JPH069644A - ジアセタール化合物の製造方法 - Google Patents
ジアセタール化合物の製造方法Info
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- JPH069644A JPH069644A JP4252098A JP25209892A JPH069644A JP H069644 A JPH069644 A JP H069644A JP 4252098 A JP4252098 A JP 4252098A JP 25209892 A JP25209892 A JP 25209892A JP H069644 A JPH069644 A JP H069644A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機性ゲル化剤、核剤及び樹脂改質剤として
有用なジアセタール化合物の汎用性に優れた製造方法を
提供する。 【構成】 塩基触媒の存在下、低級アルキルエステルジ
アセタール化合物と一価又は二価のアルコールとをエス
テル交換し、又は上記低級アルキルエステルジアセター
ル化合物と一価又は二価アミンとをエステル・アミド交
換して芳香環にエステル基又はカルバモイル基を有する
ジアセタール化合物を製造する。
有用なジアセタール化合物の汎用性に優れた製造方法を
提供する。 【構成】 塩基触媒の存在下、低級アルキルエステルジ
アセタール化合物と一価又は二価のアルコールとをエス
テル交換し、又は上記低級アルキルエステルジアセター
ル化合物と一価又は二価アミンとをエステル・アミド交
換して芳香環にエステル基又はカルバモイル基を有する
ジアセタール化合物を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ジアセタール化合物の
新規な製造法に関するものである。本化合物は、有機性
ゲル化剤として有用である他、ポリ塩化ビニル、ポリオ
レフィン、ポリスチレン、アクリル樹脂等の熱可塑性樹
脂の帯電防止剤、防曇剤、防汚剤、ポリマーアロイの一
成分等の樹脂改質剤としても有用である。又、ポリオレ
フィン、ポリエステル等の結晶性樹脂の核剤としても有
用である（特願平２−５７４６号）。
新規な製造法に関するものである。本化合物は、有機性
ゲル化剤として有用である他、ポリ塩化ビニル、ポリオ
レフィン、ポリスチレン、アクリル樹脂等の熱可塑性樹
脂の帯電防止剤、防曇剤、防汚剤、ポリマーアロイの一
成分等の樹脂改質剤としても有用である。又、ポリオレ
フィン、ポリエステル等の結晶性樹脂の核剤としても有
用である（特願平２−５７４６号）。
【０００２】
【従来の技術】エステル基若しくはカルバモイル基を有
するジアセタール類の製造方法として、ホルミル安息香
酸エステル若しくはホルミル安息香酸アミドと所定の多
価アルコールとを、酸触媒存在下、脱水アセタール縮合
せしめる方法が提案されている（特開平１−２０３３８
９号、特開平１−３１３４８１号、特開平２−４２０８
２号）。
するジアセタール類の製造方法として、ホルミル安息香
酸エステル若しくはホルミル安息香酸アミドと所定の多
価アルコールとを、酸触媒存在下、脱水アセタール縮合
せしめる方法が提案されている（特開平１−２０３３８
９号、特開平１−３１３４８１号、特開平２−４２０８
２号）。
【０００３】これらの方法は、炭素数１〜４程度の低級
アルキルエステル基又は低級カルバモイル基を有するジ
アセタール類の製造方法として有用なものであるが、炭
素数１〜４程度の低級アルキルエステル又は低級アルキ
ルカルバモイル基以外のエステル基又はカルバモイル基
を有するジアセタール類については、原料となるホルミ
ル安息香酸エステル若しくはホルミル安息香酸アミド
を、通常のエステル化反応或いはアミド化反応で得るこ
とは困難であり、実用性に欠ける。
アルキルエステル基又は低級カルバモイル基を有するジ
アセタール類の製造方法として有用なものであるが、炭
素数１〜４程度の低級アルキルエステル又は低級アルキ
ルカルバモイル基以外のエステル基又はカルバモイル基
を有するジアセタール類については、原料となるホルミ
ル安息香酸エステル若しくはホルミル安息香酸アミド
を、通常のエステル化反応或いはアミド化反応で得るこ
とは困難であり、実用性に欠ける。
【０００４】本発明者らは、ホルミル基を低級アルコー
ルのジアルキルアセタールとして保護することにより、
上記エステル交換反応又はエステル・アミド交換反応が
容易に進み、こうして得られたエステル又はアミドと多
価アルコールとの縮合反応は、脱離する低級アルコール
が反応に有効な効果を示すためか、前記従来の方法と比
較して選択性と反応性が大幅に向上することを見いだし
た（特願平２−２３１０５９号）。
ルのジアルキルアセタールとして保護することにより、
上記エステル交換反応又はエステル・アミド交換反応が
容易に進み、こうして得られたエステル又はアミドと多
価アルコールとの縮合反応は、脱離する低級アルコール
が反応に有効な効果を示すためか、前記従来の方法と比
較して選択性と反応性が大幅に向上することを見いだし
た（特願平２−２３１０５９号）。
【０００５】しかし、化粧品、医薬品、建築、自動車、
印刷、及び公害・環境分野における多種多様な産業ニー
ズに対応するには、尚、多岐に亘る構造を有するジアセ
タール化合物の工業的な製造方法を確立する必要があ
る。
印刷、及び公害・環境分野における多種多様な産業ニー
ズに対応するには、尚、多岐に亘る構造を有するジアセ
タール化合物の工業的な製造方法を確立する必要があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、新規有用で
汎用性の高いジアセタール類の製造方法を確立すること
を目的とする。
汎用性の高いジアセタール類の製造方法を確立すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を達成すべく鋭意検討の結果、以下の事実を認め、かか
る知見に基づいて本発明を完成するに至った。
を達成すべく鋭意検討の結果、以下の事実を認め、かか
る知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００８】（ａ）前記一般式（１）で表わされるジア
セタール類、例えば、１,３:２,４−ビス（メトキシカ
ルボニルベンジリデン）ソルビトール等のようにベンジ
リデン基に低級アルキルエステル基を有するものは、各
種のアルコール或いはアミンを用いて、エステル交換或
いはエステル・アミド交換することが容易である。
セタール類、例えば、１,３:２,４−ビス（メトキシカ
ルボニルベンジリデン）ソルビトール等のようにベンジ
リデン基に低級アルキルエステル基を有するものは、各
種のアルコール或いはアミンを用いて、エステル交換或
いはエステル・アミド交換することが容易である。
【０００９】（ｂ）エステル交換反応又はエステル・ア
ミド交換反応において、低分子量から高分子量に亘る親
水性から親油性の一価乃至は二価アルコール或いはアミ
ンを用いることができる。
ミド交換反応において、低分子量から高分子量に亘る親
水性から親油性の一価乃至は二価アルコール或いはアミ
ンを用いることができる。
【００１０】（ｃ）特に、高分子量アルコール又はアミ
ンの場合、前記従来法と比較して、収率良く所望のジア
セタール類が得られる。
ンの場合、前記従来法と比較して、収率良く所望のジア
セタール類が得られる。
【００１１】本発明に係る一般式（１）で表わされるジ
アセタール類の製造方法は、塩基触媒の存在下、一般式
（２）で表わされる低級アルキル（炭素数１〜４）エス
テルジアセタール化合物と一般式（３）若しくは一般式
（４）で表される一価又は二価のアルコールとをエステ
ル交換し、又は上記低級アルキルエステルジアセタール
化合物と一般式（５）若しくは一般式（６）で表される
一価又は二価アミンとをエステル・アミド交換反応する
ことを特徴とする。
アセタール類の製造方法は、塩基触媒の存在下、一般式
（２）で表わされる低級アルキル（炭素数１〜４）エス
テルジアセタール化合物と一般式（３）若しくは一般式
（４）で表される一価又は二価のアルコールとをエステ
ル交換し、又は上記低級アルキルエステルジアセタール
化合物と一般式（５）若しくは一般式（６）で表される
一価又は二価アミンとをエステル・アミド交換反応する
ことを特徴とする。
【化８】 ［式中、Ａ及びＢは、同一又は異なって、夫々、水素原
子、ハロゲン、アルコキシ基、基−（Ａｌｋ）t（式
中、Ａｌｋは低級アルキル基を示し、ｔは１〜３を示
す）、基−ＣＯＯＲ1又は基−ＣＯＯＲ2を示すか、又
は、Ａ及びＢは、同一又は異なって、水素原子、基−
（Ａｌｋ）t（式中、Ａｌｋは低級アルキル基を示し、
ｔは１〜３を示す）、基−ＣＯＮＲ3Ｒ3a又は基−ＣＯ
ＮＲ4Ｒ4aを示し、
子、ハロゲン、アルコキシ基、基−（Ａｌｋ）t（式
中、Ａｌｋは低級アルキル基を示し、ｔは１〜３を示
す）、基−ＣＯＯＲ1又は基−ＣＯＯＲ2を示すか、又
は、Ａ及びＢは、同一又は異なって、水素原子、基−
（Ａｌｋ）t（式中、Ａｌｋは低級アルキル基を示し、
ｔは１〜３を示す）、基−ＣＯＮＲ3Ｒ3a又は基−ＣＯ
ＮＲ4Ｒ4aを示し、
【００１２】Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なって、夫々、
アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン置換アルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アルカジエニル基、
二重結合の数が３〜６個であるアルカポリエニル基、ア
リール基、アラルキル基、又はポリオキシアルキレンア
ルキル（又はアルケニル）エーテル、ポリオキシアルキ
レンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレン
アルキルエステル、ポリオキシアルキレンアルキルアミ
ド、ポリオキシアルキレン安息香酸エステル、ポリエス
テル、第一級又は第二級アミンのエチレンオキシド又は
ポリエチレンオキシド付加体、ロジンアルコール、炭素
数２〜５００のアルカンジオール、ポリエチレングリコ
ール、ポリプロピレングリコール、エチレンオキシドと
プロピレンオキシドとの共重合体、２,２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）プロパン及びその低級アルキレン
オキシド付加物、並びにビス（４−ヒドロキシフェニル
メタン及びその低級アルキレンオキシド付加物からなる
群から選ばれた一価アルコール又は二価アルコールの水
酸基を１個を除いて形成される残基を示し；
アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン置換アルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アルカジエニル基、
二重結合の数が３〜６個であるアルカポリエニル基、ア
リール基、アラルキル基、又はポリオキシアルキレンア
ルキル（又はアルケニル）エーテル、ポリオキシアルキ
レンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレン
アルキルエステル、ポリオキシアルキレンアルキルアミ
ド、ポリオキシアルキレン安息香酸エステル、ポリエス
テル、第一級又は第二級アミンのエチレンオキシド又は
ポリエチレンオキシド付加体、ロジンアルコール、炭素
数２〜５００のアルカンジオール、ポリエチレングリコ
ール、ポリプロピレングリコール、エチレンオキシドと
プロピレンオキシドとの共重合体、２,２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）プロパン及びその低級アルキレン
オキシド付加物、並びにビス（４−ヒドロキシフェニル
メタン及びその低級アルキレンオキシド付加物からなる
群から選ばれた一価アルコール又は二価アルコールの水
酸基を１個を除いて形成される残基を示し；
【００１３】Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、夫々、
アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン置換アルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アルカジエニル基、
二重結合の数が３〜６個であるアルカポリエニル基、ア
リール基又はアラルキル基を示し、Ｒ3a及びＲ4aは、同
一又は異なって、夫々、水素原子又はＲ3又はＲ4と同一
の基を示すか、又は
アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン置換アルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アルカジエニル基、
二重結合の数が３〜６個であるアルカポリエニル基、ア
リール基又はアラルキル基を示し、Ｒ3a及びＲ4aは、同
一又は異なって、夫々、水素原子又はＲ3又はＲ4と同一
の基を示すか、又は
【００１４】基−ＮＲ3Ｒ3a及び−ＮＲ4Ｒ4aは、同一又
は異なって、夫々、Ｎ−（２−ヒドキシエチル）−Ｎ−
アルキル（炭素数１〜３０）アミン、モノ−及びジ−ア
ルカノール（炭素数２〜３）アミン、炭素数２〜２０の
アルキルジアミン、炭素数６〜２０のアリールジアミ
ン、炭素数７〜２０のアラルキルジアミン並びに一般式
は異なって、夫々、Ｎ−（２−ヒドキシエチル）−Ｎ−
アルキル（炭素数１〜３０）アミン、モノ−及びジ−ア
ルカノール（炭素数２〜３）アミン、炭素数２〜２０の
アルキルジアミン、炭素数６〜２０のアリールジアミ
ン、炭素数７〜２０のアラルキルジアミン並びに一般式
【化９】 （式中、Ｔ1及びＴ2は、相異なってエチレン基又はプロ
ピレン基を示し、Ｔ3はＴ1又はＴ2と同一である。ｎ及
びｓは、同一又は相異なって、０〜１００を示す）で表
わされるポリオキシアルキレンジアミンからなる群から
選ばれた一級又は二級のモノアミン又はジアミンの１個
の窒素原子に結合している水素原子１個を除いて形成さ
れる残基を示し；ｐは０又は１を示す。
ピレン基を示し、Ｔ3はＴ1又はＴ2と同一である。ｎ及
びｓは、同一又は相異なって、０〜１００を示す）で表
わされるポリオキシアルキレンジアミンからなる群から
選ばれた一級又は二級のモノアミン又はジアミンの１個
の窒素原子に結合している水素原子１個を除いて形成さ
れる残基を示し；ｐは０又は１を示す。
【００１５】但し、Ａ及びＢのいずれもが水素原子、ハ
ロゲン、アルコキシ基又は上記基−（Ａｌｋ）tである
ことはなく、かつＡ及びＢの少なくとも一方は基−ＣＯ
ＯＲ1若しくは基−ＣＯＯＲ2を、又は基−ＣＯＮＲ3Ｒ
3a若しくは基−ＣＯＮＲ4Ｒ4aを示す。］
ロゲン、アルコキシ基又は上記基−（Ａｌｋ）tである
ことはなく、かつＡ及びＢの少なくとも一方は基−ＣＯ
ＯＲ1若しくは基−ＣＯＯＲ2を、又は基−ＣＯＮＲ3Ｒ
3a若しくは基−ＣＯＮＲ4Ｒ4aを示す。］
【００１６】
【化１０】 ［式中、Ｚ、Ｗは、同一又は異なって、水素原子、ハロ
ゲン、アルコキシ基、及び基−（Ａｌｋ）t、基−ＣＯ
ＯＲ5（Ｒ5は炭素数〜４のアルキル基を表わす）を表わ
し、少なくともいずれか一方は−ＣＯＯＲ5である。ｐ
は０又は１の整数を表わす。］
ゲン、アルコキシ基、及び基−（Ａｌｋ）t、基−ＣＯ
ＯＲ5（Ｒ5は炭素数〜４のアルキル基を表わす）を表わ
し、少なくともいずれか一方は−ＣＯＯＲ5である。ｐ
は０又は１の整数を表わす。］
【化１１】 ［式中、Ｒ1は、一般式（１）と同義である。］
【化１２】 ［式中、Ｒ2は、一般式（１）と同義である。］
【化１３】 ［式中、Ｒ3、Ｒ3a及び−ＮＲ3Ｒ3aは、一般式（１）と
同義である。］
同義である。］
【化１４】 ［式中、Ｒ4、Ｒ4a及び−ＮＲ4Ｒ4aは、一般式（１）と
同義である。］
同義である。］
【００１７】一般式（１）において、Ｒ1及びＲ2として
は、炭素数１〜４０のアルキル基、炭素数５〜１０のシ
クロアルキル基、フッ素等のハロゲン原子で置換された
アルキル基（炭素数１〜３０）、炭素数３〜４０のアル
ケニル基、炭素数２〜２００のω−ヒドロキシアルキル
基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のア
ラルキル基、ポリ（重合度＝１〜１００）オキシアルキ
レンアルキル（炭素数１〜１８）エーテル基、ポリ（重
合度＝１〜１００）オキシアルキレンアルケニル（炭素
数３〜１８）エーテル基、ポリ（重合度＝１〜１００）
オキシアルキレンアリール（炭素数６〜２０）エーテル
基、ポリ（重合度＝１〜１００）オキシアルキレンジオ
ール、ポリ（重合度＝１〜１００）オキシアルキレンア
ルキル（炭素数１〜２０）エステル基、ポリ（重合度＝
１〜１００）オキシアルキレンアリール（炭素数６〜２
０）エステル基の一価アルコール若しくは二価アルコー
ル残基等が例示される。
は、炭素数１〜４０のアルキル基、炭素数５〜１０のシ
クロアルキル基、フッ素等のハロゲン原子で置換された
アルキル基（炭素数１〜３０）、炭素数３〜４０のアル
ケニル基、炭素数２〜２００のω−ヒドロキシアルキル
基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のア
ラルキル基、ポリ（重合度＝１〜１００）オキシアルキ
レンアルキル（炭素数１〜１８）エーテル基、ポリ（重
合度＝１〜１００）オキシアルキレンアルケニル（炭素
数３〜１８）エーテル基、ポリ（重合度＝１〜１００）
オキシアルキレンアリール（炭素数６〜２０）エーテル
基、ポリ（重合度＝１〜１００）オキシアルキレンジオ
ール、ポリ（重合度＝１〜１００）オキシアルキレンア
ルキル（炭素数１〜２０）エステル基、ポリ（重合度＝
１〜１００）オキシアルキレンアリール（炭素数６〜２
０）エステル基の一価アルコール若しくは二価アルコー
ル残基等が例示される。
【００１８】オキシアルキレンとしては、オキシエチレ
ン、オキシプロピレン及びオキシエチレン・オキシプロ
ピレン等が例示される。
ン、オキシプロピレン及びオキシエチレン・オキシプロ
ピレン等が例示される。
【００１９】一般式（３）又は（４）で表される一価ア
ルコール若しくは二価アルコールとして、より具体的に
は、アミルアルコール、ヘキシルアルコール、オクチル
アルコール、ｎ−デシルアルコール、ミリスチルアルコ
ール、ステアリルアルコール、オレイルアルコール、シ
クロヘキシルアルコール、ロジンアルコール、エチレン
グリコール、プロピレングリコール、１,４−ブタンジ
オール、ネオペンチルグリコール、１,６−ヘキサンジ
オール、シクロヘキサン−１,４−ジメタノール、水素
化ビスフェノールＡ、ジブロムネオペンチルグリコー
ル、１,４−キシレノール、ビフェニル−４,４´−ジメ
タノール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコ
ール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコー
ル＃２００、ポリエチレングリコール＃４００、ポリエ
チレングリコール＃６００、ポリエチレングリコール＃
１０００等、炭素数２〜５００（特に２〜３０程度）の
アルカンジオール及びこれらの一価アルコール又は２価
アルコールのアルキレンオキシド付加体（付加モル数１
〜２００）等が例示される。
ルコール若しくは二価アルコールとして、より具体的に
は、アミルアルコール、ヘキシルアルコール、オクチル
アルコール、ｎ−デシルアルコール、ミリスチルアルコ
ール、ステアリルアルコール、オレイルアルコール、シ
クロヘキシルアルコール、ロジンアルコール、エチレン
グリコール、プロピレングリコール、１,４−ブタンジ
オール、ネオペンチルグリコール、１,６−ヘキサンジ
オール、シクロヘキサン−１,４−ジメタノール、水素
化ビスフェノールＡ、ジブロムネオペンチルグリコー
ル、１,４−キシレノール、ビフェニル−４,４´−ジメ
タノール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコ
ール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコー
ル＃２００、ポリエチレングリコール＃４００、ポリエ
チレングリコール＃６００、ポリエチレングリコール＃
１０００等、炭素数２〜５００（特に２〜３０程度）の
アルカンジオール及びこれらの一価アルコール又は２価
アルコールのアルキレンオキシド付加体（付加モル数１
〜２００）等が例示される。
【００２０】一般式（５）又は（６）におけるＲ3及び
Ｒ4としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数５
〜１０のシクロアルキル基、炭素数１〜３０のフッ素等
のハロゲン原子で置換されたアルキル基、炭素数２〜２
０のω−ヒドロキシアルキル基、炭素数６〜２０のアリ
ール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数２〜２
０のω−アミノアルキル基、炭素数６〜２０のアリール
ジアミン、炭素数７〜２０のアラルキルジアミン、ポリ
オキシアルキレンジアミン（ｍ＝１〜１００）等の一価
アミン又は二価アミンのアミン残基が挙げられる。
Ｒ4としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数５
〜１０のシクロアルキル基、炭素数１〜３０のフッ素等
のハロゲン原子で置換されたアルキル基、炭素数２〜２
０のω−ヒドロキシアルキル基、炭素数６〜２０のアリ
ール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数２〜２
０のω−アミノアルキル基、炭素数６〜２０のアリール
ジアミン、炭素数７〜２０のアラルキルジアミン、ポリ
オキシアルキレンジアミン（ｍ＝１〜１００）等の一価
アミン又は二価アミンのアミン残基が挙げられる。
【００２１】より具体的には、メチルアミン、Ｎ,Ｎ−
ジメチルアミン、エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ジエチルアミ
ン、プロピルアミン、Ｎ,Ｎ−ジプロピルアミン、デシ
ルアミン、Ｎ,Ｎ−ジデシルアミン、ステアリルアミ
ン、Ｎ,Ｎ−ジステアリルアミン、シクロヘキシルアミ
ン、Ｎ,Ｎ−ジシクロヘキシルアミン、モノエタノール
アミン、ジエタノールアミン、アニリン、Ｎ,Ｎ−ジフ
ェニルアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−ア
ルキルアミン（炭素数１〜３０）、１,３−プロパンジ
アミン、１,４−ブタンジアミン、１,６−ヘキサンジア
ミン、ｐ−フェニレンジアミン、キシレンジアミン、ポ
リオキシエチレンジアミン、ポリプロピレンジアミン、
Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン等が例
示される。
ジメチルアミン、エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ジエチルアミ
ン、プロピルアミン、Ｎ,Ｎ−ジプロピルアミン、デシ
ルアミン、Ｎ,Ｎ−ジデシルアミン、ステアリルアミ
ン、Ｎ,Ｎ−ジステアリルアミン、シクロヘキシルアミ
ン、Ｎ,Ｎ−ジシクロヘキシルアミン、モノエタノール
アミン、ジエタノールアミン、アニリン、Ｎ,Ｎ−ジフ
ェニルアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−ア
ルキルアミン（炭素数１〜３０）、１,３−プロパンジ
アミン、１,４−ブタンジアミン、１,６−ヘキサンジア
ミン、ｐ−フェニレンジアミン、キシレンジアミン、ポ
リオキシエチレンジアミン、ポリプロピレンジアミン、
Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン等が例
示される。
【００２２】Ｒ3a及びＲ4aとしては、水素原子又はＲ3
又はＲ4と同一の基を例示できる。
又はＲ4と同一の基を例示できる。
【００２３】上記一般式（１）のジアセタール化合物に
おいて、芳香核に置換するエステル基又はカルバモイル
基の位置はオルト、メタ、パラのいずれでもよい。
おいて、芳香核に置換するエステル基又はカルバモイル
基の位置はオルト、メタ、パラのいずれでもよい。
【００２４】上記一般式（２）で表わされるジアセター
ル化合物として、より具体的には、１,３:２,４−ビス
（ｐ−メトキシカルボニルベンジリデン）ソルビトー
ル、１,３:２,４−ビス（ｐ−メトキシカルボニルベン
ジリデン）キシリトール、１,３−ベンジリデン−２,４
−ｐ−メトキシカルボニルベンジリデンソルビトール、
１,３−ベンジリデン−２,４−ｐ−メトキシカルボニル
ベンジリデンキシリトール、１,３−ｐ−メトキシカル
ボニルベンジリデン−２,４−ベンジリデンソルビトー
ル、１,３−ｐ−トルイリデン−２,４−ｐ−メトキシカ
ルボニルベンジリデンソルビトール、１,３−ｐ−トル
イリデン−２,４−ｐ−メトキシカルボニルベンジリデ
ンキシリトール、１,３−ｐ−メトキシベンジリデン−
２,４−ｐ−カルボニルベンジリデンソルビトール、１,
３−ｐ−クロロベンジリデン−２,４−ｐ−メトキシカ
ルボニルベンジリデンソルビトール、１,３−（２,４−
ジメチル）ベンジリデン−２,４−ｐ−メトキシカルボ
ニルベンジリデンソルビトール等の低級アルキルエステ
ル基を有する化合物が例示される。
ル化合物として、より具体的には、１,３:２,４−ビス
（ｐ−メトキシカルボニルベンジリデン）ソルビトー
ル、１,３:２,４−ビス（ｐ−メトキシカルボニルベン
ジリデン）キシリトール、１,３−ベンジリデン−２,４
−ｐ−メトキシカルボニルベンジリデンソルビトール、
１,３−ベンジリデン−２,４−ｐ−メトキシカルボニル
ベンジリデンキシリトール、１,３−ｐ−メトキシカル
ボニルベンジリデン−２,４−ベンジリデンソルビトー
ル、１,３−ｐ−トルイリデン−２,４−ｐ−メトキシカ
ルボニルベンジリデンソルビトール、１,３−ｐ−トル
イリデン−２,４−ｐ−メトキシカルボニルベンジリデ
ンキシリトール、１,３−ｐ−メトキシベンジリデン−
２,４−ｐ−カルボニルベンジリデンソルビトール、１,
３−ｐ−クロロベンジリデン−２,４−ｐ−メトキシカ
ルボニルベンジリデンソルビトール、１,３−（２,４−
ジメチル）ベンジリデン−２,４−ｐ−メトキシカルボ
ニルベンジリデンソルビトール等の低級アルキルエステ
ル基を有する化合物が例示される。
【００２５】エステル基のベンゼン核での置換位置は、
オルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよい。ここで低
級アルキルエステル基とは、メチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、プロピル、イソプロピル、ブチル等の低級アルキ
ル基を有するエステル基を示す。
オルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよい。ここで低
級アルキルエステル基とは、メチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、プロピル、イソプロピル、ブチル等の低級アルキ
ル基を有するエステル基を示す。
【００２６】本発明に係るジアセタール化合物（１）
は、エステル置換基を有するジベンジリデンソルビトー
ル若しくはジベンジリデンキシリトール類（２）を塩基
触媒、無溶媒若しくは溶媒存在下で当該アルコール類若
しくは当該アミン類と、常圧若しくは減圧下でエステル
交換若しくはエステル・アミド交換反応させることによ
り製造される。
は、エステル置換基を有するジベンジリデンソルビトー
ル若しくはジベンジリデンキシリトール類（２）を塩基
触媒、無溶媒若しくは溶媒存在下で当該アルコール類若
しくは当該アミン類と、常圧若しくは減圧下でエステル
交換若しくはエステル・アミド交換反応させることによ
り製造される。
【００２７】当該アルコール類若しくは当該アミン類は
化合物（２）に対して０.１〜１００モル当量、好まし
くは１〜２０モル当量用いる。
化合物（２）に対して０.１〜１００モル当量、好まし
くは１〜２０モル当量用いる。
【００２８】エステル交換反応若しくはエステル・アミ
ド交換反応に用いる塩基触媒としては、リチウム、ナト
リウム、カリウム、水素化リチウム、水素化ナトリウ
ム、水素化カリウム等のアルカリ金属及びアルカリ金属
水素化物、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等の金属水酸化物、ナトリウムメチラート、ナ
トリウムエチラート、カリウム−tert−ブチラート等の
金属アルコラート、ナトリウムアミド、ジイソプロピル
リチウムアミド等のアルカリ金属アミドが例示される。
ド交換反応に用いる塩基触媒としては、リチウム、ナト
リウム、カリウム、水素化リチウム、水素化ナトリウ
ム、水素化カリウム等のアルカリ金属及びアルカリ金属
水素化物、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等の金属水酸化物、ナトリウムメチラート、ナ
トリウムエチラート、カリウム−tert−ブチラート等の
金属アルコラート、ナトリウムアミド、ジイソプロピル
リチウムアミド等のアルカリ金属アミドが例示される。
【００２９】触媒量は、化合物（２）に対して０.０１
〜２０モル当量、好ましくは１〜１０モル当量である。
〜２０モル当量、好ましくは１〜１０モル当量である。
【００３０】反応溶媒としては、化合物（２）を溶解さ
せ、かつ反応に影響を与えない溶媒であれば、いずれも
使用できる。例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル系、ベンゼン、トルエン、ｎ−ヘキサン、
シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等
の非プロトン性極性溶媒が使用できる。又、溶媒として
過剰量の当該アルコール類又はアミン類を用いることも
できる。
せ、かつ反応に影響を与えない溶媒であれば、いずれも
使用できる。例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル系、ベンゼン、トルエン、ｎ−ヘキサン、
シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等
の非プロトン性極性溶媒が使用できる。又、溶媒として
過剰量の当該アルコール類又はアミン類を用いることも
できる。
【００３１】反応温度は０〜２００℃、好ましくは２０
〜１００℃である。
〜１００℃である。
【００３２】又、反応時間は１〜２０時間、好ましくは
３〜１０時間である。
３〜１０時間である。
【００３３】かくして得られるジアセタール化合物は、
流出油、接着剤、香料、医薬品、高分子等の流動性を有
する系のゲル化剤として機能し、その大きな特徴は、対
象の液体（高分子）を２０％以下の、好ましくは５％以
下の少量でゲル化することができる点にあり、その構造
は、生成ゲルの特質に応じて種々選択される。このもの
は揺変剤としての機能をも有しているため、ＦＲＰや塗
料、インキ、接着剤等の流動性調整剤として好適であ
る。又、本発明に係るジアセタール化合物は、従来公知
のジアセタール類と同じように、ポリオレフィン樹脂、
ポリエチレンテレフタレート等の結晶性樹脂の核剤とし
て有用な化合物であり、結晶性樹脂の結晶化度促進や透
明性及び強度の向上等に役立つ。更に、オキシエチレン
鎖等の親水性基を有した本発明化合物は、熱可塑性樹脂
の防曇剤、帯電防止剤、ポリマーアロイの一成分として
も有効である。
流出油、接着剤、香料、医薬品、高分子等の流動性を有
する系のゲル化剤として機能し、その大きな特徴は、対
象の液体（高分子）を２０％以下の、好ましくは５％以
下の少量でゲル化することができる点にあり、その構造
は、生成ゲルの特質に応じて種々選択される。このもの
は揺変剤としての機能をも有しているため、ＦＲＰや塗
料、インキ、接着剤等の流動性調整剤として好適であ
る。又、本発明に係るジアセタール化合物は、従来公知
のジアセタール類と同じように、ポリオレフィン樹脂、
ポリエチレンテレフタレート等の結晶性樹脂の核剤とし
て有用な化合物であり、結晶性樹脂の結晶化度促進や透
明性及び強度の向上等に役立つ。更に、オキシエチレン
鎖等の親水性基を有した本発明化合物は、熱可塑性樹脂
の防曇剤、帯電防止剤、ポリマーアロイの一成分として
も有効である。
【００３４】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。 実施例１ 冷却管、温度計、ガス導入管及び攪拌機を備えた１リッ
トル四つ口フラスコに１,３:２,４−ビス（ｐ−メトキ
シカルボニルベンジリデン）ソルビトール４７.４ｇ
（０.１モル）、ジメチルスルホキシド１００ml、ステ
アリルアルコール８１ｇ（０.３モル）、ナトリウムメ
チラート１.０８ｇ（０.０２モル）を入れ、窒素下、８
０℃にて、３時間加熱攪拌した。反応終了後、室温まで
冷却し、飽和塩化アンモニウム溶液で中和し、更に水を
添加し、析出した白色固体を濾過した。得られた白色固
体をエタノールで洗浄し、乾燥して目的とする１,３:
２,４−ビス（ｐ−ステアリルオキシカルボニルベンジ
リデン）ソルビトール８２.４ｇ（収率８６.７％）を得
た。
する。 実施例１ 冷却管、温度計、ガス導入管及び攪拌機を備えた１リッ
トル四つ口フラスコに１,３:２,４−ビス（ｐ−メトキ
シカルボニルベンジリデン）ソルビトール４７.４ｇ
（０.１モル）、ジメチルスルホキシド１００ml、ステ
アリルアルコール８１ｇ（０.３モル）、ナトリウムメ
チラート１.０８ｇ（０.０２モル）を入れ、窒素下、８
０℃にて、３時間加熱攪拌した。反応終了後、室温まで
冷却し、飽和塩化アンモニウム溶液で中和し、更に水を
添加し、析出した白色固体を濾過した。得られた白色固
体をエタノールで洗浄し、乾燥して目的とする１,３:
２,４−ビス（ｐ−ステアリルオキシカルボニルベンジ
リデン）ソルビトール８２.４ｇ（収率８６.７％）を得
た。
【００３５】実施例２ 原料として１,３:２,４−ビス（ｐ−メトキシカルボニ
ルベンジリデン）キシリトール４４.４ｇ（０.１モル）
を用いた他は実施例１と同様に操作して、目的とする
１,３:２,４−ビス（ｐ−ステアリルオキシカルボニル
ベンジリデン）キシリトール７８.２ｇ（収率８５％）
を得た。
ルベンジリデン）キシリトール４４.４ｇ（０.１モル）
を用いた他は実施例１と同様に操作して、目的とする
１,３:２,４−ビス（ｐ−ステアリルオキシカルボニル
ベンジリデン）キシリトール７８.２ｇ（収率８５％）
を得た。
【００３６】実施例３ アルコール成分としてｎ−デシルアルコール４７.４ｇ
（０.３モル）、反応溶媒としてＮ−メチルピロリドン
１００mlを用いた他は実施例１と同様に操作して、目的
とする１,３:２,４−ビス（ｐ−ｎ−デシルオキシカル
ボニルベンジリデン）ソルビトール６７.１ｇ（収率９
２.４％）を得た。
（０.３モル）、反応溶媒としてＮ−メチルピロリドン
１００mlを用いた他は実施例１と同様に操作して、目的
とする１,３:２,４−ビス（ｐ−ｎ−デシルオキシカル
ボニルベンジリデン）ソルビトール６７.１ｇ（収率９
２.４％）を得た。
【００３７】実施例４ アルコール成分としてエチレングリコール１８.７ｇ
（０.３モル）、塩基性触媒としてナトリウムエチラー
ト１.３６ｇ（０.０２モル）を用いた他は実施例１と同
様に操作して、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−２
−ヒドロキシエトキシカルボニルベンジリデン）ソルビ
トール４９.４ｇ（収率９２.５％）を得た。
（０.３モル）、塩基性触媒としてナトリウムエチラー
ト１.３６ｇ（０.０２モル）を用いた他は実施例１と同
様に操作して、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−２
−ヒドロキシエトキシカルボニルベンジリデン）ソルビ
トール４９.４ｇ（収率９２.５％）を得た。
【００３８】実施例５ アルコール成分として２−エトキシエタノール２７ｇ
（０.３モル）を用いた他は実施例１と同様に操作し
て、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−（２−エトキ
シ）エトキシカルボニルベンジリデン）ソルビトール５
１.７ｇ（収率８７.６％）を得た。
（０.３モル）を用いた他は実施例１と同様に操作し
て、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−（２−エトキ
シ）エトキシカルボニルベンジリデン）ソルビトール５
１.７ｇ（収率８７.６％）を得た。
【００３９】実施例６ 原料として１,３−（ｐ−メトキシカルボニルベンジリ
デン）−２,４−（ｐ−メチルベンジリデン）ソルビト
ール４３ｇ（０.１モル）、ステアリルアルコール４０.
５ｇ（０.１５モル）を用いた他は実施例１と同様に操
作して、目的とする１,３−（ｐ−ステアリルオキシカ
ルボニルベンジリデン）−２,４−（ｐ−メチルベンジ
リデン）ソルビトール６０.５ｇ（収率９０.６％）を得
た。
デン）−２,４−（ｐ−メチルベンジリデン）ソルビト
ール４３ｇ（０.１モル）、ステアリルアルコール４０.
５ｇ（０.１５モル）を用いた他は実施例１と同様に操
作して、目的とする１,３−（ｐ−ステアリルオキシカ
ルボニルベンジリデン）−２,４−（ｐ−メチルベンジ
リデン）ソルビトール６０.５ｇ（収率９０.６％）を得
た。
【００４０】実施例７ 原料として１,３:２,４−ビス（ｐ−メトキシカルボニ
ルベンジリデン）ソルビトール２３.７ｇ（０.０５モ
ル）、アルコール成分としてポリエチレングリコール＃
１０００を１５０ｇ用いた他は実施例１と同様に操作し
て、目的とするエステル基アルコール残基にポリエチレ
ングリコール＃１０００を有するジアセタール化物１１
０ｇ（収率９０.２％、平均分子量換算）を得た。
ルベンジリデン）ソルビトール２３.７ｇ（０.０５モ
ル）、アルコール成分としてポリエチレングリコール＃
１０００を１５０ｇ用いた他は実施例１と同様に操作し
て、目的とするエステル基アルコール残基にポリエチレ
ングリコール＃１０００を有するジアセタール化物１１
０ｇ（収率９０.２％、平均分子量換算）を得た。
【００４１】実施例８ ステアリルアルコールに替えてステアリルアミン８０.
７ｇ（０.３モル）、ナトリウムメチラート１３.５ｇ
（０.２５モル）を用いた他は実施例１と同様に操作し
て、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−ステアリルカ
ルバモイルベンジリデン）ソルビトール８４.８ｇ（収
率８９.５％）を得た。
７ｇ（０.３モル）、ナトリウムメチラート１３.５ｇ
（０.２５モル）を用いた他は実施例１と同様に操作し
て、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−ステアリルカ
ルバモイルベンジリデン）ソルビトール８４.８ｇ（収
率８９.５％）を得た。
【００４２】実施例９ ステアリルアミンに替えてシクロヘキシルアミン２９.
７ｇ（０.３モル）を用いた他は実施例８と同様に操作
して、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−Ｎ−シクロ
ヘキシルカルバモイルベンジリデン）ソルビトール５２
ｇ（収率８５.６％）を得た。
７ｇ（０.３モル）を用いた他は実施例８と同様に操作
して、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−Ｎ−シクロ
ヘキシルカルバモイルベンジリデン）ソルビトール５２
ｇ（収率８５.６％）を得た。
【００４３】実施例１０ １,３−（ｐ−メトキシカルボニルベンジリデン）−２,
４−（ｐ−メチルベンジリデン）ソルビトール４３ｇ
（０.１モル）、デシルアミンアミン２３.６ｇ（０.１
５モル）、ナトリウムメチラート８.１ｇ（０.１５モ
ル）を用いた他は実施例１と同様に操作して、目的とす
る１,３−（ｐ−Ｎ−ｎ−デシルカルバモイルベンジリ
デン）−２,４−（ｐ−メチルベンジリデン）ソルビト
ール５１ｇ（収率９１.７％）を得た。
４−（ｐ−メチルベンジリデン）ソルビトール４３ｇ
（０.１モル）、デシルアミンアミン２３.６ｇ（０.１
５モル）、ナトリウムメチラート８.１ｇ（０.１５モ
ル）を用いた他は実施例１と同様に操作して、目的とす
る１,３−（ｐ−Ｎ−ｎ−デシルカルバモイルベンジリ
デン）−２,４−（ｐ−メチルベンジリデン）ソルビト
ール５１ｇ（収率９１.７％）を得た。
【００４４】実施例１１ ステアリルアミンに替えてモノエタノールアミン１８.
３ｇ（０.３モル）を用いた他は実施例８と同様に操作
して、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−Ｎ−（２−
ヒドロキシ）エチルカルバモイルベンジリデン）ソルビ
トール５０.３ｇ（収率９４.６％）を得た。
３ｇ（０.３モル）を用いた他は実施例８と同様に操作
して、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−Ｎ−（２−
ヒドロキシ）エチルカルバモイルベンジリデン）ソルビ
トール５０.３ｇ（収率９４.６％）を得た。
【００４５】実施例１３ ジメチルスルホキシドに替えて過剰量のモノエタノ−ル
アミン２００ｇ、ナトリウムメチラート１３.５ｇ
（０．２５モル）を用いた他は実施例１と同様に操作し
て、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−Ｎ−（２−ヒ
ドロキシ）エチルカルバモイルベンジリデン）ソルビト
−ル４９.１ｇ（収率９２.３％）を得た。
アミン２００ｇ、ナトリウムメチラート１３.５ｇ
（０．２５モル）を用いた他は実施例１と同様に操作し
て、目的とする１,３:２,４−ビス（ｐ−Ｎ−（２−ヒ
ドロキシ）エチルカルバモイルベンジリデン）ソルビト
−ル４９.１ｇ（収率９２.３％）を得た。
【００４６】比較例１ 攪拌機、デカンター付き冷却器、温度計及びガス導入口
を備えた１リットル四つ口フラスコに、ｐ−ホルミル安
息香酸ポリエチレングリコール＃１０００モノエステル
のジメチルアセタール１１７.８ｇ、ソルビトール９.１
ｇ（０.０５モル）、シクロヘキサン２００ml、メタノ
ール８０ml及びｐ−トルエンスルホン酸一水和物１.２
ｇを仕込み、窒素雰囲気下、還流温度にて５時間攪拌し
た。メタノール及び生成水は必要に応じて抜き出した。
反応終了後、室温まで冷却し、水酸化ナトリウム水溶液
で中和、濾過して得られる固体を温水及びメタノールで
洗浄し、次いで減圧乾燥して目的とするエステル基のア
ルコール残基にポリエチレングリコール＃１０００を有
するジアセタール化物を製造したところ、その収量は４
３.２ｇ（収率３５.４％、平均分子量換算）と低いもの
であった。
を備えた１リットル四つ口フラスコに、ｐ−ホルミル安
息香酸ポリエチレングリコール＃１０００モノエステル
のジメチルアセタール１１７.８ｇ、ソルビトール９.１
ｇ（０.０５モル）、シクロヘキサン２００ml、メタノ
ール８０ml及びｐ−トルエンスルホン酸一水和物１.２
ｇを仕込み、窒素雰囲気下、還流温度にて５時間攪拌し
た。メタノール及び生成水は必要に応じて抜き出した。
反応終了後、室温まで冷却し、水酸化ナトリウム水溶液
で中和、濾過して得られる固体を温水及びメタノールで
洗浄し、次いで減圧乾燥して目的とするエステル基のア
ルコール残基にポリエチレングリコール＃１０００を有
するジアセタール化物を製造したところ、その収量は４
３.２ｇ（収率３５.４％、平均分子量換算）と低いもの
であった。
【００４７】
【発明の効果】本発明に係る製造方法を用いることによ
り、工業的に有用なジアセタール化合物を高収率で得る
ことができる。本発明方法は、従来の製造方法と比較し
て汎用性に富むものである。
り、工業的に有用なジアセタール化合物を高収率で得る
ことができる。本発明方法は、従来の製造方法と比較し
て汎用性に富むものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（１）で表されるジアセタール化
合物を製造するに際し、塩基触媒の存在下、一般式
（２）で表わされる低級アルキル（炭素数１〜４）エス
テルジアセタール化合物と一般式（３）若しくは一般式
（４）で表される一価又は二価のアルコールとをエステ
ル交換し、又は上記低級アルキルエステルジアセタール
化合物と一般式（５）若しくは一般式（６）で表される
一価又は二価アミンとをエステル・アミド交換反応する
ことを特徴とする芳香環にエステル基又はカルバモイル
基を有するジアセタール化合物の製造方法。 【化１】 ［式中、Ａ及びＢは、同一又は異なって、夫々、水素原
子、ハロゲン、アルコキシ基、基−（Ａｌｋ）t（式
中、Ａｌｋは低級アルキル基を示し、ｔは１〜３を示
す）、基−ＣＯＯＲ1又は基−ＣＯＯＲ2を示すか、又
は、Ａ及びＢは、同一又は異なって、水素原子、基−
（Ａｌｋ）t（式中、Ａｌｋは低級アルキル基を示し、
ｔは１〜３を示す）、基−ＣＯＮＲ3Ｒ3a又は基−ＣＯ
ＮＲ4Ｒ4aを示し、 Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なって、夫々、アルキル基、
シクロアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アルカジエニル基、二重結合の数
が３〜６個であるアルカポリエニル基、アリール基、ア
ラルキル基、又はポリオキシアルキレンアルキル（又は
アルケニル）エーテル、ポリオキシアルキレンアルキル
フェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエス
テル、ポリオキシアルキレンアルキルアミド、ポリオキ
シアルキレン安息香酸エステル、ポリエステル、第一級
又は第二級アミンのエチレンオキシド又はポリエチレン
オキシド付加体、ロジンアルコール、炭素数２〜５００
のアルカンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプ
ロピレングリコール、エチレンオキシドとプロピレンオ
キシドとの共重合体、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン及びその低級アルキレンオキシド付加
物、並びにビス（４−ヒドロキシフェニルメタン及びそ
の低級アルキレンオキシド付加物からなる群から選ばれ
た一価アルコール又は二価アルコールの水酸基を１個を
除いて形成される残基を示し；Ｒ3及びＲ4は、同一又は
異なって、夫々、アルキル基、シクロアルキル基、ハロ
ゲン置換アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ア
ルカジエニル基、二重結合の数が３〜６個であるアルカ
ポリエニル基、アリール基又はアラルキル基を示し、Ｒ
3a及びＲ4aは、同一又は異なって、夫々、水素原子又は
Ｒ3又はＲ4と同一の基を示すか、又は基−ＮＲ3Ｒ3a及
び−ＮＲ4Ｒ4aは、同一又は異なって、夫々、Ｎ−（２
−ヒドキシエチル）−Ｎ−アルキル（炭素数１〜３０）
アミン、モノ−及びジ−アルカノール（炭素数２〜３）
アミン、炭素数２〜２０のアルキルジアミン、炭素数６
〜２０のアリールジアミン、炭素数７〜２０のアラルキ
ルジアミン並びに一般式 【化２】 （式中、Ｔ1及びＴ2は、相異なってエチレン基又はプロ
ピレン基を示し、Ｔ3はＴ1又はＴ2と同一である。ｎ及
びｓは、同一又は相異なって、０〜１００を示す）で表
わされるポリオキシアルキレンジアミンからなる群から
選ばれた一級又は二級のモノアミン又はジアミンの１個
の窒素原子に結合している水素原子１個を除いて形成さ
れる残基を示し；ｐは０又は１を示す。但し、Ａ及びＢ
のいずれもが水素原子、ハロゲン、アルコキシ基又は上
記基−（Ａｌｋ）tであることはなく、かつＡ及びＢの
少なくとも一方は基−ＣＯＯＲ1若しくは基−ＣＯＯＲ2
を、又は基−ＣＯＮＲ3Ｒ3a若しくは基−ＣＯＮＲ4Ｒ4a
を示す。］ 【化３】 ［式中、Ｚ、Ｗは、同一又は異なって、水素原子、ハロ
ゲン、アルコキシ基、及び基−（Ａｌｋ）t、基−ＣＯ
ＯＲ5（Ｒ5は炭素数〜４のアルキル基を表わす）を表わ
し、少なくともいずれか一方は−ＣＯＯＲ5である。ｐ
は０又は１の整数を表わす。］ 【化４】 ［式中、Ｒ1は、一般式（１）と同義である。］ 【化５】 ［式中、Ｒ2は、一般式（１）と同義である。］ 【化６】 ［式中、Ｒ3、Ｒ3a及び−ＮＲ3Ｒ3aは、一般式（１）と
同義である。］ 【化７】 ［式中、Ｒ4、Ｒ4a及び−ＮＲ4Ｒ4aは、一般式（１）と
同義である。］
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25209892A JP3180464B2 (ja) | 1991-08-30 | 1992-08-26 | ジアセタール化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US91/01162 | 1991-08-30 | ||
| PCT/JP1991/001162 WO1992004352A1 (en) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | Process for producing diacetal |
| JP25209892A JP3180464B2 (ja) | 1991-08-30 | 1992-08-26 | ジアセタール化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH069644A true JPH069644A (ja) | 1994-01-18 |
| JP3180464B2 JP3180464B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=17232499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-08-26 JP JP25209892A patent/JP3180464B2/ja not_active Expired - Fee Related
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