平面図である。黒鉛ルツボ２は、底板（ブロック）３
と、周壁を構成する三個のルツボ本体（ブロック）４と
からなり、これら部材（ブロック）はルツボ回転軸５の
上端に取り付けられた台座６上に単に載置されるように
なっている。台座６の上面には、中央に嵌合用窪み７を
有する逆円錐台状の窪みからなる受座９が設けられてい
る。そして、前記嵌合用窪み７に底板３の下面の突出し
た嵌合突部１０を嵌合させて台座６に対して底板３を位
置決めした後、三個のルツボ本体４を順次受座９に載置
することによって上部が開口した黒鉛ルツボ２が組み立
てられる。石英ルツボ１１はこの黒鉛ルツボ２内に入れ
られる。したがって、石英ルツボ１１と黒鉛ルツボ２と
の間には隙間１２が生じるとともに、黒鉛ルツボ２にお
いても各ブロック間に隙間（スリット）１３が生じるこ
とになる（図６，図７においてスリットの状態は示して
おらず、単に実線で示す）。前記石英ルツボ１１と黒鉛
ルツボ２とからなるルツボ１が単結晶引上装置のチャン
バ内に組み込まれた状態では、前記隙間１２，１３は、
チャンバ内を流れるＡｒガスが流れる流路となり得る。

【０００５】石英ルツボ１１と黒鉛ルツボ２からなるル
ツボ１において、黒鉛ルツボ２はルツボ本体４の局部的
な浸食によって寿命が短くなる現象が生じた。この点に
ついて分析検討したところ、以下のことがわかった。す
なわち、石英ルツボ１１は結晶育成中のヒータからの加
熱により軟化する。石英ルツボ１１の底面は黒鉛ルツボ
２に支えられているが、底部周壁１５は黒鉛ルツボ２に
密着していない。このため、図８に示すように、前記底
部周壁１５は石英ルツボ１１内の融液の重量によって変
形し、黒鉛ルツボ２の内壁に密着するようになるが、高
温状態で軟化しているため、同図左側部で示すように前
記スリット１３にも食い込むようになる。この結果、石
英ルツボ１１が食い込んだスリット１３部分は高温に晒
されることになる。

【０００６】一方、単結晶製造雰囲気（チャンバ内）は
Ａｒガスが流れ、純度の高い単結晶の製造が図られてい
る。このＡｒガスは、一般にチャンバの上方から流さ
れ、チャンバの下方から排気されている。したがって、
図８に示すように、一部のガス１６は石英ルツボ１１と
黒鉛ルツボ２との間の隙間１２内を通り、ルツボ本体４
間のスリット１３からルツボ１外に抜ける。黒鉛ルツボ
２の底部は台座６によって支えられ、この台座６がガス
１６の抜けの障害物となることから、ガス１６は前記底
部周壁１５の上部（底部内周壁）に対応するスリット１
３部分から抜ける。このガス１６内には、石英ルツボ１
１内の融液から蒸発したＳｉＯガスも含まれる。前記石
英ルツボ１１が食い込んだスリット１３部分は、石英ル
ツボ１１により高温となる。したがって、石英ルツボ１
１によって高温となりかつガス１６が流れる黒鉛ルツボ
２部分は、図９に示すように前記ＳｉＯガスと反応して
浸食されて浸食部１７が形成され、スリット１３が拡大
するとともに、底部周壁１５の一部の肉厚がしだいに減
少し、最終的には使用不可能となる。また、ルツボ本体
４は組で加工されるため、一つだけの交換は、他のルツ
ボ本体４との間の組合せ度合いが悪くなることから、３
個のルツボ本体４全体を交換しなければならなくなり不
経済となる。

【０００７】一方、半導体装置製造に用いる半導体ウエ
ハの大口径化の要請により、引上げによって製造する単
結晶インゴットの直径も大型化している。この結果、ル
ツボの大型化，ホットゾーンの大型化が図られるため、
黒鉛ルツボに加わるヒータからの輻射熱も増加し、黒鉛
ルツボの浸食（摩耗）度合いも大きくなる。したがっ
て、黒鉛ルツボの寿命はその底部周壁の消耗程度に依存
しているといえる。先にも述べたように、その消耗程度
はルツボの大型化に伴い大きくなることから、その交換
頻度も大きくなるため、製造コストアップの一因ともな
っている。

【０００８】本発明の目的は、黒鉛ルツボのガスによる
浸食が抑止できる単結晶製造用ルツボおよびそのルツボ
を組み込んだ単結晶引上装置を提供することにある。

【０００９】本発明の他の目的は、黒鉛ルツボの交換頻
度の低減が図れる単結晶製造用ルツボおよびそのルツボ
を組み込んだ単結晶引上装置を提供することにある。本
発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろ
う。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の単結晶引上装置
は、石英ルツボと、前記石英ルツボを収容支持するとと
もに台座に載置されかつ複数のブロックによって形成さ
れる黒鉛ルツボとからなる単結晶製造用ルツボをガスが
流されるチャンバ内に組み込んだ単結晶引上装置であっ
て、前記黒鉛ルツボの底部内周壁に全周または前記ブロ
ックの境目に対応する部分に嵌合溝が設けられていると
ともに、この嵌合溝には黒鉛からなるリング状の嵌込体
が交換可能に嵌合された構造となっている。したがっ
て、本発明の黒鉛ルツボにおける底部周壁には石英ルツ
ボが食い込むスリット部分が存在しない構造となってい
る。

【００１１】本発明の他の実施例による単結晶製造用ル
ツボは、石英ルツボと、前記石英ルツボを収容支持する
とともに台座に載置されかつ複数のブロックによって形
成される黒鉛ルツボとからなる単結晶製造用ルツボであ
って、前記黒鉛ルツボの底部内周壁でありかつブロック
の境目に対応する部分には部分的に嵌合溝が設けられて
いるとともに、この嵌合溝には黒鉛からなる嵌合体が交
換可能に嵌合されている構造となっている。前記嵌合体
は嵌合体が設けられない状態において黒鉛ルツボがブロ
ック間の隙間を流れるガスによって顕著に浸食される領
域を被うように配設されている。

【００１２】本発明の他の実施例による単結晶製造用ル
ツボは、石英ルツボと、前記石英ルツボを収容支持する
とともに台座に載置されかつ複数のブロックによって形
成される黒鉛ルツボとからなる単結晶製造用ルツボであ
って、前記黒鉛ルツボは、底面および底部周壁を形成す
る単一の底板と、前記底板の縁部に一部が重なりかつ食
い込んで組み合わされる周壁を構成する複数のルツボ本
体とからなる構造となっている。

【００１３】

【作用】上記した手段によれば、本発明の単結晶製造用
ルツボは、黒鉛ルツボの３個のルツボ本体には交換可能
な嵌合体が嵌め込まれている。この嵌合体は高温の石英
ルツボが接触する領域に設けられるため、この領域では
石英ルツボはルツボ本体とルツボ本体の境目（スリッ
ト）に対面しなくなり、ＳｉＯガスを含むガスが流れな
くなる。したがって、ＳｉＯガスに起因する浸食は発生
し難くなる。また、嵌合体が浸食された場合には、簡単
に嵌合体を交換を行うことができる。この結果、ルツボ
本体の寿命が長くなることから、黒鉛ルツボの寿命を長
くすることができる。

【００１４】本発明の他の実施例による単結晶製造用ル
ツボは、前記実施例の場合と同様に、ルツボ本体の境目
部分に嵌合体が設けられている。独立した嵌合体がルツ
ボ本体の嵌合溝に嵌め込まれていることから、嵌め込み
部分には隙間が形成されるが、嵌合溝と嵌合体とは密着
するため、ガスは前記隙間を通過せず、結果として、黒
鉛ルツボの底部内周壁は浸食されなくなる。この例でも
嵌合体の交換を行うだけで黒鉛ルツボを長く使用できる
ことになる。

【００１５】本発明の他の実施例による単結晶製造用ル
ツボは、単品となる底板は、高温の石英ルツボが接触し
かつＳｉＯガスを含むガスが流れる底部周壁をも構成し
ていることから、浸食が生じ難い。また、浸食が生じた
場合、前記底板を交換するだけで良い。この底板に組み
合わされる３個のルツボ本体は、円筒形状を構成し、下
端の食込部分で底板の縁に食い込む構造となっている。
したがって、底板の食込縁は円周形状の加工だけであ
り、交換を行っても再現性良く黒鉛ルツボが形成でき
る。

【００１６】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例による単結晶製造
用ルツボを示す断面図、図２は同じく黒鉛ルツボを示す
平面図、図３は本発明の一実施例による単結晶製造用ル
ツボを組み込んだ単結晶引上装置の概要を示す断面図で
ある。

【００１７】本発明の単結晶引上装置は、図１および図
２に示すような単結晶製造用ルツボを組み込んだ構造と
なっている。単結晶引上装置は、図３に示すように、ベ
ース２０上にチャンバ２１を有する構造となっている。
前記チャンバ２１は、円筒状のメインチャンバ２２と、
このメインチャンバ２２の上部を塞ぐアッパーチャンバ
２３と、前記アッパーチャンバ２３の中央上部の筒状の
プルチャンバ２４とからなっている。

【００１８】前記メインチャンバ２２の中央には、ルツ
ボ１が配設されている。このルツボ１は、上部が開口し
た石英ルツボ１１と、この石英ルツボ１１を収容支持す
る黒鉛ルツボ２とからなっている。黒鉛ルツボ２は、図
１および図２に示すように、組み合わせ自在のブロック
構造となり、黒鉛ルツボ２の中央底部を形成する円板状
の底板３（ブロック）と、円周壁を構成する３個のルツ
ボ本体４（ブロック）とからなっている。前記底板３の
下面中央には、円形の突出した嵌合突部１０が設けられ
ている。また、底板３の下面とルツボ本体４の下面中央
は同一平坦面となるが、その外側は逆円錐面４５となっ
ている。

【００１９】前記黒鉛ルツボ２は台座６上に載置され
る。台座６の上面には、逆円錐台状の窪みからなる受座
９が設けられている。この受座９の中央には、前記底板
３の嵌合突部１０を嵌合させる嵌合用窪み７を有してい
る。したがって、黒鉛ルツボ２を台座６上に組み立てる
際は、最初に前記嵌合用窪み７に嵌合突部１０を嵌合さ
せるようにして底板３を台座６に載置する。その後、逆
円錐面４５が受座９に合うようにして順次ルツボ本体４
を台座６上に組立載置して黒鉛ルツボ２を組み立てる。
この際、３個のルツボ本体４が相互に合うように組み立
てる。石英ルツボ１１は前記黒鉛ルツボ２内に入れられ
る。ルツボ１はその底面は黒鉛ルツボ２と密着する。し
かし、黒鉛ルツボ２の底部周壁１５は石英ルツボ１１に
は密着せずに隙間１２が発生する。

【００２０】一方、これが本発明の特徴の一つである
が、前記黒鉛ルツボ２の底部周壁１５の内周面には全周
に亘って嵌合溝５０が設けられている。この嵌合溝５０
には、黒鉛によって形成される嵌合体５１が着脱自在に
嵌合されている。この嵌合体５１は、嵌合体５１が設け
られない従来の黒鉛ルツボ２において、ガスによって浸
食される領域を含む領域に亘って設けられている。ま
た、前記嵌合体５１が嵌合された状態において、黒鉛ル
ツボ２の底から周壁の上縁に至る内面は連続的に繋がっ
ている。このような黒鉛ルツボ２は、図２にも示すよう
に、底部周壁１５の内周面に嵌合体５１が存在するた
め、３個のルツボ本体４の合わせ目（隙間：スリット１
３））が露出しない構造となる。すなわち、石英ルツボ
１１が熱によって軟化しかつ収容した融液の重量によっ
て変形して当たる部分に、ルツボ本体４の合わせ目が現
れなくなり、ガスの黒鉛ルツボ２外への抜け通路も存在
しなくなる。したがって、黒鉛で形成される嵌合体５１
も浸食され難くなる。

【００２１】他方、前記黒鉛ルツボ２が載置される台座
６は、前記ベース２０内に配設されるモータ２５によっ
て回転するルツボ回転軸５の上端に固定されている。前
記ルツボ回転軸５は、軸受２６を介してメインチャンバ
２２の底板２７部分で支持されている。また、前記モー
タ２５は図示しない昇降機構によって支持されている。
したがって、前記ルツボ１は矢印に示すように昇降およ
び回転制御可能となっている。

【００２２】また、前記プルチャンバ２４の上部には、
図示しない結晶引上機構が設けられている。前記プルチ
ャンバ２４の中心には、前記結晶引上機構のワイヤ３０
が垂れ下がっている。前記ワイヤ３０の下端にはシード
チャック３１が取り付けられ、単結晶のシード（種結
晶）３２が保持される。単結晶製造の際は、前記ルツボ
１内に原料（ポリシリコン）を収容した後その原料を溶
かし、溶けたシリコン融液３３内に前記シード３２の下
端を入れ、シード３２に徐々に単結晶を成長させながら
シード３２を引き上げ、シード３２の下に単結晶３４を
成長させる。この際、ルツボ１を一定方向に回転させる
とともに、シード３２を他方向に回転させ、かつ前記シ
ード３２を相対的に徐々に引き上げる。

【００２３】一方、前記メインチャンバ２２の底板２７
上には、前記ルツボ１に対して同心円的に配列される円
筒状のヒータ３５が載置されている。前記ヒータ３５
は、カーボンで形成されているとともに、図示はしない
が両端から交互にスリットが設けられ、電流を流すこと
によって発熱する構造となっている。電流の給電部とな
るクランプ部３６は、ヒータ３５の下部に設けられてい
る。このクランプ部３６は電極３７が接続される。

【００２４】他方、前記ヒータ３５の外側には、ヒータ
３５と同心円的に配置される円筒形の断熱材３９が配設
されている。また、断熱材３９の下部には、前記クラン
プ部３６が通過延在できるように切欠溝４０が設けられ
ている。

【００２５】また、前記プルチャンバ２４側からＡｒ等
のガス１６がチャンバ２１内に流されるとともに、この
ガス１６は、ベース２０側に設けられた排気管４２から
真空排気されるようになっている。このガス１６は石英
ルツボ１１と黒鉛ルツボ２との間の隙間１２内に入り込
み、黒鉛ルツボ２のルツボ本体４相互の境界の隙間（ス
リット）１３から黒鉛ルツボ２の外に抜ける。また、ガ
ス１６には、石英ルツボ１１内のシリコン融液３３から
蒸発したＳｉＯガスも含まれることになる。

【００２６】

【発明の効果】

（１）本発明の単結晶製造用ルツボは、石英ルツボを収
容支持する黒鉛ルツボがブロック化された構造となって
いるとともに、底部内周壁には全周に亘って嵌合溝が設
けられ、かつ嵌合溝に嵌合体が嵌め込まれていることか
ら、ＳｉＯガスを含むガスの通り路となるルツボ本体間
の境目（スリット）が表面に露出しなくなり、ＳｉＯガ
スに起因する浸食が起き難くなるという効果が得られ
る。

【００２７】（２）上記（１）により、本発明の単結晶
製造用ルツボは、黒鉛ルツボの底部内周壁に嵌合体が設
けられていることから、高温の石英ルツボおよびＳｉＯ
ガスによる浸食が発生しても、浸食は嵌合体部分に発生
することから、ルツボ本体を交換することなく嵌合体を
交換すれば良いという効果が得られる。

【００２８】（３）上記（２）により、本発明の単結晶
製造用ルツボは、ルツボ本体を交換することなく嵌合体
を交換するだけで引き続いて黒鉛ルツボを使用すること
ができ、黒鉛ルツボの寿命が大幅に長くなるという効果
が得られる。

【００２９】（４）本発明の単結晶製造用ルツボは、黒
鉛ルツボの底部内周壁に嵌合溝を設けるとともに、リン
グ状の嵌合体を嵌め込む構造となることから、加工コス
トの増大を低く抑えることができるという効果が得られ
る。

【００３０】（５）上記（１）により、本発明の単結晶
製造用ルツボを組み込んだ単結晶引上装置は、ＳｉＯガ
スに起因する黒鉛ルツボの交換を嵌合体の交換で済ます
ことができるため、単結晶製造コストの低減が達成でき
るという効果が得られる。

【００３１】（６）上記（５）により、本発明の単結晶
引上装置は、ＳｉＯガスによる黒鉛ルツボの浸食が有っ
た場合、黒鉛ルツボのルツボ本体の交換に代えて安価な
嵌合体の交換によって引き続いて黒鉛ルツボをそのまま
使用できることから、設備費用の低減が達成できるとい
う効果が得られる。

【００３２】（７）上記（１）〜（６）により、本発明
によれば、黒鉛ルツボの長寿命化によって単結晶製造コ
ストの低減が図れる単結晶引上装置を提供することがで
きるという相乗効果が得られる。

【００３３】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。すなわち、
図４に示すように、前記ルツボ本体４の合わせ目部分
（スリット１３）にそれぞれ独立して嵌合溝５０を設
け、これら嵌合溝５０に嵌合体５１をそれぞれ嵌合させ
る構造でも黒鉛ルツボ２の浸食を防止できる。すなわ
ち、部分的に嵌合体５１を設ける構造では、石英ルツボ
１１に嵌合体５１による合わせ目（スリット１３）が対
面するが、嵌合溝５０と嵌合体５１が密着するため、嵌
合体５１による合わせ目にはＳｉＯガスを含むガスは通
過せず、浸食を抑止できるようになる。

