JPH0693128B2 - 被覆型感光装置 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は一般的に云えば改良された被覆型感光装置に関
し、更に詳細には感光装置の感度を変えるすなわち向上
させることができて感光装置をレーザープリンターに必
要とされる可視光および赤外照射に感応性とすることが
できる改良された感光装置に関する。
し、更に詳細には感光装置の感度を変えるすなわち向上
させることができて感光装置をレーザープリンターに必
要とされる可視光および赤外照射に感応性とすることが
できる改良された感光装置に関する。
静電的手段によつて光導電性材料の像形成表面上に静電
潜像を形成し現像することは周知であり、このような一
方法としては当該技術分野で感光体と称されている感光
性プレートの表面上に静電潜像を形成する方法がある。
感光体は導電性基体とその表面に設けた光導電性絶縁性
材料の層から構成することができ、多くの場合には基体
と光導電性層との間に位置した薄いバリヤー層が包含さ
れており、この層が表面に帯電させる際に電荷が光導電
性層に注入されるのを防止している。これらの装置にお
ける電荷の注入は得られる像の品質に悪影響を与えるも
のである。
潜像を形成し現像することは周知であり、このような一
方法としては当該技術分野で感光体と称されている感光
性プレートの表面上に静電潜像を形成する方法がある。
感光体は導電性基体とその表面に設けた光導電性絶縁性
材料の層から構成することができ、多くの場合には基体
と光導電性層との間に位置した薄いバリヤー層が包含さ
れており、この層が表面に帯電させる際に電荷が光導電
性層に注入されるのを防止している。これらの装置にお
ける電荷の注入は得られる像の品質に悪影響を与えるも
のである。
ゼログラフイーで使用する光導電性部材は多数知られて
おり、例えばガラス状セレンの如き単一材料から成る均
質層や他の材料中に分散させた光導電性材料を含有する
複合層型装置がある。ゼログラフイーで使用されている
ある種の複合光導電性層の1例は例えば米国特許第3,12
1,006号明細書に記載されており、該特許明細書には電
気絶縁性の有機樹脂バインダー中に分散させた微細粒子
の光導電性無機化合物からなる多数の層が開示されてい
る。商品形態としては、これらのものは樹脂材料中に均
一に分散した酸化亜鉛粒子を含有するバインダー層が紙
バツキング材上に被覆されている。上記特許明細書に開
示されたバインダー材料は光導電性酸化亜鉛粒子により
発生した注入された電荷キヤリヤーの有意の距離には輸
送できない材料である。従つて結果として光導電性粒子
は、繰返し操作で必要とされるように電荷が消散できる
ようにするためには層全体にわたつて粒子同志が実質的
に接触して隣接していなければならない。しかして、記
載された光導電性粒子を均一に分散させても比較的高い
容積濃度の光導電性材料すなわち約50容量%の材料が、
光導電性材料粒子を粒子同志で十分に接触させて迅速な
放電を可能にするために通常必要である。このように光
導電性材料を高濃度に含有させると樹脂材料の物理的連
続性が破壊されることがあり、従つてバインダー層の機
械的性質が有意に劣化することになる。上記特許明細書
に開示された特定のバインダー材料の例としては例えば
ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド
樹脂等がある。
おり、例えばガラス状セレンの如き単一材料から成る均
質層や他の材料中に分散させた光導電性材料を含有する
複合層型装置がある。ゼログラフイーで使用されている
ある種の複合光導電性層の1例は例えば米国特許第3,12
1,006号明細書に記載されており、該特許明細書には電
気絶縁性の有機樹脂バインダー中に分散させた微細粒子
の光導電性無機化合物からなる多数の層が開示されてい
る。商品形態としては、これらのものは樹脂材料中に均
一に分散した酸化亜鉛粒子を含有するバインダー層が紙
バツキング材上に被覆されている。上記特許明細書に開
示されたバインダー材料は光導電性酸化亜鉛粒子により
発生した注入された電荷キヤリヤーの有意の距離には輸
送できない材料である。従つて結果として光導電性粒子
は、繰返し操作で必要とされるように電荷が消散できる
ようにするためには層全体にわたつて粒子同志が実質的
に接触して隣接していなければならない。しかして、記
載された光導電性粒子を均一に分散させても比較的高い
容積濃度の光導電性材料すなわち約50容量%の材料が、
光導電性材料粒子を粒子同志で十分に接触させて迅速な
放電を可能にするために通常必要である。このように光
導電性材料を高濃度に含有させると樹脂材料の物理的連
続性が破壊されることがあり、従つてバインダー層の機
械的性質が有意に劣化することになる。上記特許明細書
に開示された特定のバインダー材料の例としては例えば
ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド
樹脂等がある。
電荷キヤリヤー発生機能および電荷キヤリヤー輸送機能
が不連続の隣接した層で達成される他の無機あるいは有
機材料から成る感光体材料も知られている。更に従来技
術においては電気絶縁性のポリマー材料から成る被覆層
を有する感光体材料が開示され、且つこの被覆型感光体
とともに多数の像形成方法が提案されている。しかしな
がらゼログラフイー技術は進歩を続けており、且つ更に
標準性能を高めより高品質の像を得るためにコピー装置
に合う厳しい要求がある。本発明の光導電性像形成部材
は上記の如き改良された部材であつて以下に説明する他
の利点も有している。
が不連続の隣接した層で達成される他の無機あるいは有
機材料から成る感光体材料も知られている。更に従来技
術においては電気絶縁性のポリマー材料から成る被覆層
を有する感光体材料が開示され、且つこの被覆型感光体
とともに多数の像形成方法が提案されている。しかしな
がらゼログラフイー技術は進歩を続けており、且つ更に
標準性能を高めより高品質の像を得るためにコピー装置
に合う厳しい要求がある。本発明の光導電性像形成部材
は上記の如き改良された部材であつて以下に説明する他
の利点も有している。
近年、米国特許第4,265,990号明細書に開示されている
如き発生層および電荷輸送層から成るもの、および輸送
層で被覆され次いで光発生層および絶縁性有機樹脂のト
ツプ被覆で被覆された正孔注入層を有する被覆型感光性
材料(米国特許第4,251,612号明細書参照)を包含する
他の積層型感光装置も提案されている。上記の特許明細
書に開示された発生層の例としては三方晶系セレンおよ
びバナジルフタロシアニンを包含し、一方、使用され得
る輸送層の例としては本明細書に記載した如きある種の
ジアミンから成つている。これらの特許明細書、すなわ
ち米国特許第4,265,990号および同第4,251,612号明細書
の各々の開示はすべて参照文献として本明細書に包含さ
れるものである。
如き発生層および電荷輸送層から成るもの、および輸送
層で被覆され次いで光発生層および絶縁性有機樹脂のト
ツプ被覆で被覆された正孔注入層を有する被覆型感光性
材料(米国特許第4,251,612号明細書参照)を包含する
他の積層型感光装置も提案されている。上記の特許明細
書に開示された発生層の例としては三方晶系セレンおよ
びバナジルフタロシアニンを包含し、一方、使用され得
る輸送層の例としては本明細書に記載した如きある種の
ジアミンから成つている。これらの特許明細書、すなわ
ち米国特許第4,265,990号および同第4,251,612号明細書
の各々の開示はすべて参照文献として本明細書に包含さ
れるものである。
米国特許第3,041,167号明細書の如く発生材料を有する
積層型装置を包含する感光装置を開示している他の特許
明細書は多数存在しており、上記特許明細書は導電性基
体、光導電性絶縁層および電気絶縁性ポリマー材料の被
覆層を有する被覆型像形成部材を開示している。この部
材は例えばまず最初に第1の極性の静電々荷で部材を帯
電させ、且つ像を露光して静電潜像を形成し、次いで現
像して可視像を形成することができる電子写真複写方法
で使用されている。この像形成部材は各々の次の像形成
サイクルを行う前に最初の極性と反対の極性の第2の極
性の静電々荷で帯電させることができる。十分な第2の
極性の電荷を付与することによつて部材全体に第2の極
性の正味の電場を創成することができる。同時に導電性
基体に電位を負荷することによる如くして光導電性層中
に移動性の第1の極性の電荷を発生させる。そうすれば
現像して可視像を形成することができ像形成電位が光導
電性層と被覆層を横切つて存在することになる。
積層型装置を包含する感光装置を開示している他の特許
明細書は多数存在しており、上記特許明細書は導電性基
体、光導電性絶縁層および電気絶縁性ポリマー材料の被
覆層を有する被覆型像形成部材を開示している。この部
材は例えばまず最初に第1の極性の静電々荷で部材を帯
電させ、且つ像を露光して静電潜像を形成し、次いで現
像して可視像を形成することができる電子写真複写方法
で使用されている。この像形成部材は各々の次の像形成
サイクルを行う前に最初の極性と反対の極性の第2の極
性の静電々荷で帯電させることができる。十分な第2の
極性の電荷を付与することによつて部材全体に第2の極
性の正味の電場を創成することができる。同時に導電性
基体に電位を負荷することによる如くして光導電性層中
に移動性の第1の極性の電荷を発生させる。そうすれば
現像して可視像を形成することができ像形成電位が光導
電性層と被覆層を横切つて存在することになる。
また、ベルギー特許第763,540号明細書には、少なくと
も2個の電気的に作用する層を有する電子写真部材が記
載されている。その第1の層は電荷キヤリヤーを発生さ
せ、且つ光発生した正孔を、使用目的のスペクトル領域
では実質的に非吸収性であるが、上記の光発生した正孔
を光導電性層から注入してこれらの正孔を活性層中を輸
送することができるという意味で活性な輸送有機材料を
有する連続した活性層中に注入し得る光導電性層から成
つている。この装置に選択する活性ポリマーは不活性ポ
リマーあるいは非ポリマー材料と混合してもよい。
も2個の電気的に作用する層を有する電子写真部材が記
載されている。その第1の層は電荷キヤリヤーを発生さ
せ、且つ光発生した正孔を、使用目的のスペクトル領域
では実質的に非吸収性であるが、上記の光発生した正孔
を光導電性層から注入してこれらの正孔を活性層中を輸
送することができるという意味で活性な輸送有機材料を
有する連続した活性層中に注入し得る光導電性層から成
つている。この装置に選択する活性ポリマーは不活性ポ
リマーあるいは非ポリマー材料と混合してもよい。
米国特許第3,041,116号明細書には記録用基体上にある
ガラス状セレン層上に被覆した透明なプラスチツク材料
を有する光導電性材料が記載されている。使用に際して
この透明プラスチツクのフリーの表面は明らかに所望の
極性に静電気で帯電され、次いで該装置を光導電層中に
正孔電子対を発生させる活性光線に露光し、電子をプラ
スチツク層に移動させ且つその表面にある正電荷を中和
することによつて静電潜像を形成させている。
ガラス状セレン層上に被覆した透明なプラスチツク材料
を有する光導電性材料が記載されている。使用に際して
この透明プラスチツクのフリーの表面は明らかに所望の
極性に静電気で帯電され、次いで該装置を光導電層中に
正孔電子対を発生させる活性光線に露光し、電子をプラ
スチツク層に移動させ且つその表面にある正電荷を中和
することによつて静電潜像を形成させている。
また米国特許第4,232,102号および同第4,233,383号明細
書には、炭酸ナトリウムおよびセレン酸ナトリウムでド
ープした三方晶系セレン、炭酸バリウムおよびセレン酸
バリウムでドープした三方晶系セレンを感光性像形成部
材として使用することが記載されている。
書には、炭酸ナトリウムおよびセレン酸ナトリウムでド
ープした三方晶系セレン、炭酸バリウムおよびセレン酸
バリウムでドープした三方晶系セレンを感光性像形成部
材として使用することが記載されている。
積層型感光装置を開示している他の代表的な特許明細書
としては米国特許第4,115,116号、同第4,047,949号およ
び同第4,081,274号明細書が挙げられる。
としては米国特許第4,115,116号、同第4,047,949号およ
び同第4,081,274号明細書が挙げられる。
以前の継続中の特許出願明細書にも基体、正孔ブロツク
層、必要に応じて設けた接着層、無機光発生層、有機光
導電性層および正孔輸送層であるトツプ被覆を有する改
良された感光装置が開示されている。
層、必要に応じて設けた接着層、無機光発生層、有機光
導電性層および正孔輸送層であるトツプ被覆を有する改
良された感光装置が開示されている。
上記の感光装置はその意図した目的には適当であるが、
許容できる像を発生させることができるだけでなく、数
多く繰返し使用して像を形成しても機械環境や周囲の条
件で装置が劣化しない改良された装置、特に積層型装置
が引続き要望されている。更に各々の層として選択され
た層がそのような装置の使用者に対して実質的に無害で
あり、同時に像形成部材として機能する改良された積層
型像形成部材が引続き要望されている。更に、例えば基
体に対する光発生層の如く各層の接着が特定の接着材料
を必要とせずに達成でき、同時にグラウンドプレーン層
の如く他の層の耐スクラツチ性を改良し、バインダーを
発生する層の強度を改善し且つ改良された機械的強度の
装置を提供する像形成部材が引続き要望されている。ま
た広い範囲の波長に感光性であり、更に詳しくは赤外線
および可視光線に対して感光性であつて装置を多数の像
形成および印刷装置において有用なものとする被覆型感
光装置が引続き要望されている。更に最少数の処理工程
で作成でき且つ各々の層が別の層に十分に接着して装置
を像形成および印刷装置で連続して使用し繰返し像形成
および印刷サイクルを可能にする改良された感光装置が
引続き要望されている。
許容できる像を発生させることができるだけでなく、数
多く繰返し使用して像を形成しても機械環境や周囲の条
件で装置が劣化しない改良された装置、特に積層型装置
が引続き要望されている。更に各々の層として選択され
た層がそのような装置の使用者に対して実質的に無害で
あり、同時に像形成部材として機能する改良された積層
型像形成部材が引続き要望されている。更に、例えば基
体に対する光発生層の如く各層の接着が特定の接着材料
を必要とせずに達成でき、同時にグラウンドプレーン層
の如く他の層の耐スクラツチ性を改良し、バインダーを
発生する層の強度を改善し且つ改良された機械的強度の
装置を提供する像形成部材が引続き要望されている。ま
た広い範囲の波長に感光性であり、更に詳しくは赤外線
および可視光線に対して感光性であつて装置を多数の像
形成および印刷装置において有用なものとする被覆型感
光装置が引続き要望されている。更に最少数の処理工程
で作成でき且つ各々の層が別の層に十分に接着して装置
を像形成および印刷装置で連続して使用し繰返し像形成
および印刷サイクルを可能にする改良された感光装置が
引続き要望されている。
従つて本発明の目的は上述の欠点を克服した改良された
感光部材を提供することである。
感光部材を提供することである。
本発明の別の目的はパンクロマチツクであつて従つて可
視光線並びに赤外線に対して感光性である改良された感
光装置を提供することである。
視光線並びに赤外線に対して感光性である改良された感
光装置を提供することである。
本発明の更に別の目的は正孔輸送層と接触した光発生層
を有し、光導電性材料が光発生層上に被覆されている改
良された被覆型感光装置を提供することである。
を有し、光導電性材料が光発生層上に被覆されている改
良された被覆型感光装置を提供することである。
本発明の更に別の目的は本発明の改良された被覆型感光
装置を使用する像形成および印刷方法を提供することで
ある。
装置を使用する像形成および印刷方法を提供することで
ある。
本発明の上記の目的および他の目的は光導電性層が正孔
輸送層と接触している光発生層上に被覆されている改良
された感光装置を提供することにより達成された。しか
して本発明の改良された感光装置は、スペクトルの赤外
および可視光範囲において光発生層の固有の性質を向上
あるいは低下させることができる光導電性材料層を有し
ている。更に本発明の感光装置はトツプ保護被覆層を有
する。
輸送層と接触している光発生層上に被覆されている改良
された感光装置を提供することにより達成された。しか
して本発明の改良された感光装置は、スペクトルの赤外
および可視光範囲において光発生層の固有の性質を向上
あるいは低下させることができる光導電性材料層を有し
ている。更に本発明の感光装置はトツプ保護被覆層を有
する。
本発明は具体的には、(1)基体、(2)接着層、
(3)正孔輸送層、(4)三方晶系セレン、または炭酸
ナトリウムあるいはセレン酸ナトリウムでドープされた
三方晶系セレンを含む無機光発生層、(5)スペクトル
の赤外領域、可視領域またはその両領域で光発生層の固
有の性質を向上または低下させることのできる光導電性
材料であってフタロシアニン化合物、スクエアリリウム
化合物、ポリビニルカルバゾール−トリニトロフルオレ
ノン、シアニン染料及びそれらの混合物からなる群から
選ばれる材料、及び(6)ポリマー被覆層の記載順序か
らなる改良された感光装置に関する。
(3)正孔輸送層、(4)三方晶系セレン、または炭酸
ナトリウムあるいはセレン酸ナトリウムでドープされた
三方晶系セレンを含む無機光発生層、(5)スペクトル
の赤外領域、可視領域またはその両領域で光発生層の固
有の性質を向上または低下させることのできる光導電性
材料であってフタロシアニン化合物、スクエアリリウム
化合物、ポリビニルカルバゾール−トリニトロフルオレ
ノン、シアニン染料及びそれらの混合物からなる群から
選ばれる材料、及び(6)ポリマー被覆層の記載順序か
らなる改良された感光装置に関する。
本発明の感光装置はポリマーからなるトップ保護被覆層
を有する。この層は例えば耐摩耗層としても機能し且つ
装置をコロナ放電等から保護する作用をする。またこの
層は正孔遮断層としても機能し、ポリマー被覆上に帯電
した電荷が表面注入により暗減衰せず且つ装置全体ある
いは装置の一部を横切る電場を消すことができる。
を有する。この層は例えば耐摩耗層としても機能し且つ
装置をコロナ放電等から保護する作用をする。またこの
層は正孔遮断層としても機能し、ポリマー被覆上に帯電
した電荷が表面注入により暗減衰せず且つ装置全体ある
いは装置の一部を横切る電場を消すことができる。
本発明は前述の通りの改良された感光装置であるが、光
発生層の個有の性質を向上または低下させることのでき
る材料を光発生層上に被覆させた装置に関する。従つて
この態様の本発明の感光装置は光発生層の個有の性質を
向上または低下させることができ、光発生層の上に接触
している材料から成る光導電性層を有している。本発明
のこの実施態様では、光発生層の個有の性質を向上また
は低下させることのできる層は有機の光導電性材料、電
荷輸送錯体、増感剤あるいはそれらの混合物を含有する
光導電性材料から成るものであつて、正孔輸送層上にす
でに被覆されている光発生層上に位置している。ポリマ
ー被覆層もこの装置に施着させることができる。
発生層の個有の性質を向上または低下させることのでき
る材料を光発生層上に被覆させた装置に関する。従つて
この態様の本発明の感光装置は光発生層の個有の性質を
向上または低下させることができ、光発生層の上に接触
している材料から成る光導電性層を有している。本発明
のこの実施態様では、光発生層の個有の性質を向上また
は低下させることのできる層は有機の光導電性材料、電
荷輸送錯体、増感剤あるいはそれらの混合物を含有する
光導電性材料から成るものであつて、正孔輸送層上にす
でに被覆されている光発生層上に位置している。ポリマ
ー被覆層もこの装置に施着させることができる。
本発明の改良された感光装置は、多数の公知の方法、プ
ロセスパラメーターにより作成することができ、その被
覆層の順序は所望の装置によつて変る。しかして例えば
本発明の改良された感光装置は接着層を有する導電性基
体を用意し、且つ該基体へ溶剤被覆方法、ラミネート方
法あるいは他の方法により正孔輸送層、光発生層の個有
の性質を向上または低下させることができる材料および
光発生層を施着させることにより調製することができ
る。
ロセスパラメーターにより作成することができ、その被
覆層の順序は所望の装置によつて変る。しかして例えば
本発明の改良された感光装置は接着層を有する導電性基
体を用意し、且つ該基体へ溶剤被覆方法、ラミネート方
法あるいは他の方法により正孔輸送層、光発生層の個有
の性質を向上または低下させることができる材料および
光発生層を施着させることにより調製することができ
る。
本発明の改良された感光装置は各種の像形成装置に選択
して使用することができ、且つ更に重要なことは同時に
可視光および赤外線を利用する像形成および印刷装置で
使用できることである。しかして本発明の改良された感
光装置は正に帯電させ、遂次あるいは同時に約400〜約
1,000ナノメーターの波長の光に露光し、次いで像を現
像し且つ転写させる。上記の順序は多数回繰返すことが
できる。
して使用することができ、且つ更に重要なことは同時に
可視光および赤外線を利用する像形成および印刷装置で
使用できることである。しかして本発明の改良された感
光装置は正に帯電させ、遂次あるいは同時に約400〜約
1,000ナノメーターの波長の光に露光し、次いで像を現
像し且つ転写させる。上記の順序は多数回繰返すことが
できる。
本発明の感光装置の露光および消去はうしろ側から、前
側からあるいは両側から行うことができる。
側からあるいは両側から行うことができる。
本発明および本発明の特徴を各種の好ましい実施態様を
参照して以下に詳細に説明する。
参照して以下に詳細に説明する。
第1図には本発明の改良された感光装置が10で全体的に
示されており、該装置は基体3、接着層6、電荷キヤリ
ヤー輸送層8、電荷キヤリヤー光発生層9、光発生層9
の個有の性質を向上あるいは低下させることができる材
料(この材料は本明細書では光導電性層11と称してい
る)およびポリマーから成るトツプ被覆層14から成つて
いる。
示されており、該装置は基体3、接着層6、電荷キヤリ
ヤー輸送層8、電荷キヤリヤー光発生層9、光発生層9
の個有の性質を向上あるいは低下させることができる材
料(この材料は本明細書では光導電性層11と称してい
る)およびポリマーから成るトツプ被覆層14から成つて
いる。
基体層3は不透明でも実質的に透明でもよく且つ必要な
機械的性質を有するいずれか適当な材料でよい。しかし
て基体は無機または有機のポリマー材料の如き絶縁材料
層、表面に設けたインヂウム錫酸化物の如き半導電性表
面を有する有機または無機材料あるいは例えばアルミニ
ウム、クロム、ニツケル、黄銅等の如き導電性材料から
成る層から構成することができる。これらの基体は柔軟
性でも剛性でもよく且つ例えばプレート、円筒状ドラ
ム、スクロール、エンドレスフレキシブルベルト等の如
き多くの種々のいずれの形状でもよい。幾つかの場合に
は基体、特に基体か有機のポリマー材料である場合は基
体の裏側に例えばマークロロンとして市販されているポ
リカーボネート材料の如きカール防止層を被覆するのが
望ましい。
機械的性質を有するいずれか適当な材料でよい。しかし
て基体は無機または有機のポリマー材料の如き絶縁材料
層、表面に設けたインヂウム錫酸化物の如き半導電性表
面を有する有機または無機材料あるいは例えばアルミニ
ウム、クロム、ニツケル、黄銅等の如き導電性材料から
成る層から構成することができる。これらの基体は柔軟
性でも剛性でもよく且つ例えばプレート、円筒状ドラ
ム、スクロール、エンドレスフレキシブルベルト等の如
き多くの種々のいずれの形状でもよい。幾つかの場合に
は基体、特に基体か有機のポリマー材料である場合は基
体の裏側に例えばマークロロンとして市販されているポ
リカーボネート材料の如きカール防止層を被覆するのが
望ましい。
基体層の厚さは多数の要因例えば経済上の理由で変わ
り、しかしてこの層は例えば100ミル(2.54mm)以上の
実質的な厚さあるいは得られる装置に悪影響しない限り
の最小の厚さでよい。好ましい1実施態様におけるこの
層の厚さは約3ミル〜約10ミル(0.0762〜0.254mm)の
範囲である。
り、しかしてこの層は例えば100ミル(2.54mm)以上の
実質的な厚さあるいは得られる装置に悪影響しない限り
の最小の厚さでよい。好ましい1実施態様におけるこの
層の厚さは約3ミル〜約10ミル(0.0762〜0.254mm)の
範囲である。
接着層6は典型的にはポリビニルブチラール、ポリビニ
ルピロリドン、ポリエステル等の如きポリマー材料であ
る。この層の典型的な厚さは約0.3ミクロン以下であ
る。
ルピロリドン、ポリエステル等の如きポリマー材料であ
る。この層の典型的な厚さは約0.3ミクロン以下であ
る。
電荷キヤリヤー輸送層8は正孔を輸送することができる
多数の各種の適当な材料から構成することができ、この
層は一般的には約5ミクロン〜約50ミクロン、好ましく
は約20ミクロン〜約40ミクロンの範囲の厚さを有する。
好ましい実施態様におけるこの輸送層は高絶縁性且つ透
明な有機樹脂バインダー7中に分散させた下記式の分子
から成る。
多数の各種の適当な材料から構成することができ、この
層は一般的には約5ミクロン〜約50ミクロン、好ましく
は約20ミクロン〜約40ミクロンの範囲の厚さを有する。
好ましい実施態様におけるこの輸送層は高絶縁性且つ透
明な有機樹脂バインダー7中に分散させた下記式の分子
から成る。
上記式中のXは(オルソ)CH3、(メタ)CH3、(パラ)
CH3、(オルソ)Cl、(メタ)Cl、(パラ)Clから成る
群から選ばれる。高絶縁性樹脂は少なくとも1012オーム
−cmの抵抗を有して過度の暗減衰を防止できるものであ
つて、光発生層から正孔の注入を支持できる必要がなく
且つこれらの正孔を材料中に輸送できない材料である。
しかしながらこれらの樹脂は該樹脂が約10〜75重量%の
前記式に相当する置換N,N,N′,N′−テトラフエニレン
〔1,1−ビフエニル〕−4,4′−ジアミンを含有する場合
は電気的に活性となる。
CH3、(オルソ)Cl、(メタ)Cl、(パラ)Clから成る
群から選ばれる。高絶縁性樹脂は少なくとも1012オーム
−cmの抵抗を有して過度の暗減衰を防止できるものであ
つて、光発生層から正孔の注入を支持できる必要がなく
且つこれらの正孔を材料中に輸送できない材料である。
しかしながらこれらの樹脂は該樹脂が約10〜75重量%の
前記式に相当する置換N,N,N′,N′−テトラフエニレン
〔1,1−ビフエニル〕−4,4′−ジアミンを含有する場合
は電気的に活性となる。
前記式に相当する化合物としては例えばN,N′−ジフエ
ニル−N,N′−ビス(アルキルフエニル)−〔1,1−ビフ
エニル〕−4,4′−ジアミン(アルキル基は2−メチ
ル、3−メチル、4−メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ヘキシル等から成る群から選ばれる。)を包含す
る。ハロゲン置換の場合のアミンの名称は、N,N′−ジ
フエニル−N,N′−ビス(ハロフエニル)−〔1,1,−ビ
フエニル〕−4,4′−ジアミン(ハロゲン原子は2−ク
ロロ、3−クロロまたは4−クロロである。)である。
ニル−N,N′−ビス(アルキルフエニル)−〔1,1−ビフ
エニル〕−4,4′−ジアミン(アルキル基は2−メチ
ル、3−メチル、4−メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ヘキシル等から成る群から選ばれる。)を包含す
る。ハロゲン置換の場合のアミンの名称は、N,N′−ジ
フエニル−N,N′−ビス(ハロフエニル)−〔1,1,−ビ
フエニル〕−4,4′−ジアミン(ハロゲン原子は2−ク
ロロ、3−クロロまたは4−クロロである。)である。
電気的に不活性な樹脂中に分散させて正孔を輸送するこ
とができる層を形成し得る他の電気的に活性な小分子と
しては、ビス(4−ジメチルアミン−2−メチルフエニ
ル)フエニルメタン;4′,4″−ビス(ジエチルアミノ)
−2′,2″−ジメチルトリフエニルメタン;ビス−4−
(ジエチルアミノフエニル)フエニルメタンおよび4,
4′−ビス(ジエチルアミノ)−2,2'−ジメチルトリフ
エニルメタンを包含する。本発明の目的が達成される限
り、層8に対して他の電荷キヤリヤー輸送分子も選択す
ることができる。
とができる層を形成し得る他の電気的に活性な小分子と
しては、ビス(4−ジメチルアミン−2−メチルフエニ
ル)フエニルメタン;4′,4″−ビス(ジエチルアミノ)
−2′,2″−ジメチルトリフエニルメタン;ビス−4−
(ジエチルアミノフエニル)フエニルメタンおよび4,
4′−ビス(ジエチルアミノ)−2,2'−ジメチルトリフ
エニルメタンを包含する。本発明の目的が達成される限
り、層8に対して他の電荷キヤリヤー輸送分子も選択す
ることができる。
層8用の高絶縁性で透明な樹脂材料すなわち不活性バイ
ンダー樹脂材料の例としては、米国特許第3,121,006号
明細書(この明細書の開示はすべて参照文献として本明
細書に包含される。)中に開示されたものの如き材料を
包含する。有機樹脂材料の特定の例としてはポリカーボ
ネート、アクリルポリマー、ビニルポリマー、セルロー
ズポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミ
ド、ポリウレタン、エポキシ並びにそれらのブロツク、
ランダムあるいは交互コポリマーを包含する。電気的に
不活性な好ましいバインダー材料は約20,000〜約100,00
0の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂であ
り、約50,000〜約100,000の範囲の分子量のものが特に
好ましい。一般的にはこれらの樹脂バインダーは前記の
式に相当する約10〜約75重量%好ましくは約35〜約50重
量%の活性材料を含有する。
ンダー樹脂材料の例としては、米国特許第3,121,006号
明細書(この明細書の開示はすべて参照文献として本明
細書に包含される。)中に開示されたものの如き材料を
包含する。有機樹脂材料の特定の例としてはポリカーボ
ネート、アクリルポリマー、ビニルポリマー、セルロー
ズポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミ
ド、ポリウレタン、エポキシ並びにそれらのブロツク、
ランダムあるいは交互コポリマーを包含する。電気的に
不活性な好ましいバインダー材料は約20,000〜約100,00
0の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂であ
り、約50,000〜約100,000の範囲の分子量のものが特に
好ましい。一般的にはこれらの樹脂バインダーは前記の
式に相当する約10〜約75重量%好ましくは約35〜約50重
量%の活性材料を含有する。
無機光発生層9は可視光に感応する公知の光導電性電荷
キヤリヤー発生層例えばアモルフアスセレン、アモルフ
アスセレン合金、ハロゲンドープアモルフアスセレン、
ハロゲンドープアモルフアスセレン合金、三方晶系セレ
ン、第IA族と第IIA族の元素の混合物、セレン酸および
炭酸塩でドープした三方晶系セレン(米国特許第4,232,
102号および同第4,233,283号明細書参照)、銅と塩素を
ドープした硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化
センン化カドミウム、硫化テルル化カドミウム、セレン
化テルル化カドミウム等を包含する。本発明の範囲に包
含されるセレン合金としてはセレン−テルル合金、セレ
ン−砒素合金、セレン−テルル−砒素合金、好ましくは
塩素の如きハロゲン材料を約50〜約20ppmの量で含有す
る上記の如き合金を包含する。
キヤリヤー発生層例えばアモルフアスセレン、アモルフ
アスセレン合金、ハロゲンドープアモルフアスセレン、
ハロゲンドープアモルフアスセレン合金、三方晶系セレ
ン、第IA族と第IIA族の元素の混合物、セレン酸および
炭酸塩でドープした三方晶系セレン(米国特許第4,232,
102号および同第4,233,283号明細書参照)、銅と塩素を
ドープした硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化
センン化カドミウム、硫化テルル化カドミウム、セレン
化テルル化カドミウム等を包含する。本発明の範囲に包
含されるセレン合金としてはセレン−テルル合金、セレ
ン−砒素合金、セレン−テルル−砒素合金、好ましくは
塩素の如きハロゲン材料を約50〜約20ppmの量で含有す
る上記の如き合金を包含する。
本発明の感光装置の無機光発生層は三方晶系セレン、ま
たは炭酸ナトリウムあるいはセレン酸ナトリウムでドー
プされた三方晶系セレンを含む。
たは炭酸ナトリウムあるいはセレン酸ナトリウムでドー
プされた三方晶系セレンを含む。
層9は典型的には約0.05ミクロン〜約10ミクロンあるい
はそれ以上の厚さを有し、且つ好ましくは約0.4ミクロ
ン〜約3ミクロンの厚さであるが、この層の厚さは光導
電体の混入容量(これは5〜100容量%でよい)に第一
義的に依存している。一般的にはこの層を像の露光また
は印刷時の露光工程における入射放射線の約90%あるい
はそれ以上を吸収するのに十分な厚さで提供するのが好
ましい。またこの層の最大の厚さは機械的な配慮例えば
柔軟性の感光装置が必要とされるか否かの如き要因によ
つて第一義的に変化する。
はそれ以上の厚さを有し、且つ好ましくは約0.4ミクロ
ン〜約3ミクロンの厚さであるが、この層の厚さは光導
電体の混入容量(これは5〜100容量%でよい)に第一
義的に依存している。一般的にはこの層を像の露光また
は印刷時の露光工程における入射放射線の約90%あるい
はそれ以上を吸収するのに十分な厚さで提供するのが好
ましい。またこの層の最大の厚さは機械的な配慮例えば
柔軟性の感光装置が必要とされるか否かの如き要因によ
つて第一義的に変化する。
光導電性層11は各種の有機光導電性材料、電荷輸送錯
体、スクエアリリウム顔料、各種の増感剤、およびそれ
らの混合物等から構成することができる。この層に有用
な材料の例としては金属フタロシアニン、無金属フタロ
シアニン、バナジルフタロシアニン、米国特許第3,816,
118号明細書(この明細書の開示はすべて参照文献とし
て本明細書に包含される。)に記載される如くの他の公
知のフタロシアニン類、スクエアリリウム顔料、ポリビ
ニルカルバゾール−トリニトロフルオレノン、特にポリ
ビニルカルバゾール2,4,7−トリニトロフルオレノンの
如き電荷輸送錯体、およびケミストリー・オブ・シンゼ
テイツク・ダイズ(Chemistry of Synthetic Dyes)第I
I巻および第IV巻(1971)、〔K.ベンカタラマン(Venka
taraman)発行、アカデミツク・プレス〕に記載された
シアニン染料の如き各種の赤外増感剤を包含する。
体、スクエアリリウム顔料、各種の増感剤、およびそれ
らの混合物等から構成することができる。この層に有用
な材料の例としては金属フタロシアニン、無金属フタロ
シアニン、バナジルフタロシアニン、米国特許第3,816,
118号明細書(この明細書の開示はすべて参照文献とし
て本明細書に包含される。)に記載される如くの他の公
知のフタロシアニン類、スクエアリリウム顔料、ポリビ
ニルカルバゾール−トリニトロフルオレノン、特にポリ
ビニルカルバゾール2,4,7−トリニトロフルオレノンの
如き電荷輸送錯体、およびケミストリー・オブ・シンゼ
テイツク・ダイズ(Chemistry of Synthetic Dyes)第I
I巻および第IV巻(1971)、〔K.ベンカタラマン(Venka
taraman)発行、アカデミツク・プレス〕に記載された
シアニン染料の如き各種の赤外増感剤を包含する。
層11用として選択できるスクエアリリウム顔料の特定の
例としては例えば下記式のものが包含される。
例としては例えば下記式のものが包含される。
上記式中のRは水素、メチル基の如きアルカリ基または
ヒドロキシ(OH)基である。
ヒドロキシ(OH)基である。
層11(第2図参照)として選択される材料は電荷キヤリ
ヤー輸送層8と電気的に両立するものであつて光励起し
た電荷キヤリヤーを輸送層中に注入でき且つ電荷キヤリ
ヤーが光導電層11と電荷キヤリヤー輸送層8との間の界
面を横断して両方向に移動できなければならない。この
ような機能を達成する層11用の好ましい1材料はバナジ
ルフタロシアニンであり、その主たる理由は、それが容
易に入手できスペクトルの赤外範囲すなわち約700ナノ
メーター〜約920ナノメーターにおいて光発生層の個有
の性質を所望のレベルに向上させることができることで
ある。
ヤー輸送層8と電気的に両立するものであつて光励起し
た電荷キヤリヤーを輸送層中に注入でき且つ電荷キヤリ
ヤーが光導電層11と電荷キヤリヤー輸送層8との間の界
面を横断して両方向に移動できなければならない。この
ような機能を達成する層11用の好ましい1材料はバナジ
ルフタロシアニンであり、その主たる理由は、それが容
易に入手できスペクトルの赤外範囲すなわち約700ナノ
メーター〜約920ナノメーターにおいて光発生層の個有
の性質を所望のレベルに向上させることができることで
ある。
一般的には層11の厚さは多数の要因、例えば他の層の厚
さおよびその層中に含まれている光導電性材料の混合%
に依存している。従つてこの層の厚さは、バナジルフタ
ロシアニンの如き光導電性材料が約5〜約100容量%の
量で存在する場合は約0.05ミクロン〜約10ミクロンの範
囲であり、また好ましくはこの層はバナジルフタロシア
ニンの如き光導電性材料がこの層中に約30容量%の量で
存在する場合は約0.25ミクロン〜約1ミクロンの厚さの
範囲である。この層の最大の厚さは機械的な配慮例えば
柔軟性の感光装置が必要とされるか否かの如き要因に主
として依存している。
さおよびその層中に含まれている光導電性材料の混合%
に依存している。従つてこの層の厚さは、バナジルフタ
ロシアニンの如き光導電性材料が約5〜約100容量%の
量で存在する場合は約0.05ミクロン〜約10ミクロンの範
囲であり、また好ましくはこの層はバナジルフタロシア
ニンの如き光導電性材料がこの層中に約30容量%の量で
存在する場合は約0.25ミクロン〜約1ミクロンの厚さの
範囲である。この層の最大の厚さは機械的な配慮例えば
柔軟性の感光装置が必要とされるか否かの如き要因に主
として依存している。
層9用の無機光発生材料あるいは層11用の光導電性材料
は100%の各々の層から成つてもよいし、あるいはこれ
らの材料を各種の適当な無機または樹脂ポリマーバイン
ダー材料中に約5〜約95容量%、好ましくは約25〜約75
容量%の量で分散させてもよい。選択できるポリマーバ
インダー樹脂材料の例としては米国特許第3,121,006号
明細書(この明細書の開示はすべて参照文献として本明
細書に包含される。)に開示されたもの、ポリエステ
ル、ポリビニルブチラール、フオームバール(Formva
rR)、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルカルバゾー
ル、エポキシ樹脂およびフエノキシ樹脂、特に市販され
ているポリ(ヒドロキシエーテル)樹脂を包含する。
は100%の各々の層から成つてもよいし、あるいはこれ
らの材料を各種の適当な無機または樹脂ポリマーバイン
ダー材料中に約5〜約95容量%、好ましくは約25〜約75
容量%の量で分散させてもよい。選択できるポリマーバ
インダー樹脂材料の例としては米国特許第3,121,006号
明細書(この明細書の開示はすべて参照文献として本明
細書に包含される。)に開示されたもの、ポリエステ
ル、ポリビニルブチラール、フオームバール(Formva
rR)、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルカルバゾー
ル、エポキシ樹脂およびフエノキシ樹脂、特に市販され
ているポリ(ヒドロキシエーテル)樹脂を包含する。
トツプ被覆層14の例としては米国特許第3,121,006号明
細書(この明細書の開示はすべて参照文献として本明細
書に包含される。)に開示されたもの、例えばポリエス
テル、ポリビニルブチラール、フオームバール 、ポリ
カーボネート樹脂、ポリビニルカルバゾール、エポキシ
樹脂、フエノキシ樹脂、特に市販されているポリ(ヒド
ロキシエーテル)樹脂およびそれらの混合物を包含す
る。被覆層は例えば他の層の厚さに従つていろいろな厚
さのものでよいが、一般的にはその層は約0.1ミクロン
〜約5ミクロンの厚さである。それより厚い被覆層すな
わち約6ミクロン〜約50ミクロンの厚さの被覆層を使用
する場合は金またはグラフアイトの如き正孔注入層を基
体と正孔輸送層との間に位置させ、一方アミンの如き正
孔捕捉層を例えば光導電性層と被覆層との間に存在させ
る。
細書(この明細書の開示はすべて参照文献として本明細
書に包含される。)に開示されたもの、例えばポリエス
テル、ポリビニルブチラール、フオームバール 、ポリ
カーボネート樹脂、ポリビニルカルバゾール、エポキシ
樹脂、フエノキシ樹脂、特に市販されているポリ(ヒド
ロキシエーテル)樹脂およびそれらの混合物を包含す
る。被覆層は例えば他の層の厚さに従つていろいろな厚
さのものでよいが、一般的にはその層は約0.1ミクロン
〜約5ミクロンの厚さである。それより厚い被覆層すな
わち約6ミクロン〜約50ミクロンの厚さの被覆層を使用
する場合は金またはグラフアイトの如き正孔注入層を基
体と正孔輸送層との間に位置させ、一方アミンの如き正
孔捕捉層を例えば光導電性層と被覆層との間に存在させ
る。
本発明の一実施態様における後述のジアミンの如き電荷
キヤリヤー輸送材料は層9および/または層11中に例え
ば約0〜60容量%の範囲の量で包含させることができ
る。
キヤリヤー輸送材料は層9および/または層11中に例え
ば約0〜60容量%の範囲の量で包含させることができ
る。
次に本発明を本発明の特定の実施態様に関連して詳細に
説明するが、これらの実施例は単に説明を目的としたも
のであり、本発明は実施例に記載された材料、条件ある
いは処理パラメーターに限定されるものではない。すべ
ての部および%は特に断りのない限り重量による。比較
例I〜Vは比較用の従来技術の感光装置の調製に関す
る。
説明するが、これらの実施例は単に説明を目的としたも
のであり、本発明は実施例に記載された材料、条件ある
いは処理パラメーターに限定されるものではない。すべ
ての部および%は特に断りのない限り重量による。比較
例I〜Vは比較用の従来技術の感光装置の調製に関す
る。
合成例I N,N−ジフエニル−N,N′−ビス(3−メチルフエニル)
−〔1,1′−ビフエニル〕−4,4′−ジアミンの調製。
−〔1,1′−ビフエニル〕−4,4′−ジアミンの調製。
機械撹拌機を備えアルゴンでブランケツトした5,000ml
の丸底3つ口フラスコ中に336g(1モル)のN,N′−ジ
フエニル〔1,1′−ビフエニル〕−4,4′−ジアミン、55
0g(2.5モル)のm−ヨードトルエン、550g(4モル)
の炭酸カリウム(無水)、50gの銅ブロンズ触媒および
1,500mlのジメチルスルホキシド(無水)を装入した。
この不均一な混合物を6日間還流した。この混合物を冷
却し、200mlのベンゼンを加えた。次に暗色のスラリー
を過した。液を水で4回抽出した。次に液を硫酸
マグネシウムで乾燥し、過した。ベンゼンを減圧下で
留去した。黒色の生成物をウオレム(Woelm)中性アル
ミナを用いてカラムクロマトグラフ処理した。上記のジ
アミン生成物の無色結晶が生成物をn−オクタンから再
結晶して得られた融点は167〜169℃であり、収率は360g
(65%)であつた。
の丸底3つ口フラスコ中に336g(1モル)のN,N′−ジ
フエニル〔1,1′−ビフエニル〕−4,4′−ジアミン、55
0g(2.5モル)のm−ヨードトルエン、550g(4モル)
の炭酸カリウム(無水)、50gの銅ブロンズ触媒および
1,500mlのジメチルスルホキシド(無水)を装入した。
この不均一な混合物を6日間還流した。この混合物を冷
却し、200mlのベンゼンを加えた。次に暗色のスラリー
を過した。液を水で4回抽出した。次に液を硫酸
マグネシウムで乾燥し、過した。ベンゼンを減圧下で
留去した。黒色の生成物をウオレム(Woelm)中性アル
ミナを用いてカラムクロマトグラフ処理した。上記のジ
アミン生成物の無色結晶が生成物をn−オクタンから再
結晶して得られた融点は167〜169℃であり、収率は360g
(65%)であつた。
C38H32N2としての理論値;C、88.34; H、6.24; N、5.37 実測値;C、88.58; H、6.21; N、5.37 合成例II N,N−ジフエニル−N,N′−ビス(4−メチルフエニル)
−〔1,1′−ビフエニル〕−4,4′−ジアミンの調製。
−〔1,1′−ビフエニル〕−4,4′−ジアミンの調製。
磁気撹拌機を備えアルゴンでパージした500mlの丸底フ
ラスコ中に20gのp,p−ジヨードビフエニル(0.05モ
ル)、18.3gのp−トリルフエニルアミン(0.1モル)、
20.7gの無水炭酸カルシウム(0.15モル)、3.0gの銅粉
および50mlのスルホラン(テトラヒドロチオフエン−1,
1−ジオキサイド)を装入した。この混合物を220℃〜22
5℃で24時間加熱し、約150℃に冷却し且つ300mlの脱イ
オン水を加えた。この不均一な混合物を激しく撹拌しな
がら加熱環流した。フラスコ中に淡黄褐色油状沈澱物が
生成した。次に水をデカンテーシヨンした。次に300ml
の水を加え且つ再び水層をデカンテーシヨンした。30ml
のメタノールを加え且つ混合物を環流して未反応の出発
材料を溶解させた。固体を別し、300mlのn−オクタ
ンに加え且つ125℃の環流温度に加熱した。この溶液を1
00gの中性ウオレム(Woelm)アルミナを通して過し、
淡黄色の液を得た。再び溶液を100gの中性ウオレム
(Woelm)アルミナを通して過して無色の液を得、
冷却して163℃〜164℃のM.P.を有する無色結晶の目的化
合物を得た。
ラスコ中に20gのp,p−ジヨードビフエニル(0.05モ
ル)、18.3gのp−トリルフエニルアミン(0.1モル)、
20.7gの無水炭酸カルシウム(0.15モル)、3.0gの銅粉
および50mlのスルホラン(テトラヒドロチオフエン−1,
1−ジオキサイド)を装入した。この混合物を220℃〜22
5℃で24時間加熱し、約150℃に冷却し且つ300mlの脱イ
オン水を加えた。この不均一な混合物を激しく撹拌しな
がら加熱環流した。フラスコ中に淡黄褐色油状沈澱物が
生成した。次に水をデカンテーシヨンした。次に300ml
の水を加え且つ再び水層をデカンテーシヨンした。30ml
のメタノールを加え且つ混合物を環流して未反応の出発
材料を溶解させた。固体を別し、300mlのn−オクタ
ンに加え且つ125℃の環流温度に加熱した。この溶液を1
00gの中性ウオレム(Woelm)アルミナを通して過し、
淡黄色の液を得た。再び溶液を100gの中性ウオレム
(Woelm)アルミナを通して過して無色の液を得、
冷却して163℃〜164℃のM.P.を有する無色結晶の目的化
合物を得た。
C38H32N2としての理論値:C、88.34; H、6.24; N、5.37 実測値;C、88.49; H、6.44; N、5.28 比較例I 厚さ3ミル(0.0762mm)のアルミニウム化マイラー基体
を用意し、該基体にメチレンクロライドと1,1,2−トリ
クロロエチレン(容量比4:1)中のE.I.デユポンから市
販されているデユポン49,000接着剤0.5重量%を溶解し
た層をバード・アプリケーターで0.5ミル(0.0127mm)
のウエツト厚さに接着させた。この層の室温で1分間乾
燥させ、強制空気炉中で100℃で10分間乾燥させて約0.0
5ミクロンのドライ厚さを有する層を得た。
を用意し、該基体にメチレンクロライドと1,1,2−トリ
クロロエチレン(容量比4:1)中のE.I.デユポンから市
販されているデユポン49,000接着剤0.5重量%を溶解し
た層をバード・アプリケーターで0.5ミル(0.0127mm)
のウエツト厚さに接着させた。この層の室温で1分間乾
燥させ、強制空気炉中で100℃で10分間乾燥させて約0.0
5ミクロンのドライ厚さを有する層を得た。
次に上記の接着層上に次の如く調製した電荷輸送層を被
覆した。
覆した。
50重量%のマークロロン (すなわちラーベンサブリツ
ケン・バイエル(Larbensabricken Bayer)A.G.から市
販されている約50,000〜約100,000の分子量(Mw)を有
するポリカーボネート樹脂)を含有する輸送層を50重量
%のN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス(3−メチルフエ
ニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジアミンと混合し
た。次に得られた溶液を15重量%のメチレンクロライド
中で混合した。次に上記のすべての成分をコハク瓶中に
入れ溶解させた。混合物をバード・アプリケーターを用
いて接着層の表面に25ミクロンの乾燥厚さの層に被覆し
た。この被覆処理中の湿度は15%あるいはそれ以下であ
つた。上記のすべての層を有する得られた装置を強制空
気炉中で135℃で6分間焼鈍させた。
ケン・バイエル(Larbensabricken Bayer)A.G.から市
販されている約50,000〜約100,000の分子量(Mw)を有
するポリカーボネート樹脂)を含有する輸送層を50重量
%のN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス(3−メチルフエ
ニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジアミンと混合し
た。次に得られた溶液を15重量%のメチレンクロライド
中で混合した。次に上記のすべての成分をコハク瓶中に
入れ溶解させた。混合物をバード・アプリケーターを用
いて接着層の表面に25ミクロンの乾燥厚さの層に被覆し
た。この被覆処理中の湿度は15%あるいはそれ以下であ
つた。上記のすべての層を有する得られた装置を強制空
気炉中で135℃で6分間焼鈍させた。
次に輸送層上に次の如くして調製した三方晶系セレンか
ら成る10容量%の光発生層を被覆した。
ら成る10容量%の光発生層を被覆した。
2オンス(56.7g)のコハク瓶中へ0.8gのポリビニルカ
ルバゾールと14mlの1:1容量比のテトラヒドロフランと
トルエンを加えた。次にこの溶液に0.8gの三方晶系セレ
ンおよび直径1/8インチ(3.2mm)の100gのステンレスス
チールシヨツトを加えた。次に上記の混合物をボールミ
ルに72〜96時間かけた。次に5gの得られたスラリーを0.
18gのポリビニルカルバゾールおよび0.15gのN,N,−ジフ
エニル−N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−
ビフエニル−4,4′−ジアミンを6.3mlのテトラヒドロフ
ラン−トルエン(容積比1:1)中に加えて成る溶液に加
えた。次にこのスラリーを10分間振とう機上に置いた。
次に得られたスラリーを上記の輸送層表面にバード・フ
イルターにより0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚さに
被覆した。次にこの層を130℃で6分間強制空気炉中で
乾燥し、2.0ミクロンの乾燥厚さを得た。得られた層は1
0容量%の三方晶系セレン、25容量%のジアミンおよび6
5容量%のポリビニルカルバゾールを含有していた。
ルバゾールと14mlの1:1容量比のテトラヒドロフランと
トルエンを加えた。次にこの溶液に0.8gの三方晶系セレ
ンおよび直径1/8インチ(3.2mm)の100gのステンレスス
チールシヨツトを加えた。次に上記の混合物をボールミ
ルに72〜96時間かけた。次に5gの得られたスラリーを0.
18gのポリビニルカルバゾールおよび0.15gのN,N,−ジフ
エニル−N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−
ビフエニル−4,4′−ジアミンを6.3mlのテトラヒドロフ
ラン−トルエン(容積比1:1)中に加えて成る溶液に加
えた。次にこのスラリーを10分間振とう機上に置いた。
次に得られたスラリーを上記の輸送層表面にバード・フ
イルターにより0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚さに
被覆した。次にこの層を130℃で6分間強制空気炉中で
乾燥し、2.0ミクロンの乾燥厚さを得た。得られた層は1
0容量%の三方晶系セレン、25容量%のジアミンおよび6
5容量%のポリビニルカルバゾールを含有していた。
比較例II 3ミル(0.0762mm)の厚さのアルミニウム化マイラー基
体を用意し、該基体にE.I.デユポンから得られる0.5重
量%のデユポン49,000接着剤であるポリエステルをメチ
レンクロライドと1,1,2−トリクロロエタン(容量比4:
1)中に加えて成る層をバード・アプリケーターにより
0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚さで施着させた。次
にこの層を室温で1分間乾燥し且つ100℃で10分間強制
空気炉中で乾燥した。得られた層は0.05ミクロンのドラ
イ厚さを有していた。
体を用意し、該基体にE.I.デユポンから得られる0.5重
量%のデユポン49,000接着剤であるポリエステルをメチ
レンクロライドと1,1,2−トリクロロエタン(容量比4:
1)中に加えて成る層をバード・アプリケーターにより
0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚さで施着させた。次
にこの層を室温で1分間乾燥し且つ100℃で10分間強制
空気炉中で乾燥した。得られた層は0.05ミクロンのドラ
イ厚さを有していた。
次に上記の接着層を次の如くして調製した電荷輸送層で
被覆した。
被覆した。
50重量%のマークロロン (すなわちラルベンサブリツ
ケン・バイエルA.G.から市販されている約50,000〜約10
0,000の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂を
含有する輸送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−N,N′
−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−
4,4′−ジアミンと混合した。得られた混合物を次に15
重量%のメチレンクロライド中で混合した。次に上記の
すべての成分をコハク瓶中に入れ溶解した。次にこの混
合物を接着層の表面にバード・アプリケータを用いて25
ミクロンの乾燥厚さの層に被覆した。この被覆処理中の
湿度は15%あるいはそれ以下であつた。次に得られた装
置を強制空気炉中で6分間135℃で乾燥した。
ケン・バイエルA.G.から市販されている約50,000〜約10
0,000の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂を
含有する輸送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−N,N′
−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−
4,4′−ジアミンと混合した。得られた混合物を次に15
重量%のメチレンクロライド中で混合した。次に上記の
すべての成分をコハク瓶中に入れ溶解した。次にこの混
合物を接着層の表面にバード・アプリケータを用いて25
ミクロンの乾燥厚さの層に被覆した。この被覆処理中の
湿度は15%あるいはそれ以下であつた。次に得られた装
置を強制空気炉中で6分間135℃で乾燥した。
次に上記の輸送層上に次の方法で30容量%の三方晶系セ
レン、25容量%のN,N,−ジフエニル−N.N′−ビス(3
−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジア
ミンおよび45容量%のポリビニルカルバゾールを含む次
の如くして調製した光発生層を0.5ミクロンの厚さに被
覆した。上記のすべての層を有する得られた感光装置を
135℃で強制空気炉中で6分間焼鈍した。
レン、25容量%のN,N,−ジフエニル−N.N′−ビス(3
−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジア
ミンおよび45容量%のポリビニルカルバゾールを含む次
の如くして調製した光発生層を0.5ミクロンの厚さに被
覆した。上記のすべての層を有する得られた感光装置を
135℃で強制空気炉中で6分間焼鈍した。
2オンス(56.7g)のコハク瓶中へ0.8gのポリビニルカ
ルバゾールおよび18mlの1:1(容量)テトラヒドロフラ
ン/トルエンを入れた。この溶液中に2.1gの三方晶系セ
レンおよび100gのステンレスシヨツト〔直径1/8インチ
(3.2mm)〕を加えた。次に上記の混合物をボールミル
上に72〜96時間置きスラリーを得た。1オンス(28.3
g)のコハク瓶中へ0.04gのN,N,−ジフエニル−N,N′−
ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,
4′−ジアミンおよび6.4mlのテトラヒドロフラン/トル
エンを加えた。この溶液に2gのボルミルで磨砕したスラ
リーを加えた。次に得られたスラリーを振とう機上に10
分間置き、次いで生成したスラリーを上記の輸送層上に
バード・アプリケーターを使用して0.5ミル(0.0127m
m)のウエツト厚に被覆した。次のこの装置を135℃で6
分間強制空気炉中で乾燥した。
ルバゾールおよび18mlの1:1(容量)テトラヒドロフラ
ン/トルエンを入れた。この溶液中に2.1gの三方晶系セ
レンおよび100gのステンレスシヨツト〔直径1/8インチ
(3.2mm)〕を加えた。次に上記の混合物をボールミル
上に72〜96時間置きスラリーを得た。1オンス(28.3
g)のコハク瓶中へ0.04gのN,N,−ジフエニル−N,N′−
ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,
4′−ジアミンおよび6.4mlのテトラヒドロフラン/トル
エンを加えた。この溶液に2gのボルミルで磨砕したスラ
リーを加えた。次に得られたスラリーを振とう機上に10
分間置き、次いで生成したスラリーを上記の輸送層上に
バード・アプリケーターを使用して0.5ミル(0.0127m
m)のウエツト厚に被覆した。次のこの装置を135℃で6
分間強制空気炉中で乾燥した。
比較例III 厚さ3ミル(0.0762mm)のアルミニウム化マイラー基体
を用意し、該基体上に0.5重量%のデユポン49,500接着
剤(デユポンからのポリエステル)をメチレンクロライ
ドと1,1,2−トリクロロエタン(4:1容量比)中に含む層
を0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚にバード・アプリ
ケーターを使用して施着した。このウエツト厚さは0.5
ミル(0.0127mm)である。次にこの層を室温で1分間お
よび強制空気炉中で100℃で10分間乾燥した。得られた
層は約0.05ミクロンのドライ厚さを有していた。
を用意し、該基体上に0.5重量%のデユポン49,500接着
剤(デユポンからのポリエステル)をメチレンクロライ
ドと1,1,2−トリクロロエタン(4:1容量比)中に含む層
を0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚にバード・アプリ
ケーターを使用して施着した。このウエツト厚さは0.5
ミル(0.0127mm)である。次にこの層を室温で1分間お
よび強制空気炉中で100℃で10分間乾燥した。得られた
層は約0.05ミクロンのドライ厚さを有していた。
次に上記の接着層を次の如くして調製した電荷輸送層で
被覆した。
被覆した。
50重量%のマークロロン (ラルベンサブリツケン・バ
イエルA.G.から入手し得る約50,000〜約100,000の分子
量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂)を有する輸送
層を50重量%のN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス(3−
メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジアミ
ンと混合した。次に得られた溶液を15重量%のメチレン
クロライドと混合した。次に上記のすべての成分をコハ
ク瓶中に入れて溶解させた。該混合物を接着層上へバー
ド・アプリケーターを用いて25ミクロンのドライ厚さに
被覆した。被覆処理中の湿度は15%あるいはそれ以下で
あつた。次に得られた装置を強制空気炉中で6分間135
℃で乾燥した。
イエルA.G.から入手し得る約50,000〜約100,000の分子
量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂)を有する輸送
層を50重量%のN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス(3−
メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジアミ
ンと混合した。次に得られた溶液を15重量%のメチレン
クロライドと混合した。次に上記のすべての成分をコハ
ク瓶中に入れて溶解させた。該混合物を接着層上へバー
ド・アプリケーターを用いて25ミクロンのドライ厚さに
被覆した。被覆処理中の湿度は15%あるいはそれ以下で
あつた。次に得られた装置を強制空気炉中で6分間135
℃で乾燥した。
ユニオン・カーバイドからベークライトPH KKとして入
手できる54容量%のフエノキシ樹脂バインダー中に分散
させた33容量%の三方晶系セレンおよび13容量%のN,N,
−ジフエニル−N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−
1,1′−ビフエニル−4,4′−ジアミンを含有する光発生
層を次の如くして調製した。
手できる54容量%のフエノキシ樹脂バインダー中に分散
させた33容量%の三方晶系セレンおよび13容量%のN,N,
−ジフエニル−N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−
1,1′−ビフエニル−4,4′−ジアミンを含有する光発生
層を次の如くして調製した。
4オンス(113.4g)のコハク瓶中で1.6gの上記のフエノ
キシ樹脂および0.4gのN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス
(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−
ジアミンを21mlのメチルエチルケトンと7mlのメトキシ
エチルアセテート(セロソルブアセテート)中に加え
た。この溶液に3.2gの三方晶系セレンと200gの直径1/8
インチ(3.2mm)のステンレススチールシヨツトを加え
た。次に上記の混合物を72〜96時間ボールミルで処理し
た。次にこのスラリーを上記の輸送層上へバード・アプ
リケーターを使用して0.5ミル(0.0127mm)のウエツト
厚さに被覆した。この装置を135℃で6分間強制空気炉
中で乾燥した。この光発生層の乾燥厚さは0.5ミクロン
であつた。
キシ樹脂および0.4gのN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス
(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−
ジアミンを21mlのメチルエチルケトンと7mlのメトキシ
エチルアセテート(セロソルブアセテート)中に加え
た。この溶液に3.2gの三方晶系セレンと200gの直径1/8
インチ(3.2mm)のステンレススチールシヨツトを加え
た。次に上記の混合物を72〜96時間ボールミルで処理し
た。次にこのスラリーを上記の輸送層上へバード・アプ
リケーターを使用して0.5ミル(0.0127mm)のウエツト
厚さに被覆した。この装置を135℃で6分間強制空気炉
中で乾燥した。この光発生層の乾燥厚さは0.5ミクロン
であつた。
比較例IV 厚さ3ミル(0.0762mm)のアルミニウム化マイラー基体
を用意し、該基体へ0.5重量%のデユポン49,000接着剤
をメチレンクロライドと1,1,2−トリクロロエタン(4:1
容量比)中に含む層をバード・アプリケーターで施着し
た。この層を室温で1分間そして強制空気炉中で100℃
で10分間乾燥した。得られた層のドライ厚さは0.05ミク
ロンであつた。
を用意し、該基体へ0.5重量%のデユポン49,000接着剤
をメチレンクロライドと1,1,2−トリクロロエタン(4:1
容量比)中に含む層をバード・アプリケーターで施着し
た。この層を室温で1分間そして強制空気炉中で100℃
で10分間乾燥した。得られた層のドライ厚さは0.05ミク
ロンであつた。
次に上記の接着層を次の如くして調製した電荷輸送層で
被覆した。
被覆した。
50重量%のマークロロン (ラルベンサブリツケン・バ
イエル.A.G.から入手できる約50,000〜約100,000(Mw)
の分子量を有するポリカーボネート樹脂)を含有する輸
送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス(3
−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジア
ミンと混合した。次にこの溶液を15重量%のメチレンク
ロライド中で混合した。すべてのこれらの成分をコハク
瓶中に入れて溶解した。この混合物をバード・アプリケ
ーターを使用して接着層の上に25ミクロンのドライ厚さ
に被覆した。この被覆処理中の湿度は15%あるいはそれ
以下であつた。次にこの装置を強制空気炉中で135℃で
6分間乾燥した。
イエル.A.G.から入手できる約50,000〜約100,000(Mw)
の分子量を有するポリカーボネート樹脂)を含有する輸
送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス(3
−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジア
ミンと混合した。次にこの溶液を15重量%のメチレンク
ロライド中で混合した。すべてのこれらの成分をコハク
瓶中に入れて溶解した。この混合物をバード・アプリケ
ーターを使用して接着層の上に25ミクロンのドライ厚さ
に被覆した。この被覆処理中の湿度は15%あるいはそれ
以下であつた。次にこの装置を強制空気炉中で135℃で
6分間乾燥した。
30容量%のバナジルメタロシアニンを含有する光導電性
層を次の如くして調製した。
層を次の如くして調製した。
2オンス(56.7g)のコハク瓶中で16mlのメチレンクロ
ライド中へ0.76gのデユポン49,000ポリエステルを加え
た。この溶液中へ0.36gのバナジルフタロシアニンと100
gのステンレスシヨツト〔直径1/8インチ(3.2mm)〕を
加えた。この混合物をボールミル上に24時間置いた。5g
のこのスラリーに10mlのメチレンクロライドを加えた。
このスラリーを上記の輸送層上へ0.5ミル(0.0127cm)
のウエツト厚さに被覆した。この装置を135℃で6分間
強制空気炉中で乾燥した。乾燥厚さは0.5ミクロンであ
つた。
ライド中へ0.76gのデユポン49,000ポリエステルを加え
た。この溶液中へ0.36gのバナジルフタロシアニンと100
gのステンレスシヨツト〔直径1/8インチ(3.2mm)〕を
加えた。この混合物をボールミル上に24時間置いた。5g
のこのスラリーに10mlのメチレンクロライドを加えた。
このスラリーを上記の輸送層上へ0.5ミル(0.0127cm)
のウエツト厚さに被覆した。この装置を135℃で6分間
強制空気炉中で乾燥した。乾燥厚さは0.5ミクロンであ
つた。
比較例V 3ミル(0.0762mm)の厚さのアルミニウム化マイラー基
体を用意し、該基体に0.5重量%のデユポン49,000ポリ
エステル接着剤をメチレンクロライドと1,1,2−トリク
ロロエタン(容量比4:1)中に加えて成る層をバード・
アプリケーターにより0.5ミル(0.0127mm)のウエツト
厚さで施着させた。次にこの層を室温で1分間乾燥し且
つ100℃で10分間強制空気炉中で乾燥した。得られた層
は0.05ミクロンのドライ厚さを有していた。
体を用意し、該基体に0.5重量%のデユポン49,000ポリ
エステル接着剤をメチレンクロライドと1,1,2−トリク
ロロエタン(容量比4:1)中に加えて成る層をバード・
アプリケーターにより0.5ミル(0.0127mm)のウエツト
厚さで施着させた。次にこの層を室温で1分間乾燥し且
つ100℃で10分間強制空気炉中で乾燥した。得られた層
は0.05ミクロンのドライ厚さを有していた。
次に上記の接着層を次の如くして調製した電荷輸送層で
被覆した。
被覆した。
50重量%のマークロロン (すなわちラルベンサブリツ
ケン・バイエルA.G.から市販されている約50,000〜約10
0,000の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂)
を含有する輸送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−N,
N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル
−4,4′−ジアミンと混合した。この混合物を15重量%
のメチレンクロライド中で混合した。上記のすべての成
分をコハク瓶中にいれて溶解した。この混合物を接着層
の表面にバード・アプリケーターを用いて25ミクロンの
ドライ厚さに被覆した。この被覆処理中の湿度は15%あ
るいはそれ以下であつた。上記のすべての層を有する得
られた装置を強制空気炉中で6分間135℃で乾燥した。
ケン・バイエルA.G.から市販されている約50,000〜約10
0,000の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂)
を含有する輸送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−N,
N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル
−4,4′−ジアミンと混合した。この混合物を15重量%
のメチレンクロライド中で混合した。上記のすべての成
分をコハク瓶中にいれて溶解した。この混合物を接着層
の表面にバード・アプリケーターを用いて25ミクロンの
ドライ厚さに被覆した。この被覆処理中の湿度は15%あ
るいはそれ以下であつた。上記のすべての層を有する得
られた装置を強制空気炉中で6分間135℃で乾燥した。
30重量%のヒドロキシスクエアリリウムを含有する光導
電性層を次の如くして調製した。
電性層を次の如くして調製した。
2オンス(56.7)のコハク瓶中に0.76gのフオームバー
ル12/85(モンサント・ケミカル・カンパニーから市販
されている)と16mlのテトラヒドロフランを加えた。こ
の溶液に0.36gのヒドロキシスクエアリリウムと100gの
ステンレススチールシヨツト〔直径1/8インチ(3.2m
m)〕を加えた。上記の混合物を24時間ボールミル上に
置いた。5gのこのスラリーに10mlのテトラヒドロフラン
を加えた。このスラリーを上記の輸送層上へ0.5ミル
(0.0127mm)のウエツト厚に被覆した。得られた層を5
分間空気乾燥した。この装置を135℃で6分間強制空気
炉中で乾燥した。光導電性層の乾燥厚さは0.5ミクロン
であつた。
ル12/85(モンサント・ケミカル・カンパニーから市販
されている)と16mlのテトラヒドロフランを加えた。こ
の溶液に0.36gのヒドロキシスクエアリリウムと100gの
ステンレススチールシヨツト〔直径1/8インチ(3.2m
m)〕を加えた。上記の混合物を24時間ボールミル上に
置いた。5gのこのスラリーに10mlのテトラヒドロフラン
を加えた。このスラリーを上記の輸送層上へ0.5ミル
(0.0127mm)のウエツト厚に被覆した。得られた層を5
分間空気乾燥した。この装置を135℃で6分間強制空気
炉中で乾燥した。光導電性層の乾燥厚さは0.5ミクロン
であつた。
実施例I 3ミル(0.0762mm)の厚さのアルミニウム化マイラー基
体を用意し、該基体に0.5重量%のデユポン49,000ポリ
エステル接着剤をメチレンクロライドと1,1,2−トリク
ロロエタン(容量比4:1)中に加えて成る層をバード・
アプリケーターにより0.5ミル(0.0127mm)のウエツト
厚さで施着させて感光装置を調製した。次にこの層を室
温で1分間乾燥し且つ100℃で10分間強制空気炉中で乾
燥した。得られた層は0.05ミクロンのドライ厚さを有し
ていた。
体を用意し、該基体に0.5重量%のデユポン49,000ポリ
エステル接着剤をメチレンクロライドと1,1,2−トリク
ロロエタン(容量比4:1)中に加えて成る層をバード・
アプリケーターにより0.5ミル(0.0127mm)のウエツト
厚さで施着させて感光装置を調製した。次にこの層を室
温で1分間乾燥し且つ100℃で10分間強制空気炉中で乾
燥した。得られた層は0.05ミクロンのドライ厚さを有し
ていた。
上記の接着層を次の如くして調製した電荷輸送層で被覆
した。
した。
50重量%のマークロロン (すなわちラルベンサブリツ
ケン・バイエルA.G.から市販されている約50,000〜約10
0,000の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂)
を含有している輸送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−
N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニ
ル−4,4′−ジアミンと混合した。この溶液を15重量%
のメチレンクロライド中で混合した。次に上記のすべて
の成分をコハク瓶中にいれて溶解した。この混合物を接
着層の表面にバード・アプリケーターを用いて25ミクロ
ンのドライ厚さに被覆した。この被覆処理中の湿度は15
%あるいはそれ以下であつた。次に得られた装置を強制
空気炉中で6分間135℃で乾燥した。
ケン・バイエルA.G.から市販されている約50,000〜約10
0,000の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂)
を含有している輸送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−
N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニ
ル−4,4′−ジアミンと混合した。この溶液を15重量%
のメチレンクロライド中で混合した。次に上記のすべて
の成分をコハク瓶中にいれて溶解した。この混合物を接
着層の表面にバード・アプリケーターを用いて25ミクロ
ンのドライ厚さに被覆した。この被覆処理中の湿度は15
%あるいはそれ以下であつた。次に得られた装置を強制
空気炉中で6分間135℃で乾燥した。
33容量%の三方晶系セレンと13容量%のN,N,−ジフエニ
ル−N,N′−ビス(メチルフエニル)−1,1−ビフエニル
−4,4′−ジアミンを54容量%のフエノキシ樹脂バイン
ダー中に含有する光発生層を次の如くして調製した。
ル−N,N′−ビス(メチルフエニル)−1,1−ビフエニル
−4,4′−ジアミンを54容量%のフエノキシ樹脂バイン
ダー中に含有する光発生層を次の如くして調製した。
4オンス(113.4g)のコハク瓶中に1.6gの上記のフエノ
キシ樹脂、0.4gのN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス(3
−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジア
ミン、21mlのメチルエチルケトンおよび7mlのメトキシ
エチルアセテートを加えた。この溶液に3.2gの三方晶系
セレンと200gの1/8インチ(3.2mm)のステンレススチー
ルシヨツトを加えた。上記の混合物をボールミル上に72
〜96時間置いた。次にこのスラリーを上記の輸送層上へ
バード・アプリケーターで0.5ミル(0.0127mm)のウエ
ツト厚さに被覆した。この光導電性層のドライ厚さは0.
5ミクロンであつた。次にこの装置の層を135℃で6分間
強制空気炉中で乾燥した。
キシ樹脂、0.4gのN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス(3
−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジア
ミン、21mlのメチルエチルケトンおよび7mlのメトキシ
エチルアセテートを加えた。この溶液に3.2gの三方晶系
セレンと200gの1/8インチ(3.2mm)のステンレススチー
ルシヨツトを加えた。上記の混合物をボールミル上に72
〜96時間置いた。次にこのスラリーを上記の輸送層上へ
バード・アプリケーターで0.5ミル(0.0127mm)のウエ
ツト厚さに被覆した。この光導電性層のドライ厚さは0.
5ミクロンであつた。次にこの装置の層を135℃で6分間
強制空気炉中で乾燥した。
30容量%のバナジルフタロシアニンを含有する光導電性
層を次の如くして調製した。
層を次の如くして調製した。
2オンス(56.7g)のコハク瓶中へ0.76gのデユポン49,0
00と16mlのメチレンクロライドを加えた。この溶液に0.
36gのバナジルフタロシアニンと100gの1/8インチ(3.2m
m)のステンレススチールシヨツトを加えた。上記の混
合物をボールミル上に24時間置いた。5gのこのスラリー
に10mlのメチレンクロライドを加えた。このスラリーを
上記の光発生層上にバード・アプリケーターにより0.5
ミル(0.0127mm)のウエツト厚さに被覆した。この層を
5分間空気乾燥した。得られた装置を135℃で6分間強
制空気炉中で乾燥した。この光導電性層のドライ厚さは
0.5ミクロンであつた。
00と16mlのメチレンクロライドを加えた。この溶液に0.
36gのバナジルフタロシアニンと100gの1/8インチ(3.2m
m)のステンレススチールシヨツトを加えた。上記の混
合物をボールミル上に24時間置いた。5gのこのスラリー
に10mlのメチレンクロライドを加えた。このスラリーを
上記の光発生層上にバード・アプリケーターにより0.5
ミル(0.0127mm)のウエツト厚さに被覆した。この層を
5分間空気乾燥した。得られた装置を135℃で6分間強
制空気炉中で乾燥した。この光導電性層のドライ厚さは
0.5ミクロンであつた。
実施例II 3ミル(0.0762mm)の厚さのアルミニウム化マイラー基
体を用意し、該基体にE.I.デユポンが得られる0.5重量
%のデユポン49,000接着剤であるポリエステルをメチレ
ンクロリドと1,1,2−トリクロロエタン(容量比4:1)中
に加えて成る層をバード・アプリケーターにより0.5ミ
ル(0.0127mm)のウエツト厚さで施着させて感光装置を
調製した。次にこの層を室温で1分間乾燥し且つ100℃
で10分間強制空気炉中で乾燥した。得られた層は0.05ミ
クロンのドライ厚さを有していた。
体を用意し、該基体にE.I.デユポンが得られる0.5重量
%のデユポン49,000接着剤であるポリエステルをメチレ
ンクロリドと1,1,2−トリクロロエタン(容量比4:1)中
に加えて成る層をバード・アプリケーターにより0.5ミ
ル(0.0127mm)のウエツト厚さで施着させて感光装置を
調製した。次にこの層を室温で1分間乾燥し且つ100℃
で10分間強制空気炉中で乾燥した。得られた層は0.05ミ
クロンのドライ厚さを有していた。
次に上記の接着層を次の如くして調製した電荷輸送層で
被覆した。
被覆した。
50重量%のマークロロン (すなわちラルベンサブリツ
ケン・バイエルA.G.から市販されている約50,000〜約10
0,000の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂を
含有している輸送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−N,
N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル
−4,4′−ジアミンと混合した。この溶液を15重量%の
メチレンクロライド中で混合した。次に上記のすべての
成分をコハク瓶中にいれて溶解した。次にこの混合物を
接着層の表面にバード・アプリケーターを用いて25ミク
ロンのドライ厚さに被覆した。この被覆処理中の湿度は
15%あるいはそれ以下であつた。次に得られた装置を強
制空気炉中で6分間135℃で乾燥した。
ケン・バイエルA.G.から市販されている約50,000〜約10
0,000の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂を
含有している輸送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−N,
N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル
−4,4′−ジアミンと混合した。この溶液を15重量%の
メチレンクロライド中で混合した。次に上記のすべての
成分をコハク瓶中にいれて溶解した。次にこの混合物を
接着層の表面にバード・アプリケーターを用いて25ミク
ロンのドライ厚さに被覆した。この被覆処理中の湿度は
15%あるいはそれ以下であつた。次に得られた装置を強
制空気炉中で6分間135℃で乾燥した。
10容量%の三方晶系セレン、25容量%のN,N,−ジフエニ
ル−N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフ
エニル−4,4′−ジアミンおよび65容量%のポリビニル
カルバゾールを含む光発生層を次の如くして調製した。
ル−N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフ
エニル−4,4′−ジアミンおよび65容量%のポリビニル
カルバゾールを含む光発生層を次の如くして調製した。
2オンス(56.7g)のコハク瓶中へ0.8gのポリビニルカ
ルバゾールおよび14mlの1:1(容量)テトラヒドロフラ
ン/トルエンを入れた。この溶液中に0.8gの三方晶系セ
レンおよび100gのステンレスシヨツト〔直径1/8インチ
(3.2mm)〕を加えた。次に上記混合物をボールミル上
に72〜96時間置きスラリーを得た。1オンス(28.3g)
のコハク瓶中へ0.15gのN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス
(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−
ジアミン0.18gのポリビニルカルバゾールおよび6.3mlの
テトラヒドロフラン/トルエン(容量比1:1)を加え
た。この溶液中に5gのボールミルで磨砕したスラリーを
加えた。次に得られたスラリーを振とう機上に10分間置
き、次いで調製したスラリーを上記の輸送層上にバード
・アプリケーターを使用して0.5シル(0.0127mm)のウ
エツト厚さに被覆した。次にこの層を135℃で6分間強
制空気炉中で乾燥し、発生層の2.0ミクロンのドライ厚
さを得た。
ルバゾールおよび14mlの1:1(容量)テトラヒドロフラ
ン/トルエンを入れた。この溶液中に0.8gの三方晶系セ
レンおよび100gのステンレスシヨツト〔直径1/8インチ
(3.2mm)〕を加えた。次に上記混合物をボールミル上
に72〜96時間置きスラリーを得た。1オンス(28.3g)
のコハク瓶中へ0.15gのN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス
(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−
ジアミン0.18gのポリビニルカルバゾールおよび6.3mlの
テトラヒドロフラン/トルエン(容量比1:1)を加え
た。この溶液中に5gのボールミルで磨砕したスラリーを
加えた。次に得られたスラリーを振とう機上に10分間置
き、次いで調製したスラリーを上記の輸送層上にバード
・アプリケーターを使用して0.5シル(0.0127mm)のウ
エツト厚さに被覆した。次にこの層を135℃で6分間強
制空気炉中で乾燥し、発生層の2.0ミクロンのドライ厚
さを得た。
上記のすべての層を含む得られた装置を135℃で6分間
強制空気炉中で焼鈍した。
強制空気炉中で焼鈍した。
30容量%のヒドロキシスクエアリリウムを含む光導電性
層を次の如くして調製した。
層を次の如くして調製した。
2オンス(56.7g)のコハク瓶中へ0.76gのフオームバー
ル12/85(モンサント)と16mlのテトラヒドロフランを
加えた。この溶液に0.36gのヒドロキシスクエアリリウ
ムと100gの1/8インチ(3.2mm)のステンレススチールシ
ヨツトを加えた。上記の混合物をボールミル上に24時間
置いた。5gのこのスラリーに更に10mlの溶剤を加えた。
次にこのスラリーを上記の発生層上にバード・アプリケ
ーターで0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚に被覆し
た。得られた装置を135℃で6分間強制空気炉中で乾燥
した。この光導電性層のドライ厚さは0.5ミクロンであ
つた。
ル12/85(モンサント)と16mlのテトラヒドロフランを
加えた。この溶液に0.36gのヒドロキシスクエアリリウ
ムと100gの1/8インチ(3.2mm)のステンレススチールシ
ヨツトを加えた。上記の混合物をボールミル上に24時間
置いた。5gのこのスラリーに更に10mlの溶剤を加えた。
次にこのスラリーを上記の発生層上にバード・アプリケ
ーターで0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚に被覆し
た。得られた装置を135℃で6分間強制空気炉中で乾燥
した。この光導電性層のドライ厚さは0.5ミクロンであ
つた。
実施例III 3ミル(0.0762mm)の厚さのアルミニウム化マイラー基
体を用意し、該基体にE.I.デユポンから得られる0.5重
量%のデユポン49,000接着剤であるポリエステルをメチ
レンクロライドと1,1,2−トリクロロエタン(容量比4:
1)中に加えて成る層をバード・アプリケーターにより
0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚さで施着させて感光
装置を調製した。次にこの層を室温で1分間乾燥し且つ
100℃で10分間強制空気炉中で乾燥した。得られた層は
0.05ミクロンのドライ厚さを有していた。
体を用意し、該基体にE.I.デユポンから得られる0.5重
量%のデユポン49,000接着剤であるポリエステルをメチ
レンクロライドと1,1,2−トリクロロエタン(容量比4:
1)中に加えて成る層をバード・アプリケーターにより
0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚さで施着させて感光
装置を調製した。次にこの層を室温で1分間乾燥し且つ
100℃で10分間強制空気炉中で乾燥した。得られた層は
0.05ミクロンのドライ厚さを有していた。
上記の接着層を次の如くして調製した電荷輸送層で被覆
した。
した。
50重量%のマークロロン (すなわちラルベンサブリツ
ケン・バイエルA.G.から市販されている約50,000〜約10
0,000の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂)
を含有している輸送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−
N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニ
ル−4,4′−ジアミンと混合した。この溶液を15重量%
のメチレンクロライド中で混合した。次に上記のすべて
の成分をコハク瓶中にいれて溶解した。次にこの混合物
を接着層の表面にバード・アプリケーターを用いて25ミ
クロンのドライ厚さに被覆した。この被覆処理中の湿度
は15%あるいはそれ以下であつた。次に得られた装置を
強制空気炉中で6分間135℃で乾燥した。33容量%の三
方晶系セレンと13容量%のN,N,−ジフエニル−N,N′−
ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,
4′−ジアミンをベークライトフエノキシバインダー中
に含有する光発生層を次の如くして調製した。
ケン・バイエルA.G.から市販されている約50,000〜約10
0,000の分子量(Mw)を有するポリカーボネート樹脂)
を含有している輸送層を50重量%のN,N,−ジフエニル−
N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニ
ル−4,4′−ジアミンと混合した。この溶液を15重量%
のメチレンクロライド中で混合した。次に上記のすべて
の成分をコハク瓶中にいれて溶解した。次にこの混合物
を接着層の表面にバード・アプリケーターを用いて25ミ
クロンのドライ厚さに被覆した。この被覆処理中の湿度
は15%あるいはそれ以下であつた。次に得られた装置を
強制空気炉中で6分間135℃で乾燥した。33容量%の三
方晶系セレンと13容量%のN,N,−ジフエニル−N,N′−
ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,
4′−ジアミンをベークライトフエノキシバインダー中
に含有する光発生層を次の如くして調製した。
4オンス(113.4g)のコハク瓶中に1.6gの上記のフエノ
キシ樹脂、0.4gのN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス(3
−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジア
ミン、21mlのメチルエチルケトンおよび7mlのメトキシ
エチルアセテートを加えた。この溶液に3.2gの三方晶系
セレンと200gの1/8インチ(3.2mm)のステンレススチー
ルシヨツトを加えた。上記の混合物をボールミル上に72
〜96時間置いた。得られたスラリーを上記の輸送層上に
バード・アプリケーターで0.5ミル(0.0127mm)のウエ
ツト厚さに被覆した。得られた装置を2〜5分間空気乾
燥し、次いで135℃で6分間強制空気中で乾燥した。こ
の光導電性層のドライ厚さは0.5ミクロンであつた。
キシ樹脂、0.4gのN,N,−ジフエニル−N,N′−ビス(3
−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニル−4,4′−ジア
ミン、21mlのメチルエチルケトンおよび7mlのメトキシ
エチルアセテートを加えた。この溶液に3.2gの三方晶系
セレンと200gの1/8インチ(3.2mm)のステンレススチー
ルシヨツトを加えた。上記の混合物をボールミル上に72
〜96時間置いた。得られたスラリーを上記の輸送層上に
バード・アプリケーターで0.5ミル(0.0127mm)のウエ
ツト厚さに被覆した。得られた装置を2〜5分間空気乾
燥し、次いで135℃で6分間強制空気中で乾燥した。こ
の光導電性層のドライ厚さは0.5ミクロンであつた。
30容量%のヒドロキシスクエアリリウムを含有する光導
電性層を次の如くして調製した。
電性層を次の如くして調製した。
2オンス(56.7g)のコハク瓶中に0.76gのモンサントの
フオームバール12/85と16mlのテトラヒドロフランを加
えた。この溶液に0.36gのヒドロキシスクエアリリウム
と100gの1/8インチ(3.2mm)のステンレススチールシヨ
ツトを加えた。上記混合物をボールミル上に24時間置い
た。5gのこのスラリーに更に10mlの溶剤を加えた。生成
したスラリーを上記の光発生層上にバード・アプリケー
ターを使用して0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚さに
被覆した。得られた装置を130℃で6分間強制空気炉で
乾燥した。この光導電性層のドライ厚さは0.5ミクロン
であつた。
フオームバール12/85と16mlのテトラヒドロフランを加
えた。この溶液に0.36gのヒドロキシスクエアリリウム
と100gの1/8インチ(3.2mm)のステンレススチールシヨ
ツトを加えた。上記混合物をボールミル上に24時間置い
た。5gのこのスラリーに更に10mlの溶剤を加えた。生成
したスラリーを上記の光発生層上にバード・アプリケー
ターを使用して0.5ミル(0.0127mm)のウエツト厚さに
被覆した。得られた装置を130℃で6分間強制空気炉で
乾燥した。この光導電性層のドライ厚さは0.5ミクロン
であつた。
比較列1〜V及び実施例I〜IIIの各々の装置を、エタ
ノール中に1%のポリビニルブチラールを含有する溶液
でバード・アプリケーターを用いて2ミル(0.0508mm)
のウエツト厚さに被覆することによりトツプ被覆層で被
覆した。次にこの被覆を10分間乾燥し且つ50℃で2時間
強制空気乾燥し各々のトツプ被覆として0.5ミクロンの
厚さを得た。
ノール中に1%のポリビニルブチラールを含有する溶液
でバード・アプリケーターを用いて2ミル(0.0508mm)
のウエツト厚さに被覆することによりトツプ被覆層で被
覆した。次にこの被覆を10分間乾燥し且つ50℃で2時間
強制空気乾燥し各々のトツプ被覆として0.5ミクロンの
厚さを得た。
次に上記で調製した各々の装置を、該装置をコロナによ
り+800ボルトに正に帯電させ、次いで各々の装置を約4
00〜約1,000ナノメーターの波長範囲において単色光に
同時に露光することによりスペクトルの可視および赤外
領域における感光性についてテストを行つた。次に各々
の装置の表面電位を一定の波長に露光後に電気プローブ
で測定した。次に各々の装置の放電割合を後述のように
計算した。この放電割合が感光性を示すものである。
り+800ボルトに正に帯電させ、次いで各々の装置を約4
00〜約1,000ナノメーターの波長範囲において単色光に
同時に露光することによりスペクトルの可視および赤外
領域における感光性についてテストを行つた。次に各々
の装置の表面電位を一定の波長に露光後に電気プローブ
で測定した。次に各々の装置の放電割合を後述のように
計算した。この放電割合が感光性を示すものである。
比較例I、IIおよびIIIの感光装置が約400〜675ナノメ
ーターの波長においてのみ光に感応して可視光感光性を
示し、一方比較例IVとVの感光装置は約580〜950ナノメ
ーターの波長の光に応答し、スペクトルの青および緑色
波長範囲の応答性は劣つていた。
ーターの波長においてのみ光に感応して可視光感光性を
示し、一方比較例IVとVの感光装置は約580〜950ナノメ
ーターの波長の光に応答し、スペクトルの青および緑色
波長範囲の応答性は劣つていた。
実施例I〜IIIで調製した装置は約400〜約95ナノメータ
ーの波長範囲ですぐれた感度を有してこれらの装置の可
視および赤外感光性の両方を示した。
ーの波長範囲ですぐれた感度を有してこれらの装置の可
視および赤外感光性の両方を示した。
本発明は特定の好ましい実施態様を参照して記述した
が、本発明はこれらの実施態様に限定されず、当業者な
らば変形や修正が可能であり、これらの変形や修正も本
発明の要旨および本発明の特許請求の範囲に包含される
ものである。
が、本発明はこれらの実施態様に限定されず、当業者な
らば変形や修正が可能であり、これらの変形や修正も本
発明の要旨および本発明の特許請求の範囲に包含される
ものである。
第1図は本発明の改良された感光装置の部分図解断面図
である。 放電割合は次の如く定義される。 (上記式中のVDDpは暗所発生電位であり、且つV(ボル
ト)5エルグcm-2は400〜1,000ナノメーターの波長範囲
において5エルグcm-2の光に露光後の感光体上の表面電
位(ボルト)である。 1例として、例えば800mmで5エルグcm-2露光後800ボル
トのVDDpと400ボルトの表面電位の場合は、その放電割
合は50%となる。 3……基体、6……接着層、8……電荷キヤリヤー輸送
層、9……電荷キヤリヤー発生層、11……光導電層、14
……トツプ被覆ポリマー層、
である。 放電割合は次の如く定義される。 (上記式中のVDDpは暗所発生電位であり、且つV(ボル
ト)5エルグcm-2は400〜1,000ナノメーターの波長範囲
において5エルグcm-2の光に露光後の感光体上の表面電
位(ボルト)である。 1例として、例えば800mmで5エルグcm-2露光後800ボル
トのVDDpと400ボルトの表面電位の場合は、その放電割
合は50%となる。 3……基体、6……接着層、8……電荷キヤリヤー輸送
層、9……電荷キヤリヤー発生層、11……光導電層、14
……トツプ被覆ポリマー層、
Claims (1)
- 【請求項1】(1)基体、(2)接着層、(3)正孔輸
送層、(4)三方晶系セレン、または炭酸ナトリウムあ
るいはセレン酸ナトリウムでドープされた三方晶系セレ
ンを含む無機光発生層、(5)スペクトルの赤外領域、
可視領域またはその両領域で光発生層の固有の性質を向
上または低下させることのできる光導電性材料であっ
て、フタロシアニン化合物、スクエアリリウム化合物、
ポリビニルカルバゾール−トリニトロフルオレノン、シ
アニン染料及びそれらの混合物からなる群から選ばれる
材料、及び(6)ポリマー被覆層の記載順序からなる感
光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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US488250 | 1983-04-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59208555A JPS59208555A (ja) | 1984-11-26 |
JPH0693128B2 true JPH0693128B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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JP (1) | JPH0693128B2 (ja) |
GB (1) | GB2141249B (ja) |
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JPH02310566A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-26 | Canon Inc | 電子写真用弾性部材 |
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US4066455A (en) * | 1975-11-05 | 1978-01-03 | Eastman Kodak Company | Selenium containing multi-active photoconductive element |
JPS52140332A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Hitachi Ltd | Electrophotographic imaging member |
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JPS5564245A (en) * | 1978-11-07 | 1980-05-14 | Ricoh Co Ltd | Laminated type electrophotographic photoreceptor |
US4297424A (en) * | 1980-03-05 | 1981-10-27 | Xerox Corporation | Overcoated photoreceptor containing gold injecting layer |
DE3032775A1 (de) * | 1980-08-30 | 1982-05-06 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial |
JPS5756942A (en) * | 1980-09-19 | 1982-04-05 | Tadatsugu Ito | Manufacture of silicon semiconductor device |
CA1174889A (en) * | 1980-10-02 | 1984-09-25 | Xerox Corporation | Imaging member including an intermediate layer of an acetal of poly(vinyl alcohol) and a photoconductive layer |
JPS5789760A (en) * | 1980-11-26 | 1982-06-04 | Canon Inc | Electrophotographic receptor |
US4378415A (en) * | 1981-10-13 | 1983-03-29 | Xerox Corporation | Color imaging, layered organic photoresponsive device having hole injection and transport layers, red sensitive layer and short wavelength sensitive layer |
US4410616A (en) * | 1982-05-10 | 1983-10-18 | Xerox Corporation | Multi-layered ambipolar photoresponsive devices for electrophotography |
US4415639A (en) * | 1982-09-07 | 1983-11-15 | Xerox Corporation | Multilayered photoresponsive device for electrophotography |
-
1983
- 1983-04-25 US US06/488,250 patent/US4489148A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-04-03 GB GB08408582A patent/GB2141249B/en not_active Expired
- 1984-04-18 JP JP59078293A patent/JPH0693128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59208555A (ja) | 1984-11-26 |
US4489148A (en) | 1984-12-18 |
GB2141249B (en) | 1986-10-08 |
GB8408582D0 (en) | 1984-05-16 |
GB2141249A (en) | 1984-12-12 |
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