JPH07106261A - 加熱装置 - Google Patents
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- JPH07106261A JPH07106261A JP5253255A JP25325593A JPH07106261A JP H07106261 A JPH07106261 A JP H07106261A JP 5253255 A JP5253255 A JP 5253255A JP 25325593 A JP25325593 A JP 25325593A JP H07106261 A JPH07106261 A JP H07106261A
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- heating
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
- F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B5/14—Arrangements of heating devices
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/24—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor being self-supporting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/62—Heating elements specially adapted for furnaces
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、被加熱物と略同等の対向面積のヒー
タでありながら、被加熱物全体をムラ無く均一に加熱で
き、このヒータが組込まれる装置全体の小型化、低製造
コスト化を可能とした加熱装置、あるいは、ヒータを従
来と同等の大きさとした場合には、より大きなサイズの
被加熱物を均一加熱することが可能となる加熱装置を提
供することを目的とする。 【構成】スリット１４により隔別された複数の帯状発熱
部１５の両端部を接続部１６により交互に接続すること
により蛇行状の電路を形成させるとともに、この温度ム
ラ領域（低温領域）２１が存在する接続部１６を、被加
熱物Ｗと対向する発熱面２０と同一面にならないように
折曲げ、ヒータ１０の被加熱物Ｗに対向する部分は均一
な発熱面２０のみとなる構成としたものである。
タでありながら、被加熱物全体をムラ無く均一に加熱で
き、このヒータが組込まれる装置全体の小型化、低製造
コスト化を可能とした加熱装置、あるいは、ヒータを従
来と同等の大きさとした場合には、より大きなサイズの
被加熱物を均一加熱することが可能となる加熱装置を提
供することを目的とする。 【構成】スリット１４により隔別された複数の帯状発熱
部１５の両端部を接続部１６により交互に接続すること
により蛇行状の電路を形成させるとともに、この温度ム
ラ領域（低温領域）２１が存在する接続部１６を、被加
熱物Ｗと対向する発熱面２０と同一面にならないように
折曲げ、ヒータ１０の被加熱物Ｗに対向する部分は均一
な発熱面２０のみとなる構成としたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば気相成長装置の
ウエハ加熱等に適用される加熱装置に係わり、詳しく
は、電気抵抗加熱式のヒータを備えた加熱装置に関す
る。
ウエハ加熱等に適用される加熱装置に係わり、詳しく
は、電気抵抗加熱式のヒータを備えた加熱装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】通常、気相成長装置においては、ウエハ
の下面に対して発熱面が平行となるように電気抵抗加熱
式ヒータを配置し、このヒータによりウエハを１１００
℃程度まで加熱するようになっている。
の下面に対して発熱面が平行となるように電気抵抗加熱
式ヒータを配置し、このヒータによりウエハを１１００
℃程度まで加熱するようになっている。
【０００３】従来、この種のヒータＡは、図１０および
図１１に示すような構成となっている。すなわち、ヒー
タＡは、図１０に示すように円板状を呈し、左右両端部
ａ，ｂを除き、スリットｃ…により隔別された等しい幅
の互いに平行に伸びる帯状発熱部ｄ…を有する。
図１１に示すような構成となっている。すなわち、ヒー
タＡは、図１０に示すように円板状を呈し、左右両端部
ａ，ｂを除き、スリットｃ…により隔別された等しい幅
の互いに平行に伸びる帯状発熱部ｄ…を有する。
【０００４】これらの帯状発熱部ｄ…および左右両端部
ａ，ｂは、その一端と他端が交互に接続部ｅ…により接
続されることにより、左端部ａの一端に設けた端子ｆか
ら右端部ｂの一端に設けた端子ｇに至る蛇行状の電路
（パターン）を形成させ、前記複数の帯状発熱部ｄ…お
よび左右両端部ａ，ｂによって発熱面ｈを形成するよう
になっている。
ａ，ｂは、その一端と他端が交互に接続部ｅ…により接
続されることにより、左端部ａの一端に設けた端子ｆか
ら右端部ｂの一端に設けた端子ｇに至る蛇行状の電路
（パターン）を形成させ、前記複数の帯状発熱部ｄ…お
よび左右両端部ａ，ｂによって発熱面ｈを形成するよう
になっている。
【０００５】このように構成されたヒータＡを、図１１
に示すように、被加熱物であるウエハＷの被加熱面（下
面）ｋに対して発熱面ｈが平行となるように配置し、ウ
エハＷを加熱するようになっている。
に示すように、被加熱物であるウエハＷの被加熱面（下
面）ｋに対して発熱面ｈが平行となるように配置し、ウ
エハＷを加熱するようになっている。
【０００６】しかしながら、このようなヒータＡは、蛇
行状の電路の折返し部分である接続部ｅ…において、電
流が流れ易い領域と、電流が流れ難い温度ムラ領域（図
１０において点で塗り潰した領域）ｊ…が生じていた。
行状の電路の折返し部分である接続部ｅ…において、電
流が流れ易い領域と、電流が流れ難い温度ムラ領域（図
１０において点で塗り潰した領域）ｊ…が生じていた。
【０００７】すなわち、従来のヒータＡは、被加熱物で
あるウエハＷに対向する発熱面ｈの外周縁部分に、接続
部ｅ…による温度ムラ領域（低温領域）ｊ…が存在して
いた。
あるウエハＷに対向する発熱面ｈの外周縁部分に、接続
部ｅ…による温度ムラ領域（低温領域）ｊ…が存在して
いた。
【０００８】一方、実験によると、ウエハＷの外周部の
均熱をとることが、製造欠陥であるスリップの発生を大
いに抑制するので、非常に重要であることがわかってい
る。そこで、従来においては、ウエハＷの温度均一性を
確保するために、図１０に示すように、被加熱物である
ウエハＷを、温度ムラ領域ｊ…に掛からない部分に対向
するように配置することで対処していた。
均熱をとることが、製造欠陥であるスリップの発生を大
いに抑制するので、非常に重要であることがわかってい
る。そこで、従来においては、ウエハＷの温度均一性を
確保するために、図１０に示すように、被加熱物である
ウエハＷを、温度ムラ領域ｊ…に掛からない部分に対向
するように配置することで対処していた。
【０００９】また、被加熱物が円筒状やルツボ状を呈し
ている場合には、前記ヒータＡを円筒状に成形したヒー
タが使用されるが、上記と同じ理由から、被加熱物を、
温度ムラ領域に掛からない部分に対向するように配置す
ることで対処していた。換言すれば、被加熱物よりも対
向面積の大きなヒータを用いることで対処していた。
ている場合には、前記ヒータＡを円筒状に成形したヒー
タが使用されるが、上記と同じ理由から、被加熱物を、
温度ムラ領域に掛からない部分に対向するように配置す
ることで対処していた。換言すれば、被加熱物よりも対
向面積の大きなヒータを用いることで対処していた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
ヒータは、発熱面と同一面に、被加熱物の加熱に使用で
きない接続部による温度ムラ領域（低温領域）が存在し
ていたため、被加熱物よりも対向面積の大きなヒータが
必要となっていた。
ヒータは、発熱面と同一面に、被加熱物の加熱に使用で
きない接続部による温度ムラ領域（低温領域）が存在し
ていたため、被加熱物よりも対向面積の大きなヒータが
必要となっていた。
【００１１】このため、このヒータが組込まれる装置全
体の大型化、製造コスト高を招くなどの問題があった。
本発明は、上記事情に基づきなされたもので、被加熱物
と略同等の対向面積のヒータでありながら、被加熱物全
体をムラ無く均一に加熱でき、このヒータが組込まれる
装置全体の小型化、低製造コスト化を可能とした加熱装
置、あるいは、ヒータを従来と同等の大きさとした場合
には、より大きなサイズの被加熱物を均一加熱すること
が可能となる加熱装置を提供することを目的とする。
体の大型化、製造コスト高を招くなどの問題があった。
本発明は、上記事情に基づきなされたもので、被加熱物
と略同等の対向面積のヒータでありながら、被加熱物全
体をムラ無く均一に加熱でき、このヒータが組込まれる
装置全体の小型化、低製造コスト化を可能とした加熱装
置、あるいは、ヒータを従来と同等の大きさとした場合
には、より大きなサイズの被加熱物を均一加熱すること
が可能となる加熱装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、被加熱物を、該被加熱物の被加熱面に対して
発熱面が平行となるように配置したヒータにより加熱す
る加熱装置であって、前記ヒータが、スリットにより隔
別され面状に配設された複数の帯状発熱部と、これら複
数の帯状発熱部によって前記発熱面を形成すべく前記帯
状発熱部の両端部を交互に接続することにより両端部が
端子に接続する電路を形成させる接続部とを具備し、前
記接続部を、前記発熱面に対して同一面とならないよう
に折曲げた構成としたものである。
するため、被加熱物を、該被加熱物の被加熱面に対して
発熱面が平行となるように配置したヒータにより加熱す
る加熱装置であって、前記ヒータが、スリットにより隔
別され面状に配設された複数の帯状発熱部と、これら複
数の帯状発熱部によって前記発熱面を形成すべく前記帯
状発熱部の両端部を交互に接続することにより両端部が
端子に接続する電路を形成させる接続部とを具備し、前
記接続部を、前記発熱面に対して同一面とならないよう
に折曲げた構成としたものである。
【００１３】
【作用】上記手段によれば、電流の流れの不均一によっ
て生じる温度ムラ領域（低温領域）が存在する接続部
を、発熱面と同一面にならないように折曲げたから、ヒ
ータの被加熱物に対向する部分は均一な発熱面のみとな
り、これにより、ヒータを被加熱物と略同じ大きさの対
向面積のものとすることが可能となる。これにより、従
来に比べてヒータの小型化が可能となり、これが組込ま
れる装置全体の小型化、低製造コスト化を可能となる。
また、ヒータを従来と同等の大きさとした場合には、よ
り大きなサイズの被加熱物を均一加熱することができ、
処理能力の向上が可能となる。
て生じる温度ムラ領域（低温領域）が存在する接続部
を、発熱面と同一面にならないように折曲げたから、ヒ
ータの被加熱物に対向する部分は均一な発熱面のみとな
り、これにより、ヒータを被加熱物と略同じ大きさの対
向面積のものとすることが可能となる。これにより、従
来に比べてヒータの小型化が可能となり、これが組込ま
れる装置全体の小型化、低製造コスト化を可能となる。
また、ヒータを従来と同等の大きさとした場合には、よ
り大きなサイズの被加熱物を均一加熱することができ、
処理能力の向上が可能となる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１ないし図５を
参照して説明する。図１は、気相成長装置の反応室内の
状態を概略的に示すもので、１は被加熱物であるウエハ
Ｗを保持するサセプタ、２はサセプタ１を支持するサセ
プタ支えであり、サセプタ支え２は、図示しない回転機
構により回転されるようになっている。
参照して説明する。図１は、気相成長装置の反応室内の
状態を概略的に示すもので、１は被加熱物であるウエハ
Ｗを保持するサセプタ、２はサセプタ１を支持するサセ
プタ支えであり、サセプタ支え２は、図示しない回転機
構により回転されるようになっている。
【００１５】また、サセプタ１により保持されたウエハ
Ｗの下面、すなわち被加熱面５側には、電気抵抗加熱式
のヒータ１０が設置され、サセプタ１により保持され回
転されるウエハＷを１１００℃程度まで加熱する加熱装
置１１を構成している。
Ｗの下面、すなわち被加熱面５側には、電気抵抗加熱式
のヒータ１０が設置され、サセプタ１により保持され回
転されるウエハＷを１１００℃程度まで加熱する加熱装
置１１を構成している。
【００１６】次ぎに、図２ないし図４を参照して、ヒー
タ１０の構成について説明する。図２は前記ヒータ１０
の概略的平面図、図３は正面図、図４は図２のＢ−Ｂ線
に沿う断面図である。
タ１０の構成について説明する。図２は前記ヒータ１０
の概略的平面図、図３は正面図、図４は図２のＢ−Ｂ線
に沿う断面図である。
【００１７】ヒータ１０は、図２に示すように円板状を
呈し、左右両端部１２，１３を除き、スリット１４…に
より隔別された等しい幅Ｃの互いに平行に伸びる帯状発
熱部１５…を有する。
呈し、左右両端部１２，１３を除き、スリット１４…に
より隔別された等しい幅Ｃの互いに平行に伸びる帯状発
熱部１５…を有する。
【００１８】これらの帯状発熱部１５…および左右両端
部１２，１３は、その一端と他端が交互に接続部１６…
により接続されることにより、左端部１２の一端に設け
た第１端子１７から右端部１３の一端に設けた第２端子
１８に至る蛇行状の電路（パターン）を形成させ、前記
複数の帯状発熱部１５…および左右両端部１２，１３に
よって、ウエハＷの被加熱面（下面）５と平行に対向す
る発熱面２０を形成するようになっている。
部１２，１３は、その一端と他端が交互に接続部１６…
により接続されることにより、左端部１２の一端に設け
た第１端子１７から右端部１３の一端に設けた第２端子
１８に至る蛇行状の電路（パターン）を形成させ、前記
複数の帯状発熱部１５…および左右両端部１２，１３に
よって、ウエハＷの被加熱面（下面）５と平行に対向す
る発熱面２０を形成するようになっている。
【００１９】接続部１６…は、発熱面２０に対して同一
面とならないように直角に折曲げられている。接続部１
６…は、図５に示すように、電流が流れ易い領域と、電
流が流れ難い温度ムラ領域（点で塗り潰した領域）２１
…が生じている部分であり、この接続部１６…を直角に
折曲げることで、温度ムラ領域（低温領域）２１…が、
ヒータ１０の上面、すなわち、発熱面２０側に現れない
ように形成されている。
面とならないように直角に折曲げられている。接続部１
６…は、図５に示すように、電流が流れ易い領域と、電
流が流れ難い温度ムラ領域（点で塗り潰した領域）２１
…が生じている部分であり、この接続部１６…を直角に
折曲げることで、温度ムラ領域（低温領域）２１…が、
ヒータ１０の上面、すなわち、発熱面２０側に現れない
ように形成されている。
【００２０】しかして、この様に構成されたヒータ１０
は、温度ムラ領域（低温領域）２１が存在する接続部１
６…を、発熱面２０と同一面にならないように、折曲げ
たから、ヒータ１０のウエハＷに対向する部分は均一な
発熱面のみとなり、このため、ヒータ１０をウエハＷと
略同じ大きさの対向面積のものとすることが可能とな
る。
は、温度ムラ領域（低温領域）２１が存在する接続部１
６…を、発熱面２０と同一面にならないように、折曲げ
たから、ヒータ１０のウエハＷに対向する部分は均一な
発熱面のみとなり、このため、ヒータ１０をウエハＷと
略同じ大きさの対向面積のものとすることが可能とな
る。
【００２１】これにより、従来に比べてヒータ１０の小
型化が可能となる。すなわち、ヒータ１０の直径を、接
続部１６…の幅寸法の２倍分小さくすることができ、こ
れが組込まれる気相成長装置の小型化、低製造コスト化
が可能となる。また、ヒータ１０を従来と同等の大きさ
とした場合には、より大きなサイズのウエハＷを均一加
熱することが可能となり、気相成長装置の処理能力の向
上が図れる。
型化が可能となる。すなわち、ヒータ１０の直径を、接
続部１６…の幅寸法の２倍分小さくすることができ、こ
れが組込まれる気相成長装置の小型化、低製造コスト化
が可能となる。また、ヒータ１０を従来と同等の大きさ
とした場合には、より大きなサイズのウエハＷを均一加
熱することが可能となり、気相成長装置の処理能力の向
上が図れる。
【００２２】また、この実施例においては、図２に示す
発熱面２０を構成する左端部１２および右端部１３は、
帯状発熱部１５…のように一定の幅Ｃではないため、こ
のままでは、幅の狭いところ程、高温になってしまうた
め、図３および図４に、符号１２Ａ，１３Ａで示すよう
に、円周部を裏側へ折り曲げ、これを含めた幅が帯状発
熱部１５の幅Ｃとほぼ等しくなるようにして、温度の均
一化を図るようになっている。
発熱面２０を構成する左端部１２および右端部１３は、
帯状発熱部１５…のように一定の幅Ｃではないため、こ
のままでは、幅の狭いところ程、高温になってしまうた
め、図３および図４に、符号１２Ａ，１３Ａで示すよう
に、円周部を裏側へ折り曲げ、これを含めた幅が帯状発
熱部１５の幅Ｃとほぼ等しくなるようにして、温度の均
一化を図るようになっている。
【００２３】図６は、本願発明の第１の他の実施例のヒ
ータ１０Ａを示すもので、このヒータ１０Ａは、前述の
ヒータ１０の接続部１６…に温度ムラ領域（低温領域）
２１…が生じないように、又は温度ムラ領域（低温領
域）２１…の発生を小さく押さえるようにするため、符
号１６Ａで示すように角部を切除した形状としたもので
ある。
ータ１０Ａを示すもので、このヒータ１０Ａは、前述の
ヒータ１０の接続部１６…に温度ムラ領域（低温領域）
２１…が生じないように、又は温度ムラ領域（低温領
域）２１…の発生を小さく押さえるようにするため、符
号１６Ａで示すように角部を切除した形状としたもので
ある。
【００２４】図７は、本願発明の第２の他の実施例のヒ
ータ１０Ｂを示すもので、このヒータ１０Ｂは、前述の
ヒータ１０と同様に接続部１６…を折り曲げた円板状の
ヒータ３０と、このヒータ３０を囲繞するリング状のヒ
ータ４０を配置したものである。
ータ１０Ｂを示すもので、このヒータ１０Ｂは、前述の
ヒータ１０と同様に接続部１６…を折り曲げた円板状の
ヒータ３０と、このヒータ３０を囲繞するリング状のヒ
ータ４０を配置したものである。
【００２５】ヒータ４０は、スリット１４Ａ…により隔
別され、半径方向に放射状に伸びる複数の短寸の帯状発
熱部１５Ａ…を、内周部と外周部かつ発熱面２０Ａに対
して同一面とならないように直角に折曲げられた接続部
１６Ａ…で接続している。１７Ａは端子、１８Ａは端子
である。
別され、半径方向に放射状に伸びる複数の短寸の帯状発
熱部１５Ａ…を、内周部と外周部かつ発熱面２０Ａに対
して同一面とならないように直角に折曲げられた接続部
１６Ａ…で接続している。１７Ａは端子、１８Ａは端子
である。
【００２６】なお、帯状発熱部１５Ａ…は、内周側から
外周側へ向かって幅Ｄが増加しているが、厚さを変化さ
せることにより、半径方向の温度の均一性を保つように
なっている。
外周側へ向かって幅Ｄが増加しているが、厚さを変化さ
せることにより、半径方向の温度の均一性を保つように
なっている。
【００２７】また、ヒータ３０とヒータ４０は、異なる
温度に設定され、半径方向に所望の温度分布を与えるよ
うになっている。このとき、ヒータ３０とヒータ４０
は、それぞれ全面にわたって所定の温度に保たれるた
め、ヒータ３０からヒータ４０への移行部分においても
温度ムラ領域（低温領域）を生じることがなく、半径方
向の温度分布を的確に所望の状態にすることができる。
温度に設定され、半径方向に所望の温度分布を与えるよ
うになっている。このとき、ヒータ３０とヒータ４０
は、それぞれ全面にわたって所定の温度に保たれるた
め、ヒータ３０からヒータ４０への移行部分においても
温度ムラ領域（低温領域）を生じることがなく、半径方
向の温度分布を的確に所望の状態にすることができる。
【００２８】図８は、本願発明の第３の他の実施例のヒ
ータ１０Ｃを示すもので、このヒータ１０Ｃは、スリッ
ト１４Ｂ…により隔別された複数の同心円状発熱部１５
Ｂ…を発熱面２０Ｂに対して同一面とならないように直
角に折曲げられた接続部１６Ｂ…で接続している。な
お、１７Ｂ，１８Ｂは端子である。
ータ１０Ｃを示すもので、このヒータ１０Ｃは、スリッ
ト１４Ｂ…により隔別された複数の同心円状発熱部１５
Ｂ…を発熱面２０Ｂに対して同一面とならないように直
角に折曲げられた接続部１６Ｂ…で接続している。な
お、１７Ｂ，１８Ｂは端子である。
【００２９】このヒータ１０Ｃも前記ヒータと同様に、
ヒータ１０ＣのウエハＷに対向する部分は均一な発熱面
のみとなり、このため、ヒータ１０ＣをウエハＷと略同
じ大きさの対向面積のものとすることが可能となる。
ヒータ１０ＣのウエハＷに対向する部分は均一な発熱面
のみとなり、このため、ヒータ１０ＣをウエハＷと略同
じ大きさの対向面積のものとすることが可能となる。
【００３０】図９は、本願発明の第４の他の実施例のヒ
ータ１０Ｄを示すもので、このヒータ１０Ｄは、被加熱
物が円筒状やルツボ状を呈している場合に使用する筒状
ヒータである。
ータ１０Ｄを示すもので、このヒータ１０Ｄは、被加熱
物が円筒状やルツボ状を呈している場合に使用する筒状
ヒータである。
【００３１】このヒータ１０Ｄは、蛇行状の電路を形成
させるべく、スリット１４Ｃ…により隔別された等しい
幅の互いに平行に伸びる複数の帯状発熱部１５Ｃ…の端
を接続部１６Ｃ…で接続して内周面側が加熱面２０Ｃと
なる円筒状に成形し、さらに、接続部１６Ｃ…を、発熱
面２０Ｃに対して同一面とならないようにフランジ状に
外方に折曲げたものとなっている。
させるべく、スリット１４Ｃ…により隔別された等しい
幅の互いに平行に伸びる複数の帯状発熱部１５Ｃ…の端
を接続部１６Ｃ…で接続して内周面側が加熱面２０Ｃと
なる円筒状に成形し、さらに、接続部１６Ｃ…を、発熱
面２０Ｃに対して同一面とならないようにフランジ状に
外方に折曲げたものとなっている。
【００３２】このように、温度ムラ領域（低温領域）が
存在する接続部１６Ｃ…を、発熱面２０Ｃと同一面にな
らないように折曲げたから、ヒータ１０Ｄの円筒状やル
ツボ状を呈している被加熱物Ｘに対向する部分は均一な
発熱面のみとなり、このため、ヒータ１０Ｄを被加熱物
Ｘと略同じ高さ（長さ）のものとすることが可能とな
る。
存在する接続部１６Ｃ…を、発熱面２０Ｃと同一面にな
らないように折曲げたから、ヒータ１０Ｄの円筒状やル
ツボ状を呈している被加熱物Ｘに対向する部分は均一な
発熱面のみとなり、このため、ヒータ１０Ｄを被加熱物
Ｘと略同じ高さ（長さ）のものとすることが可能とな
る。
【００３３】これにより、従来に比べてヒータ１０Ｄの
小型化が可能となる。すなわち、ヒータ１０Ｄの高さ
を、接続部１６…の幅寸法の２倍分低くすることがで
き、これが組込まれる装置の小型化、低製造コスト化が
可能となる。また、ヒータ１０Ｄを従来と同等の高さと
した場合には、より長いサイズの被加熱物Ｘを均一加熱
することが可能となり、装置の処理能力の向上が図れ
る。
小型化が可能となる。すなわち、ヒータ１０Ｄの高さ
を、接続部１６…の幅寸法の２倍分低くすることがで
き、これが組込まれる装置の小型化、低製造コスト化が
可能となる。また、ヒータ１０Ｄを従来と同等の高さと
した場合には、より長いサイズの被加熱物Ｘを均一加熱
することが可能となり、装置の処理能力の向上が図れ
る。
【００３４】また、上記各実施例において、接続部１６
（１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ）を、直角に折曲げたものに
ついて説明したが、折曲げ角度は直角に限らず、裏側に
折返すような鈍角状態であっても良く、また、直角の手
前の鋭角状態でも十分な効果が得られるものである。そ
の他、本発明は、上記実施例に限らず、本発明の要旨を
変えない範囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
（１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ）を、直角に折曲げたものに
ついて説明したが、折曲げ角度は直角に限らず、裏側に
折返すような鈍角状態であっても良く、また、直角の手
前の鋭角状態でも十分な効果が得られるものである。そ
の他、本発明は、上記実施例に限らず、本発明の要旨を
変えない範囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
【００３５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、温度ム
ラ領域（低温領域）が存在する接続部を、発熱面と同一
面にならないように折曲げたから、ヒータの被加熱物に
対向する部分は均一な発熱面のみとなり、これにより、
ヒータを被加熱物と略同じ大きさの対向面積のものとす
ることが可能となる。これにより、従来に比べてヒータ
の小型化が可能となり、これが組込まれる装置全体の小
型化、低製造コスト化が可能となるといった効果を奏す
る。
ラ領域（低温領域）が存在する接続部を、発熱面と同一
面にならないように折曲げたから、ヒータの被加熱物に
対向する部分は均一な発熱面のみとなり、これにより、
ヒータを被加熱物と略同じ大きさの対向面積のものとす
ることが可能となる。これにより、従来に比べてヒータ
の小型化が可能となり、これが組込まれる装置全体の小
型化、低製造コスト化が可能となるといった効果を奏す
る。
【図１】本発明の加熱装置を適用した気相成長装置の反
応室内の状態を示す概略的説明図。
応室内の状態を示す概略的説明図。
【図２】同じく、本発明の加熱装置を構成するヒ−タの
概略的平面図。
概略的平面図。
【図３】同じく、ヒ−タの正面図。
【図４】同じく、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【図５】同じく、温度ムラ領域の発生状態を示す説明
図。
図。
【図６】本発明の第１の他の実施例を示すヒ−タの正面
図。
図。
【図７】本発明の第２の他の実施例を示すヒ−タの平面
図。
図。
【図８】本発明の第３の他の実施例を示すヒ−タの平面
図。
図。
【図９】本発明の第４の他の実施例を示すヒ−タの斜視
図。
図。
【図１０】従来のヒータの温度ムラ領域の発生状態を示
す説明図。
す説明図。
【図１１】同じく、概略的正面図。
Ｗ，Ｘ…被加熱物、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１
０Ｄ…ヒータ、１１…加熱装置、１２…左端部、１３…
右端部、１４，１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ…スリット、１
５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ…発熱部、１６，１６Ａ，
１６Ｂ，１６Ｃ…接続部、１７，１７Ａ，１７Ｂ…端
子、１８，１８Ａ，１８Ｂ…端子、２０，２０Ａ，２０
Ｂ，２０Ｃ…発熱面、２１…温度ムラ領域（低温領
域）。
０Ｄ…ヒータ、１１…加熱装置、１２…左端部、１３…
右端部、１４，１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ…スリット、１
５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ…発熱部、１６，１６Ａ，
１６Ｂ，１６Ｃ…接続部、１７，１７Ａ，１７Ｂ…端
子、１８，１８Ａ，１８Ｂ…端子、２０，２０Ａ，２０
Ｂ，２０Ｃ…発熱面、２１…温度ムラ領域（低温領
域）。
Claims (1)
- 【請求項１】被加熱物を、該被加熱物の被加熱面に対し
て発熱面が平行となるように配置したヒータにより加熱
する加熱装置であって、 前記ヒータが、 スリットにより隔別され面状に配設された複数の帯状発
熱部と、 これら複数の帯状発熱部によって前記発熱面を形成すべ
く前記帯状発熱部の両端部を交互に接続することにより
両端部が端子に接続する電路を形成させる接続部と、を
具備し、 前記接続部を、前記発熱面に対して同一面とならないよ
うに折曲げたことを特徴とする加熱装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253255A JP3067490B2 (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 加熱装置 |
| US08/525,266 US5700992A (en) | 1993-10-08 | 1995-09-07 | Zigzag heating device with downward directed connecting portions |
| US08/598,629 US5671323A (en) | 1993-10-08 | 1996-02-12 | Zigzag heating device with downward directed connecting portions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253255A JP3067490B2 (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106261A true JPH07106261A (ja) | 1995-04-21 |
| JP3067490B2 JP3067490B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=17248734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5253255A Expired - Lifetime JP3067490B2 (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 加熱装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5671323A (ja) |
| JP (1) | JP3067490B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008140647A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Momentive Performance Materials Japan Kk | ヒータ |
| JP2010040718A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Soken Kogyo Kk | ヒータ、基板加熱装置およびこれを用いる結晶成長装置 |
| JP2016171066A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ヒータおよびこれを用いた半導体製造装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10237917B2 (en) * | 2015-03-09 | 2019-03-19 | Nuflare Technology, Inc. | Heater and apparatus for manufacturing semiconductor device using heater |
| JP6707827B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2020-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US497795A (en) * | 1893-05-23 | Samuel b | ||
| US2042233A (en) * | 1934-02-21 | 1936-05-26 | Westinghouse Electric & Mfg Co | Electric range |
| DE1540067A1 (de) * | 1965-05-28 | 1969-12-11 | Licentia Gmbh | Hochleistungswiderstand |
| US3573429A (en) * | 1969-01-08 | 1971-04-06 | Mc Donnell Douglas Corp | Heating device |
| US4410796A (en) * | 1981-11-19 | 1983-10-18 | Ultra Carbon Corporation | Segmented heater assembly |
| DE3242959C2 (de) * | 1981-11-20 | 1986-02-20 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho, Kobe | Isostatische Heißpreßvorrichtung |
| SU1239898A1 (ru) * | 1984-10-23 | 1986-06-23 | Харьковское Отделение Всесоюзного Научно-Исследовательского Института Электротермического Оборудования | Ленточный нагреватель дл электропечей |
| JPS624315A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 気相成長装置用サセプタ |
| JPS62169321A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Hitachi Ltd | 真空蒸着用蒸発源 |
-
1993
- 1993-10-08 JP JP5253255A patent/JP3067490B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-02-12 US US08/598,629 patent/US5671323A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008140647A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Momentive Performance Materials Japan Kk | ヒータ |
| JP4690297B2 (ja) * | 2006-12-01 | 2011-06-01 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | ヒータ |
| JP2010040718A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Soken Kogyo Kk | ヒータ、基板加熱装置およびこれを用いる結晶成長装置 |
| JP2016171066A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ヒータおよびこれを用いた半導体製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5671323A (en) | 1997-09-23 |
| JP3067490B2 (ja) | 2000-07-17 |
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