【００３４】図５は本発明の他の実施例による黒鉛ルツ
ボ２を示す断面図である。ルツボ本体４のスリット１３
を底部周壁に設けると浸食を受けるため、この例では、
底板３を黒鉛ルツボ２の底中央部分のみとせずに底部周
壁にまで及ぶようにして、石英ルツボ１１の下部全体を
底板３で受ける構造として、スリット１３を高温となる
石英ルツボ１１の変形箇所に対面させないようにした例
である。これにより、ルツボ本体４の浸食が抑止される
ことになる。なお、この黒鉛ルツボ２において、底板３
の周端は内側が低くなる傾斜面５５を有する食い込み溝
５６とし、ルツボ本体４はこの食い込み溝５６が入る断
面状の溝を有する食い込み部５７としていることから、
底板３にルツボ本体４を簡単に嵌合させたり、あるいは
外すことができるようになっている。

【００３５】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である単結晶
引上装置に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではない。本発明は同様の技術には適用で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による単結晶製造用ルツボを
示す断面図である。

【図２】本発明の一実施例による単結晶製造用ルツボに
おける黒鉛ルツボを示す平面図である。

【図３】本発明の一実施例による単結晶製造用ルツボを
組み込んだ単結晶引上装置の概要を示す断面図である。

【図４】本発明の他の実施例による単結晶製造用ルツボ
における黒鉛ルツボを示す平面図である。

【図５】本発明の他の実施例による単結晶製造用ルツボ
における黒鉛ルツボを示す断面図である。

【図６】従来の単結晶製造用ルツボを示す断面図であ
る。

【図７】従来の単結晶製造用ルツボにおける黒鉛ルツボ
の平面図である。

【図８】従来の単結晶製造用ルツボにおける石英ルツボ
の変形およびガスの流れ状態を示す断面説明図である。

【図９】従来の単結晶製造用ルツボの浸食例を示すルツ
ボ本体４の一部を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…ルツボ、２…黒鉛ルツボ、３…底板、４…ルツボ本
体、５…ルツボ回転軸、６…台座、７…嵌合用窪み、９
…受座、１０…嵌合突部、１１…石英ルツボ、１２…隙
間、１３…隙間（スリット）、１５…底部周壁、１６…
ガス、１７…浸食部、２０…ベース、２１…チャンバ、
２２…メインチャンバ、２３…アッパーチャンバ、２４
…プルチャンバ、２５…モータ、２６…軸受、２７…底
板、３０…ワイヤ、３１…シードチャック、３２…シー
ド、３３…シリコン融液、３４…単結晶、３５…ヒー
タ、３６…クランプ部、３７…電極、３９…断熱材、４
０…切欠溝、４２…排気管、４５…逆円錐面、５０…嵌
合溝、５１…嵌合体、５５…傾斜面、５６…食い込み
溝、５７…食い込み部。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 石英ルツボと、前記石英ルツボを収容支
   持するとともに台座に載置されかつ複数のブロックによ
   って形成される黒鉛ルツボとからなる単結晶製造用ルツ
   ボであって、前記黒鉛ルツボの底部内周壁に全周または
   前記ブロックの境目に対応する部分に嵌合溝が設けられ
   ているとともに、この嵌合溝には黒鉛からなる嵌込体が
   交換可能に嵌合されていることを特徴とする単結晶製造
   用ルツボ。
2. 【請求項２】 石英ルツボと、前記石英ルツボを収容支
   持するとともに台座に載置されかつ複数のブロックによ
   って形成される黒鉛ルツボとからなる単結晶製造用ルツ
   ボであって、前記黒鉛ルツボは、底面および底部周壁を
   形成する単一の底板と、前記底板の縁部に一部が重なり
   かつ食い込んで組み合わされる周壁を構成する複数のル
   ツボ本体とからなっていることを特徴とする単結晶製造
   用ルツボ。
3. 【請求項３】 石英ルツボと、前記石英ルツボを収容支
   持するとともに台座に載置されかつ複数のブロックによ
   って形成される黒鉛ルツボとからなる単結晶製造用ルツ
   ボを、ガスが流されるチャンバ内に組み込んだ単結晶引
   上装置であって、前記黒鉛ルツボの底部内周壁に全周ま
   たは前記ブロックの境目に対応する部分に嵌合溝が設け
   られているとともに、この嵌合溝には黒鉛からなる嵌込
   体が交換可能に嵌合されていることを特徴とする単結晶
   引上装置。
4. 【請求項４】 前記嵌合体は嵌合体が設けられない状態
   において黒鉛ルツボがブロック間の隙間を流れるガスに
   よって浸食される領域を被うように配設されていること
   を特徴とする請求項３記載の単結晶引上装置。