JPH069188B2 - 化合物半導体基板 - Google Patents
化合物半導体基板Info
- Publication number
- JPH069188B2 JPH069188B2 JP60092715A JP9271585A JPH069188B2 JP H069188 B2 JPH069188 B2 JP H069188B2 JP 60092715 A JP60092715 A JP 60092715A JP 9271585 A JP9271585 A JP 9271585A JP H069188 B2 JPH069188 B2 JP H069188B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- diamond
- heat
- substrate
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02463—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02491—Conductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は化合物半導体基板に関し、特にGaAsなどの化合
物半導体基板の放熱特性の改良に関するものである。
物半導体基板の放熱特性の改良に関するものである。
従来の技術 ＩＣなどの半導体素子は高集積化とともに高速化、高周
波数化が叫ばれているが、高速・高周波素子に適する半
導体は、電子の移動度が大きく、また飽和ドリフト速度
が大きいことが要求され、その代表としてGaAsなどの化
合物半導体がある。そこで、GaAs、InPなどの化合物半
導体を用いたマイクロ波用ＦＥＴや半導体レーザーおよ
びその他の半導体素子の開発が盛んに進められている
が、この高速・高周波素子では特に単位体積当りの消費
電力が大きく、素子の発熱密度は非常に高いものとなっ
ている。発熱量が大きくなって素子の温度が上昇する
と、能動素子の場合には動作点がずれたり、受動素子の
場合には定数が変化して、種々の特性が劣化し、しいて
は動作不能となってしまうので、素子の熱対策はその信
頼性において極めて重要なものとなっている。
波数化が叫ばれているが、高速・高周波素子に適する半
導体は、電子の移動度が大きく、また飽和ドリフト速度
が大きいことが要求され、その代表としてGaAsなどの化
合物半導体がある。そこで、GaAs、InPなどの化合物半
導体を用いたマイクロ波用ＦＥＴや半導体レーザーおよ
びその他の半導体素子の開発が盛んに進められている
が、この高速・高周波素子では特に単位体積当りの消費
電力が大きく、素子の発熱密度は非常に高いものとなっ
ている。発熱量が大きくなって素子の温度が上昇する
と、能動素子の場合には動作点がずれたり、受動素子の
場合には定数が変化して、種々の特性が劣化し、しいて
は動作不能となってしまうので、素子の熱対策はその信
頼性において極めて重要なものとなっている。
従来、ＩＣやＬＳＩなど半導体素子で発生した熱は主に
チップからパッケージに伝導し、そこから空中に放出し
たり配線を通して放熱したりしていたが、特に発熱量の
大きな場合には放熱対策として放熱フィンを設けたり強
制水冷を施していた。
チップからパッケージに伝導し、そこから空中に放出し
たり配線を通して放熱したりしていたが、特に発熱量の
大きな場合には放熱対策として放熱フィンを設けたり強
制水冷を施していた。
また、限られた部分から大きな熱が発生する場合には、
熱伝導性の優れたダイヤモンドのヒートシンクが用いら
れることがある。例えば、半導体レーザーを室温で連続
発振させるためには熱放散を良くすることが必要とな
り、通常、レーザーチップがIn、Sn等の低融点金属やPb-
Sn、Au-Sn、Au-Si等のボンディングハンダを用いた融着
法によりダイヤモンドヒートシンク上にマウントされ
て、チップ内で発生した熱がダイヤモンドヒートシンク
を介して放熱される。
熱伝導性の優れたダイヤモンドのヒートシンクが用いら
れることがある。例えば、半導体レーザーを室温で連続
発振させるためには熱放散を良くすることが必要とな
り、通常、レーザーチップがIn、Sn等の低融点金属やPb-
Sn、Au-Sn、Au-Si等のボンディングハンダを用いた融着
法によりダイヤモンドヒートシンク上にマウントされ
て、チップ内で発生した熱がダイヤモンドヒートシンク
を介して放熱される。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、放熱フィンや強制水冷による放熱では装
置が大型かつ複雑になるばかりでなくコストが高くなる
という問題がある。
置が大型かつ複雑になるばかりでなくコストが高くなる
という問題がある。
また、ダイヤモンドヒートシンクは３次元的な熱の放散
を行なつて放熱性を高めるために、通常厚さ0.2mm程度
以上の板状をなすことが必要である。しかしながら、ダ
