JPH0697667A - 低温焼成多層回路基板 - Google Patents
低温焼成多層回路基板Info
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- JPH0697667A JPH0697667A JP24297592A JP24297592A JPH0697667A JP H0697667 A JPH0697667 A JP H0697667A JP 24297592 A JP24297592 A JP 24297592A JP 24297592 A JP24297592 A JP 24297592A JP H0697667 A JPH0697667 A JP H0697667A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- green sheet
- paste
- circuit board
- sio
- multilayer circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐マイグレーション性に優れ、グリーンシー
ト焼成時に基板よりの酸化を受けないファインライン化
可能な低温焼成多層基板ペースト及び低温焼成多層回路
基板の開発。 【構成】 Ａｇx Ｃｕ1-x （０．０２≦ｘ≦０．３５、
原子比）で表され、表目の銀濃度が平均の銀濃度より高
く、平均粒子径０．２〜３０μｍの銅合金粉末とガラス
フリットよりなるペーストを用いて、グリーンシートに
印刷し、多層化し、５５０〜１０６０℃で同時焼成され
た低温焼成多層回路基盤。 【効果】 耐マイグレーション性はもちろん、グリーン
シートからの酸化も受けないため低温焼成多層による高
密度化が可能である。
ト焼成時に基板よりの酸化を受けないファインライン化
可能な低温焼成多層基板ペースト及び低温焼成多層回路
基板の開発。 【構成】 Ａｇx Ｃｕ1-x （０．０２≦ｘ≦０．３５、
原子比）で表され、表目の銀濃度が平均の銀濃度より高
く、平均粒子径０．２〜３０μｍの銅合金粉末とガラス
フリットよりなるペーストを用いて、グリーンシートに
印刷し、多層化し、５５０〜１０６０℃で同時焼成され
た低温焼成多層回路基盤。 【効果】 耐マイグレーション性はもちろん、グリーン
シートからの酸化も受けないため低温焼成多層による高
密度化が可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品として信号の
高速化、ファインライン化、高集積化可能なハイブリッ
ド多層回路基板として利用できる。
高速化、ファインライン化、高集積化可能なハイブリッ
ド多層回路基板として利用できる。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の信号の高速化、高容量化が進
むなかでハイブリッドＩＣのファインライン化、多層化
技術が注目されてきた。これまでの公知の多層化技術と
して、セラミック回路基板の外層に導電性ペースト、絶
縁ペーストの印刷、焼成の繰り返しによる多層化技術や
グリーンシートにタングステン、モリブデンなどのメタ
ルよりなるペーストを印刷し積層し１２００℃以上の高
温度で不活性雰囲気あるいは還元雰囲気中でメタライズ
により導体回路を形成させ多層化する方法があった。
むなかでハイブリッドＩＣのファインライン化、多層化
技術が注目されてきた。これまでの公知の多層化技術と
して、セラミック回路基板の外層に導電性ペースト、絶
縁ペーストの印刷、焼成の繰り返しによる多層化技術や
グリーンシートにタングステン、モリブデンなどのメタ
ルよりなるペーストを印刷し積層し１２００℃以上の高
温度で不活性雰囲気あるいは還元雰囲気中でメタライズ
により導体回路を形成させ多層化する方法があった。
【０００３】また、低温度で焼成、多層化する低温焼成
多層回路基板の作製法として、銅、銀、銀−パラジウ
ム、金などをペーストとしてグリーンシートに印刷後積
層し、約１１００℃より低い温度で同時焼成しメタライ
ズにより導体回路を形成するタイプのものが公知であ
る。低温焼成多層回路基板の作製法としては、別に、グ
リーンシートに導体ペーストを印刷後、グリーンシート
と同一成分よりなる絶縁ペーストを交互に印刷し積層、
焼成を繰り返して多層化するタイプのものも公知であ
る。
多層回路基板の作製法として、銅、銀、銀−パラジウ
ム、金などをペーストとしてグリーンシートに印刷後積
層し、約１１００℃より低い温度で同時焼成しメタライ
ズにより導体回路を形成するタイプのものが公知であ
る。低温焼成多層回路基板の作製法としては、別に、グ
リーンシートに導体ペーストを印刷後、グリーンシート
と同一成分よりなる絶縁ペーストを交互に印刷し積層、
焼成を繰り返して多層化するタイプのものも公知であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】公知、多層化方法及び
公知多層化用ペーストの問題点としては以下の点が挙げ
られる。高温度で多層化するタイプのものでは、焼成温
度が１２００℃以上と高いため使用導体も高温度の融点
を有するものであり、使用できる導体がタングステン、
モリブテン、白金などの成分を用いざるを得なく、その
ためファインライン化に伴うインピーダンスも充分でな
く、また、汎用的でなかった。そのため、低温度で同時
焼成できるものも開発されてきた。
公知多層化用ペーストの問題点としては以下の点が挙げ
られる。高温度で多層化するタイプのものでは、焼成温
度が１２００℃以上と高いため使用導体も高温度の融点
を有するものであり、使用できる導体がタングステン、
モリブテン、白金などの成分を用いざるを得なく、その
ためファインライン化に伴うインピーダンスも充分でな
く、また、汎用的でなかった。そのため、低温度で同時
焼成できるものも開発されてきた。
【０００５】１２００℃以下の低温度で多層化する場合
には、使用される導体もグリーンシートの焼成条件で充
分焼結されるものが必要であるが、使用グリーンシート
成分と導体成分との組み合わせにおいても以下の問題点
がある。すなわち、導体として銀も用いた場合では、フ
ァインライン化した場合に、マイグレーションの問題が
生じ、特に、グリーンシート成分の酸化物ガラス上を銀
がマイグレーションし短絡しやすかった。そのため、多
層化の積層数が上げられないなど信頼性が不十分であ
る。
には、使用される導体もグリーンシートの焼成条件で充
分焼結されるものが必要であるが、使用グリーンシート
成分と導体成分との組み合わせにおいても以下の問題点
がある。すなわち、導体として銀も用いた場合では、フ
ァインライン化した場合に、マイグレーションの問題が
生じ、特に、グリーンシート成分の酸化物ガラス上を銀
がマイグレーションし短絡しやすかった。そのため、多
層化の積層数が上げられないなど信頼性が不十分であ
る。
【０００６】銀−パラジウムでは、多層化、高密度化に
よるファインラインのためのインピーダンス増加が著し
く、不向きである。銅を導体として用いた方法も公知で
あるが、銅ペーストにより印刷されたグリーンシート多
層基板を低温焼成で同時焼成する時に、窒素雰囲気中あ
るいは還元雰囲気中であるが、ファインラインであり、
且つグリーンシートに直接挟まれているためグリーンシ
ート中の酸化物成分により容易に酸化を受け、断線が起
こったり、インピーダンス増加するなどの問題点があ
る。
よるファインラインのためのインピーダンス増加が著し
く、不向きである。銅を導体として用いた方法も公知で
あるが、銅ペーストにより印刷されたグリーンシート多
層基板を低温焼成で同時焼成する時に、窒素雰囲気中あ
るいは還元雰囲気中であるが、ファインラインであり、
且つグリーンシートに直接挟まれているためグリーンシ
ート中の酸化物成分により容易に酸化を受け、断線が起
こったり、インピーダンス増加するなどの問題点があ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討し
た結果、低温度焼成で多層化可能な導電性ペースト及
び、該ペーストを用いた低温焼成多層回路基板を開発し
た。本発明は一般式Ａｇx Ｃｕ1-x （ただし０．０２≦
ｘ≦０．３５、原子比）であらわされ、且つ表面の銀濃
度が平均の銀濃度より高く、粒子表面に向かって銀濃度
が増加する領域を有する平均粒子径０．２〜３０μｍで
ある銅合金粉末１００重量部に対してガラスフリット
０．１〜２０重量部、有機ビヒクルからなるペースト、
該組成のペーストが印刷されたグリーンシートを少なく
とも１層以上持つグリーンシート多層基板、及び前記グ
リーンシート多層基板を５５０〜１０６０℃の範囲で焼
結してなることを特徴とする一般式Ａｇx Ｃｕ
1-x （０．０２≦ｘ≦０．３５、原子比）組成の導体を
内部に有する低温焼成多層回路基板に関するものであ
る。銅合金粉末の作製法については既に本発明者により
出願されている方法（ＵＳＰ５０９１１１４号）が良
い。
た結果、低温度焼成で多層化可能な導電性ペースト及
び、該ペーストを用いた低温焼成多層回路基板を開発し
た。本発明は一般式Ａｇx Ｃｕ1-x （ただし０．０２≦
ｘ≦０．３５、原子比）であらわされ、且つ表面の銀濃
度が平均の銀濃度より高く、粒子表面に向かって銀濃度
が増加する領域を有する平均粒子径０．２〜３０μｍで
ある銅合金粉末１００重量部に対してガラスフリット
０．１〜２０重量部、有機ビヒクルからなるペースト、
該組成のペーストが印刷されたグリーンシートを少なく
とも１層以上持つグリーンシート多層基板、及び前記グ
リーンシート多層基板を５５０〜１０６０℃の範囲で焼
結してなることを特徴とする一般式Ａｇx Ｃｕ
1-x （０．０２≦ｘ≦０．３５、原子比）組成の導体を
内部に有する低温焼成多層回路基板に関するものであ
る。銅合金粉末の作製法については既に本発明者により
出願されている方法（ＵＳＰ５０９１１１４号）が良
い。
【０００８】銀濃度ｘは０．０２未満であると、多層化
し同時焼成する場合のグリーンシート中の酸化物成分に
より銅成分が酸化され断線やインピーダンス増加を起こ
す。また、焼結が不十分であったりする。０．３５を超
える場合には、多層化時のファインラインでの銀マイグ
レーションの問題がある。好ましくは、０．０４〜０．
３である。
し同時焼成する場合のグリーンシート中の酸化物成分に
より銅成分が酸化され断線やインピーダンス増加を起こ
す。また、焼結が不十分であったりする。０．３５を超
える場合には、多層化時のファインラインでの銀マイグ
レーションの問題がある。好ましくは、０．０４〜０．
３である。
【０００９】かかる組成の銅合金粉末は、粒子表面の銀
濃度が平均の銀濃度より高く、粒子表面に向かって銀濃
度が増加する領域を有しているが、表面の銀濃度が高い
ことで、グリーンシート中の酸化物ガラス成分により酸
化されにくく、また、粒子内部に向かって銀濃度が低下
しており、平均の銀濃度が表面より低いことから多層化
に伴うファインライン化に対して優れた耐マイグレーシ
ョン性を有するものである。表面の銀濃度は平均の銀濃
度よりも高いが、好ましくは平均の銀濃度の2.１倍〜４
０倍であり、さらに、２．５〜３０倍が好ましい。本発
明で用いる銅合金粉末の表面の銀濃度、銅濃度の測定
は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析装置、ＸＳＡＭ８００
；ＫＵＲＡＴＯＳ社製）を用いて行った。測定条件は
以下の方法で行った。
濃度が平均の銀濃度より高く、粒子表面に向かって銀濃
度が増加する領域を有しているが、表面の銀濃度が高い
ことで、グリーンシート中の酸化物ガラス成分により酸
化されにくく、また、粒子内部に向かって銀濃度が低下
しており、平均の銀濃度が表面より低いことから多層化
に伴うファインライン化に対して優れた耐マイグレーシ
ョン性を有するものである。表面の銀濃度は平均の銀濃
度よりも高いが、好ましくは平均の銀濃度の2.１倍〜４
０倍であり、さらに、２．５〜３０倍が好ましい。本発
明で用いる銅合金粉末の表面の銀濃度、銅濃度の測定
は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析装置、ＸＳＡＭ８００
；ＫＵＲＡＴＯＳ社製）を用いて行った。測定条件は
以下の方法で行った。
【００１０】銅合金粉末をカーボンの両面テープが既に
張られているＸＰＳの試料台上に均一に完全に覆うよ
う、また、変形しないように分散し、測定室内で充分に
脱気した。 測定条件； アルゴン雰囲気 １０-8ｔｏｒｒ 取り出
し角９０度 マグネシウムＫα線（電圧１２ＫｅＶ、電流１０ｍＡ） エッチング条件； アルゴンガス １０-7ｔｏｒｒ ５
ｍｉｎ 加速電圧２ＫｅＶ 測定、エッチングを５回繰り返して行い最初の２回の平
均値を表面の銀濃度 Ａｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）、表面の銅
濃度 Ｃｕ／（Ａｇ＋Ｃｕ）とした。さらに、平均の
銀、銅濃度は銅合金粉末を濃硝酸に溶解してＩＣＰ（高
周波誘導結合型プラズマ発光分析計、セイコー電子）を
用いて測定した。
張られているＸＰＳの試料台上に均一に完全に覆うよ
う、また、変形しないように分散し、測定室内で充分に
脱気した。 測定条件； アルゴン雰囲気 １０-8ｔｏｒｒ 取り出
し角９０度 マグネシウムＫα線（電圧１２ＫｅＶ、電流１０ｍＡ） エッチング条件； アルゴンガス １０-7ｔｏｒｒ ５
ｍｉｎ 加速電圧２ＫｅＶ 測定、エッチングを５回繰り返して行い最初の２回の平
均値を表面の銀濃度 Ａｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）、表面の銅
濃度 Ｃｕ／（Ａｇ＋Ｃｕ）とした。さらに、平均の
銀、銅濃度は銅合金粉末を濃硝酸に溶解してＩＣＰ（高
周波誘導結合型プラズマ発光分析計、セイコー電子）を
用いて測定した。
【００１１】また、本発明で用いる銅合金粉末の平均粒
子径は０．２〜３０μｍであるが、３０μｍを超える場
合には、多層時の膜厚が厚くなり積層枚数が少なくなる
ばかりか焼結不足となりインピーダンスが増加する。
０．２μｍ未満の場合には、グリーンシート中のガラス
成分と反応して断線が生じ易くなる。好ましくは、０．
４〜２０μｍである。本発明で示す平均粒子径は体積積
算平均粒子径のことであり、レーザー回折型粒子径測定
装置で測定した値を用いた。
子径は０．２〜３０μｍであるが、３０μｍを超える場
合には、多層時の膜厚が厚くなり積層枚数が少なくなる
ばかりか焼結不足となりインピーダンスが増加する。
０．２μｍ未満の場合には、グリーンシート中のガラス
成分と反応して断線が生じ易くなる。好ましくは、０．
４〜２０μｍである。本発明で示す平均粒子径は体積積
算平均粒子径のことであり、レーザー回折型粒子径測定
装置で測定した値を用いた。
【００１２】本発明で用いるガラスフリットは、酸化物
ガラスフリットが用いられる。特に、基板となるグルー
ンシートと同一成分を含むものが好ましい。例えば、Ａ
ｌ2Ｏ3 、ＺｎＯ，ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 ，ＰｂＯ、Ｃａ
Ｏ，ＢａＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＣａＺｒＯ3 、ＺｒＳｉ
Ｏ4 から選ばれた１種以上の成分からなるガラスフリッ
トが好ましい。中でも、ＰｂＯ，ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 ，
Ａｌ2 Ｏ3 から選ばれた１種以上の成分を含むものが好
ましい。例えば、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2、ＰｂＯ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＣａＯ，Ｐｂ
Ｏ−ＳｉＯ2 −ＣａＯ，ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ，Ｐ
ｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＢａＯ，ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 −ＭｇＯ，
ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −ＭｇＯ，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2
Ｏ3 ，ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 ，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −ＭｎＯ，ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −ＭｎＯ、ＣａＯ−Ａｌ
2 Ｏ3 −ＢａＯ−ＳｉＯ2 、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ 2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＣａＯ、ＢａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ
3 、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＺｒＳｉＯ4 など
が挙げられる。ガラスフリットの大きさは平均粒子径と
して見た場合０．１〜３０μｍのものが好ましい。特
に、０．１〜１５μｍが好ましい。３０μｍを超える場
合には、基板との接着性と導体の焼結不足を引き起こ
す。また、０．１μｍ未満の場合には、基板にガラスが
とけ込みすぎてかえって接着性を低下させる。本発明で
用いられるガラスフリットは基板材料と反応することで
優れた接着強度を与えるものでグリーンシートと少なく
とも同一成分を含むものが好ましい。また、ガラスフリ
ットの添加量は、０．１〜２０重量部であるが、２０重
量部を超える場合にはグリーンシートに含まれる酸化物
成分が逆に導電性ペースト側に流れだし銅合金粉末の焼
結を阻害する。
ガラスフリットが用いられる。特に、基板となるグルー
ンシートと同一成分を含むものが好ましい。例えば、Ａ
ｌ2Ｏ3 、ＺｎＯ，ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 ，ＰｂＯ、Ｃａ
Ｏ，ＢａＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＣａＺｒＯ3 、ＺｒＳｉ
Ｏ4 から選ばれた１種以上の成分からなるガラスフリッ
トが好ましい。中でも、ＰｂＯ，ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 ，
Ａｌ2 Ｏ3 から選ばれた１種以上の成分を含むものが好
ましい。例えば、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2、ＰｂＯ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＣａＯ，Ｐｂ
Ｏ−ＳｉＯ2 −ＣａＯ，ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ，Ｐ
ｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＢａＯ，ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3 −ＭｇＯ，
ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −ＭｇＯ，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2
Ｏ3 ，ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 ，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −ＭｎＯ，ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −ＭｎＯ、ＣａＯ−Ａｌ
2 Ｏ3 −ＢａＯ−ＳｉＯ2 、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ 2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＣａＯ、ＢａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ
3 、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＺｒＳｉＯ4 など
が挙げられる。ガラスフリットの大きさは平均粒子径と
して見た場合０．１〜３０μｍのものが好ましい。特
に、０．１〜１５μｍが好ましい。３０μｍを超える場
合には、基板との接着性と導体の焼結不足を引き起こ
す。また、０．１μｍ未満の場合には、基板にガラスが
とけ込みすぎてかえって接着性を低下させる。本発明で
用いられるガラスフリットは基板材料と反応することで
優れた接着強度を与えるものでグリーンシートと少なく
とも同一成分を含むものが好ましい。また、ガラスフリ
ットの添加量は、０．１〜２０重量部であるが、２０重
量部を超える場合にはグリーンシートに含まれる酸化物
成分が逆に導電性ペースト側に流れだし銅合金粉末の焼
結を阻害する。
【００１３】０．１未満の場合には、クリーンシートの
酸化物成分との反応性が劣り接着強度が充分に得られな
い。好ましくは０．２〜１５重量部である。また、本発
明の低温焼成多層基板用ペーストは、有機ビヒクルを含
んでいるが、有機ビヒクルの作用としては、ペーストに
充分な粘性とチキソ性を与えるものであり公知の有機ビ
ヒクルを用いることができる。例えば、エチルセルロー
ス、アクリル樹脂、ブチラール樹脂などに適当な粘度、
揮発性を有する溶剤を用いるものである。また、必要に
応じてチキソ剤（例えば、酸化ポリエチレン、コロイダ
ルシリカ、水添ヒマシ油、ヒマシ油など）、カップリン
グ剤（例えば、シランカップリング剤、チタンカップリ
ング剤など）、酸化防止剤（例えば、高級脂肪酸、高級
脂肪酸銅、フェノール化合物、アルカノールアミン、ハ
イドロキノン類、銅キレート剤などを加えても良いこと
は明きらかである。この場合、銅合金粉末１００重量部
に対して、チキソ剤０．００１〜１０重量部、酸化防止
剤０．００１〜２０重量部、カップリング剤０．００１
〜５重量部までの量をそれぞれに付いて使用することが
できる。
酸化物成分との反応性が劣り接着強度が充分に得られな
い。好ましくは０．２〜１５重量部である。また、本発
明の低温焼成多層基板用ペーストは、有機ビヒクルを含
んでいるが、有機ビヒクルの作用としては、ペーストに
充分な粘性とチキソ性を与えるものであり公知の有機ビ
ヒクルを用いることができる。例えば、エチルセルロー
ス、アクリル樹脂、ブチラール樹脂などに適当な粘度、
揮発性を有する溶剤を用いるものである。また、必要に
応じてチキソ剤（例えば、酸化ポリエチレン、コロイダ
ルシリカ、水添ヒマシ油、ヒマシ油など）、カップリン
グ剤（例えば、シランカップリング剤、チタンカップリ
ング剤など）、酸化防止剤（例えば、高級脂肪酸、高級
脂肪酸銅、フェノール化合物、アルカノールアミン、ハ
イドロキノン類、銅キレート剤などを加えても良いこと
は明きらかである。この場合、銅合金粉末１００重量部
に対して、チキソ剤０．００１〜１０重量部、酸化防止
剤０．００１〜２０重量部、カップリング剤０．００１
〜５重量部までの量をそれぞれに付いて使用することが
できる。
【００１４】本発明の低温焼成多層基板用ペーストは必
要に応じて、銅合金粉末にパラジウム、白金、すず、
鉛、ビスマス、インジウム、金、亜鉛、チタンなどの金
属粉を混合して用いることもできるが、ペーストに酸化
第一銅粉を適量混合することもできる。これ等銅合金以
外の金属粉の粒径は、銅合金粉の粒径にほぼ等しいこと
が好ましい。この場合には、銅合金粉末１００重量部に
対して１０重量部以下が好ましい。特に酸化第一銅が好
ましく、０．１〜１０重量部である。１０重量部を超え
る場合には、かえって導体の焼結を阻害する。０．１未
満の場合には接着効果が不十分である。
要に応じて、銅合金粉末にパラジウム、白金、すず、
鉛、ビスマス、インジウム、金、亜鉛、チタンなどの金
属粉を混合して用いることもできるが、ペーストに酸化
第一銅粉を適量混合することもできる。これ等銅合金以
外の金属粉の粒径は、銅合金粉の粒径にほぼ等しいこと
が好ましい。この場合には、銅合金粉末１００重量部に
対して１０重量部以下が好ましい。特に酸化第一銅が好
ましく、０．１〜１０重量部である。１０重量部を超え
る場合には、かえって導体の焼結を阻害する。０．１未
満の場合には接着効果が不十分である。
【００１５】本発明で用いることのできるグリーンシー
トとしては、特に酸化物あるいは複合酸化物成分からな
るものが好ましい。Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、
ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＳｎＯ2 、ＣａＺｒＯ3 、Ｚ
ｒＳｉＯ4 などからなる成分を含むグリーンシートに印
刷されるのが好ましい。例えば、アルミナ（Ａｌ
2 O3）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）、ム
ライト（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）、コージェライト
（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）を用いて（Ｂ
2 Ｏ3 ・ＳｉＯ2 ）との組み合わせたものや、β−スポ
ジュメン（Ｌｉ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・４ＳｉＯ2 ）や、Ｂ
ａＯ−ＳｎＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 −ＣａＯ−Ｓｉ
Ｏ2 −ＭｇＯ−Ｂ2 Ｏ3 、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 、ＣａＺｒO3−Ａｌ2 Ｏ3 −ＢａＯ−ＳｉＯ2 、Ｚｒ
ＳｉＯ4 −ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｌO2などを組み合わ
せたものが好ましい。
トとしては、特に酸化物あるいは複合酸化物成分からな
るものが好ましい。Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、
ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＳｎＯ2 、ＣａＺｒＯ3 、Ｚ
ｒＳｉＯ4 などからなる成分を含むグリーンシートに印
刷されるのが好ましい。例えば、アルミナ（Ａｌ
2 O3）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）、ム
ライト（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）、コージェライト
（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）を用いて（Ｂ
2 Ｏ3 ・ＳｉＯ2 ）との組み合わせたものや、β−スポ
ジュメン（Ｌｉ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・４ＳｉＯ2 ）や、Ｂ
ａＯ−ＳｎＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 −ＣａＯ−Ｓｉ
Ｏ2 −ＭｇＯ−Ｂ2 Ｏ3 、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 、ＣａＺｒO3−Ａｌ2 Ｏ3 −ＢａＯ−ＳｉＯ2 、Ｚｒ
ＳｉＯ4 −ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｌO2などを組み合わ
せたものが好ましい。
【００１６】グリーンシート自体の作製法は公知の方法
で構わなく、適当な有機ビヒクルと前記酸化物成分を充
分に混合してドクターブレード法などを用いてシート状
にして得られるものである。グリーンシートの厚さとし
ては特に指定はないが、５〜２０００μｍまでのものが
好ましい。必要に応じてグリーンシートにビアホールを
形成させた後、グリーンシートに本発明の導電性ペース
トを公知の印刷方法により塗布し、乾燥後必要な枚数に
公知方法で積層させた後、必要に応じてスルーホールを
形成させた後、不活性雰囲気中で同時焼成する。同時焼
成とは、かかる組成の導電性ペーストが充分に焼結し、
充分な導電性を有させ、同時に、グリーンシート中の酸
化物成分が焼結し、基板としても充分な強度、絶縁性、
平滑性をもたせるものであり、温度としては、１０６０
℃以下が好ましい。１０６０℃を超える場合には、かか
る組成の導電性ペーストが基板上で溶融して流れだし、
回路パターンがくずれてしまう。５５０℃未満の場合に
は、グリーンシートの充分な焼結性が得られず、機械的
強度が不十分である。好ましくは、５５０℃〜１０００
℃である。
で構わなく、適当な有機ビヒクルと前記酸化物成分を充
分に混合してドクターブレード法などを用いてシート状
にして得られるものである。グリーンシートの厚さとし
ては特に指定はないが、５〜２０００μｍまでのものが
好ましい。必要に応じてグリーンシートにビアホールを
形成させた後、グリーンシートに本発明の導電性ペース
トを公知の印刷方法により塗布し、乾燥後必要な枚数に
公知方法で積層させた後、必要に応じてスルーホールを
形成させた後、不活性雰囲気中で同時焼成する。同時焼
成とは、かかる組成の導電性ペーストが充分に焼結し、
充分な導電性を有させ、同時に、グリーンシート中の酸
化物成分が焼結し、基板としても充分な強度、絶縁性、
平滑性をもたせるものであり、温度としては、１０６０
℃以下が好ましい。１０６０℃を超える場合には、かか
る組成の導電性ペーストが基板上で溶融して流れだし、
回路パターンがくずれてしまう。５５０℃未満の場合に
は、グリーンシートの充分な焼結性が得られず、機械的
強度が不十分である。好ましくは、５５０℃〜１０００
℃である。
【００１７】焼成雰囲気は不活性雰囲気中で構わなく、
例えば窒素、アルゴン、ヘリウムなどが挙げられる。ま
た、必要に応じて水素、亜酸化窒素、水蒸気、微量の酸
素などを混合して用いることもできる。焼成炉は、公知
の焼成炉で構わなく、例えば、加熱ヒーター式連続焼成
炉、近赤外線炉、バッチ式炉などを用いることもでき
る。
例えば窒素、アルゴン、ヘリウムなどが挙げられる。ま
た、必要に応じて水素、亜酸化窒素、水蒸気、微量の酸
素などを混合して用いることもできる。焼成炉は、公知
の焼成炉で構わなく、例えば、加熱ヒーター式連続焼成
炉、近赤外線炉、バッチ式炉などを用いることもでき
る。
【００１８】焼成時間は、充分な導体の焼結と、グリー
ンシートの焼成ができれば良く、例えば３０分〜５時間
ぐらいで充分である。本発明の低温焼成多層回路基板は
必要に応じて、スルーホールあるいはビヤホール部を同
時あるいは後から印刷焼成したり、抵抗体、コンデンサ
ーなどの機能を有する部品を同時に組み込むことができ
る。
ンシートの焼成ができれば良く、例えば３０分〜５時間
ぐらいで充分である。本発明の低温焼成多層回路基板は
必要に応じて、スルーホールあるいはビヤホール部を同
時あるいは後から印刷焼成したり、抵抗体、コンデンサ
ーなどの機能を有する部品を同時に組み込むことができ
る。
【００１９】本発明の低温焼成多層用導電性ペーストの
マイグレーション試験は多層回路基盤を厚み方向にカッ
トし、絶縁層方向の２箇所の導体間でマイグレーション
試験を行った。（ＤＣＶ５０、６０℃ ９０％ＲＨ １
０００時間） また、導体の酸化状態は、多層回路基板
の一層をスライスして露出させ、薄膜Ｘ線（リガクＭＸ
Ｐ１８）により入射角０．５度、電流値４０ｍＡ、電圧
１００ｋＶで測定した。銅酸化物の存在比は、ＣｕＯｘ
／（Ｃｕ＋ＣｕＯｘ）（ただしＣｕＯｘはＣu2Ｏ＋Ｃｕ
Ｏ）のメインピーク強度比で表した。この場合、２０％
未満を良好とした。２０％を超える場合には、抵抗値の
著しい増加が観測される。好ましくは、１０未満であ
る。さらに、５％未満が好ましい。
マイグレーション試験は多層回路基盤を厚み方向にカッ
トし、絶縁層方向の２箇所の導体間でマイグレーション
試験を行った。（ＤＣＶ５０、６０℃ ９０％ＲＨ １
０００時間） また、導体の酸化状態は、多層回路基板
の一層をスライスして露出させ、薄膜Ｘ線（リガクＭＸ
Ｐ１８）により入射角０．５度、電流値４０ｍＡ、電圧
１００ｋＶで測定した。銅酸化物の存在比は、ＣｕＯｘ
／（Ｃｕ＋ＣｕＯｘ）（ただしＣｕＯｘはＣu2Ｏ＋Ｃｕ
Ｏ）のメインピーク強度比で表した。この場合、２０％
未満を良好とした。２０％を超える場合には、抵抗値の
著しい増加が観測される。好ましくは、１０未満であ
る。さらに、５％未満が好ましい。
【００２０】
【００２１】
【作製例１】銅粒子ｇ、銀粒子ｇを充分に混合し、黒鉛
るつぼに入れ１７００℃まで加熱溶解した。融液をるつ
ぼ先端より噴出し、噴出と同時に窒素ガス（純度９９．
９％以上 ８０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ）を融液に対して噴出し
アトマイズした。得られた粉末は、平均粒子径９μｍで
あった。得られた粉末の中５μｍ以下の粉末を分級によ
り取りだした。得られた粉末は平均粒径２μｍであっ
た。粉末の表面の銀濃度を測定したところ、表面より
０．７５、０．７、０．６、０．４、０．３であり、表
面の銀濃度は０．７２５であった。平均の銀濃度は０．
０５であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の１４倍であ
った。
るつぼに入れ１７００℃まで加熱溶解した。融液をるつ
ぼ先端より噴出し、噴出と同時に窒素ガス（純度９９．
９％以上 ８０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ）を融液に対して噴出し
アトマイズした。得られた粉末は、平均粒子径９μｍで
あった。得られた粉末の中５μｍ以下の粉末を分級によ
り取りだした。得られた粉末は平均粒径２μｍであっ
た。粉末の表面の銀濃度を測定したところ、表面より
０．７５、０．７、０．６、０．４、０．３であり、表
面の銀濃度は０．７２５であった。平均の銀濃度は０．
０５であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の１４倍であ
った。
【００２２】作製例２以下に同様にしてアトマイズによ
り得られた粉末の物性を表１に示す。
り得られた粉末の物性を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】ペースト実施例
【００２５】
【実施例１】作製例１で得られた分級粉（平均粒子径２
μｍ）１０ｇ、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3−ＳｉＯ2 ガラスフリ
ット０．２ｇ、エチルセルロース０．２ｇ、酸化第一銅
0.１ｇ、ブチルカルビトールアセテート０．６ｇ、チタ
ンカップリング剤０．０１ｇを充分に混合しペーストと
した。また別に、ＢａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｃａ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 を主成分にした酸化物からなる前もってビ
アホールを形成させたグリーンシート上に上記組成の導
電性ペーストを用いて回路をスクリーン印刷した（マイ
グレーション試験用として一部１００μｍ導体幅／間隔
作製）。乾燥後、すでに同様にして１０枚作製されたグ
リーンシートを積層し、所定の大きさにカットした後、
スルーホールペーストを穴埋めし、９５０℃で窒素雰囲
気中３０分間焼成した（〜５５０℃酸素１００ｐｐｍド
ープ）。多層回路基板を厚み方向に一部カットして、導
体の断線を電子顕微鏡で観測したところ断線は見られな
かった。
μｍ）１０ｇ、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3−ＳｉＯ2 ガラスフリ
ット０．２ｇ、エチルセルロース０．２ｇ、酸化第一銅
0.１ｇ、ブチルカルビトールアセテート０．６ｇ、チタ
ンカップリング剤０．０１ｇを充分に混合しペーストと
した。また別に、ＢａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｃａ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 を主成分にした酸化物からなる前もってビ
アホールを形成させたグリーンシート上に上記組成の導
電性ペーストを用いて回路をスクリーン印刷した（マイ
グレーション試験用として一部１００μｍ導体幅／間隔
作製）。乾燥後、すでに同様にして１０枚作製されたグ
リーンシートを積層し、所定の大きさにカットした後、
スルーホールペーストを穴埋めし、９５０℃で窒素雰囲
気中３０分間焼成した（〜５５０℃酸素１００ｐｐｍド
ープ）。多層回路基板を厚み方向に一部カットして、導
体の断線を電子顕微鏡で観測したところ断線は見られな
かった。
【００２６】また、グリーンシートと導体との界面にお
ける銅の酸化と、グリーンシートへの銀、銅の移行は見
られなかった（酸化物２％）。また、ＤＣＶ ５０Ｖ、
６０℃ ９０％ＲＨ １０００時間湿度試験における内
層に焼成されたライン間の銀のマイグレーションは見ら
れなかった。
ける銅の酸化と、グリーンシートへの銀、銅の移行は見
られなかった（酸化物２％）。また、ＤＣＶ ５０Ｖ、
６０℃ ９０％ＲＨ １０００時間湿度試験における内
層に焼成されたライン間の銀のマイグレーションは見ら
れなかった。
【００２７】
【実施例２】作製例２で分級された平均粒子径１μｍの
粉末１０ｇ、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラスフリット０．３
ｇ，沈降防止剤０．００１ｇ，エチルセルロース０．５
ｇ、テルペノール１ｇ、リノール酸０．０１ｇを充分に
混合しペーストとした。得られたペーストをＢ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 を主成分にした酸化物よりなる前
もってビアホールを形成させたグリーンシートにスクリ
ーン印刷により回路を形成した。一部マイグレーション
試験用として１００μｍ導体幅／間隔の導体を形成し
た。さらに、パンチングなどの公知の方法で適当ｎ大き
さにカットした。１０枚同様にしてグリーンシートを作
製し、ホットプレスにより積層させた後、８６０℃窒素
雰囲気中で２時間焼成した。
粉末１０ｇ、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラスフリット０．３
ｇ，沈降防止剤０．００１ｇ，エチルセルロース０．５
ｇ、テルペノール１ｇ、リノール酸０．０１ｇを充分に
混合しペーストとした。得られたペーストをＢ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 を主成分にした酸化物よりなる前
もってビアホールを形成させたグリーンシートにスクリ
ーン印刷により回路を形成した。一部マイグレーション
試験用として１００μｍ導体幅／間隔の導体を形成し
た。さらに、パンチングなどの公知の方法で適当ｎ大き
さにカットした。１０枚同様にしてグリーンシートを作
製し、ホットプレスにより積層させた後、８６０℃窒素
雰囲気中で２時間焼成した。
【００２８】得られた多層回路基板を厚み方向に一部カ
ットし、導体の断線を観測したところ断線は見られなか
った。また、同様にしてマイグレーション試験をしたと
ころ、１０００時間までの銀のマイグレーションは見ら
れなかった。グリンシートへの銀、銅の移行及びグリー
ンシート成分による導体の銅酸化現象（５％）も見られ
なかった。
ットし、導体の断線を観測したところ断線は見られなか
った。また、同様にしてマイグレーション試験をしたと
ころ、１０００時間までの銀のマイグレーションは見ら
れなかった。グリンシートへの銀、銅の移行及びグリー
ンシート成分による導体の銅酸化現象（５％）も見られ
なかった。
【００２９】
【実施例３】作製例３で分級された平均粒子径０．５μ
ｍの粉末１０ｇ、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3−ＣａＯ−ＳｉＯ2
ガラスフリット０．１ｇ、酸化第一銅０．０１ｇ，消泡
剤0.００１ｇ、シランカップリング剤０．００１ｇ、ア
クリル樹脂０．１ｇ、エチルセルロース０．３ｇ、ブチ
ルカルビトール０．３ｇ、テルペノール０．２ｇを充分
に混合してペーストとした。得られたペーストをＣａＺ
ｒＯ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＢａＯ−ＳｉＯ3 からなるグリー
ンシートに回路をスクリーン印刷した。マイグレーショ
ン試験のため１００μｍ導体幅／間隔を一部作製した。
ｍの粉末１０ｇ、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3−ＣａＯ−ＳｉＯ2
ガラスフリット０．１ｇ、酸化第一銅０．０１ｇ，消泡
剤0.００１ｇ、シランカップリング剤０．００１ｇ、ア
クリル樹脂０．１ｇ、エチルセルロース０．３ｇ、ブチ
ルカルビトール０．３ｇ、テルペノール０．２ｇを充分
に混合してペーストとした。得られたペーストをＣａＺ
ｒＯ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＢａＯ−ＳｉＯ3 からなるグリー
ンシートに回路をスクリーン印刷した。マイグレーショ
ン試験のため１００μｍ導体幅／間隔を一部作製した。
【００３０】同様にして作製されたグリーンシートを積
層し、適当な大きさにカットしたのち８６０℃ 窒素雰
囲気中で５時間焼成した。得られた多層回路基板を厚み
方向に一部カットし、導体の断線を観測したところ断線
は見られなかった。また、同様にしてマイグレーション
試験をしたところ、１０００時間までの銀の移行現象は
見られなかった。また、グリーンシートへの銀、銅の移
行およびグリーンシート成分による導体の銅酸化現象は
見られなかった（０．５％）。
層し、適当な大きさにカットしたのち８６０℃ 窒素雰
囲気中で５時間焼成した。得られた多層回路基板を厚み
方向に一部カットし、導体の断線を観測したところ断線
は見られなかった。また、同様にしてマイグレーション
試験をしたところ、１０００時間までの銀の移行現象は
見られなかった。また、グリーンシートへの銀、銅の移
行およびグリーンシート成分による導体の銅酸化現象は
見られなかった（０．５％）。
【００３１】
【実施例４】作製例４で分級した平均粒子径２μｍの粉
末１０ｇ，Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭｇＯ−ＺｎＯガラス
フリット０．２ｇ、エチルセルロース０．５ｇ、テルペ
ノール０．８ｇ、酸化第一銅０．０１ｇ，チタンカップ
リング剤０．００１ｇ、リノレン酸０．０１ｇを充分に
混合しペーストとした。得られたペーストをＺｒＳｉＯ
4 −ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 からなる前もってビ
アホールを形成させたグリーンシートにパターンを印刷
した。この時、マイグレーション試験用として１００μ
ｍ導体幅／間隔のパターンを一部作製した。
末１０ｇ，Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭｇＯ−ＺｎＯガラス
フリット０．２ｇ、エチルセルロース０．５ｇ、テルペ
ノール０．８ｇ、酸化第一銅０．０１ｇ，チタンカップ
リング剤０．００１ｇ、リノレン酸０．０１ｇを充分に
混合しペーストとした。得られたペーストをＺｒＳｉＯ
4 −ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 からなる前もってビ
アホールを形成させたグリーンシートにパターンを印刷
した。この時、マイグレーション試験用として１００μ
ｍ導体幅／間隔のパターンを一部作製した。
【００３２】同様にして得られたグリーンシート８枚を
ホットプレスで積層させた後、９００℃窒素雰囲気中で
３時間加熱焼成させた。得られた多層回路基板を一部厚
み方向にカットし、導体の断線を観測したところ、断線
は見られなかった。また、同様にしてマイグレーション
時化をしたところ、１０００時間までの銀の移行現象は
見られなかった。また、グリーンシートへの銅、銀の移
行現象およびグリーンシート成分による導体の銅酸化状
態も見られなかった（２％）。
ホットプレスで積層させた後、９００℃窒素雰囲気中で
３時間加熱焼成させた。得られた多層回路基板を一部厚
み方向にカットし、導体の断線を観測したところ、断線
は見られなかった。また、同様にしてマイグレーション
時化をしたところ、１０００時間までの銀の移行現象は
見られなかった。また、グリーンシートへの銅、銀の移
行現象およびグリーンシート成分による導体の銅酸化状
態も見られなかった（２％）。
【００３３】
【実施例５】作製例５で分級した平均粒子径３μｍの粉
末１０ｇ、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −ＭｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 ガラス
フリット１．５ｇ、エチルセルロース０．３ｇ、シラン
カプリング剤０．００１ｇ、酸化第一銅０．２ｇ、コロ
イダルシリカ０．０１ｇ，エチルセロソルブ０．３ｇ，
ブチルセロソルブ０．４ｇを充分に混合しペーストとし
た。
末１０ｇ、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −ＭｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 ガラス
フリット１．５ｇ、エチルセルロース０．３ｇ、シラン
カプリング剤０．００１ｇ、酸化第一銅０．２ｇ、コロ
イダルシリカ０．０１ｇ，エチルセロソルブ０．３ｇ，
ブチルセロソルブ０．４ｇを充分に混合しペーストとし
た。
【００３４】得られたペーストをＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 にガラスフィラーを充填したグリーンシート
上にスクリーン印刷した。この時、１００μｍ導体幅／
間隔の導体を一部印刷した。同様にして作製した８枚の
ビアホールを有するグリーンシートを積層し、パンチン
グで適当な大きさにカットした。さらに、９５０℃４時
間窒素雰囲気中でグリーンシート、導体を同時焼成し
た。得られた多層回路基板を厚み方向にカットし、導体
の断線を観測したところ、断線は見られなかった。ま
た、グリーンシートへの銅、銀の移行現象及び導体のグ
リーンシート中の酸化物成分による銅酸化状態は見られ
なかった（１％）。
−Ｂ2 Ｏ3 にガラスフィラーを充填したグリーンシート
上にスクリーン印刷した。この時、１００μｍ導体幅／
間隔の導体を一部印刷した。同様にして作製した８枚の
ビアホールを有するグリーンシートを積層し、パンチン
グで適当な大きさにカットした。さらに、９５０℃４時
間窒素雰囲気中でグリーンシート、導体を同時焼成し
た。得られた多層回路基板を厚み方向にカットし、導体
の断線を観測したところ、断線は見られなかった。ま
た、グリーンシートへの銅、銀の移行現象及び導体のグ
リーンシート中の酸化物成分による銅酸化状態は見られ
なかった（１％）。
【００３５】
【比較例】粉末作製
【００３６】
【表２】
【００３７】
【比較例１】作製例６で得られた分級粉（平均粒子径３
μｍ）１０ｇ、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラスフリ
ット０．３ｇ、エチルセルロース０．２ｇ，テルペノー
ル0.５ｇを充分に混合してペーストとした。得られたペ
ーストをＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉO2−Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ、酸化
ポリエチレン０．０１ｇからなるグリーンシート上にス
クリーン印刷で回路を形成した。この時、一部１００μ
ｍ幅／間隔のラインを同時にして印刷した。同様にして
得られたグリーンシートを１０枚積層してパンチングで
適当な大きさにカットした後、さらに、スルーホール部
にペーストを印刷したのち９００℃ 窒素雰囲気中で２
時間焼成した。
μｍ）１０ｇ、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラスフリ
ット０．３ｇ、エチルセルロース０．２ｇ，テルペノー
ル0.５ｇを充分に混合してペーストとした。得られたペ
ーストをＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉO2−Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ、酸化
ポリエチレン０．０１ｇからなるグリーンシート上にス
クリーン印刷で回路を形成した。この時、一部１００μ
ｍ幅／間隔のラインを同時にして印刷した。同様にして
得られたグリーンシートを１０枚積層してパンチングで
適当な大きさにカットした後、さらに、スルーホール部
にペーストを印刷したのち９００℃ 窒素雰囲気中で２
時間焼成した。
【００３８】得られた多層基板を一部厚さ方向にカット
し、回路の断線を測定したところ、断線は見られなかっ
た。１００μｍラインの間でマイグレーション試験をし
たところ、銀のマイグレーションが観測され、１００μ
ｍライン間は短絡してしまった。
し、回路の断線を測定したところ、断線は見られなかっ
た。１００μｍラインの間でマイグレーション試験をし
たところ、銀のマイグレーションが観測され、１００μ
ｍライン間は短絡してしまった。
【００３９】
【比較例２】作製例７で得られた分級粉（平均粒子径
２．６μｍ）１０ｇ、ＰｂＯ−Ｂ2 O3−ＳｉＯ2 ガラス
リット０．３ｇ、エチルセルロース０．２ｇ。ブチルカ
ルビトール１ｇ、リノレン酸銅０．０１ｇを充分に混合
してペーストとした。得られたペーストをＣａＺｒＯ3
−Ａｌ2 Ｏ3 −ＢａＯ−ＳｉＯ2 からなるグリーンシー
トに回路を印刷した。同時に、マイグレーション試験の
ため１００μｍ幅／間隔のラインを一部印刷した。同様
にして得られたビアホールを有するグリーンシート６枚
を積層してホットプレスで処理後、パンチングで適当な
大きさにカットした。さらに、８６０℃ 窒素雰囲気中
で３時間処理した。得られた多層回路基板を厚み方向に
カットしたところ断線は見られなかったが銅導体がグリ
ーンシート中の酸化物で銅が酸化され（３０％）インピ
ーダンスの上昇が見られた。
２．６μｍ）１０ｇ、ＰｂＯ−Ｂ2 O3−ＳｉＯ2 ガラス
リット０．３ｇ、エチルセルロース０．２ｇ。ブチルカ
ルビトール１ｇ、リノレン酸銅０．０１ｇを充分に混合
してペーストとした。得られたペーストをＣａＺｒＯ3
−Ａｌ2 Ｏ3 −ＢａＯ−ＳｉＯ2 からなるグリーンシー
トに回路を印刷した。同時に、マイグレーション試験の
ため１００μｍ幅／間隔のラインを一部印刷した。同様
にして得られたビアホールを有するグリーンシート６枚
を積層してホットプレスで処理後、パンチングで適当な
大きさにカットした。さらに、８６０℃ 窒素雰囲気中
で３時間処理した。得られた多層回路基板を厚み方向に
カットしたところ断線は見られなかったが銅導体がグリ
ーンシート中の酸化物で銅が酸化され（３０％）インピ
ーダンスの上昇が見られた。
【００４０】また、銀のマイグレーション試験の結果、
マイグレーションは観測されなかった。
マイグレーションは観測されなかった。
【００４１】
【比較例３】作製例８で得られた分級粉（平均粒子径３
μｍ）（表面の銀濃度は平均の銀濃度の０．２倍と低か
った）１０ｇ、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 ガラスフリ
ット０．４ｇ、エチルセルロース０．２ｇ、ブチルセロ
ソルブ０．５ｇ、フェノール０．０１ｇを充分に混合し
てペーストとした。得られたペーストをＡｌ2 Ｏ3 −Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 からなるビアホールを有するグリーン
シート上にスクリーン印刷で回路を形成した。同時に、
マイグレーション試験のため、１００μｍ幅／間隔のラ
インを一部印刷した。同様にして得られたグリーンシー
トを６枚積層し、ホットプレスで積層させた後、適当な
大きさに切断した。さらに、８６０℃窒素雰囲気中で３
時間焼成した。得られた多層回路基板を厚み方向にカッ
トし、回路の断線を観測したところ、回路の断線は見ら
れなかったが、グリーンシート中の酸化物により銅が酸
化され（５０％）１００μｍ幅よりかなり厚くなってお
り、また、抵抗もかなり高かった。
μｍ）（表面の銀濃度は平均の銀濃度の０．２倍と低か
った）１０ｇ、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 ガラスフリ
ット０．４ｇ、エチルセルロース０．２ｇ、ブチルセロ
ソルブ０．５ｇ、フェノール０．０１ｇを充分に混合し
てペーストとした。得られたペーストをＡｌ2 Ｏ3 −Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 からなるビアホールを有するグリーン
シート上にスクリーン印刷で回路を形成した。同時に、
マイグレーション試験のため、１００μｍ幅／間隔のラ
インを一部印刷した。同様にして得られたグリーンシー
トを６枚積層し、ホットプレスで積層させた後、適当な
大きさに切断した。さらに、８６０℃窒素雰囲気中で３
時間焼成した。得られた多層回路基板を厚み方向にカッ
トし、回路の断線を観測したところ、回路の断線は見ら
れなかったが、グリーンシート中の酸化物により銅が酸
化され（５０％）１００μｍ幅よりかなり厚くなってお
り、また、抵抗もかなり高かった。
【００４２】
【比較例４】作製例９で得られた分級粉（平均粒子径３
５μｍ）１０ｇ，ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 ガラスフ
リット０．４ｇ，エチルセルロース０．４ｇ，テルペノ
ール０．６ｇ，沈降防止剤０．００１ｇ，酸化防止剤
０．１ｇを充分に混合しペーストとした。得られたペー
ストをＡｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 からなるビアホ
ールを有するグリーンシート上にスクリーン印刷で回路
を印刷した。また、同様にして、マイグレーション試験
のため、１００μｍ幅／間隔のラインを一部印刷した。
同様にして得られたグリーンシート６枚を積層し、ホッ
トプレスでさらに処理した後、成形した。０．３ｍｍス
ルーホール部に同様にしてペーストを埋め込み、抵抗体
を実装させて８９０℃で窒素雰囲気中で１時間焼成し
た。
５μｍ）１０ｇ，ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 ガラスフ
リット０．４ｇ，エチルセルロース０．４ｇ，テルペノ
ール０．６ｇ，沈降防止剤０．００１ｇ，酸化防止剤
０．１ｇを充分に混合しペーストとした。得られたペー
ストをＡｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 からなるビアホ
ールを有するグリーンシート上にスクリーン印刷で回路
を印刷した。また、同様にして、マイグレーション試験
のため、１００μｍ幅／間隔のラインを一部印刷した。
同様にして得られたグリーンシート６枚を積層し、ホッ
トプレスでさらに処理した後、成形した。０．３ｍｍス
ルーホール部に同様にしてペーストを埋め込み、抵抗体
を実装させて８９０℃で窒素雰囲気中で１時間焼成し
た。
【００４３】得られた多層回路基板を厚み方向にカット
し、マイグレーション試験をしたところ、マイグレーシ
ョンは殆ど認められなかったが、焼成が不十分と、ライ
ンが曲がっており、ところどころ亀裂が入っており導電
性は悪かった。
し、マイグレーション試験をしたところ、マイグレーシ
ョンは殆ど認められなかったが、焼成が不十分と、ライ
ンが曲がっており、ところどころ亀裂が入っており導電
性は悪かった。
【００４４】
【発明の効果】本発明は、耐マイグレーション性、導電
性に優れるのみならず、グリーンシートとの密着性に優
れ、グリーンシートから酸化されにくい銅を主成分にし
た低温焼成多層基板用ペースト及び低温焼成多層回路基
板を提供するものである。
性に優れるのみならず、グリーンシートとの密着性に優
れ、グリーンシートから酸化されにくい銅を主成分にし
た低温焼成多層基板用ペースト及び低温焼成多層回路基
板を提供するものである。
Claims (8)
- 【請求項１】 一般式Ａｇx Ｃｕ1-x （ただし、０．０
２≦ｘ≦０．３５ｘは原子比）で表され、且つ表面の銀
濃度は平均の銀濃度より高く、粒子表面に向かって銀濃
度が増加する領域を有する平均粒子径０．２〜３０μｍ
からなる銅合金粉末１００重量部に対して、ガラスフリ
ット０．１〜２０重量部、有機ビヒクルからなる低温焼
成多層回路基板用ペースト。 - 【請求項２】 請求項１記載の銅合金粉末１００重量部
に対して酸化第一銅粉０．１〜１０部添加してなる請求
項１記載の低温焼成多層回路基板用ペースト。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のペースト中のガ
ラスフリットがＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 、ＺｎＯ，
Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ，ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＣａＺｒＯ3 、
ＺｒＳｉＯ4 より選ばれた１種類以上の成分を主成分と
することを特徴とする請求項１記載のペースト。 - 【請求項４】 請求項１または２または３記載のペース
トが印刷されたグリーンシートを内部にすくなくとも１
層以上持つグリーンシート多層基板。 - 【請求項５】 請求項４記載のグリーンシートが酸化物
成分を含むことを特徴とする請求項３記載のグリーンシ
ート多層基板。 - 【請求項６】 請求項５記載のグリーンシートの酸化物
成分がＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、ＢａＯ、Ｃａ
Ｏ、ＰｂＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯ，ＳｎＯ2 、ＣａＺｒ
Ｏ3 、ＺｒＳｉＯ4 から選ばれた１種以上を主成分にす
ることを特徴とするグリーンシート多層基板。 - 【請求項７】 請求項６記載のグリーンシート多層基板
を５５０〜１０６０℃の温度範囲で焼結することを特徴
とする、一般式Ａｇx Ｃｕ1-x （０．０２≦ｘ≦０．３
５、原子比）組成の導体を内部に有する低温焼成多層回
路基板。 - 【請求項８】 請求項７記載の導体に含まれる銅酸化物
存在比が２０％以下であることを特徴とする低温焼成多
層回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24297592A JPH0697667A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 低温焼成多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24297592A JPH0697667A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 低温焼成多層回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697667A true JPH0697667A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17097026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24297592A Withdrawn JPH0697667A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 低温焼成多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697667A (ja) |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP24297592A patent/JPH0697667A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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