JPH0694634A - 縮小投影型露光装置、縮小投影型露光装置における異 物検出方法および異物検出装置 - Google Patents
縮小投影型露光装置、縮小投影型露光装置における異 物検出方法および異物検出装置Info
- Publication number
- JPH0694634A JPH0694634A JP4269676A JP26967692A JPH0694634A JP H0694634 A JPH0694634 A JP H0694634A JP 4269676 A JP4269676 A JP 4269676A JP 26967692 A JP26967692 A JP 26967692A JP H0694634 A JPH0694634 A JP H0694634A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer chuck
- wafer
- light
- foreign matter
- laser light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光の際のフォーカス調整誤差によるパター
ン解像不良を防止するため、ウエハとウエハチャックの
間の異物を検出する簡単かつ確実な手段を提供する。 【構成】 ウエハチャック６の表面にレーザー光源１３
から出た光を集束させ、ウエハチャック６とレーザー光
の間の相対移動によりウエハチャック表面全体を走査
し、その時の散乱光を受光素子９によって検出して、異
物５の存在を確認する。
ン解像不良を防止するため、ウエハとウエハチャックの
間の異物を検出する簡単かつ確実な手段を提供する。 【構成】 ウエハチャック６の表面にレーザー光源１３
から出た光を集束させ、ウエハチャック６とレーザー光
の間の相対移動によりウエハチャック表面全体を走査
し、その時の散乱光を受光素子９によって検出して、異
物５の存在を確認する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハおよび露
光マスクに１ショット毎に自動的に焦点合わせを行うオ
ートフォーカス機能を有する縮小投影型露光装置に関す
る。
光マスクに１ショット毎に自動的に焦点合わせを行うオ
ートフォーカス機能を有する縮小投影型露光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハ及び露光マスクに１
ショット毎に自動的に焦点合わせを行うオートフォーカ
ス機能を有する縮小投影型露光装置のオートフォーカス
は、通常以下のようにして行われた。まず、露光すべき
ウエハをウエハチャック上にセットする。次に、光学的
オートフォーカス機構を用いてウエハチャック上のウエ
ハの露光すべき部分の高さを測定し、上下駆動モータに
よりウエハチャックを昇降させて、ウエハの高さを調整
し、焦点合わせを行う。そして、その後レティクルのパ
ターンが、ウエハの焦点合わせを行った露光すべき部分
に露光される。
ショット毎に自動的に焦点合わせを行うオートフォーカ
ス機能を有する縮小投影型露光装置のオートフォーカス
は、通常以下のようにして行われた。まず、露光すべき
ウエハをウエハチャック上にセットする。次に、光学的
オートフォーカス機構を用いてウエハチャック上のウエ
ハの露光すべき部分の高さを測定し、上下駆動モータに
よりウエハチャックを昇降させて、ウエハの高さを調整
し、焦点合わせを行う。そして、その後レティクルのパ
ターンが、ウエハの焦点合わせを行った露光すべき部分
に露光される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
縮小投影型露光装置のオートフォーカス機構は、ウエハ
の高さを精密に測定することができるが、高さ測定点が
チャックとウエハ間にはさまれた異物によって盛り上が
っている場合、その点にのみに焦点が合わされるので、
この点から離れたウエハの露光すべき部分は、焦点がは
ずれることになり、解像不良を引き起こす。そのため、
それにより完成した半導体素子の良品率の低下を招く。
このような解像不良の部分の存在は、ウエハの現像処理
を行った後、顕微鏡による検査によって初めて判明す
る。しかもウエハの一部分に発生するので、これを見つ
け出すことは、かならずしも容易ではない。このような
異物は、チャックに固着していることがあり、その場
合、連続した露光ですべてのウエハに解像不良を引き起
こすことがある。そこで、本発明の目的は、ウエハとチ
ャックの間の異物を検出する効果的かつ簡単な縮小投影
型露光装置、縮小投影型露光装置の異物検査方法および
装置を提供することにある。
縮小投影型露光装置のオートフォーカス機構は、ウエハ
の高さを精密に測定することができるが、高さ測定点が
チャックとウエハ間にはさまれた異物によって盛り上が
っている場合、その点にのみに焦点が合わされるので、
この点から離れたウエハの露光すべき部分は、焦点がは
ずれることになり、解像不良を引き起こす。そのため、
それにより完成した半導体素子の良品率の低下を招く。
このような解像不良の部分の存在は、ウエハの現像処理
を行った後、顕微鏡による検査によって初めて判明す
る。しかもウエハの一部分に発生するので、これを見つ
け出すことは、かならずしも容易ではない。このような
異物は、チャックに固着していることがあり、その場
合、連続した露光ですべてのウエハに解像不良を引き起
こすことがある。そこで、本発明の目的は、ウエハとチ
ャックの間の異物を検出する効果的かつ簡単な縮小投影
型露光装置、縮小投影型露光装置の異物検査方法および
装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明によ
れば、縮小投影型露光装置において、Ｘ、Ｙステージを
はさんでステッパ上に配置されたウエハチャックの表面
に、レーザー光源から出た光を集束させ、ウエハチャッ
クとレーザー光の間の相対移動によりウエハチャックの
表面全体を走査し、ウエハチャック上方のレーザー光集
束点の近くに配置された受光素子によってウエハチャッ
ク表面からの散乱光を検出し、散乱光が検出されたと
き、ウエハチャック表面に異物があると判定することよ
り異物を検出して前記目的を達成する。
れば、縮小投影型露光装置において、Ｘ、Ｙステージを
はさんでステッパ上に配置されたウエハチャックの表面
に、レーザー光源から出た光を集束させ、ウエハチャッ
クとレーザー光の間の相対移動によりウエハチャックの
表面全体を走査し、ウエハチャック上方のレーザー光集
束点の近くに配置された受光素子によってウエハチャッ
ク表面からの散乱光を検出し、散乱光が検出されたと
き、ウエハチャック表面に異物があると判定することよ
り異物を検出して前記目的を達成する。
【０００５】請求項２記載の発明によれば、縮小投影型
露光装置において、Ｘ、Ｙステージをはさんでステッパ
上にウエハチャックが配置されており、ウエハチャック
の上方にレーザー光源が設けられており、レーザー光源
と、ウエハチャックの間のレーザー光の光路中に、集光
光学系と光転向装置が設けられており、ウエハチャック
上方のレーザー光集束点の近くに受光素子が配置して前
記目的を達成する。請求項３記載の発明によれば、Ｘ、
Ｙステージをはさんでステッパ上に配置されたウエハチ
ャックに保持された半導体ウエハおよび露光マスクに像
を結像させるため、オートフォーカスにより焦点合わせ
を行う縮小投影型露光装置において、ウエハチャック上
にウエハを装着する前にウエハチャック上の異物を検出
するため、ウエハチャック上にレーザー光を照射する手
段と、異物による散乱光を検出する手段を具備させて前
記目的を達成する。
露光装置において、Ｘ、Ｙステージをはさんでステッパ
上にウエハチャックが配置されており、ウエハチャック
の上方にレーザー光源が設けられており、レーザー光源
と、ウエハチャックの間のレーザー光の光路中に、集光
光学系と光転向装置が設けられており、ウエハチャック
上方のレーザー光集束点の近くに受光素子が配置して前
記目的を達成する。請求項３記載の発明によれば、Ｘ、
Ｙステージをはさんでステッパ上に配置されたウエハチ
ャックに保持された半導体ウエハおよび露光マスクに像
を結像させるため、オートフォーカスにより焦点合わせ
を行う縮小投影型露光装置において、ウエハチャック上
にウエハを装着する前にウエハチャック上の異物を検出
するため、ウエハチャック上にレーザー光を照射する手
段と、異物による散乱光を検出する手段を具備させて前
記目的を達成する。
【０００６】
【作用】請求項２記載の縮小投影型露光装置の異物検出
装置は、通常のようにＸ、Ｙステージをはさんでステッ
パ上に配置されたウエハチャックを有する。そして、ウ
エハチャックに露光マスクを有する半導体ウエハを装着
して、レティクルのパターンの結像のため焦点合わせを
行う前に、レティクルパターン結像系の位置に異物検出
装置を配置する。異物検出装置は、レーザー光源とレー
ザー光の集光光学系および光転向装置と受光素子とから
なる。この受光素子は、ウエハチャック上方のレーザー
光集束点の近くに配置されており、ウエハチャック上に
異物があった場合、この異物によって散乱されたレーザ
ー光を検出する。
装置は、通常のようにＸ、Ｙステージをはさんでステッ
パ上に配置されたウエハチャックを有する。そして、ウ
エハチャックに露光マスクを有する半導体ウエハを装着
して、レティクルのパターンの結像のため焦点合わせを
行う前に、レティクルパターン結像系の位置に異物検出
装置を配置する。異物検出装置は、レーザー光源とレー
ザー光の集光光学系および光転向装置と受光素子とから
なる。この受光素子は、ウエハチャック上方のレーザー
光集束点の近くに配置されており、ウエハチャック上に
異物があった場合、この異物によって散乱されたレーザ
ー光を検出する。
【０００７】レーザー光は、ウエハチャック表面全体を
走査するが，そのためには、レーザー光の転向装置また
はＸ、Ｙステージが利用できる。すなわち光転向装置と
Ｘ、Ｙステージの少なくともいずれか一方の動作によ
り、ウエハチャックとレーザー光の間の相対移動を行う
ことができる。これによりウエハチャック表面全体にお
いて異物の検査を行うことができる。
走査するが，そのためには、レーザー光の転向装置また
はＸ、Ｙステージが利用できる。すなわち光転向装置と
Ｘ、Ｙステージの少なくともいずれか一方の動作によ
り、ウエハチャックとレーザー光の間の相対移動を行う
ことができる。これによりウエハチャック表面全体にお
いて異物の検査を行うことができる。
【０００８】本発明の実施例を以下図面により詳細に説
明する。図２は通常の縮小投影型露光装置を示してい
る。ステッパ本体８上にはＸ、Ｙステージ７が配置され
ている。このＸ、Ｙステージ７は、ウエハチャック６の
Ｘ、Ｙ方向の位置を精密に設定することができる。この
図２に示すように、ウエハチャック６には半導体ウエハ
４が装着されているが、この場合ウエハチャック６とウ
エハ４の間に異物５がはさまってしまうことがある。そ
のため、ウエハ４の表面は異物５の形状に沿って、図示
するように盛り上がっており、平坦になっていない。
明する。図２は通常の縮小投影型露光装置を示してい
る。ステッパ本体８上にはＸ、Ｙステージ７が配置され
ている。このＸ、Ｙステージ７は、ウエハチャック６の
Ｘ、Ｙ方向の位置を精密に設定することができる。この
図２に示すように、ウエハチャック６には半導体ウエハ
４が装着されているが、この場合ウエハチャック６とウ
エハ４の間に異物５がはさまってしまうことがある。そ
のため、ウエハ４の表面は異物５の形状に沿って、図示
するように盛り上がっており、平坦になっていない。
【０００９】レティクル１のパターンは光学系２によっ
てウエハ４の表面に結像されるが、そのためにオートフ
ォーカス機構３によってウエハ４表面の高さが測定さ
る。そして、図示していない上下駆動モータによってウ
エハチャック６の上下方向の位置が調節されるようにな
っている。この図２において、オートフォーカス機構３
は、異物５によって盛り上がったウエハ４の部分を測定
しているので、この部分に焦点が合わせてしまうことに
なる。そのため、その他の部分では焦点はずれを惹起
し、解像不良を引き起こしてしまうことになる。
てウエハ４の表面に結像されるが、そのためにオートフ
ォーカス機構３によってウエハ４表面の高さが測定さ
る。そして、図示していない上下駆動モータによってウ
エハチャック６の上下方向の位置が調節されるようにな
っている。この図２において、オートフォーカス機構３
は、異物５によって盛り上がったウエハ４の部分を測定
しているので、この部分に焦点が合わせてしまうことに
なる。そのため、その他の部分では焦点はずれを惹起
し、解像不良を引き起こしてしまうことになる。
【００１０】図１には、本発明の一実施例に係る異物検
出装置を有する縮小投影型露光装置が示されている。こ
の図ではウエハチャック６にはまだウエハ４が装着され
ていない。図２においてレティクル１および光学系が配
置されていた位置に、異物検出装置が配置されている
が、この配置は、Ｘ、Ｙステージ７によるウエハチャッ
ク６の移動により、または露光装置と異物検出装置の移
動により達成することができる。
出装置を有する縮小投影型露光装置が示されている。こ
の図ではウエハチャック６にはまだウエハ４が装着され
ていない。図２においてレティクル１および光学系が配
置されていた位置に、異物検出装置が配置されている
が、この配置は、Ｘ、Ｙステージ７によるウエハチャッ
ク６の移動により、または露光装置と異物検出装置の移
動により達成することができる。
【００１１】この異物検出装置は，レーザー光源１３、
集束レンズ１４、光転向装置、すなわちガルバミラー１
２と反射鏡１１、および乱反射を検出するための受光素
子９より構成されている。そして、レーザー光源１３か
ら発せられた光は、集光レンズ１４で集束させられ、ガ
ルバミラー１２および反射鏡１１によってウエハチャッ
ク６上面に集光させられる。
集束レンズ１４、光転向装置、すなわちガルバミラー１
２と反射鏡１１、および乱反射を検出するための受光素
子９より構成されている。そして、レーザー光源１３か
ら発せられた光は、集光レンズ１４で集束させられ、ガ
ルバミラー１２および反射鏡１１によってウエハチャッ
ク６上面に集光させられる。
【００１２】この場合、レーザー光によるウエハチャッ
ク６の走査は、ガルバミラー１２とＸ、Ｙステージ７に
よってそれぞれ水平方向および垂直方向に行われる。ま
た、ガルバミラー１２またはＸ、Ｙステージ７のいずれ
か一方によって両方向の走査を行うこともできる。
ク６の走査は、ガルバミラー１２とＸ、Ｙステージ７に
よってそれぞれ水平方向および垂直方向に行われる。ま
た、ガルバミラー１２またはＸ、Ｙステージ７のいずれ
か一方によって両方向の走査を行うこともできる。
【００１３】そして、走査の結果、異物５が存在すれ
ば、レーザー光はここで乱反射するので、これは受光素
子９によって検出される。そのため受光素子９は、レー
ザー光の正常な反射光が直接入射しない位置に配置され
ている。ここで、ウエハチャック６上面から異物５が検
出された場合、その異物５をウエハチャック６上の異物
５を取り除く。そうして、異物５によるフォーカスずれ
を未然に防ぐことができる。さらに異物５だけでなるウ
エハチャック６上の傷も本装置により検出できる。
ば、レーザー光はここで乱反射するので、これは受光素
子９によって検出される。そのため受光素子９は、レー
ザー光の正常な反射光が直接入射しない位置に配置され
ている。ここで、ウエハチャック６上面から異物５が検
出された場合、その異物５をウエハチャック６上の異物
５を取り除く。そうして、異物５によるフォーカスずれ
を未然に防ぐことができる。さらに異物５だけでなるウ
エハチャック６上の傷も本装置により検出できる。
【００１４】
【発明の効果】請求項１または請求項２記載の発明によ
れば、ウエハをウエハチャックに装着する前に、ウエハ
チャックをはずすことなく、露光時に使用するステージ
上でウエハチャック上の異物を検出することができるの
で、検出した時点で露光をとりやめ、異物の影響による
解像不良を防止できる。またウエハチャック上の異物の
座標も容易に検出できるので、異物の除去は簡単かつ確
実に行うことができる。また、請求項３記載の発明によ
れば、半導体ウエハから製造される半導体素子の良品率
を著しく高めることができ、ひいては半導体装置の歩留
りを著しく向上できる。
れば、ウエハをウエハチャックに装着する前に、ウエハ
チャックをはずすことなく、露光時に使用するステージ
上でウエハチャック上の異物を検出することができるの
で、検出した時点で露光をとりやめ、異物の影響による
解像不良を防止できる。またウエハチャック上の異物の
座標も容易に検出できるので、異物の除去は簡単かつ確
実に行うことができる。また、請求項３記載の発明によ
れば、半導体ウエハから製造される半導体素子の良品率
を著しく高めることができ、ひいては半導体装置の歩留
りを著しく向上できる。
【図１】本発明の一実施例に係る縮小投影型露光装置に
おける異物検出装置の略図である。
おける異物検出装置の略図である。
【図２】従来の縮小投影型露光装置の略図である。
１ レティクル ２ 光学系 ３ オートフォーカス機構 ４ ウエハ ５ 異物 ６ ウエハチャック ７ Ｘ、Ｙステージ ８ ステッパ本体 ９ 受光素子 １１ 反射鏡 １２ ガルバミラー １３ レーザー光源 １４ 集束レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ 7377−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｘ、Ｙステージをはさんでステッパ上に
配置されたウエハチャックの表面に、レーザー光源から
出た光を集束させ、ウエハチャックとレーザー光の間の
相対移動によりウエハチャックの表面全体を走査し、ウ
エハチャック上方のレーザー光集束点の近くに配置され
た受光素子によってウエハチャック表面からの散乱光を
検出し、散乱光が検出されたとき、ウエハチャック表面
に異物があると判定することを特徴とする縮小投影型露
光装置における異物検出方法。 - 【請求項２】 Ｘ、Ｙステージをはさんでステッパ上に
ウエハチャックが配置されており、ウエハチャックの上
方にレーザー光源が設けられており、レーザー光源と、
ウエハチャックの間のレーザー光の光路中に、集光光学
系と光転向装置が設けられており、ウエハチャック上方
のレーザー光集束点の近くに受光素子が配置されている
ことを特徴とする縮小投影型露光装置における異物検出
装置。 - 【請求項３】 Ｘ、Ｙステージをはさんでステッパ上に
配置されたウエハチャックに保持された半導体ウエハお
よび露光マスクに像を結像させるため、オートフォーカ
スにより焦点合わせを行い、ウエハチャック上にウエハ
を装着する前にウエハチャック上の異物を検出するた
め、ウエハチャック上にレーザー光を照射する手段と、
異物による散乱光を検出する手段とを備えたことを特徴
とする縮小投影型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269676A JPH0694634A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 縮小投影型露光装置、縮小投影型露光装置における異 物検出方法および異物検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269676A JPH0694634A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 縮小投影型露光装置、縮小投影型露光装置における異 物検出方法および異物検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0694634A true JPH0694634A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17475647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4269676A Pending JPH0694634A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 縮小投影型露光装置、縮小投影型露光装置における異 物検出方法および異物検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0694634A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110530291A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-03 | 珠海博明视觉科技有限公司 | 一种光栅投影法高度重建的自动对焦算法 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP4269676A patent/JPH0694634A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110530291A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-03 | 珠海博明视觉科技有限公司 | 一种光栅投影法高度重建的自动对焦算法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6166808A (en) | Optical height meter, surface-inspection device provided with such a height meter, and lithographic apparatus provided with the inspection device | |
| JPH02114154A (ja) | 欠陥または異物の検査方法およびその装置 | |
| JP2538338B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JP3101290B2 (ja) | 表面状態検査装置、露光装置、及び表面状態検査方法 | |
| JPH075115A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JP3211491B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体製造方法並びに装置 | |
| JPH04218909A (ja) | 位置付け方法、半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JPH07209202A (ja) | 表面状態検査装置、該表面状態検査装置を備える露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
| JP2012078164A (ja) | パターン検査装置 | |
| JPS6352696B2 (ja) | ||
| JP3395797B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPS61174717A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| US4897553A (en) | Projection exposure apparatus | |
| US4365163A (en) | Pattern inspection tool - method and apparatus | |
| JPH0735698A (ja) | 像読取り装置、表面状態検査装置及び該装置を備える露光装置 | |
| JP2001143991A (ja) | 面位置検出装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3135063B2 (ja) | 比較検査方法および装置 | |
| JPH0694634A (ja) | 縮小投影型露光装置、縮小投影型露光装置における異 物検出方法および異物検出装置 | |
| JP3223483B2 (ja) | 欠陥検査方法とその装置 | |
| JP3316829B2 (ja) | 比較検査方法とその装置 | |
| JPH0462457A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JP2947916B2 (ja) | 面状態検査装置 | |
| JP2616732B2 (ja) | レチクルの検査方法 | |
| JP3218726B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JPS6232612A (ja) | アライメントマ−ク |