JPS63251165A - 半導体ウエ−ハの保持方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの保持方法Info
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- JPS63251165A JPS63251165A JP62081563A JP8156387A JPS63251165A JP S63251165 A JPS63251165 A JP S63251165A JP 62081563 A JP62081563 A JP 62081563A JP 8156387 A JP8156387 A JP 8156387A JP S63251165 A JPS63251165 A JP S63251165A
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- Japan
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- adhesive sheet
- substrate
- sided adhesive
- base plate
- water
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハの保持方法に関し、特に一方の
面を研磨加工時の半導体ウェーハの保持方法に関する。
面を研磨加工時の半導体ウェーハの保持方法に関する。
一般に、半導体ウェーハ（以下、基板と称す）を片面ず
つ研磨加工する場合、一枚又は複数枚の基板を研磨する
面の反対面（以下、裏面と称す）をホルダに保持して取
扱う。
つ研磨加工する場合、一枚又は複数枚の基板を研磨する
面の反対面（以下、裏面と称す）をホルダに保持して取
扱う。
第３図は従来の半導体ウェーハの保持方法の第１の例を
用いた保持具の断面図である。
用いた保持具の断面図である。
第３図に示すように、円板状のホルダ１の上面にワック
ス５を用いて薄板状の基板３を接着している。この場合
、被研磨面は基板３の上向きの面である。
ス５を用いて薄板状の基板３を接着している。この場合
、被研磨面は基板３の上向きの面である。
又、第４図は従来の半導体ウェーハの保持方法の第２の
例を用いた保持具の断面図である。
例を用いた保持具の断面図である。
第４図に示す保持具は、液体の表面張力を利用したウェ
ーハマウンティング部を用いた場合である。
ーハマウンティング部を用いた場合である。
第４図に示すように、円板状のホルダ１と、テンプレー
ト２１とマウンティング材２２と両面粘着シート２３と
を一体に形成したウェーハマウンティング部２とを含む
。
ト２１とマウンティング材２２と両面粘着シート２３と
を一体に形成したウェーハマウンティング部２とを含む
。
マウンティング材２２は水を含んで表面張力で基板３を
吸着するため多孔質の層からなり、テンプレート２１は
マウンティング材２２の上側に位置し、基板３よりも若
干大きな穴を有する強化プラスチック製の円板である。
吸着するため多孔質の層からなり、テンプレート２１は
マウンティング材２２の上側に位置し、基板３よりも若
干大きな穴を有する強化プラスチック製の円板である。
両面粘着シート２３はマウンティング材２２の下側に接
着され、ウェーハマウンティング部２をホルダ１に保持
する。
着され、ウェーハマウンティング部２をホルダ１に保持
する。
基板３は水を含ませたマウンティング材２２上に吸着さ
れ、テンプレート２１で横方向へずれを規制されている
。
れ、テンプレート２１で横方向へずれを規制されている
。
第５′図は従来の半導体ウェーハの保持方法の第３の例
を用いた保持具の断面図である。
を用いた保持具の断面図である。
第５図に示すように、基板３を両面粘着シート６を用い
てホルダ１あ表面に保持している。
てホルダ１あ表面に保持している。
上述した従来の半導体ウェーハの保持方法は、第３図に
示す第１の例では、基板３の着脱を行う時にワックスの
融解温度以上に加熱する必要があり、時間が掛かるばか
りでなく剥離後の基板３の裏面に付着したワックスを除
去するために有機溶剤による複雑な洗浄が必要になると
いう欠点がある。
示す第１の例では、基板３の着脱を行う時にワックスの
融解温度以上に加熱する必要があり、時間が掛かるばか
りでなく剥離後の基板３の裏面に付着したワックスを除
去するために有機溶剤による複雑な洗浄が必要になると
いう欠点がある。
又、第４図に示す第２の例では、基板３の着脱はピンセ
ット等で簡単に行えるが、研磨に用いる研磨液として基
板３に対してエツチング性のある液を使った場合、研磨
液がテンプレート２１と基板３の間隙から基板３とマウ
ンティング材２２との間に滲透して基板３の裏面をエツ
チングして面粗さを大きくするという欠点がある。
ット等で簡単に行えるが、研磨に用いる研磨液として基
板３に対してエツチング性のある液を使った場合、研磨
液がテンプレート２１と基板３の間隙から基板３とマウ
ンティング材２２との間に滲透して基板３の裏面をエツ
チングして面粗さを大きくするという欠点がある。
又、第５図に示す第３の例では、両面粘着シート６の粘
着力を選択することにより裏面への研磨液の回り込みや
剥離後の基板３の裏面の両面粘着シート６による汚染は
防止できるが、剥離時に基板３に大きな曲げ応力が加わ
るため、例えば、化合物半導体のように軟質の材料の場
合、破損したり結晶に歪を与えることがあるという欠点
がある。
着力を選択することにより裏面への研磨液の回り込みや
剥離後の基板３の裏面の両面粘着シート６による汚染は
防止できるが、剥離時に基板３に大きな曲げ応力が加わ
るため、例えば、化合物半導体のように軟質の材料の場
合、破損したり結晶に歪を与えることがあるという欠点
がある。
本発明の目的は、基板に汚染や損傷を与えずに簡単に着
脱のできる半導体ウェーハの保持方法を提供することに
ある。
脱のできる半導体ウェーハの保持方法を提供することに
ある。
本発明の半導体ウェーハの保持方法は、一方の面を研磨
される半導体ウェーハの他方の面を覆って耐研磨液性の
ある片面粘着シートを貼り付け、該片面粘着シート面を
両面粘着シートを介してホルダに保持される吸水性を有
するウェーハマウンティング部に吸着して保持するよう
に構成される。
される半導体ウェーハの他方の面を覆って耐研磨液性の
ある片面粘着シートを貼り付け、該片面粘着シート面を
両面粘着シートを介してホルダに保持される吸水性を有
するウェーハマウンティング部に吸着して保持するよう
に構成される。
本発明は上記の構成をとることにより、従来技術の問題
を解決しな。
を解決しな。
即ち、基板裏面に片面粘着シートを接着して基板裏面へ
の研磨液によるエツチングを防止するとともにウェーハ
マウンティング部へ水の表面張力を利用して吸着し、研
磨後は片面粘着シートが接着された状態でウェーハマウ
ンティング部から外した後に片面粘着シートを剥すこと
で、基板への汚染や損傷を防止している。
の研磨液によるエツチングを防止するとともにウェーハ
マウンティング部へ水の表面張力を利用して吸着し、研
磨後は片面粘着シートが接着された状態でウェーハマウ
ンティング部から外した後に片面粘着シートを剥すこと
で、基板への汚染や損傷を防止している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は本発明の一実施例を用いる保持具の一部切欠
き斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ′線断面図である。
。第１図は本発明の一実施例を用いる保持具の一部切欠
き斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ′線断面図である。
第１図及び第２図に示すように、円板状のホルダ１と、
ホルダ１の上面に接着されたテンプレート２１とマウン
ティング材２２と両面粘着シート２３から成るウェーハ
マウンティング部２と、裏面に片面粘着シート４を接着
した基板３とを含み、基板３の片面粘着シート４側をウ
ェーハマウンティング部２の上面に吸着させている。
ホルダ１の上面に接着されたテンプレート２１とマウン
ティング材２２と両面粘着シート２３から成るウェーハ
マウンティング部２と、裏面に片面粘着シート４を接着
した基板３とを含み、基板３の片面粘着シート４側をウ
ェーハマウンティング部２の上面に吸着させている。
マウンティング材２２は吸水性の多孔質層から成り、テ
ンプレート２１はマウンティング材２２の上側に位置し
、基板３よりも若干大きな穴を有するエポキシガラス製
である。両面粘着シート２３はマウンティング材２２の
下側に接着され、ウェーハマウンティング部２をホルダ
１に保持する。
ンプレート２１はマウンティング材２２の上側に位置し
、基板３よりも若干大きな穴を有するエポキシガラス製
である。両面粘着シート２３はマウンティング材２２の
下側に接着され、ウェーハマウンティング部２をホルダ
１に保持する。
基板３の裏面には全面に片面粘着シート４が貼り付けら
れていて、基板３と片面粘着シート４から成る集合体は
片面粘着シート４の面で水を含ませたマウンティング材
２２上に吸着され、テンブレート２１で横方向のずれを
規制されている。
れていて、基板３と片面粘着シート４から成る集合体は
片面粘着シート４の面で水を含ませたマウンティング材
２２上に吸着され、テンブレート２１で横方向のずれを
規制されている。
このような方法で基板３を保持することにより、基板３
の裏面に片面粘着シート４を接着した後にウェーハマウ
ンティング部２に吸着するなめ、加熱等の工程を必要と
しない。
の裏面に片面粘着シート４を接着した後にウェーハマウ
ンティング部２に吸着するなめ、加熱等の工程を必要と
しない。
又、研磨中は、基板３の裏面が片面粘着シート４で保護
されているため研磨液が回り込んで裏面かエツチングさ
れることがなく、研磨後の剥離時には、基板３を片面粘
着シート４と共にウェーハマウンティング部２から取外
した後に片面粘着シート４を基板３の裏面から剥す。
されているため研磨液が回り込んで裏面かエツチングさ
れることがなく、研磨後の剥離時には、基板３を片面粘
着シート４と共にウェーハマウンティング部２から取外
した後に片面粘着シート４を基板３の裏面から剥す。
片面粘着シート４の粘着力を選択することで基板３に汚
れや損傷を与えずに剥離することができる。又、片面粘
着シート４の非粘着面に微細な凹凸を設けることでマウ
ンティング材２２との間に水を保持し易くなり、吸着力
を増加することができる。
れや損傷を与えずに剥離することができる。又、片面粘
着シート４の非粘着面に微細な凹凸を設けることでマウ
ンティング材２２との間に水を保持し易くなり、吸着力
を増加することができる。
以上説明したように本発明は、基板の着脱時に加熱や洗
浄の工程を必要とせず容易に短時間で着脱を行うことが
でき、かつ、裏面への研磨液の回り込みを防止できるの
で、裏面エツチングの発生を防止し研磨後の基板の汚染
や破損を防止できるという効果がある。
浄の工程を必要とせず容易に短時間で着脱を行うことが
でき、かつ、裏面への研磨液の回り込みを防止できるの
で、裏面エツチングの発生を防止し研磨後の基板の汚染
や破損を防止できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を用いる保持具の一部切欠き
斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図〜
第５図はそれぞれ従来の半導体ウェーハの保持方法の第
１〜第３の例を用いる保持具の断面図である。 １・・・ホルダ、２・・・ウェーハマウンティング部、
３・・・基板、４・・・片面粘着シート、５・・・ワッ
クス、６・・・両面粘着シート、２１・・・テンブレー
１・、２２・・・マウンティング材、２３・・・両面粘
着シート。 Ｚブテンノ°レート グ ２３
斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図〜
第５図はそれぞれ従来の半導体ウェーハの保持方法の第
１〜第３の例を用いる保持具の断面図である。 １・・・ホルダ、２・・・ウェーハマウンティング部、
３・・・基板、４・・・片面粘着シート、５・・・ワッ
クス、６・・・両面粘着シート、２１・・・テンブレー
１・、２２・・・マウンティング材、２３・・・両面粘
着シート。 Ｚブテンノ°レート グ ２３
Claims (1)
- 一方の面を研磨される半導体ウェーハの他方の面を覆つ
て耐研磨液性のある片面粘着シートを貼り付け、該片面
粘着シート面を両面粘着シートを介してホルダに保持さ
れる吸水性有するウェーハマウンティング部に吸着して
保持することを特徴とする半導体ウェーハの保持方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081563A JPS63251165A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 半導体ウエ−ハの保持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081563A JPS63251165A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 半導体ウエ−ハの保持方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63251165A true JPS63251165A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13749761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62081563A Pending JPS63251165A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 半導体ウエ−ハの保持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63251165A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254205A (en) * | 1990-11-30 | 1993-10-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Wafer binding method and apparatus |
| JP2009515349A (ja) * | 2005-11-09 | 2009-04-09 | ウルフギャング クーネン， | 付着力を用いて円盤状基板を分離する方法 |
| JP2020096078A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | 剥離方法 |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP62081563A patent/JPS63251165A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254205A (en) * | 1990-11-30 | 1993-10-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Wafer binding method and apparatus |
| US5310441A (en) * | 1990-11-30 | 1994-05-10 | Mitsubishi Materials Corporation | Wafer binding method and apparatus |
| JP2009515349A (ja) * | 2005-11-09 | 2009-04-09 | ウルフギャング クーネン， | 付着力を用いて円盤状基板を分離する方法 |
| JP2020096078A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | 剥離方法 |
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