イヤモンドをこのような形状に加工するには極めてコス
トが高くなるとともに、天然ダイヤモンドの産出が著し
く少ない。さらに高温・高圧下の温度勾配による炭素の
溶媒金属への溶解度差を利用して結晶を析出させる従来
の人工ダイヤモンド製造法では微細な結晶しか得られな
いので、ヒートシンクの大きさが限定され、ごく限られ
た素子にしかダイヤモンドヒートシンクを使用すること
ができなかつた。また、ヒートシンクとして用いられる
ダイヤモンドは非常に優れた熱伝導性を示すが、チップ
をヒートシンク上にボンディングするために用いられる
低融点金属やハンダ合金は熱伝導率が低く、チップで発
生した熱はこれら金属を通らなければヒートシンクに伝
導されないので、ダイヤモンドの高い熱伝導性が最大限
には活用されていなかった。
を行なつて放熱性を高めるために、通常厚さ0.2mm程度
以上の板状をなすことが必要である。しかしながら、ダ
イヤモンドをこのような形状に加工するには極めてコス
トが高くなるとともに、天然ダイヤモンドの産出が著し
く少ない。さらに高温・高圧下の温度勾配による炭素の
溶媒金属への溶解度差を利用して結晶を析出させる従来
の人工ダイヤモンド製造法では微細な結晶しか得られな
いので、ヒートシンクの大きさが限定され、ごく限られ
た素子にしかダイヤモンドヒートシンクを使用すること
ができなかつた。また、ヒートシンクとして用いられる
ダイヤモンドは非常に優れた熱伝導性を示すが、チップ
をヒートシンク上にボンディングするために用いられる
低融点金属やハンダ合金は熱伝導率が低く、チップで発
生した熱はこれら金属を通らなければヒートシンクに伝
導されないので、ダイヤモンドの高い熱伝導性が最大限
には活用されていなかった。
以上の如く、従来の化合物半導体装置は、その化合物半
導体の高い電子移動度を活かすように効率的に放熱で
き、且つ小型で安価な放熱手段がなかった。
導体の高い電子移動度を活かすように効率的に放熱で
き、且つ小型で安価な放熱手段がなかった。
かくして本発明の目的は、内部で発生した熱を良好に放
散でき、小型で安価な半導体素子を実現することができ
る化合物半導体基板を提供することにある。
散でき、小型で安価な半導体素子を実現することができ
る化合物半導体基板を提供することにある。
問題点を解決するための手段 即ち、本発明に従うと、GaAsまたはInPからなる化合物
半導体層、または、該化合物半導体層上にＷ電極層を装
荷してなる基板母体と、該化合物半導体層または基板母
体の表面上に気相合成法により直接堆積させた厚さ50μ
ｍ以上のダイヤモンド膜とを含むことを特徴とする化合
物半導体基板が提供される。
半導体層、または、該化合物半導体層上にＷ電極層を装
荷してなる基板母体と、該化合物半導体層または基板母
体の表面上に気相合成法により直接堆積させた厚さ50μ
ｍ以上のダイヤモンド膜とを含むことを特徴とする化合
物半導体基板が提供される。
作用 ダイヤモンドは他の非金属物質および金属物質よりも高
い熱伝導率を有するので、放熱材料としては最適であ
る。しかも、気相合成法によってダイヤモンドを基板母
体に堆積させれば、基板母体全面に直接ダイヤモンドを
成長させることができる。従って、ダイヤモンド膜とは
反対側の化合物半導体基板上に素子を構成すると、この
素子で発生した熱は基板母体を介してダイヤモンド膜に
伝導した後、極めて速くパッケージに放散される。さら
に、気相合成法でダイヤモンド膜を形成すれば、ダイヤ
モンド膜の形状の自由度が高く、ダイヤモンドの加工が
ほとんど不要となるので、従来のダイヤモンドヒートシ
ンクに比べて非常にコストが低くなる。
い熱伝導率を有するので、放熱材料としては最適であ
る。しかも、気相合成法によってダイヤモンドを基板母
体に堆積させれば、基板母体全面に直接ダイヤモンドを
成長させることができる。従って、ダイヤモンド膜とは
反対側の化合物半導体基板上に素子を構成すると、この
素子で発生した熱は基板母体を介してダイヤモンド膜に
伝導した後、極めて速くパッケージに放散される。さら
に、気相合成法でダイヤモンド膜を形成すれば、ダイヤ
モンド膜の形状の自由度が高く、ダイヤモンドの加工が
ほとんど不要となるので、従来のダイヤモンドヒートシ
ンクに比べて非常にコストが低くなる。
また、一般に半導体素子では半導体基板の裏面上に電極
金属層が設けられることが多いが、ダイヤモンド膜をこ
の電極金属層の上に形成しても本発明の効果が損なわれ
るものではない。
金属層が設けられることが多いが、ダイヤモンド膜をこ
の電極金属層の上に形成しても本発明の効果が損なわれ
るものではない。
また、ダイヤモンド膜はある程度以上の厚さがないと良
好な三次元的熱放散が行なわれないので、少なくとも50
μｍ以上、好ましくは100μｍ以上の厚さであることが
望まれる。
好な三次元的熱放散が行なわれないので、少なくとも50
μｍ以上、好ましくは100μｍ以上の厚さであることが
望まれる。
実施例 以下、本発明の実施例について添付図面を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明によるGaAs基板を用いた半導体レーザー
の断面図である。この半導体レーザーは次のようにして
形成された。まず、ｎ−GaAs基板１の上に電極用のＷ層
２を蒸着法によって形成し、さらにこのＷ層２の上にプ
ラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド膜３を厚さ300μｍ
だけ堆積した。このときプラズマＣＶＤ法は、周波数1
3.56MHzの高周波電源を用い、原料としてCH4、H2を各々
１、100cm2／分の流量で流し、圧力30Torrで360時間の
処理を行なった。次に、この積層体を一辺0.3mmの正方
形状に切断した後、Ｗ層２およびダイヤモンド膜３が形
成されたｎ−GaAs基板１の面とは反対側にｎ−AlGaAsク
ラツド層４、GaAs活性層５、ｐ−AlGaAsクラツド層６、
ｐ−GaAsコンタクト層７を順次ＭＯＣＶＤ法で積層し、
さらにその上にAu−Cr電極層８を蒸着法によつて形成し
てダブルヘテロ接合構造の半導体レーザーを構成した。
の断面図である。この半導体レーザーは次のようにして
形成された。まず、ｎ−GaAs基板１の上に電極用のＷ層
２を蒸着法によって形成し、さらにこのＷ層２の上にプ
ラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド膜３を厚さ300μｍ
だけ堆積した。このときプラズマＣＶＤ法は、周波数1
3.56MHzの高周波電源を用い、原料としてCH4、H2を各々
１、100cm2／分の流量で流し、圧力30Torrで360時間の
処理を行なった。次に、この積層体を一辺0.3mmの正方
形状に切断した後、Ｗ層２およびダイヤモンド膜３が形
成されたｎ−GaAs基板１の面とは反対側にｎ−AlGaAsク
ラツド層４、GaAs活性層５、ｐ−AlGaAsクラツド層６、
ｐ−GaAsコンタクト層７を順次ＭＯＣＶＤ法で積層し、
さらにその上にAu−Cr電極層８を蒸着法によつて形成し
てダブルヘテロ接合構造の半導体レーザーを構成した。
この半導体レーザーを15ｍＷの出力で動作させたとこ
ろ、２時間の連続動作後も何ら問題はなく正常に動作を
続けることができた。なお、本実施例におけるダイヤモ
ンド膜３やダイヤモンドヒートシンク等の熱対策を施さ
ない従来のGaAs半導体レーザーでは15ｍＷの出力で約３
分間動作させると素子温度が上昇して動作不能となる。
従って、本実施例の半導体レーザーでは非常に効率よく
熱放散されていることがわかる。
ろ、２時間の連続動作後も何ら問題はなく正常に動作を
続けることができた。なお、本実施例におけるダイヤモ
ンド膜３やダイヤモンドヒートシンク等の熱対策を施さ
ない従来のGaAs半導体レーザーでは15ｍＷの出力で約３
分間動作させると素子温度が上昇して動作不能となる。
従って、本実施例の半導体レーザーでは非常に効率よく
熱放散されていることがわかる。
なお、本実施例ではダイヤモンド膜３をプラズマＣＶＤ
法で形成したが、ＣＶＤ法あるいはイオンビーム蒸着法
でもよい。
法で形成したが、ＣＶＤ法あるいはイオンビーム蒸着法
でもよい。
また、ｎ−AlGaAsクラツド層４ないしｐ−GaAsコンタク
ト層７の形成方法は液相エピタキシヤル法あるいは分子
線エピタキシヤル法でもよく、さらにＷ電極層２および
Au−Cr電極層８はスパツタ法、イオンプレーティング法
あるいはＣＶＤ法でも形成できる。
ト層７の形成方法は液相エピタキシヤル法あるいは分子
線エピタキシヤル法でもよく、さらにＷ電極層２および
Au−Cr電極層８はスパツタ法、イオンプレーティング法
あるいはＣＶＤ法でも形成できる。
また、電極層２の材料としてはＷの他、TiおよびTa等を
用いてもよい。
用いてもよい。
さらに、本発明のGaAs基板は半導体レーザー用に限るも
のではなく、マイクロ波用デバイスおよびその他の半導
体素子やハイブリツドＩＣおよびハイブリツドＬＳＩ等
の基板にも適用できる。また、本発明は、GaAs基板だけ
でなく、lnP基板などのほかの化合物半導体基板にも適
用できる。
のではなく、マイクロ波用デバイスおよびその他の半導
体素子やハイブリツドＩＣおよびハイブリツドＬＳＩ等
の基板にも適用できる。また、本発明は、GaAs基板だけ
でなく、lnP基板などのほかの化合物半導体基板にも適
用できる。
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、大型あるいは複雑
になることなく、しかも低コストで半導体素子の熱放散
を行なうことができる。従って、本発明はますます高速
化、高周波数化および高集積化が進む化合物半導体素子
の熱対策に極めて有用なものとなる。
になることなく、しかも低コストで半導体素子の熱放散
を行なうことができる。従って、本発明はますます高速
化、高周波数化および高集積化が進む化合物半導体素子
の熱対策に極めて有用なものとなる。
第１図は本発明の一実施例に係るGaAs基板を用いた半導
体レーザーの断面図である。 （主な参照番号） １……n-GaAs基板、２……Ｗ電極層、 ３……ダイヤモンド膜、 ４……ｎ−AlGaAsクラツド層、 ５……GaAs活性層、 ６……ｐ−AlGaAsクラツド層、 ７……ｐ−GaAsコンタクト層、 ８……Ａｕ−Cr電極層
体レーザーの断面図である。 （主な参照番号） １……n-GaAs基板、２……Ｗ電極層、 ３……ダイヤモンド膜、 ４……ｎ−AlGaAsクラツド層、 ５……GaAs活性層、 ６……ｐ−AlGaAsクラツド層、 ７……ｐ−GaAsコンタクト層、 ８……Ａｕ−Cr電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−147087（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−12747（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−136013（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−192326（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−2858（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭53−118470（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭53−118469（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】GaAsまたはlnPからなる化合物半導体層、
または、、該化合物半導体層上にＷ電極層を装荷してな
る基板母体と、該化合物半導体層または基板母体の表面
上に気相合成法により直接堆積させた厚さ50μｍ以上の
ダイヤモンド膜とを含むことを特徴とする化合物半導体
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092715A JPH069188B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 化合物半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092715A JPH069188B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 化合物半導体基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251120A JPS61251120A (ja) | 1986-11-08 |
| JPH069188B2 true JPH069188B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=14062151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60092715A Expired - Fee Related JPH069188B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 化合物半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069188B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4863529A (en) * | 1987-03-12 | 1989-09-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Thin film single crystal diamond substrate |
| US5131963A (en) * | 1987-11-16 | 1992-07-21 | Crystallume | Silicon on insulator semiconductor composition containing thin synthetic diamone films |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643012Y2 (ja) * | 1977-02-28 | 1981-10-08 | ||
| JPS5643011Y2 (ja) * | 1977-02-28 | 1981-10-08 | ||
| JPS53136013A (en) * | 1977-05-04 | 1978-11-28 | Sumitomo Electric Industries | Sintered material for heat sink and method of its manufacture |
| JPS58147087A (ja) * | 1982-02-25 | 1983-09-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子用ヒ−トシンク |
| JPS602858U (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-10 | 三洋電機株式会社 | ヒ−トシンクの電極 |
| JPS6012747U (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-28 | 日産自動車株式会社 | 車両用ベルト使用限界予告装置 |
| JPS60192326A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-09-30 | Citizen Watch Co Ltd | ダイヤモンド膜の形成方法 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP60092715A patent/JPH069188B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61251120A (ja) | 1986-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0521405B1 (en) | Heat radiating component and semiconductor device provided with the same | |
| US5785754A (en) | Substrate, semiconductor device, element-mounted device and preparation of substrate | |
| JP4571371B2 (ja) | 高い熱伝導率を有する半導体ストラクチャ用の基板 | |
| US6316826B1 (en) | Semiconductor mounting package | |
| JP6934503B2 (ja) | ダイヤモンドと金属又は金属合金との交互パターンを有する複合基板 | |
| US20080041560A1 (en) | Diamond heat sink | |
| US20100208431A1 (en) | Patterned Composite Structures and Methods of Making the Same | |
| EP0930648B1 (en) | Package for semiconductor elements and semiconductor module that employs the package | |
| US20090185593A1 (en) | Method of manufacturing laser diode packages and arrays | |
| JP2003023239A (ja) | 回路基板とその製造方法及び高出力モジュール | |
| JP3309492B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
| US6292367B1 (en) | Thermally efficient semiconductor chip | |
| JPS61251158A (ja) | 放熱基板 | |
| JP3528375B2 (ja) | 基板およびこれを用いた放熱基板、半導体装置、素子搭載装置 | |
| JPH09260539A (ja) | サブマウント装置および半導体装置ならびにそれらの製造方法 | |
| JPH069188B2 (ja) | 化合物半導体基板 | |
| JP2000261088A (ja) | 発光素子 | |
| WO2001065614A1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2003023224A (ja) | 回路基板とその製造方法及び高出力モジュール | |
| JPS6052079A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS61263141A (ja) | Ｓｉ半導体基板 | |
| JPH0870070A (ja) | 半導体装置 | |
| US20040026779A1 (en) | Semiconductor devices with improved heat dissipation and method for fabricating same | |
| JP4055276B2 (ja) | 半導体用パッケージ及び該パッケージを用いた半導体モジュール | |
| JP2004165677A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |