JPH0710491Y2 - 半導体液相成長治具 - Google Patents
半導体液相成長治具Info
- Publication number
- JPH0710491Y2 JPH0710491Y2 JP13041186U JP13041186U JPH0710491Y2 JP H0710491 Y2 JPH0710491 Y2 JP H0710491Y2 JP 13041186 U JP13041186 U JP 13041186U JP 13041186 U JP13041186 U JP 13041186U JP H0710491 Y2 JPH0710491 Y2 JP H0710491Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- seed crystal
- liquid phase
- holding
- phase growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体液相成長治具に関し、特に化合物半導体
の液相エピタキシャル成長に用いる半導体液相成長治具
の構造に関する。
の液相エピタキシャル成長に用いる半導体液相成長治具
の構造に関する。
第2図(a)は従来の半導体液相成長治具の一例を示す
縦断面図、同図(b)は同図(a)のC−C′線におけ
る横断面図である。
縦断面図、同図(b)は同図(a)のC−C′線におけ
る横断面図である。
一般に化合物半導体の液相エピタキシャル成長には、通
常、高純度の炭素材により製作した成長治具を用いてい
る。従来、この種の半導体液相成長治具は、第2図
(a)に示すように、半導体エピタキシャル成長に必要
な固形物を溶解する溶解槽11と、その溶解した溶液を保
持する複数の浴槽14を備えた本体と、その間に板状種結
晶保持板12及び浴槽14の下側面に成長基板13を載置しつ
つ摺動可能なスライダー5とからなっている。板状種結
晶保持板12は、第2図(b)に示すごとく、板状種結晶
(オーバーシード)16を矢印Dで示す横方向から浴槽14
の上面に沿って挿入し、また板状種結晶固定板18も板状
種結晶16と同様に矢印D方向より挿入し固定する構造
で、スライダー15,浴槽14,板状種結晶保持板12,溶解槽1
1の順に組立てた後、板状種結晶16を挿入するようにな
っていた。
常、高純度の炭素材により製作した成長治具を用いてい
る。従来、この種の半導体液相成長治具は、第2図
(a)に示すように、半導体エピタキシャル成長に必要
な固形物を溶解する溶解槽11と、その溶解した溶液を保
持する複数の浴槽14を備えた本体と、その間に板状種結
晶保持板12及び浴槽14の下側面に成長基板13を載置しつ
つ摺動可能なスライダー5とからなっている。板状種結
晶保持板12は、第2図(b)に示すごとく、板状種結晶
(オーバーシード)16を矢印Dで示す横方向から浴槽14
の上面に沿って挿入し、また板状種結晶固定板18も板状
種結晶16と同様に矢印D方向より挿入し固定する構造
で、スライダー15,浴槽14,板状種結晶保持板12,溶解槽1
1の順に組立てた後、板状種結晶16を挿入するようにな
っていた。
上述した従来の半導体液相成長治具は、スライダー,浴
槽,板状種結晶保持板,溶解槽の順に組立てた後、板状
種結晶を横から挿入し、同様に板状種結晶固定板を挿入
して板状種結晶を固定するようになっているので、板状
種結晶保持板または治具全体が移動した際、板状種結晶
固定板がずれやすく板状種結晶を定位置に固定すること
が難しいという欠点がある。また、上述の様な順序で組
立てを行なっているため、板状種結晶が必要のない場合
には治具全体をすべて分解して板状種結晶を取り出さな
くてはいけないという欠点があり、操作性及び作業性の
面で問題がある。
槽,板状種結晶保持板,溶解槽の順に組立てた後、板状
種結晶を横から挿入し、同様に板状種結晶固定板を挿入
して板状種結晶を固定するようになっているので、板状
種結晶保持板または治具全体が移動した際、板状種結晶
固定板がずれやすく板状種結晶を定位置に固定すること
が難しいという欠点がある。また、上述の様な順序で組
立てを行なっているため、板状種結晶が必要のない場合
には治具全体をすべて分解して板状種結晶を取り出さな
くてはいけないという欠点があり、操作性及び作業性の
面で問題がある。
本考案の半導体液相成長治具は、半導体エピタキシャル
成長に必要な固形物を溶解する溶解槽とその溶解した溶
液を保持する複数の浴槽と板状種結晶(オーバーシー
ド)を保持する板状種結晶保持板とを備えた本体と、前
記浴槽の下側面を成長基板を載置しつつ摺動可能なスラ
イダーとを含み、前記板状種結晶保持板に設けられ前記
板状種結晶を上方から載置できる段付穴と、該段付穴に
嵌まり前記板状種結晶を覆って押える板状種結晶カバー
とを備えている。
成長に必要な固形物を溶解する溶解槽とその溶解した溶
液を保持する複数の浴槽と板状種結晶(オーバーシー
ド)を保持する板状種結晶保持板とを備えた本体と、前
記浴槽の下側面を成長基板を載置しつつ摺動可能なスラ
イダーとを含み、前記板状種結晶保持板に設けられ前記
板状種結晶を上方から載置できる段付穴と、該段付穴に
嵌まり前記板状種結晶を覆って押える板状種結晶カバー
とを備えている。
次に、本考案について図面を参照して説明する。
第1図(a)は本考案の一実施例の縦断面図、同図
(b)は同図(a)のA−A′線における矢視平面図、
同図(c)は同図(b)のB−B′線における縦断面図
である。
(b)は同図(a)のA−A′線における矢視平面図、
同図(c)は同図(b)のB−B′線における縦断面図
である。
本実施例は溶解槽1、板状種結晶保持板2、成長基板
3、浴槽4、スライダー5、板状種結晶(オーバーシー
ド)6及び板状種結晶カバー7を有してなる。
3、浴槽4、スライダー5、板状種結晶(オーバーシー
ド)6及び板状種結晶カバー7を有してなる。
半導体エピタキシャル成長に必要な固形物を溶解する溶
解槽1、その溶解した溶液を保持する複数の浴槽4及び
板状種結晶6を保持する板状種結晶保持板2を備えた本
体と、浴槽4の下側面を成長基板3を載置しつつ摺動可
能なスライダー5とが重なって構成されている。板状種
結晶保持板2には、第1図(b)及び(c)に示すよう
に、段付穴2a及び下穴2bが設けられている。
解槽1、その溶解した溶液を保持する複数の浴槽4及び
板状種結晶6を保持する板状種結晶保持板2を備えた本
体と、浴槽4の下側面を成長基板3を載置しつつ摺動可
能なスライダー5とが重なって構成されている。板状種
結晶保持板2には、第1図(b)及び(c)に示すよう
に、段付穴2a及び下穴2bが設けられている。
このように板状種結晶保持板2に段付穴2aを加工したこ
とにより、板状種結晶6を載置した場合、板状種結晶6
の大きさと下穴2bの大きさの差により板状種結晶6が保
持されるようになっており、且つ板状種結晶6を上側、
即ち溶解槽1の方向から板状種結晶保持板2に載置でき
る。
とにより、板状種結晶6を載置した場合、板状種結晶6
の大きさと下穴2bの大きさの差により板状種結晶6が保
持されるようになっており、且つ板状種結晶6を上側、
即ち溶解槽1の方向から板状種結晶保持板2に載置でき
る。
本実施例によれば、治具全体を組立てる前に板状種結晶
保持板2に板状種結晶6及び板状種結晶カバー7を組込
んでおくことができ、その後、スライダー5,浴槽4,板状
種結晶保持板2,溶解槽1の順に下側から組立てて行って
治具全体を固定することにより、半導体液相成長用の治
具としての機能を満足するものである。
保持板2に板状種結晶6及び板状種結晶カバー7を組込
んでおくことができ、その後、スライダー5,浴槽4,板状
種結晶保持板2,溶解槽1の順に下側から組立てて行って
治具全体を固定することにより、半導体液相成長用の治
具としての機能を満足するものである。
以上説明したように本考案は、板状種結晶保持板に段付
穴を加工して板状種結晶を載置する構造とすることによ
り、板状種結晶保持板が移動した際にもずれる心配がな
く、常時定位置に固定できる効果がある。また板状種結
晶の着脱の際、上側から板状種結晶を載置しているた
め、溶解槽を移動させるだけで板状種結晶カバーの上面
が開放状態となり、従って板状種結晶の着脱が容易にな
り、作業性及び操作性の著しい改善に効果があり、高精
度エピタキシャル成長を可能にすることができる。
穴を加工して板状種結晶を載置する構造とすることによ
り、板状種結晶保持板が移動した際にもずれる心配がな
く、常時定位置に固定できる効果がある。また板状種結
晶の着脱の際、上側から板状種結晶を載置しているた
め、溶解槽を移動させるだけで板状種結晶カバーの上面
が開放状態となり、従って板状種結晶の着脱が容易にな
り、作業性及び操作性の著しい改善に効果があり、高精
度エピタキシャル成長を可能にすることができる。
第1図(a)は本考案の一実施例の縦断面図、同図
(b)は同図(a)のA−A′線における矢視平面図、
同図(c)は同図(b)のB−B′線における縦断面
図、第2図(a)は従来の半導体液相成長治具の一例を
示す縦断面図、同図(b)は同図(a)のC−C′線に
おける横断面図である。 1,11…溶解槽、2,12…板状種結晶保持板、2a…段付穴、
2b…下穴、3,13…成長基板、4,14…浴槽、5,15…スライ
ダー、6,16…板状種結晶(オーバーシード)、7…板状
種結晶カバー、18…板状種結晶固定板。
(b)は同図(a)のA−A′線における矢視平面図、
同図(c)は同図(b)のB−B′線における縦断面
図、第2図(a)は従来の半導体液相成長治具の一例を
示す縦断面図、同図(b)は同図(a)のC−C′線に
おける横断面図である。 1,11…溶解槽、2,12…板状種結晶保持板、2a…段付穴、
2b…下穴、3,13…成長基板、4,14…浴槽、5,15…スライ
ダー、6,16…板状種結晶(オーバーシード)、7…板状
種結晶カバー、18…板状種結晶固定板。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体エピタキシャル成長に必要な固形物
を溶解する溶解槽とその溶解した溶液を保持する複数の
浴槽と板状種結晶(オーバーシード)を保持する板状種
結晶保持板とを備えた本体と、前記浴槽の下側面を成長
基板を載置しつつ摺動可能なスライダーとを含む半導体
液相成長治具において、前記板状種結晶保持板に設けら
れ前記板状種結晶を上方から載置できる段付穴と、該段
付穴に嵌まり前記板状種結晶を覆って押える板状種結晶
カバーとを備えることを特徴とする半導体液相成長治
具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13041186U JPH0710491Y2 (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 半導体液相成長治具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13041186U JPH0710491Y2 (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 半導体液相成長治具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6336031U JPS6336031U (ja) | 1988-03-08 |
JPH0710491Y2 true JPH0710491Y2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=31027884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13041186U Expired - Lifetime JPH0710491Y2 (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 半導体液相成長治具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0710491Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP13041186U patent/JPH0710491Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6336031U (ja) | 1988-03-08 |
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