JPH07105918B2 - イメージセンサ用オフセット補正装置 - Google Patents
イメージセンサ用オフセット補正装置Info
- Publication number
- JPH07105918B2 JPH07105918B2 JP60051556A JP5155685A JPH07105918B2 JP H07105918 B2 JPH07105918 B2 JP H07105918B2 JP 60051556 A JP60051556 A JP 60051556A JP 5155685 A JP5155685 A JP 5155685A JP H07105918 B2 JPH07105918 B2 JP H07105918B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- offset
- voltage
- shift register
- image
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims description 25
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/401—Compensating positionally unequal response of the pick-up or reproducing head
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/672—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction between adjacent sensors or output registers for reading a single image
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はイメージセンサに関し、特にイメージセンサの
シフトレジスタにおけるオフセット電圧を実質的に等し
く保持するためのオフセット補正装置に関する。
シフトレジスタにおけるオフセット電圧を実質的に等し
く保持するためのオフセット補正装置に関する。
従来の技術 電荷結合デバイス（CCD）の如きイメージセンサにおけ
る最近の開発は、より速い走査速度及びより大きな解像
度に対する追求によって促進され、並列入力／直列出力
アナログ形シフトレジスタの多重バンクまたはチャネル
を用いるイメージセンサが開発されるに至っている。こ
れらイメージセンサの代表的なものとして、感光性素子
の線形アレイの各側に２つのシフトレジスタバンクまた
はチャネルに配置された４つのシフトレジスタを用いた
四列線形イメージセンサがある。この型式のイメージセ
ンサにおいては、４つ目ごとの感光性素子上の画像信号
が一つのシフトレジスタに転送される。その後、シフト
レジスタ内の画像信号は上記シフトレジスタチャネルに
沿って直列にクロック送りされ、そして、シフトレジス
タ出力の多重化を介して、直列の流れとして共通出力端
子へ送られる。
る最近の開発は、より速い走査速度及びより大きな解像
度に対する追求によって促進され、並列入力／直列出力
アナログ形シフトレジスタの多重バンクまたはチャネル
を用いるイメージセンサが開発されるに至っている。こ
れらイメージセンサの代表的なものとして、感光性素子
の線形アレイの各側に２つのシフトレジスタバンクまた
はチャネルに配置された４つのシフトレジスタを用いた
四列線形イメージセンサがある。この型式のイメージセ
ンサにおいては、４つ目ごとの感光性素子上の画像信号
が一つのシフトレジスタに転送される。その後、シフト
レジスタ内の画像信号は上記シフトレジスタチャネルに
沿って直列にクロック送りされ、そして、シフトレジス
タ出力の多重化を介して、直列の流れとして共通出力端
子へ送られる。
しかし、イメージセンサにおける多重シフトレジスタバ
ンクの使用は、走査速度及び解像度を高めるが、正確な
画像信号表現を得ようとすると、シフトレジスタのバン
クを平衡させることを必要とする。即ち、シフトレジス
タ内には内部オフセット電圧が発生する可能性があり、
また、各シフトレジスタの作動特性が個別的に若干異な
っている可能性があるので、各シフトレジスタバンク内
に異なったオフセット電圧が生ずる可能性がある。この
オフセット電圧はCCDによる画像信号出力に加えられて
その一部となるので、このオフセット電圧成分を除去し
て画像内容を正確に反映する画像信号を提供するための
手段がCCDの下流のどこかの点に設けられるのが通例で
ある。しかし、オフセット電圧が一つの画像信号から次
の画像信号へかけて変化する場合には、オフセット電圧
成分の除去が困難となる。即ち、シフトレジスタバンク
相互間のオフセット電圧の食い違いが300mV程度にまで
及ぶことは稀ではないのであるが、画像における目で見
える差異を防止しようとすると、シフトレジスタ対シフ
トレジスタのオフセット電圧が実質的に均等であらねば
ならない。
ンクの使用は、走査速度及び解像度を高めるが、正確な
画像信号表現を得ようとすると、シフトレジスタのバン
クを平衡させることを必要とする。即ち、シフトレジス
タ内には内部オフセット電圧が発生する可能性があり、
また、各シフトレジスタの作動特性が個別的に若干異な
っている可能性があるので、各シフトレジスタバンク内
に異なったオフセット電圧が生ずる可能性がある。この
オフセット電圧はCCDによる画像信号出力に加えられて
その一部となるので、このオフセット電圧成分を除去し
て画像内容を正確に反映する画像信号を提供するための
手段がCCDの下流のどこかの点に設けられるのが通例で
ある。しかし、オフセット電圧が一つの画像信号から次
の画像信号へかけて変化する場合には、オフセット電圧
成分の除去が困難となる。即ち、シフトレジスタバンク
相互間のオフセット電圧の食い違いが300mV程度にまで
及ぶことは稀ではないのであるが、画像における目で見
える差異を防止しようとすると、シフトレジスタ対シフ
トレジスタのオフセット電圧が実質的に均等であらねば
ならない。
上述の如きシフトレジスタのバンク相互間のオフセット
電圧は、その後の画素ごとの補正によって補正すること
ができるかもしれないが、この方式の補正は、補正され
る問題が基本的には固定パターンノイズに過ぎないの
で、装置を過度且つ不当に複雑化するだけである。ま
た、可変電圧源を用い、その電圧を、当初、工場で、ま
たは設置時に調節してオフセットを所望の最小値にして
おくという方式もある。しかし、この方式は、組立て時
に補正を行なうのみのものであるから、その価値は疑わ
しいものである。イメージセンサ構成部材のセンサ組立
て後の使用及び経時変化、並びに温度のような環境条件
によってドリフトが生じ、またオフセット電圧の高さが
変化し、その結果、シフトレジスタのオフセット電圧相
互間に必要な平衡度を保持するが不可能である前述の固
定した補正状態となる。
電圧は、その後の画素ごとの補正によって補正すること
ができるかもしれないが、この方式の補正は、補正され
る問題が基本的には固定パターンノイズに過ぎないの
で、装置を過度且つ不当に複雑化するだけである。ま
た、可変電圧源を用い、その電圧を、当初、工場で、ま
たは設置時に調節してオフセットを所望の最小値にして
おくという方式もある。しかし、この方式は、組立て時
に補正を行なうのみのものであるから、その価値は疑わ
しいものである。イメージセンサ構成部材のセンサ組立
て後の使用及び経時変化、並びに温度のような環境条件
によってドリフトが生じ、またオフセット電圧の高さが
変化し、その結果、シフトレジスタのオフセット電圧相
互間に必要な平衡度を保持するが不可能である前述の固
定した補正状態となる。
発明の目的 本発明の目的はイメージセンサにおけるシフトレジスタ
のオフセット電圧を補正するための改良された装置を提
供することにある。
のオフセット電圧を補正するための改良された装置を提
供することにある。
発明の構成 本発明装置は、少なくとも１つの線形アレイに配置され
た複数の感光性素子と、順次間隔配置された上記感光性
素子から画像信号を受取るための並列入力／直列出力シ
フトレジスタの少なくとも２つの個別的バンクと、上記
シフトレジスタのオフセット電圧を平衡させるための電
圧源とを有するイメージセンサにおけるシフトレジスタ
のオフセット電圧を補正するためのものであり、この本
発明装置は、各上記バンクのシフトレジスタにおける現
在のオフセット電圧を表わす信号を提供する手段と、上
記信号を比較して制御信号を提供するための手段と、上
記制御信号に応答して上記電圧源を調節して各上記シフ
トレジスタバンクにおけるオフセット電圧を互いに平衡
させるための手段とを備えたことを特徴とするものであ
る。
た複数の感光性素子と、順次間隔配置された上記感光性
素子から画像信号を受取るための並列入力／直列出力シ
フトレジスタの少なくとも２つの個別的バンクと、上記
シフトレジスタのオフセット電圧を平衡させるための電
圧源とを有するイメージセンサにおけるシフトレジスタ
のオフセット電圧を補正するためのものであり、この本
発明装置は、各上記バンクのシフトレジスタにおける現
在のオフセット電圧を表わす信号を提供する手段と、上
記信号を比較して制御信号を提供するための手段と、上
記制御信号に応答して上記電圧源を調節して各上記シフ
トレジスタバンクにおけるオフセット電圧を互いに平衡
させるための手段とを備えたことを特徴とするものであ
る。
本発明の他の目的、特徴及び利点は、本発明の実施例に
ついて図面を参照して行なう以下の詳細な説明から明ら
かになる。
ついて図面を参照して行なう以下の詳細な説明から明ら
かになる。
実施例 第１図ないし第３図に、本発明のセンサ補正装置を用い
るのに適合する構成の四列線形電荷結合デバイス（CC
D）の形式のソリッドステート型イメージャまたはスキ
ャナ５を示す。以下においては本発明センサ補正装置を
CCD5に関連して図示及び説明するが、本発明はこれに限
定されるものではなく、分離したオペレーティングチャ
ネルを使用する任意のイメージャまたはセンサにも用い
ることができる。
るのに適合する構成の四列線形電荷結合デバイス（CC
D）の形式のソリッドステート型イメージャまたはスキ
ャナ５を示す。以下においては本発明センサ補正装置を
CCD5に関連して図示及び説明するが、本発明はこれに限
定されるものではなく、分離したオペレーティングチャ
ネルを使用する任意のイメージャまたはセンサにも用い
ることができる。
CCD5は、単一のシリコン集積回路チップ15上に線形の列
またはアレイ14に配置された複数のイメージセンサまた
は感光性素子を有している。CCD5は、例えば米国特許第
4,122,352号に示されている型式の画像装置において、
原画書類の図式画像を一連りの電気的画像信号または画
素に変換する作用をなす。例えば、感光性素子が、CCD5
における如き電荷結合セル13からなっている場合には、
照明された書類に対して露光させると、この原画書類か
ら反射した光のエネルギーに比例する電荷が発生する。
露光は、積分速度と呼ばれている予め設定された時間間
隔にわたって行なわれる。積分の後、上記セル内の電荷
は、第１及び第２の転送ゲートアレイ10及び12を介し
て、アナログ形の並列入力／直列出力シフトレジスタ
１、２、３、４の位相ゲートへ転送される。
またはアレイ14に配置された複数のイメージセンサまた
は感光性素子を有している。CCD5は、例えば米国特許第
4,122,352号に示されている型式の画像装置において、
原画書類の図式画像を一連りの電気的画像信号または画
素に変換する作用をなす。例えば、感光性素子が、CCD5
における如き電荷結合セル13からなっている場合には、
照明された書類に対して露光させると、この原画書類か
ら反射した光のエネルギーに比例する電荷が発生する。
露光は、積分速度と呼ばれている予め設定された時間間
隔にわたって行なわれる。積分の後、上記セル内の電荷
は、第１及び第２の転送ゲートアレイ10及び12を介し
て、アナログ形の並列入力／直列出力シフトレジスタ
１、２、３、４の位相ゲートへ転送される。
上部のシフトレジスタバンクまたはチャネルを形成して
いるシフトレジスタ１及び３はセンサアレイ14の一方の
側に配置されており、下部のシフトレジスタバンクまた
はチャネルを形成しているシフトレジスタ２及び４は上
記センサアレイの他方の側に配置されている。転送中
は、転送ゲートアレイ10は、クロックパルスφT1におい
て、奇数番号のセル13からシフトレジスタ１の位相ゲー
トへ電荷を転送し、偶数番号のセルからシフトレジスタ
２の位相ゲートへ電荷を転送する。クロックパルスφT2
において、転送ゲートアレイ12は、シフトレジスタ１及
び２の一つ置きの位相ゲート内の電荷をシフトレジスタ
３及び４の対応の位相ゲートへ転送する。その結果、セ
ンサアレイ14内の４つ目ごとのセル13からの画像信号が
４つ目ごとのシフトレジスタ位相ゲートへ転送される。
即ち、セル13−１、13−５、13−９、・・・;13−２、1
3−６、13-10、・・・;13−３、13−７、13-11、・・
・；及び13−４、13−８、13-12、・・・から位相ゲー
ト１−１、１−３、１−５、・・・;2−１、２−３、２
−５、・・・;3−２、３−４、３−６、・・・及び４−
２、４−４、４−６、・・・へそれぞれ転送される。
いるシフトレジスタ１及び３はセンサアレイ14の一方の
側に配置されており、下部のシフトレジスタバンクまた
はチャネルを形成しているシフトレジスタ２及び４は上
記センサアレイの他方の側に配置されている。転送中
は、転送ゲートアレイ10は、クロックパルスφT1におい
て、奇数番号のセル13からシフトレジスタ１の位相ゲー
トへ電荷を転送し、偶数番号のセルからシフトレジスタ
２の位相ゲートへ電荷を転送する。クロックパルスφT2
において、転送ゲートアレイ12は、シフトレジスタ１及
び２の一つ置きの位相ゲート内の電荷をシフトレジスタ
３及び４の対応の位相ゲートへ転送する。その結果、セ
ンサアレイ14内の４つ目ごとのセル13からの画像信号が
４つ目ごとのシフトレジスタ位相ゲートへ転送される。
即ち、セル13−１、13−５、13−９、・・・;13−２、1
3−６、13-10、・・・;13−３、13−７、13-11、・・
・；及び13−４、13−８、13-12、・・・から位相ゲー
ト１−１、１−３、１−５、・・・;2−１、２−３、２
−５、・・・;3−２、３−４、３−６、・・・及び４−
２、４−４、４−６、・・・へそれぞれ転送される。
外部画素クロック22が適当な積分クロックパルス（図示
せず）を提供し、その間、走査中の書類画像を表わす電
荷がセル13内に累積し、クロックパルスφT1、φT2を転
送して転送ゲートアレイ10、12をそれぞれ作動させ、セ
ル13から上記シフトレジスタ位相ゲートへ電荷を転送さ
せる。クロック22はまた、上記の画像電荷をシフトレジ
スタ１、２、３、４に沿って（即ち第１図において左か
ら右へ）直列に移動させるための位相パルスφ1、φ2、
φ3、φ4、マスタクロックパルスφM、リセッタパルス
φRESET、及び不良画素抹消クロックφBPを提供し、こ
の最後のものは不良セルの場合にサンプリングを禁止
し、その前のセル内の電荷が保持されて上記不良セルか
らの信号として使用されるようにする。オンチップクロ
ック25がリストアパルスφR並びに相補サンプル保持ク
ロックパルスφSH1,3及びφSH2,4を提供する。
せず）を提供し、その間、走査中の書類画像を表わす電
荷がセル13内に累積し、クロックパルスφT1、φT2を転
送して転送ゲートアレイ10、12をそれぞれ作動させ、セ
ル13から上記シフトレジスタ位相ゲートへ電荷を転送さ
せる。クロック22はまた、上記の画像電荷をシフトレジ
スタ１、２、３、４に沿って（即ち第１図において左か
ら右へ）直列に移動させるための位相パルスφ1、φ2、
φ3、φ4、マスタクロックパルスφM、リセッタパルス
φRESET、及び不良画素抹消クロックφBPを提供し、こ
の最後のものは不良セルの場合にサンプリングを禁止
し、その前のセル内の電荷が保持されて上記不良セルか
らの信号として使用されるようにする。オンチップクロ
ック25がリストアパルスφR並びに相補サンプル保持ク
ロックパルスφSH1,3及びφSH2,4を提供する。
シフトレジスタ１、２、３、４内の２つ目ごとの位相ゲ
ートへの画像電荷の転送に引き続いて、上記電荷は、位
相パルスφ1、φ2、φ3、φ4により、レジスタ１、２、
３、４に沿って直列に（即ち第１図において左から右
へ）、そして上記シフトレジスタの出力端子から出力ゲ
ート28、28′へ移動させられる。出力ゲート28、28′は
それぞれリセットトランジスタ30、30′を介して所定の
基準電圧（VREF）に予め設定されており、トランジスタ
30、30′はリセットパルスφRESETによって画像信号相
互間でイネーブルされる。基準電圧（VREF）は固定電圧
源50（第３図）から引き出され、出力ゲート28、28′の
一つに対する上記基準電圧の高さは、後で解るように、
本発明のセンサ補正回路によって制御される。生のビデ
オ信号に対してバッファとして働く電流追従増巾器34、
34′が、出力ゲート28、28′とトランジスタ30、30′と
のそれぞれの間の浮遊拡散ノード32、32′における電圧
の変化を検知する。サンプルホールド（SH）回路35、3
5′がそれぞれトランジスタ36、36′を有しておって生
のビデオ信号をサンプリングし、トランジスタ36、36′
は非並行の位相クロックパルスφSH1,3及びφSH2,4によ
ってイネーブルされて上記信号を出力増巾器40及び路線
41へ直列に通過させる。
ートへの画像電荷の転送に引き続いて、上記電荷は、位
相パルスφ1、φ2、φ3、φ4により、レジスタ１、２、
３、４に沿って直列に（即ち第１図において左から右
へ）、そして上記シフトレジスタの出力端子から出力ゲ
ート28、28′へ移動させられる。出力ゲート28、28′は
それぞれリセットトランジスタ30、30′を介して所定の
基準電圧（VREF）に予め設定されており、トランジスタ
30、30′はリセットパルスφRESETによって画像信号相
互間でイネーブルされる。基準電圧（VREF）は固定電圧
源50（第３図）から引き出され、出力ゲート28、28′の
一つに対する上記基準電圧の高さは、後で解るように、
本発明のセンサ補正回路によって制御される。生のビデ
オ信号に対してバッファとして働く電流追従増巾器34、
34′が、出力ゲート28、28′とトランジスタ30、30′と
のそれぞれの間の浮遊拡散ノード32、32′における電圧
の変化を検知する。サンプルホールド（SH）回路35、3
5′がそれぞれトランジスタ36、36′を有しておって生
のビデオ信号をサンプリングし、トランジスタ36、36′
は非並行の位相クロックパルスφSH1,3及びφSH2,4によ
ってイネーブルされて上記信号を出力増巾器40及び路線
41へ直列に通過させる。
不良画素に適応するには、トランジスタ36または36′に
与えられる非並行のクロック信号φSH1,3またはφSH2,4
を或る時間にわたって保持し、上記不良画素の前の信号
が該不良画素に代って伝送されるようにする。
与えられる非並行のクロック信号φSH1,3またはφSH2,4
を或る時間にわたって保持し、上記不良画素の前の信号
が該不良画素に代って伝送されるようにする。
トランジスタ42、42′はコンデンサ44とともにパルスフ
ィルタとして働いて実効サンプルホールド電荷抹消を行
ない、ビデオ信号の高さを平らにする。
ィルタとして働いて実効サンプルホールド電荷抹消を行
ない、ビデオ信号の高さを平らにする。
CCD5のようなCCDにおいては、オフセット電圧と呼ばれ
る電圧がCCDシフトレジスタ内に発生させられる。一般
に、このオフセット電圧は、4mVのような低い値から300
mVのような高い値までの範囲にわたっていることが認め
られる。何等かのオフセット電圧が存在していると、CC
Dの作用により、画像信号に追加されるから、上記CCDの
下流には、上記オフセット電圧を除去し、そして走査さ
れる画像の内容を正確に表わす画像信号を提供するため
の回路（図示せず）が一般に設けられている。CCD5のよ
うなCCDの場合におけるようにシフトレジスタの多重バ
ンクを用いてある場合には、一つのシフトレジスタバク
内のオフセット電圧は他のシフトレジスタバンク内のオ
フセット電圧と異なっており、そのために、オフセット
電圧を除去または中和しようとすることが困難となる。
る電圧がCCDシフトレジスタ内に発生させられる。一般
に、このオフセット電圧は、4mVのような低い値から300
mVのような高い値までの範囲にわたっていることが認め
られる。何等かのオフセット電圧が存在していると、CC
Dの作用により、画像信号に追加されるから、上記CCDの
下流には、上記オフセット電圧を除去し、そして走査さ
れる画像の内容を正確に表わす画像信号を提供するため
の回路（図示せず）が一般に設けられている。CCD5のよ
うなCCDの場合におけるようにシフトレジスタの多重バ
ンクを用いてある場合には、一つのシフトレジスタバク
内のオフセット電圧は他のシフトレジスタバンク内のオ
フセット電圧と異なっており、そのために、オフセット
電圧を除去または中和しようとすることが困難となる。
次に第３図について説明すると、図は本発明のセンサ補
正回路49を示すものである。オフセット電圧を制御する
ために、路線41内の画像信号出力を路線54、54′によっ
て分岐する。線路54、54′は、それぞれ、アナログマル
チプレクサ58、58′及び信号記憶コンデンサ59、59′を
介してアースのような共通電位に接続されている。マル
チプレクサ58、58′の制御端子は、線路63、63′によ
り、AND機能ゲート62、62′に接続されている。クロッ
ク25のDCリストアクロック信号φR出力はクロックリー
ド線67、67′をそれぞれ介してゲート62、62′の一方の
入力端子に加えられ、多重化クロックパルスφSH1,3及
びφSH2,4はクロックリード線68、68′をそれぞれ介し
てゲート62、62′の第２の入力端子に入力される。
正回路49を示すものである。オフセット電圧を制御する
ために、路線41内の画像信号出力を路線54、54′によっ
て分岐する。線路54、54′は、それぞれ、アナログマル
チプレクサ58、58′及び信号記憶コンデンサ59、59′を
介してアースのような共通電位に接続されている。マル
チプレクサ58、58′の制御端子は、線路63、63′によ
り、AND機能ゲート62、62′に接続されている。クロッ
ク25のDCリストアクロック信号φR出力はクロックリー
ド線67、67′をそれぞれ介してゲート62、62′の一方の
入力端子に加えられ、多重化クロックパルスφSH1,3及
びφSH2,4はクロックリード線68、68′をそれぞれ介し
てゲート62、62′の第２の入力端子に入力される。
路線54、54′は、マルチプレクサ58、58′とコンデンサ
59、59′とのそれぞれの間で路線69、69′によって分岐
されており、路線69、69′は適当な増巾器70の負及び正
の端子に接続されている。センサ補正回路49の増巾器70
の出力端子は、路線71により、抵抗72を介して、基準電
圧源50とリセットトランジスタ30（第１図）との間で基
準電圧（VREF）線51に接続されている。基準電圧線53が
基準電圧群50とリセットトランジスタ30′とを直接接続
している。
59、59′とのそれぞれの間で路線69、69′によって分岐
されており、路線69、69′は適当な増巾器70の負及び正
の端子に接続されている。センサ補正回路49の増巾器70
の出力端子は、路線71により、抵抗72を介して、基準電
圧源50とリセットトランジスタ30（第１図）との間で基
準電圧（VREF）線51に接続されている。基準電圧線53が
基準電圧群50とリセットトランジスタ30′とを直接接続
している。
シフトレジスタ１、２、３、４内の現在のオフセット電
圧を識別するために、暗いまたは黒の画像信号が発生さ
れる。この信号は、最後の画像信号を越えて少なくとも
所定の回数（即ち16回）だけレジスタ１、２、３、４を
クロック動作させることによって便利に得られる。介在
露光が生じないので、レジスタ１、２、３、４内に生ず
る信号は該シフトレジスタにおける内部電圧、即ちオフ
セット電圧を表わす電圧を有す。従って、最後の画像信
号がCCD5からクロックアウトされた後に、現在のシフト
レジスタのオフセット電圧を表わす黒の信号が続く。ク
ロックパルスφRによって計られるDCリストア時間間隔
中に所定数、即ち16個の黒の信号がセンサ補正回路49に
入力され、回路49をリセット及び更新する。
圧を識別するために、暗いまたは黒の画像信号が発生さ
れる。この信号は、最後の画像信号を越えて少なくとも
所定の回数（即ち16回）だけレジスタ１、２、３、４を
クロック動作させることによって便利に得られる。介在
露光が生じないので、レジスタ１、２、３、４内に生ず
る信号は該シフトレジスタにおける内部電圧、即ちオフ
セット電圧を表わす電圧を有す。従って、最後の画像信
号がCCD5からクロックアウトされた後に、現在のシフト
レジスタのオフセット電圧を表わす黒の信号が続く。ク
ロックパルスφRによって計られるDCリストア時間間隔
中に所定数、即ち16個の黒の信号がセンサ補正回路49に
入力され、回路49をリセット及び更新する。
画像積分時間間隔が終ると、前述したように、アレイ14
のセル13内の画像電荷は、転送クロックパルスφT1、φ
T2があったときにシフトレジスタ１、２、３、４の位相
ゲートへ転送される。その結果、各シフトレジスタ１、
２、３、４は２つ目ごとの位相ゲート内に画像電荷を有
していることとなり、この画像電荷の位置は各シフトレ
ジスタにおいて１つずつずれる。即ち、例えば、シフト
レジスタ１は位相ゲート１−１、１−３、１−３、・・
・内のセル13−１、13−５、13−９・・・からの画像電
荷を有し、シフトレジスタ２は位相ゲート２−１、２−
３、２−５、・・・内のセル13−２、13−６、13-10、
・・・からの画像電荷を有し、シフトレジスタ３は位相
ゲート３−２、３−４、３−６、・・・内のセル13−
３、13−７、13-11、・・・からの画像電荷を有し、以
下同様となる。シフトレジスタ１、２、３、４内の画像
電荷は、クロックパルスφ1、φ2、φ3、φ4により、シ
フトレジスタ１、２、３、４に沿って出力ゲート28、2
8′へ直列に移動させられ、サンプルホールド回路35、3
5′によってサンプリングされ、、増巾器40によって増
巾され、前述したように単一の直列画像信号となって路
線41に出力される。画像電荷がシフトレジスタ１、２、
３、４に沿って、位相ゲートから位相ゲートへ、シフト
レジスタ出力端子へ向かって直列に移動させられるにつ
れて、その信号は、シフトレジスタの現在のオフセット
電圧（これが在る場合に）を表わす黒の信号で置き換え
られる。DCリストアクロックパルスφR中に、ゲート6
2、62′がイネーブルされる。このリストア時間間隔中
に、各サンプルホールド回路φSH1,3、φSH2,4をもっ
て、ゲート62、62′は、路線41への黒の信号の出力と調
時された同期状態で交互に賦勢される。線路63、63′へ
のゲート62、62′の信号出力はそれぞれマルチプレクサ
58、58′を、路線41への黒の信号の通過と同期してトリ
ガし、このマルチプレクサのトリガ動作により、現在の
オフセット電圧を表わす黒の信号がコンデンサ59、59′
にそれぞれ加えられる。
のセル13内の画像電荷は、転送クロックパルスφT1、φ
T2があったときにシフトレジスタ１、２、３、４の位相
ゲートへ転送される。その結果、各シフトレジスタ１、
２、３、４は２つ目ごとの位相ゲート内に画像電荷を有
していることとなり、この画像電荷の位置は各シフトレ
ジスタにおいて１つずつずれる。即ち、例えば、シフト
レジスタ１は位相ゲート１−１、１−３、１−３、・・
・内のセル13−１、13−５、13−９・・・からの画像電
荷を有し、シフトレジスタ２は位相ゲート２−１、２−
３、２−５、・・・内のセル13−２、13−６、13-10、
・・・からの画像電荷を有し、シフトレジスタ３は位相
ゲート３−２、３−４、３−６、・・・内のセル13−
３、13−７、13-11、・・・からの画像電荷を有し、以
下同様となる。シフトレジスタ１、２、３、４内の画像
電荷は、クロックパルスφ1、φ2、φ3、φ4により、シ
フトレジスタ１、２、３、４に沿って出力ゲート28、2
8′へ直列に移動させられ、サンプルホールド回路35、3
5′によってサンプリングされ、、増巾器40によって増
巾され、前述したように単一の直列画像信号となって路
線41に出力される。画像電荷がシフトレジスタ１、２、
３、４に沿って、位相ゲートから位相ゲートへ、シフト
レジスタ出力端子へ向かって直列に移動させられるにつ
れて、その信号は、シフトレジスタの現在のオフセット
電圧（これが在る場合に）を表わす黒の信号で置き換え
られる。DCリストアクロックパルスφR中に、ゲート6
2、62′がイネーブルされる。このリストア時間間隔中
に、各サンプルホールド回路φSH1,3、φSH2,4をもっ
て、ゲート62、62′は、路線41への黒の信号の出力と調
時された同期状態で交互に賦勢される。線路63、63′へ
のゲート62、62′の信号出力はそれぞれマルチプレクサ
58、58′を、路線41への黒の信号の通過と同期してトリ
ガし、このマルチプレクサのトリガ動作により、現在の
オフセット電圧を表わす黒の信号がコンデンサ59、59′
にそれぞれ加えられる。
増巾器70は、コンデンサ59、59′から該増巾器の負端子
及び正端子に加えられる信号にある差異を増巾し、路線
51内の電圧に対して減算的または加算的の電圧成分を出
力して電圧（VREF）を下げるかまたは高め、上記バンク
のシフトレジスタ１、３に対するトランジスタ30をリセ
ットする。シフトレジスタ１、３に対する基準電圧のこ
の調節により、上部バンクのシフトレジスタ１、３内の
オフセット電圧は下部バンクのシフトレジスタ２、４内
のオフセット電圧と実質的に等しくなり、上記シフトレ
ジスタのバンク相互間のオフセット電圧の差異がなくな
る。
及び正端子に加えられる信号にある差異を増巾し、路線
51内の電圧に対して減算的または加算的の電圧成分を出
力して電圧（VREF）を下げるかまたは高め、上記バンク
のシフトレジスタ１、３に対するトランジスタ30をリセ
ットする。シフトレジスタ１、３に対する基準電圧のこ
の調節により、上部バンクのシフトレジスタ１、３内の
オフセット電圧は下部バンクのシフトレジスタ２、４内
のオフセット電圧と実質的に等しくなり、上記シフトレ
ジスタのバンク相互間のオフセット電圧の差異がなくな
る。
以上においては上部バンクのシフトレジスタ１、３に対
する基準電圧（VREF）の調節について説明したが、その
代りに下部バンクのシフトレジスタ２、４に対する基準
電圧を調節してもよい。
する基準電圧（VREF）の調節について説明したが、その
代りに下部バンクのシフトレジスタ２、４に対する基準
電圧を調節してもよい。
画像信号多重化をチップから離れて行ないたい場合が屡
々ある。かかる場合の実施例を第４図に示してあり、上
述におけると同様の参照番号は同様部材を示す。チップ
から離れたオフチップ式多重化を望む場合には、上部シ
フトレジスタバンクのシフトレジスタ１、３、及び下部
シフトレジスタバンクのシフトレジスタ２、４の別々の
画像信号出力を１対の出力増巾器80、80′を介して双対
出力線81、81′に出力する。このチップ構成を行なうた
めに、本発明のセンサ補正装置は、そのセンサ補正回路
49の路線54、54′を出力線81、81′にそれぞれ分岐させ
る。オフセット電圧補正係数がある場合にこれを表わし
ている増巾器70の出力を、抵抗84及び路線85を介して、
一方の出力増巾器、即ち本例においては増巾器80′の第
２の端子へ出力する。上記オフセット電圧補正係数は、
加算的または減算的の電圧を含んでおり、路線81′の画
像信号出力と組合わされ、路線81、81′を通じて出力さ
れる。画像信号のオフセット電圧成分を実質的に平衡さ
せる。
々ある。かかる場合の実施例を第４図に示してあり、上
述におけると同様の参照番号は同様部材を示す。チップ
から離れたオフチップ式多重化を望む場合には、上部シ
フトレジスタバンクのシフトレジスタ１、３、及び下部
シフトレジスタバンクのシフトレジスタ２、４の別々の
画像信号出力を１対の出力増巾器80、80′を介して双対
出力線81、81′に出力する。このチップ構成を行なうた
めに、本発明のセンサ補正装置は、そのセンサ補正回路
49の路線54、54′を出力線81、81′にそれぞれ分岐させ
る。オフセット電圧補正係数がある場合にこれを表わし
ている増巾器70の出力を、抵抗84及び路線85を介して、
一方の出力増巾器、即ち本例においては増巾器80′の第
２の端子へ出力する。上記オフセット電圧補正係数は、
加算的または減算的の電圧を含んでおり、路線81′の画
像信号出力と組合わされ、路線81、81′を通じて出力さ
れる。画像信号のオフセット電圧成分を実質的に平衡さ
せる。
本発明によれば、シフトレジスタ群の各々におけるオフ
セット電圧を表わすオフセット信号を得て、そのオフセ
ット信号を相互に比較してオフセット補正電圧を得て、
このオフセット補正電圧を基準電圧と合算して調節した
基準電圧を得て、この調節済み基準電圧をシフトレジス
タ群の一つに入力するので、２つのシフトレジスタ群の
オフセット電圧が中和させられて、これにより、シフト
レジスタの応答生を平衡させることができ、オフセット
電圧を自動的に補正している。また、本発明において
は、一方のシフトレジスタ群には普通の基準電圧源から
基準電圧をそのまま与え、他方のシフトレジスタ群には
普通の基準電圧源からの基準電圧にオフセット補正電圧
を合算して調節した基準電圧を与えているので、基準電
圧源は普通のものを使用でき、しかも、一つのシフトレ
ジスタ群への基準電圧の調節だけでよく、このため、極
めて簡単な回路構成で２つのシフトレジスタ群のオフセ
ット電圧を中和させることができる。
セット電圧を表わすオフセット信号を得て、そのオフセ
ット信号を相互に比較してオフセット補正電圧を得て、
このオフセット補正電圧を基準電圧と合算して調節した
基準電圧を得て、この調節済み基準電圧をシフトレジス
タ群の一つに入力するので、２つのシフトレジスタ群の
オフセット電圧が中和させられて、これにより、シフト
レジスタの応答生を平衡させることができ、オフセット
電圧を自動的に補正している。また、本発明において
は、一方のシフトレジスタ群には普通の基準電圧源から
基準電圧をそのまま与え、他方のシフトレジスタ群には
普通の基準電圧源からの基準電圧にオフセット補正電圧
を合算して調節した基準電圧を与えているので、基準電
圧源は普通のものを使用でき、しかも、一つのシフトレ
ジスタ群への基準電圧の調節だけでよく、このため、極
めて簡単な回路構成で２つのシフトレジスタ群のオフセ
ット電圧を中和させることができる。
以上、本発明を上に開示した構造について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範
囲に記載の如き本発明の範囲内で種種の変形または変更
が可能である。
本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範
囲に記載の如き本発明の範囲内で種種の変形または変更
が可能である。
第１図は本発明のセンサ補正装置が用いられる四列線形
型式のCCDイメージセンサの一例を示すブロック線図、
第２図は第１図に示すCCDイメージセンサの作動順序を
示すタイミングチャート、第３図は本発明のセンサ補正
装置の作動回路を示す論理ブロック線図、第４図は本発
明のセンサ補正装置の他の実施例を示す論理ブロック線
図である。 １、２、３、４……シフトレジスタ、13……電荷結合セ
ル、14……センサ、22、25……クロック、28、28′……
出力ゲート、34、34′……電源追従増巾器、35、35′…
…アキユムレータサンプルホールド回路、40、70、80、
80′……増巾器、50……電圧源、58、58′……マルチプ
レクサ、59、59′……信号記憶コンデンサ、62、62′…
…ANDゲート。
型式のCCDイメージセンサの一例を示すブロック線図、
第２図は第１図に示すCCDイメージセンサの作動順序を
示すタイミングチャート、第３図は本発明のセンサ補正
装置の作動回路を示す論理ブロック線図、第４図は本発
明のセンサ補正装置の他の実施例を示す論理ブロック線
図である。 １、２、３、４……シフトレジスタ、13……電荷結合セ
ル、14……センサ、22、25……クロック、28、28′……
出力ゲート、34、34′……電源追従増巾器、35、35′…
…アキユムレータサンプルホールド回路、40、70、80、
80′……増巾器、50……電圧源、58、58′……マルチプ
レクサ、59、59′……信号記憶コンデンサ、62、62′…
…ANDゲート。
Claims (1)
- 【請求項１】複数の感光素子によって発生する画像信号
を処理して少なくとも１つの直列画像信号出力を提供す
る、少なくとも２群の並列入力／直列出力シフトレジス
タと、このシフトレジスタへ入力する基準電圧源とを有
するイメージセンサに用いられ、該イメージセンサのシ
フトレジスタオフセット電圧における差異を中和するオ
フセット補正装置において、 （ａ） 前記シフトレジスタ群の各々におけるオフセッ
ト電圧を表わすオフセット信号を発生するためのオフセ
ット信号発生手段と、 （ｂ） 前記オフセット信号を相互に比較してオフセッ
ト補正電圧を提供するためのオフセット信号比較手段
と、 （ｃ） 前記オフセット補正電圧を前記基準電圧と合算
して調節した基準電圧を提供するための手段と、 （ｄ） 前記調節済み基準電圧を前記シフトレジスタ群
の少なくとも一つに入力して前記シフトレジスタ群にお
けるオフセット電圧の差異を中和するための手段と を備えて成ることを特徴とするオフセット補正装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US592128 | 1984-03-22 | ||
| US06/592,128 US4555732A (en) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | Image sensor correction system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214173A JPS60214173A (ja) | 1985-10-26 |
| JPH07105918B2 true JPH07105918B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=24369401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60051556A Expired - Lifetime JPH07105918B2 (ja) | 1984-03-22 | 1985-03-14 | イメージセンサ用オフセット補正装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4555732A (ja) |
| JP (1) | JPH07105918B2 (ja) |
| GB (1) | GB2156628B (ja) |
Families Citing this family (76)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4665440A (en) * | 1985-09-17 | 1987-05-12 | Honeywell, Inc. | Parallel processing of the output from monolithic sensor arrays |
| US4862286A (en) * | 1986-11-14 | 1989-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading apparatus which adjusts image signals to improve signal balance |
| US4920428A (en) * | 1988-07-08 | 1990-04-24 | Xerox Corporation | Offset, gain and bad pixel correction in electronic scanning arrays |
| JPH0693768B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1994-11-16 | 日本電気株式会社 | 撮像信号処理装置 |
| DE69118279T2 (de) * | 1990-08-09 | 1996-10-31 | Sony Corp | CCD mit einem Paar von horizontalen Registern |
| JP2725508B2 (ja) * | 1991-12-30 | 1998-03-11 | 日本電気株式会社 | 多素子光センサ装置 |
| US5379065A (en) * | 1992-06-22 | 1995-01-03 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Programmable hyperspectral image mapper with on-array processing |
| US5616757A (en) * | 1993-04-08 | 1997-04-01 | Bausch & Lomb Incorporated | Organosilicon-containing materials useful for biomedical devices |
| US5519441A (en) * | 1993-07-01 | 1996-05-21 | Xerox Corporation | Apparatus and method for correcting offset and gain drift present during communication of data |
| US6038038A (en) * | 1994-08-24 | 2000-03-14 | Xerox Corporation | Method for determining offset and gain correction for a light sensitive sensor |
| US5621217A (en) * | 1995-09-28 | 1997-04-15 | Xerox Corporation | Apparatus and method for calibrating a digital scanner |
| JP3024532B2 (ja) * | 1995-12-15 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線撮像装置 |
| US5708094A (en) * | 1996-12-17 | 1998-01-13 | Bausch & Lomb Incorporated | Polybutadiene-based compositions for contact lenses |
| US6657662B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-12-02 | Xerox Corporation | System for resetting the video offset from dark photosensors in an image sensor array |
| JP2003510173A (ja) * | 1999-09-24 | 2003-03-18 | ボシュ・アンド・ロム・インコーポレイテッド | 抽出可能物質の除去に用いた溶媒の精製および再利用のためのプロセス |
| US6514438B1 (en) * | 1999-12-21 | 2003-02-04 | Bausch & Lomb Incorporated | Pulse extraction of ocular medical devices |
| US6900448B1 (en) * | 2000-07-31 | 2005-05-31 | Hewlett-Packard Development Company L.P. | Method and system for dynamic scanner calibration |
| US6364934B1 (en) | 2000-07-31 | 2002-04-02 | Bausch & Lomb Incorporated | Method of making ocular devices |
| MXPA03002322A (es) | 2000-09-19 | 2003-06-24 | Bausch & Lomb | Metodo para aplicar un recubrimiento a lentes polimericas. |
| US7149002B2 (en) * | 2000-12-21 | 2006-12-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Scanner including calibration target |
| US20060273686A1 (en) * | 2004-06-21 | 2006-12-07 | Edelson Jonathan S | Hub motors |
| US7582704B2 (en) * | 2005-07-01 | 2009-09-01 | Bausch & Lomb Incorporated | Biomedical devices |
| US7402634B2 (en) * | 2005-07-01 | 2008-07-22 | Bausch And Lamb Incorporated | Perfluorocyclobutane copolymers |
| US7534836B2 (en) * | 2005-07-01 | 2009-05-19 | Bausch & Lomb Incorporated | Biomedical devices |
| US7538160B2 (en) * | 2005-07-01 | 2009-05-26 | Bausch & Lomb Incorporated | Trifluorovinyl aromatic containing poly(alkyl ether) prepolymers |
| US7425600B2 (en) * | 2005-07-01 | 2008-09-16 | Bausch & Lomb Incorporated | Polymerization products and biomedical devices containing same |
| US20080002146A1 (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Stachowski Mark J | Biocompatible, surface modified materials |
| US20080142038A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Bausch & Lomb Incorporated | Surface treatment of medical devices |
| US20080141628A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Bausch & Lomb Incorporated | Packaging Solutions |
| EP2091585B1 (en) * | 2006-12-15 | 2010-12-15 | Bausch & Lomb Incorporated | Surface treatment of biomedical devices |
| US20080148689A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Bausch & Lomb Incorporated | Packaging solutions |
| US20080152540A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Bausch & Lomb Incorporated | Packaging solutions |
| US7691917B2 (en) | 2007-06-14 | 2010-04-06 | Bausch & Lomb Incorporated | Silcone-containing prepolymers |
| US7884141B2 (en) * | 2007-11-14 | 2011-02-08 | Bausch & Lomb Incorporated | Biomedical devices |
| WO2009079224A2 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Bausch & Lomb Incorporated | Surface modified biomedical devices |
| WO2009079223A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Bausch & Lomb Incorporated | Surface modified biomedical devices |
| WO2009079245A2 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Bausch & Lomb Incorporated | Biomedical devices |
| US20090173045A1 (en) * | 2008-01-09 | 2009-07-09 | Yu-Chin Lai | Packaging Solutions |
| US7837934B2 (en) * | 2008-01-09 | 2010-11-23 | Bausch & Lomb Incorporated | Packaging solutions |
| US20090173643A1 (en) * | 2008-01-09 | 2009-07-09 | Yu-Chin Lai | Packaging Solutions |
| US8030423B2 (en) * | 2008-01-25 | 2011-10-04 | Salamone Joseph C | Multi-armed macromonomers |
| WO2010077708A1 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-08 | Bausch & Lomb Incorporated | Packaging solutions |
| WO2010077646A2 (en) | 2008-12-30 | 2010-07-08 | Bausch & Lomb Incorporated | Method of applying renewable polymeric lens coating |
| US8419792B2 (en) * | 2008-12-30 | 2013-04-16 | Bausch & Lomb Incorporated | Brush copolymers |
| US8534031B2 (en) * | 2008-12-30 | 2013-09-17 | Bausch & Lomb Incorporated | Packaging solutions |
| WO2010077709A2 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-08 | Bausch & Lomb Incorporated | Biomedical devices |
| US20100168851A1 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-01 | David Paul Vanderbilt | Surface Modified Biomedical Devices |
| US8454689B2 (en) * | 2008-12-30 | 2013-06-04 | Bausch & Lomb Incorporated | Brush copolymers |
| US20100315588A1 (en) * | 2009-06-16 | 2010-12-16 | Bausch & Lomb Incorporated | Biomedical devices |
| US8133960B2 (en) * | 2009-06-16 | 2012-03-13 | Bausch & Lomb Incorporated | Biomedical devices |
| US8083348B2 (en) | 2009-06-16 | 2011-12-27 | Bausch & Lomb Incorporated | Biomedical devices |
| US8043369B2 (en) | 2009-06-16 | 2011-10-25 | Bausch & Lomb Incorporated | Biomedical devices |
| US9285508B2 (en) | 2009-06-16 | 2016-03-15 | Bausch & Lomb Incorporated | Biomedical devices |
| EP2791215A4 (en) | 2011-12-14 | 2015-07-22 | Semprus Biosciences Corp | SURGICAL PROCESS FOR SURFACE MODIFICATION OF CONTACT LENSES |
| WO2013090790A1 (en) | 2011-12-14 | 2013-06-20 | Semprus Biosciences Corp. | Silicone hydrogel contact lens modified using lanthanide or transition metal oxidants |
| US9120119B2 (en) | 2011-12-14 | 2015-09-01 | Semprus Biosciences Corporation | Redox processes for contact lens modification |
| US9000063B2 (en) | 2011-12-14 | 2015-04-07 | Semprus Biosciences Corporation | Multistep UV process to create surface modified contact lenses |
| EP2791223A4 (en) | 2011-12-14 | 2015-11-18 | Semprus Biosciences Corp | SURFACE MODIFIED CONTACT LENSES |
| WO2019221838A1 (en) | 2018-05-15 | 2019-11-21 | Bausch & Lomb Incorporated | Water extractable ophthalmic devices |
| EP3818401A1 (en) | 2018-07-03 | 2021-05-12 | Bausch & Lomb Incorporated | Water extractable ophthalmic devices |
| KR102551113B1 (ko) | 2018-08-10 | 2023-07-04 | 보오슈 앤드 롬 인코포레이팃드 | 안과용 장치 |
| CN112601987A (zh) | 2018-08-10 | 2021-04-02 | 鲍希与洛姆伯股份有限公司 | 高含水量眼科装置 |
| EP3917837B1 (en) | 2019-01-29 | 2024-06-26 | Bausch & Lomb Incorporated | Packaging solutions for contact lenses |
| MX2021008711A (es) | 2019-01-30 | 2021-08-19 | Bausch & Lomb | Red polimerica reticulada y uso de esta. |
| CN114096567A (zh) | 2019-04-29 | 2022-02-25 | 鲍希与洛姆伯股份有限公司 | 糖磷脂聚合物网络及其用途 |
| US11795320B2 (en) | 2019-09-20 | 2023-10-24 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Grafted polymer and use thereof |
| WO2022034010A1 (en) | 2020-08-10 | 2022-02-17 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Packaging solutions |
| US20220288270A1 (en) | 2021-03-11 | 2022-09-15 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Packaging solutions |
| WO2022194737A1 (en) | 2021-03-15 | 2022-09-22 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Biomedical devices |
| US12012238B2 (en) | 2021-05-26 | 2024-06-18 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Packaging solutions |
| US20230047871A1 (en) | 2021-06-30 | 2023-02-16 | Bausch + Lomb Ireland Limited | High water content biomedical devices |
| US20230097637A1 (en) | 2021-08-31 | 2023-03-30 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Ophthalmic devices |
| US11873361B2 (en) | 2021-08-31 | 2024-01-16 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Ophthalmic devices |
| US20230159202A1 (en) | 2021-11-23 | 2023-05-25 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Method for making a preservative-free packaged ophthalmic device product |
| US20230244000A1 (en) | 2022-02-02 | 2023-08-03 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Multifunctional crosslinking agents and ophthalmic devices formed therefrom |
| US20230266505A1 (en) | 2022-02-24 | 2023-08-24 | Bausch + Lomb Ireland Limited | Ophthalmic devices |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4216503A (en) * | 1979-03-26 | 1980-08-05 | Xerox Corporation | Signal restoration and gain control for image viewing devices |
| US4298887A (en) * | 1980-06-09 | 1981-11-03 | Rockwell International Corporation | Non-uniformity correction in a multielement detector array |
| NL8101887A (nl) * | 1981-04-16 | 1982-11-16 | Philips Nv | Televisie-opneeminrichting voorzien van een vaste-stof beeldopneempaneel. |
| US4438457A (en) * | 1981-07-20 | 1984-03-20 | Xerox Corporation | High resolution imager employing staggered sensor structure |
| US4432017A (en) * | 1981-07-20 | 1984-02-14 | Xerox Corporation | Adjacent bilinear photosite imager |
| US4509181A (en) * | 1982-05-28 | 1985-04-02 | Rca Corporation | CCD charge substraction arrangement |
-
1984
- 1984-03-22 US US06/592,128 patent/US4555732A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-03-14 JP JP60051556A patent/JPH07105918B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-19 GB GB08507100A patent/GB2156628B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60214173A (ja) | 1985-10-26 |
| GB2156628A (en) | 1985-10-09 |
| GB8507100D0 (en) | 1985-04-24 |
| US4555732A (en) | 1985-11-26 |
| GB2156628B (en) | 1988-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07105918B2 (ja) | イメージセンサ用オフセット補正装置 | |
| US8994863B2 (en) | Solid state imaging device having a plurality of unit cells | |
| US5654755A (en) | System for determining a video offset from dark photosensors in an image sensor array | |
| US6704050B1 (en) | Active-pixel image sensing device with linear mode voltage to current conversion | |
| US20110267513A1 (en) | Imaging apparatus and processing method thereof | |
| EP3556089B1 (en) | Global shutter scheme that reduces the effects of dark current | |
| US6002435A (en) | Solid-state imaging apparatus | |
| US4589025A (en) | Dark current measurement and correction for video from field-transfer imagers | |
| KR19990083112A (ko) | 코릴레이트된 이중 샘플링 유닛을 구비하는 씨모스 이미저 및 그 제조 방법 | |
| US6441851B1 (en) | Solid state image pickup device, signal processing method and camera therefor | |
| JP2003009003A (ja) | 撮像装置および撮像システム | |
| US6473125B1 (en) | Solid-state imaging device with shutter operation in sync with signal charge reset and method of driving same | |
| US6546150B2 (en) | Analogue signal processing circuit | |
| US6853402B2 (en) | Combined multiplexing and offset correction for an image sensor array | |
| US4577230A (en) | Solid state imaging device | |
| JPH11239299A (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法、並びにカメラ | |
| GB2126783A (en) | Solid state image sensors | |
| US20030189160A1 (en) | Solid-state image sensing apparatus and image sensing system | |
| JP3155877B2 (ja) | 固体撮像装置及びその電荷転送方法 | |
| JP2770795B2 (ja) | 多素子センサの校正方法及びその装置 | |
| US5166799A (en) | Solid-state imaging device with divided pixel signal generation | |
| JP3395481B2 (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法 | |
| JPH02228168A (ja) | 画像読取装置 | |
| JPH08223486A (ja) | Ｃｃｄ固体撮像装置 | |
| JP2763292B2 (ja) | 撮像素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |