JPH0689857A - フォトレジストの現像方法 - Google Patents
フォトレジストの現像方法Info
- Publication number
- JPH0689857A JPH0689857A JP23987092A JP23987092A JPH0689857A JP H0689857 A JPH0689857 A JP H0689857A JP 23987092 A JP23987092 A JP 23987092A JP 23987092 A JP23987092 A JP 23987092A JP H0689857 A JPH0689857 A JP H0689857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- developing
- substrate
- conductive liquid
- photoresist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は，基板上のフォトレジストの現像方
法に関し，現像時における現像液でのフォトレジストへ
のダメージを和らげる手段を得ることを目的とする。 【構成】 基板１上にフォトレジスト膜３を塗布し, 露
光する工程と, フォトレジスト膜３上に導電性の液４を
滴下する工程と, 導電性の液４を滴下したフォトレジス
ト膜３を現像液５により現像する工程とを含むように，
或いは，導電性の液４を現像液と同時に滴下するように
構成する。
法に関し，現像時における現像液でのフォトレジストへ
のダメージを和らげる手段を得ることを目的とする。 【構成】 基板１上にフォトレジスト膜３を塗布し, 露
光する工程と, フォトレジスト膜３上に導電性の液４を
滴下する工程と, 導電性の液４を滴下したフォトレジス
ト膜３を現像液５により現像する工程とを含むように，
或いは，導電性の液４を現像液と同時に滴下するように
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，現像時における現像液
でのフォトレジストへのダメージを和らげるためのフォ
トレジストの現像方法に関する。
でのフォトレジストへのダメージを和らげるためのフォ
トレジストの現像方法に関する。
【０００２】近年の半導体デバイスの微細化，高密度化
により現像時のフォトレジストダメージによる小さな欠
陥に対しても細心な注意が要求されている。このため，
フォトレジストへのダメージを低減させ，フォトレジス
ト下側の基板，或いは，各種の膜に対して影響を与えな
いようにする必要がある。
により現像時のフォトレジストダメージによる小さな欠
陥に対しても細心な注意が要求されている。このため，
フォトレジストへのダメージを低減させ，フォトレジス
ト下側の基板，或いは，各種の膜に対して影響を与えな
いようにする必要がある。
【０００３】
【従来の技術】従来のフォトレジストのウエット現像に
おいては，現像処理槽内にマスク基板等の被現像物を入
れた後，若干の空回転を行う程度で，すぐにスプレー，
或いはディスペンサ方式の現像処理を行っていた。
おいては，現像処理槽内にマスク基板等の被現像物を入
れた後，若干の空回転を行う程度で，すぐにスプレー，
或いはディスペンサ方式の現像処理を行っていた。
【０００４】ところが，フォトレジストの現像液は強ア
ルカリや有機溶剤のために，フォトレジストへ当たった
瞬間に静電気や物理的な衝撃によってフォトレジストの
膜自体に大きなダメージを与えていた。
ルカリや有機溶剤のために，フォトレジストへ当たった
瞬間に静電気や物理的な衝撃によってフォトレジストの
膜自体に大きなダメージを与えていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って，エッチング処
理等において，フォトレジストが下層の基板，或いは，
各種の膜に対して完全なマスクとなることが出来ず，そ
の後の処理に悪影響を及ぼし，欠陥が発生するといった
問題が生じていた。
理等において，フォトレジストが下層の基板，或いは，
各種の膜に対して完全なマスクとなることが出来ず，そ
の後の処理に悪影響を及ぼし，欠陥が発生するといった
問題が生じていた。
【０００６】本発明は，フォトレジストを現像する前
に，フォトレジストにダメージを与えないような現像方
法を得ることを目的として提供されるものである。
に，フォトレジストにダメージを与えないような現像方
法を得ることを目的として提供されるものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において，１は基板，２は被膜，３はフォ
トレジスト膜，４は導電性の液，５は現像液である。
図である。図において，１は基板，２は被膜，３はフォ
トレジスト膜，４は導電性の液，５は現像液である。
【０００８】本発明では，現像処理の前に，導電性の液
４をフォトレジストに滴下し，フォトレジスト上に極薄
い導電性の皮膜を形成するか，或いは，現像処理時，現
像液と同時に導電性の液を滴下して，フォトレジストに
現像液が接触しても，静電的な，或いは物理的なフォト
レジストのダメージを和らげられるようにする。
４をフォトレジストに滴下し，フォトレジスト上に極薄
い導電性の皮膜を形成するか，或いは，現像処理時，現
像液と同時に導電性の液を滴下して，フォトレジストに
現像液が接触しても，静電的な，或いは物理的なフォト
レジストのダメージを和らげられるようにする。
【０００９】即ち，本発明の目的は，基板１上にフォト
レジスト膜３を塗布し, 露光する工程と, 図２に示すよ
うに，フォトレジスト膜３上に導電性の液４を滴下する
工程と, 導電性の液４を滴下したフォトレジスト膜３を
現像液５により現像する工程とを含むことにより，或い
は，前記導電性の液４を現像液と同時に滴下することに
より達成される。
レジスト膜３を塗布し, 露光する工程と, 図２に示すよ
うに，フォトレジスト膜３上に導電性の液４を滴下する
工程と, 導電性の液４を滴下したフォトレジスト膜３を
現像液５により現像する工程とを含むことにより，或い
は，前記導電性の液４を現像液と同時に滴下することに
より達成される。
【００１０】
【作用】本発明においては，フォトレジストの現像前，
或いは現像時に，導電性の液をフォトレジスト上に滴下
するため，フォトレジストに対する静電的な，或いは，
物理的なダメージが軽減されて和らげられ，後工程への
影響をなくすことができる。
或いは現像時に，導電性の液をフォトレジスト上に滴下
するため，フォトレジストに対する静電的な，或いは，
物理的なダメージが軽減されて和らげられ，後工程への
影響をなくすことができる。
【００１１】
【実施例】図２は本発明の一実施例構成図であり，マス
ク等のフォトレジスト現像プロセスの現像処理用カップ
を示している。
ク等のフォトレジスト現像プロセスの現像処理用カップ
を示している。
【００１２】図において，１は基板，２は被膜，３はフ
ォトレジスト膜，４は現像前処理液，５は現像液，６は
スプレーノズル，７はディスペンサ，８は真空チャッ
ク，９は現像カップ，10は現像蓋, 11はドレーンであ
る。
ォトレジスト膜，４は現像前処理液，５は現像液，６は
スプレーノズル，７はディスペンサ，８は真空チャッ
ク，９は現像カップ，10は現像蓋, 11はドレーンであ
る。
【００１３】本発明の第１の実施例について説明する。
先ず，クロム膜２を約 1,000Åの厚さに被覆した５イン
チ径の合成石英のガラス基板１に対して，電子線用ポジ
型フォトレジスト膜を 5,000Åの厚さにスピナーコート
する。 200℃で10分間空気中でベーキングした後, 電子
ビーム露光で所要パターンを描画する。
先ず，クロム膜２を約 1,000Åの厚さに被覆した５イン
チ径の合成石英のガラス基板１に対して，電子線用ポジ
型フォトレジスト膜を 5,000Åの厚さにスピナーコート
する。 200℃で10分間空気中でベーキングした後, 電子
ビーム露光で所要パターンを描画する。
【００１４】次に, 図２に示すように，ガラス基板１を
現像カップ９中の真空チャック８に装填し，ゆっくり 2
50rpm 程度で基板１を回転させながら，径が２〜３mmの
ディスペンサ７を左右に移動させて，純水でなく市水
（微量の金属イオンを含む）を10秒程滴下する。
現像カップ９中の真空チャック８に装填し，ゆっくり 2
50rpm 程度で基板１を回転させながら，径が２〜３mmの
ディスペンサ７を左右に移動させて，純水でなく市水
（微量の金属イオンを含む）を10秒程滴下する。
【００１５】フォトレジスト膜３上の水適，或いは水膜
が乾燥しない内に手早く有機溶剤からなる電子ビーム用
現像液を６分間スプレーノズル６より噴霧して，基板１
を約250rpm で回転しながら, フォトレジスト膜３の現
像を行う。続いて，有機溶剤からなるリンス液でリンス
洗浄を30秒間行う。更に, 30秒間約 1,300rpm でスピン
乾燥を行って現像処理を終了する。
が乾燥しない内に手早く有機溶剤からなる電子ビーム用
現像液を６分間スプレーノズル６より噴霧して，基板１
を約250rpm で回転しながら, フォトレジスト膜３の現
像を行う。続いて，有機溶剤からなるリンス液でリンス
洗浄を30秒間行う。更に, 30秒間約 1,300rpm でスピン
乾燥を行って現像処理を終了する。
【００１６】次に，本発明の第２の実施例について説明
する。６インチ径のSi基板１に対して，ネガ型フォトレ
ジスト膜を２μｍの厚さにスピナーコートする。 120℃
で30分間窒素中でベーキングした後, ガラスマスクを用
いて紫外線で露光する。
する。６インチ径のSi基板１に対して，ネガ型フォトレ
ジスト膜を２μｍの厚さにスピナーコートする。 120℃
で30分間窒素中でベーキングした後, ガラスマスクを用
いて紫外線で露光する。
【００１７】次に, 図２に示すように，Si基板１を現像
カップ９中の真空チャック８に装填し，ゆっくり 250rp
m 程度でSi基板１を回転させながら，径が２〜３mmのデ
ィスペンサ７を左右に移動させて，純水でなく市水（微
量の金属イオンを含む）を10秒程滴下すると同時にネガ
型フォトレジスト用現像液を６分間スプレーノズル６よ
り噴霧して，基板１を約 400rpm で回転しながら, ネガ
型フォトレジスト膜３の現像を行う。続いて，有機溶剤
からなるリンス液でリンス洗浄を３分間行う。その後，
ベーキング炉の中で窒素雰囲気中 120 ℃で30分間のポ
ストベーキングを行い, 露光現像処理を終了する。
カップ９中の真空チャック８に装填し，ゆっくり 250rp
m 程度でSi基板１を回転させながら，径が２〜３mmのデ
ィスペンサ７を左右に移動させて，純水でなく市水（微
量の金属イオンを含む）を10秒程滴下すると同時にネガ
型フォトレジスト用現像液を６分間スプレーノズル６よ
り噴霧して，基板１を約 400rpm で回転しながら, ネガ
型フォトレジスト膜３の現像を行う。続いて，有機溶剤
からなるリンス液でリンス洗浄を３分間行う。その後，
ベーキング炉の中で窒素雰囲気中 120 ℃で30分間のポ
ストベーキングを行い, 露光現像処理を終了する。
【００１８】このように, 現像時，スプレーノズル６か
ら現像液がスプレーされるが，極薄い導電性の液（市
水）４の被膜が形成されているため，現像液５によるダ
メージは被膜４のないときよりも軽減されており，フォ
トレジスト膜３へのダメージはほとんどなくなる。
ら現像液がスプレーされるが，極薄い導電性の液（市
水）４の被膜が形成されているため，現像液５によるダ
メージは被膜４のないときよりも軽減されており，フォ
トレジスト膜３へのダメージはほとんどなくなる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれは，
現像液の滴下によるフォトレジストへのダメージの軽減
となる効果を奏し，フォトレジストを保護することがで
きる。
現像液の滴下によるフォトレジストへのダメージの軽減
となる効果を奏し，フォトレジストを保護することがで
きる。
【００２０】本発明によるマスクのガラス基板のダメー
ジの発生個数を観察すると，レチクル１枚当たり本発明
の方法を導入する前は２０個程度あったものが，本発明
の手法を導入後は，１個程度に減少した。
ジの発生個数を観察すると，レチクル１枚当たり本発明
の方法を導入する前は２０個程度あったものが，本発明
の手法を導入後は，１個程度に減少した。
【００２１】従って，本発明を用いたウエハ，或いはガ
ラス基板の現像処理により，半導体デバイスの品質向上
に寄与するところが大きい。
ラス基板の現像処理により，半導体デバイスの品質向上
に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の構成図
１ 基板 ２ 被膜 ３ フォトレジスト膜 ４ 導電性の液 ５ 現像液 ６ スプレーノズル ７ ディスペンサ ８ 真空チャック ９ 現像カップ 10 現像蓋 11 ドレーン
Claims (2)
- 【請求項１】 基板(1) 上にフォトレジスト膜（感光性
樹脂膜）(3) を塗布し, 露光する工程と, 該フォトレジスト膜(3) 上に導電性の液(4) を滴下する
工程と, 該導電性の液(4) を滴下した該フォトレジスト膜(3) を
現像液(5) により現像する工程とを含むことを特徴とす
るフォトレジストの現像方法。 - 【請求項２】 前記導電性の液(4) を現像液と同時に滴
下することを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト
の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23987092A JPH0689857A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | フォトレジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23987092A JPH0689857A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | フォトレジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689857A true JPH0689857A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17051109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23987092A Withdrawn JPH0689857A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | フォトレジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689857A (ja) |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP23987092A patent/JPH0689857A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |