JP2000188275A - ウェハー洗浄装置 - Google Patents
ウェハー洗浄装置Info
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- JP2000188275A JP2000188275A JP10361046A JP36104698A JP2000188275A JP 2000188275 A JP2000188275 A JP 2000188275A JP 10361046 A JP10361046 A JP 10361046A JP 36104698 A JP36104698 A JP 36104698A JP 2000188275 A JP2000188275 A JP 2000188275A
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- inner cup
- cleaning apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インナーカップ内にガスを導入し、ウェハー
上表面の現像液または洗浄溶液あるいはその他の不純物
がウェハー下表面を汚染することを防止する。 【構成】 現像槽のインナーカップにガス導入管を配設
して、インナーカップの気圧を外部圧力より少し高いも
のとし、ガスがインナーカップの開口周縁とウェハー下
表面とから形成されるナイフエッジ状の隙間から流出す
るように構成することで、ウェハー上表面の現像液また
は洗浄溶液がウェハー下表面へ流れ込んで汚染すること
を抑制して、ウェハー下表面およびチャックならびにそ
の後の現像を行うウェハーの汚染を防止することができ
るものとする。
上表面の現像液または洗浄溶液あるいはその他の不純物
がウェハー下表面を汚染することを防止する。 【構成】 現像槽のインナーカップにガス導入管を配設
して、インナーカップの気圧を外部圧力より少し高いも
のとし、ガスがインナーカップの開口周縁とウェハー下
表面とから形成されるナイフエッジ状の隙間から流出す
るように構成することで、ウェハー上表面の現像液また
は洗浄溶液がウェハー下表面へ流れ込んで汚染すること
を抑制して、ウェハー下表面およびチャックならびにそ
の後の現像を行うウェハーの汚染を防止することができ
るものとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ウェハーの洗浄
装置に関し、特に、現像（Develop）工程に空気または
窒素などのガスを導入することにより、ウェハーの上表
面から流れ込む現像液（Developer）あるいは洗浄溶液
が、その下表面（Backside）を汚染することを有効に防
止して、その清潔度および品質を後工程に必要なレベル
とすることができるウェハー洗浄装置に関する。
装置に関し、特に、現像（Develop）工程に空気または
窒素などのガスを導入することにより、ウェハーの上表
面から流れ込む現像液（Developer）あるいは洗浄溶液
が、その下表面（Backside）を汚染することを有効に防
止して、その清潔度および品質を後工程に必要なレベル
とすることができるウェハー洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィー（Photolithograp
hy）は、半導体製造プロセス全体において、最も重要な
工程の一つであり、およそ金属酸化物半導体（Metal Ox
ide Semiconductor = MOS）デバイスに関連があるも
の、例えば、各薄膜のパターンおよびドーパント（Dopa
nts）領域は、いずれもフォトリソグラフィーを使用し
てパターニングしている。そして、半導体の製造プロセ
スは、通常、必要となるフォトリソグラフィーの回数、
又はマスク（Mask）の枚数から、その難易度を判断する
ものとなっている。また、半導体デバイスの集積度（In
tegration）を向上させることにおいても、フォトリソ
グラフィー技術の発展に影響を受けている。
hy）は、半導体製造プロセス全体において、最も重要な
工程の一つであり、およそ金属酸化物半導体（Metal Ox
ide Semiconductor = MOS）デバイスに関連があるも
の、例えば、各薄膜のパターンおよびドーパント（Dopa
nts）領域は、いずれもフォトリソグラフィーを使用し
てパターニングしている。そして、半導体の製造プロセ
スは、通常、必要となるフォトリソグラフィーの回数、
又はマスク（Mask）の枚数から、その難易度を判断する
ものとなっている。また、半導体デバイスの集積度（In
tegration）を向上させることにおいても、フォトリソ
グラフィー技術の発展に影響を受けている。
【０００３】フォトリソグラフィーを行う時には、半導
体デバイスの基板（Substrate）となるウェハー（Wafe
r）以外にも、光源（ランプ）、マスク、フォトレジス
ト（Photoresist）、現像に必要な現像液などを用意し
なければならない。基本的なフォトリソグラフィーは、
フォトレジスト塗布（Coating）、露光（Exposur
e）、現像という３大ステップからなる。先ず、ウェ
ハーの上表面に感光材料（Photo-Sensitive Material）
からなるフォトレジスト膜を塗布してから、光源ならび
にマスクを使用して、マスクにあるパターンをフォトレ
ジスト膜に転写した後で、現像液を使用してマスクから
フォトレジスト層に転写した潜在（Latent）パターンを
現像する。
体デバイスの基板（Substrate）となるウェハー（Wafe
r）以外にも、光源（ランプ）、マスク、フォトレジス
ト（Photoresist）、現像に必要な現像液などを用意し
なければならない。基本的なフォトリソグラフィーは、
フォトレジスト塗布（Coating）、露光（Exposur
e）、現像という３大ステップからなる。先ず、ウェ
ハーの上表面に感光材料（Photo-Sensitive Material）
からなるフォトレジスト膜を塗布してから、光源ならび
にマスクを使用して、マスクにあるパターンをフォトレ
ジスト膜に転写した後で、現像液を使用してマスクから
フォトレジスト層に転写した潜在（Latent）パターンを
現像する。
【０００４】現像方法には多くの種類があるが、フォト
リソグラフィーをインライン（In-Line）作業に適合さ
せるために、現在、スプレー／パドル（Spray/Puddle）
方式が多く採用されている。この現像方式は、３つのス
テップに分けられ、先ず、スピンナー（Spinner）上に
置いたウェハーの上表面に現像液をスプレーしてから、
ウェハーが静止した状態でパドル（Puddle）現像を行
い、現像した後で、洗浄溶液を使用してウェハーの上表
面を洗浄（Rinse）し、さらにスピンドライ（Spin Dr
y）により現像工程を完了する。
リソグラフィーをインライン（In-Line）作業に適合さ
せるために、現在、スプレー／パドル（Spray/Puddle）
方式が多く採用されている。この現像方式は、３つのス
テップに分けられ、先ず、スピンナー（Spinner）上に
置いたウェハーの上表面に現像液をスプレーしてから、
ウェハーが静止した状態でパドル（Puddle）現像を行
い、現像した後で、洗浄溶液を使用してウェハーの上表
面を洗浄（Rinse）し、さらにスピンドライ（Spin Dr
y）により現像工程を完了する。
【０００５】図２の（ａ）（ｂ）は、従来のウェハー洗
浄装置を示したものであり、該図２において、（ａ）の
フローチャートの「ウェハーを現像槽に入れる」ステッ
プ１０を説明すると、（ｂ）に示すように、ウェハー２
００を用意してフォトレジスト塗布ならびに露光を行っ
てから、ウェハー２００を現像槽（図示せず）のアウタ
ーカップ（Outer Cup）２１０内部に置き、現像槽内の
スピンナー２０４の軸心を介して提供される適切な真空
度によりウェハー２００をチャック（Chuck）２０２上
に固定するが、その際、インナーカップ２０６の開口周
縁とチャック２０２に固定されたウェハー２００との間
にごく小さな隙間２０８が形成される。
浄装置を示したものであり、該図２において、（ａ）の
フローチャートの「ウェハーを現像槽に入れる」ステッ
プ１０を説明すると、（ｂ）に示すように、ウェハー２
００を用意してフォトレジスト塗布ならびに露光を行っ
てから、ウェハー２００を現像槽（図示せず）のアウタ
ーカップ（Outer Cup）２１０内部に置き、現像槽内の
スピンナー２０４の軸心を介して提供される適切な真空
度によりウェハー２００をチャック（Chuck）２０２上
に固定するが、その際、インナーカップ２０６の開口周
縁とチャック２０２に固定されたウェハー２００との間
にごく小さな隙間２０８が形成される。
【０００６】次に、図２（ａ）の「現像液をウェハーに
スプレーしてパドル現像をおこなう」ステップ１２を説
明すると、ウェハー２００の上表面の露光されたフォト
レジスト膜（図示せず）に現像液をスプレーし、ウェハ
ー２００が静止した状態で現像液と露光されたフォトレ
ジストとを化学反応させてパドル現像を行う。
スプレーしてパドル現像をおこなう」ステップ１２を説
明すると、ウェハー２００の上表面の露光されたフォト
レジスト膜（図示せず）に現像液をスプレーし、ウェハ
ー２００が静止した状態で現像液と露光されたフォトレ
ジストとを化学反応させてパドル現像を行う。
【０００７】そして、図２（ａ）の「ウェハーを回転さ
せウェハーの上下表面を洗浄する」ステップ１４を説明
すると、現像完了後に、チャック２０２を介してウェハ
ー２００を回転させるとともに、上方液体導入管（図示
せず）により脱イオン水（Deionized Water = DI Water
純水ともいう）を導入してから、上方ノズル（図示せ
ず）でウェハー２００の上表面にスプレーすることによ
って、ウェハー２００の上表面の現像液を洗浄除去す
る。ウェハー２００の上表面を洗浄する同時に、現像槽
のインナーカップ（Inner Cup）２０６にある下方液体
導入管２１２の下方ノズル（Nozzle）２１４を利用し
て、ウェハー２００の下表面も洗浄し、ウェハー２００
の下表面と、チャック２０２と、続いて現像するウェハ
ーがウェハー２００の上表面から流れ込んだ現像液また
は脱イオン水により汚染されることを防止する。
せウェハーの上下表面を洗浄する」ステップ１４を説明
すると、現像完了後に、チャック２０２を介してウェハ
ー２００を回転させるとともに、上方液体導入管（図示
せず）により脱イオン水（Deionized Water = DI Water
純水ともいう）を導入してから、上方ノズル（図示せ
ず）でウェハー２００の上表面にスプレーすることによ
って、ウェハー２００の上表面の現像液を洗浄除去す
る。ウェハー２００の上表面を洗浄する同時に、現像槽
のインナーカップ（Inner Cup）２０６にある下方液体
導入管２１２の下方ノズル（Nozzle）２１４を利用し
て、ウェハー２００の下表面も洗浄し、ウェハー２００
の下表面と、チャック２０２と、続いて現像するウェハ
ーがウェハー２００の上表面から流れ込んだ現像液また
は脱イオン水により汚染されることを防止する。
【０００８】図２（ａ）の「ウェハーをスピンドライす
る」ステップ１６について説明すると、ウェハー２００
の上表面および下表面を脱イオン水で洗浄してから、ス
ピンナー２０４によりウェハー２００を回転させてスピ
ンドライを行う。
る」ステップ１６について説明すると、ウェハー２００
の上表面および下表面を脱イオン水で洗浄してから、ス
ピンナー２０４によりウェハー２００を回転させてスピ
ンドライを行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現像工
程においてパドル現像を行う時、ウェハー２００は静止
した状態にあるから、ウェハー２００の上表面にスプレ
ーする現像液が多すぎたり、あるいはウェハー２００が
他の製造プロセスにより下表面の表面張力に変化を生ず
るなどの原因があると、現像液がウェハー２００の上表
面から下表面へインナーカップ２０６とウェハー２００
との間に形成されるナイフエッジ（KnifeEdge）状の隙
間２０８を介して流れ込むことにより、ウェハー２００
の下表面およびチャック２０２を汚染することになって
いた。
程においてパドル現像を行う時、ウェハー２００は静止
した状態にあるから、ウェハー２００の上表面にスプレ
ーする現像液が多すぎたり、あるいはウェハー２００が
他の製造プロセスにより下表面の表面張力に変化を生ず
るなどの原因があると、現像液がウェハー２００の上表
面から下表面へインナーカップ２０６とウェハー２００
との間に形成されるナイフエッジ（KnifeEdge）状の隙
間２０８を介して流れ込むことにより、ウェハー２００
の下表面およびチャック２０２を汚染することになって
いた。
【００１０】そこで、この発明の主要な目的は、ウェハ
ーでパドル現像および現像液の洗浄ならびに他の製造プ
ロセスを実施する時、インナーカップ内にガスを導入し
て、インナーカップ内部を微弱な加圧状態とすること
で、ウェハー上表面の現像液または洗浄溶液あるいはそ
の他の不純物がウェハー下表面を汚染することを防止す
ることにある。
ーでパドル現像および現像液の洗浄ならびに他の製造プ
ロセスを実施する時、インナーカップ内にガスを導入し
て、インナーカップ内部を微弱な加圧状態とすること
で、ウェハー上表面の現像液または洗浄溶液あるいはそ
の他の不純物がウェハー下表面を汚染することを防止す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成すべく、
本発明のウェハー洗浄装置は、基本的には、ウェハーを
固定するチャックと、該チャックに連結して該チャック
を回転させるスピンナーと、前記チャック及び前記スピ
ンナーを内設させ、その開口周縁並びに前記チャックに
固定されたウェハー間にナイフエッジ状の隙間を形成す
るインナーカップと、前記インナーカップに連通され
て、ガスを導入するとともに、前記ウェハーの下表面か
ら前記ナイフエッジ状の隙間を介して前記ガスを外部へ
流出させるガス導入管と、を具備することを特徴として
いる。そして、本発明のウェハー洗浄装置の好ましい具
体的な態様は、前記スピンナーが、真空排気系統に連通
され、前記ガスが、空気もしくは窒素を含むものである
ことを特徴としている。また、本発明のウェハー洗浄装
置の好ましい他の具体的な態様は、更に、洗浄溶液を導
入する上方液体導入管と該上方液体導入管に設けられ
て、前記洗浄溶液をスプレーする上方ノズルとを具備
し、前記インナーカップに連通され前記洗浄溶液を導入
する下方液体導入管と該下方液体導入管に設けられて前
記洗浄溶液をスプレーする下方ノズルとを具備し、前記
上記洗浄溶液が、脱イオン水を含むものであることを特
徴としている。前記の如く構成された本発明にかかるウ
ェハー洗浄装置は、現像槽のインナーカップにガス導入
管を配設して、インナーカップの気圧を外部圧力より少
し高いものとし、ガスがインナーカップの開口周縁とウ
ェハー下表面とから形成される隙間から流出するように
構成することで、ウェハー上表面の現像液、又は洗浄溶
液がウェハー下表面へ流れ込んで汚染することを抑制し
て、ウェハー下表面及びチャック並びにその後の現像を
行うウェハーの汚染を防止することができるものであ
る。
本発明のウェハー洗浄装置は、基本的には、ウェハーを
固定するチャックと、該チャックに連結して該チャック
を回転させるスピンナーと、前記チャック及び前記スピ
ンナーを内設させ、その開口周縁並びに前記チャックに
固定されたウェハー間にナイフエッジ状の隙間を形成す
るインナーカップと、前記インナーカップに連通され
て、ガスを導入するとともに、前記ウェハーの下表面か
ら前記ナイフエッジ状の隙間を介して前記ガスを外部へ
流出させるガス導入管と、を具備することを特徴として
いる。そして、本発明のウェハー洗浄装置の好ましい具
体的な態様は、前記スピンナーが、真空排気系統に連通
され、前記ガスが、空気もしくは窒素を含むものである
ことを特徴としている。また、本発明のウェハー洗浄装
置の好ましい他の具体的な態様は、更に、洗浄溶液を導
入する上方液体導入管と該上方液体導入管に設けられ
て、前記洗浄溶液をスプレーする上方ノズルとを具備
し、前記インナーカップに連通され前記洗浄溶液を導入
する下方液体導入管と該下方液体導入管に設けられて前
記洗浄溶液をスプレーする下方ノズルとを具備し、前記
上記洗浄溶液が、脱イオン水を含むものであることを特
徴としている。前記の如く構成された本発明にかかるウ
ェハー洗浄装置は、現像槽のインナーカップにガス導入
管を配設して、インナーカップの気圧を外部圧力より少
し高いものとし、ガスがインナーカップの開口周縁とウ
ェハー下表面とから形成される隙間から流出するように
構成することで、ウェハー上表面の現像液、又は洗浄溶
液がウェハー下表面へ流れ込んで汚染することを抑制し
て、ウェハー下表面及びチャック並びにその後の現像を
行うウェハーの汚染を防止することができるものであ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明のウェハー洗浄装
置の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。図１に
おいて、（ａ）は、本実施形態のウェハー洗浄装置の現
像工程のフローチャートであり、（ｂ）は、該ウェハー
洗浄装置の縦断面図である。図１（ａ）に示す「ウェハ
ーを現像槽に入れる」ステップ３０を説明すると、先
ず、ウェハー４００を用意しフォトレジスト塗布ならび
に露光を行ってから、現像槽（図示せず）中のアウター
カップ（Outer Cup）４１０内部に置き、スピンナー４
０４の軸心を介して提供される適切な真空度で、ウェハ
ー４００をチャック４０２上に吸引固定する。なお、イ
ンナーカップ４０６の開口周縁とウェハー４００の下表
面との間には、ナイフエッジ状の隙間４０８が形成され
ている。
置の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。図１に
おいて、（ａ）は、本実施形態のウェハー洗浄装置の現
像工程のフローチャートであり、（ｂ）は、該ウェハー
洗浄装置の縦断面図である。図１（ａ）に示す「ウェハ
ーを現像槽に入れる」ステップ３０を説明すると、先
ず、ウェハー４００を用意しフォトレジスト塗布ならび
に露光を行ってから、現像槽（図示せず）中のアウター
カップ（Outer Cup）４１０内部に置き、スピンナー４
０４の軸心を介して提供される適切な真空度で、ウェハ
ー４００をチャック４０２上に吸引固定する。なお、イ
ンナーカップ４０６の開口周縁とウェハー４００の下表
面との間には、ナイフエッジ状の隙間４０８が形成され
ている。
【００１３】次に、図１（ａ）の「現像液をウェハーに
スプレーしパドル現像を行うとともにガスを導入する」
ステップ3２を説明すると、現像液をウェハー４００上
表面の露光されたフォトレジスト層（図示せず）にスプ
レーして、ウェハー４００を静止した状態で現像液と露
光されたフォトレジストとを化学反応させてパドル現像
を行う。同時にインナーカップ４０６に連通したガス導
管４１６によりインナーカップ４０６内部へガスを導入
すると、インナーカプ４０６内部の気圧が外部気圧より
少し高くなるために、導入されたガスがウェハー４００
の下表面を経てインナーカップ４０６とウェハー４００
との間に形成されたナイフエッジ状の隙間４０８を介し
て外部へ流れ出すことになる。導入するガスとしては、
空気または窒素を含むものとする。
スプレーしパドル現像を行うとともにガスを導入する」
ステップ3２を説明すると、現像液をウェハー４００上
表面の露光されたフォトレジスト層（図示せず）にスプ
レーして、ウェハー４００を静止した状態で現像液と露
光されたフォトレジストとを化学反応させてパドル現像
を行う。同時にインナーカップ４０６に連通したガス導
管４１６によりインナーカップ４０６内部へガスを導入
すると、インナーカプ４０６内部の気圧が外部気圧より
少し高くなるために、導入されたガスがウェハー４００
の下表面を経てインナーカップ４０６とウェハー４００
との間に形成されたナイフエッジ状の隙間４０８を介し
て外部へ流れ出すことになる。導入するガスとしては、
空気または窒素を含むものとする。
【００１４】現像工程においてパドル現像を行う時、ウ
ェハー４００が静止した状態であり、インナーカップ４
０６内部のガス圧力が外部圧力より少し高くなるので、
ガスがウェハー４００の下表面からナイフエッジ状の隙
間４０８を介して外部へ流れ出す。従って、ウェハー４
００上表面にスプレーした現像液が多すぎたり、または
ウェハー４００が他の製造プロセスにより下表面の表面
張力に変化が生じて、現像液がウェハー４００上表面か
ら流れることがあったりしても、インナーカップ４０６
に導入されたガスがウェハー４００の下表面に経てナイ
フエッジ状の隙間４０８を介して外部へ流れ出すため、
現像液がウェハー４００下表面へ流れ込むことを抑制で
きるので、ウェハー４００の下表面およびチャックなら
びにその他の現像しようとするウェハーなどが現像液に
汚染されることを防止して、ウェハー下表面を後工程に
必要な清浄度とすることができる。
ェハー４００が静止した状態であり、インナーカップ４
０６内部のガス圧力が外部圧力より少し高くなるので、
ガスがウェハー４００の下表面からナイフエッジ状の隙
間４０８を介して外部へ流れ出す。従って、ウェハー４
００上表面にスプレーした現像液が多すぎたり、または
ウェハー４００が他の製造プロセスにより下表面の表面
張力に変化が生じて、現像液がウェハー４００上表面か
ら流れることがあったりしても、インナーカップ４０６
に導入されたガスがウェハー４００の下表面に経てナイ
フエッジ状の隙間４０８を介して外部へ流れ出すため、
現像液がウェハー４００下表面へ流れ込むことを抑制で
きるので、ウェハー４００の下表面およびチャックなら
びにその他の現像しようとするウェハーなどが現像液に
汚染されることを防止して、ウェハー下表面を後工程に
必要な清浄度とすることができる。
【００１５】図１（ａ）の「ウェハーを回転させウェハ
ーの上下表面を洗浄するとともにガスを導入する」ステ
ップ3４を説明すると、現像を行った後に、スピンナー
４０４でウェハー４００をチャック４０２を回転させな
がら、上方液体導入管（図示せず）により洗浄溶液を上
方ノズル（図示せず）からウェハー４００の上表面にス
プレーしてウェハー４００の上表面に残った現像液を洗
浄除去し、現像反応のメカニズムを停止させる。使用す
る洗浄液としては、脱イオン水（純水ともいう）を含
む。ウェハー４００の上表面を洗浄すると同時に、現像
槽中のインナーカップ４０６に設けた下方液体導入管４
１２の下方ノズル（Nozzle）４１４より洗浄溶液を提供
してウェハー４００の下表面も洗浄するが、洗浄溶液と
しては脱イオン水を含むものとする。
ーの上下表面を洗浄するとともにガスを導入する」ステ
ップ3４を説明すると、現像を行った後に、スピンナー
４０４でウェハー４００をチャック４０２を回転させな
がら、上方液体導入管（図示せず）により洗浄溶液を上
方ノズル（図示せず）からウェハー４００の上表面にス
プレーしてウェハー４００の上表面に残った現像液を洗
浄除去し、現像反応のメカニズムを停止させる。使用す
る洗浄液としては、脱イオン水（純水ともいう）を含
む。ウェハー４００の上表面を洗浄すると同時に、現像
槽中のインナーカップ４０６に設けた下方液体導入管４
１２の下方ノズル（Nozzle）４１４より洗浄溶液を提供
してウェハー４００の下表面も洗浄するが、洗浄溶液と
しては脱イオン水を含むものとする。
【００１６】また、ウェハー４００を洗浄すると同時
に、ガス導入管４１６でインナーカップ４０６内部にガ
スを導入すると、インナーカップ４０６内部の気圧が外
部気圧より少し高くなるので、ガスがインナーカップ４
０６からナイフエッジ状の隙間４０８を介して外部へ流
れ出す。導入するガスとしては、空気、窒素を含む。導
入されたガスがインナーカップ４０６からナイフエッジ
状の隙間４０８を介して外部へ流れ出すので、現像液が
ウェハー４００下表面に流れ込むことを抑制することが
でき、ウェハー４００の下表面およびチャックならびに
後続の現像しようとするウェハーが汚染されることを防
止して、ウェハーの下表面を後工程が必要とする清浄度
とすることができる。
に、ガス導入管４１６でインナーカップ４０６内部にガ
スを導入すると、インナーカップ４０６内部の気圧が外
部気圧より少し高くなるので、ガスがインナーカップ４
０６からナイフエッジ状の隙間４０８を介して外部へ流
れ出す。導入するガスとしては、空気、窒素を含む。導
入されたガスがインナーカップ４０６からナイフエッジ
状の隙間４０８を介して外部へ流れ出すので、現像液が
ウェハー４００下表面に流れ込むことを抑制することが
でき、ウェハー４００の下表面およびチャックならびに
後続の現像しようとするウェハーが汚染されることを防
止して、ウェハーの下表面を後工程が必要とする清浄度
とすることができる。
【００１７】図１（ａ）の「ウェハーをスピンドライす
る」ステップ3６を説明すると、ウェハー４００の上下
表面を洗浄溶液で洗浄してから、スピンナー４０４によ
りウェハー４００を回転させ、スピンドライを行って現
像工程を完了する。
る」ステップ3６を説明すると、ウェハー４００の上下
表面を洗浄溶液で洗浄してから、スピンナー４０４によ
りウェハー４００を回転させ、スピンドライを行って現
像工程を完了する。
【００１８】以上のごとく、この発明を好適な実施形態
により開示したが、当業者であれば容易に理解できるよ
うに、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変
更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その
特許権保護の範囲は、特許請求の範囲、および、それと
均等な領域を基準として定めなければならない。
により開示したが、当業者であれば容易に理解できるよ
うに、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変
更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その
特許権保護の範囲は、特許請求の範囲、および、それと
均等な領域を基準として定めなければならない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した構成により、この発明にか
かるウェハー洗浄装置は、現像槽のインナーカップに設
けたガス導入管で現像中のインナーカップ内部へ空気、
窒素などのガスを導入することで、ウェハー上表面から
流れ込む現像液または洗浄液が下表面に流れ込むこと抑
制することができるので、現像工程において、ウェハー
の下表面およびチャックならびにその他の現像しようと
するウェハーが現像液に汚染されることを防止して、ウ
ェハーの下表面を後工程に必要な清浄度とすることがで
きる。また、この発明にかかるウェハー洗浄装置を他の
製造工程チャンバー（Chamber）にも応用することがで
き、ウェハー洗浄を行う時に、ウェハーがダストを含む
洗浄液に汚染されることを防止して、ウェハーの洗浄度
ならびに品質を確保し、後工程を効率よく行うことがで
きる。従って、産業上の利用価値が高い。
かるウェハー洗浄装置は、現像槽のインナーカップに設
けたガス導入管で現像中のインナーカップ内部へ空気、
窒素などのガスを導入することで、ウェハー上表面から
流れ込む現像液または洗浄液が下表面に流れ込むこと抑
制することができるので、現像工程において、ウェハー
の下表面およびチャックならびにその他の現像しようと
するウェハーが現像液に汚染されることを防止して、ウ
ェハーの下表面を後工程に必要な清浄度とすることがで
きる。また、この発明にかかるウェハー洗浄装置を他の
製造工程チャンバー（Chamber）にも応用することがで
き、ウェハー洗浄を行う時に、ウェハーがダストを含む
洗浄液に汚染されることを防止して、ウェハーの洗浄度
ならびに品質を確保し、後工程を効率よく行うことがで
きる。従って、産業上の利用価値が高い。
【図１】（ａ）は、この発明のウェハー洗浄装置にかか
る現像工程のフローチャートであり、（ｂ）は、そのウ
ェハー洗浄装置の説明縦断面図である。
る現像工程のフローチャートであり、（ｂ）は、そのウ
ェハー洗浄装置の説明縦断面図である。
【図２】（ａ）は、従来技術のウェハー洗浄装置にかか
る現像工程のフローチャートであり、（ｂ）は、そのウ
ェハー洗浄装置の説明縦断面図である。
る現像工程のフローチャートであり、（ｂ）は、そのウ
ェハー洗浄装置の説明縦断面図である。
４００ ウェハー ４０２ チャック ４０４ スピンナー ４０６ インナーカップ ４０８ ナイフエッジ状の隙間 ４１０ アウターカップ ４１２ 下方液体導入管 ４１４ 下方ノズル ４１６ ガス導入管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 孫 孟良 台湾台北市荘敬路197巷12号６楼
Claims (7)
- 【請求項１】 ウェハーを固定するチャックと、該チャ
ックに連結して該チャックを回転させるスピンナーと、
前記チャック及び前記スピンナーを内設させ、その開口
周縁並びに前記チャックに固定されたウェハー間にナイ
フエッジ状の隙間を形成するインナーカップと、前記イ
ンナーカップに連通されて、ガスを導入するとともに、
前記ウェハーの下表面から前記ナイフエッジ状の隙間を
介して前記ガスを外部へ流出させるガス導入管と、を具
備するウェハー洗浄装置。 - 【請求項２】 前記スピンナーが、真空排気系統に連通
されるものである請求項１記載のウェハー洗浄装置。 - 【請求項３】 前記ガスが、空気を含むものである請求
項１記載のウェハー洗浄装置。 - 【請求項４】 前記ガスが、窒素を含むものである請求
項１記載のウェハー洗浄装置。 - 【請求項５】 前記ウェハー洗浄装置が、更に、洗浄溶
液を導入する上方液体導入管と、該上方液体導入管に設
けられて、前記洗浄溶液をスプレーする上方ノズルと、
を具備するものである請求項１記載のウェハー洗浄装
置。 - 【請求項６】 前記ウェハー洗浄装置が、さらに、前記
インナーカップに連通され、前記洗浄溶液を導入する下
方液体導入管と、該下方液体導入管に設けられて、前記
洗浄溶液をスプレーする下方ノズルと、を具備するもの
である請求項１又は５記載のウェハー洗浄装置。 - 【請求項７】 前記上記洗浄溶液が、脱イオン水を含む
ものである請求項５又は６記載のウェハー洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10361046A JP2000188275A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | ウェハー洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10361046A JP2000188275A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | ウェハー洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000188275A true JP2000188275A (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=18471965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10361046A Pending JP2000188275A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | ウェハー洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000188275A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013239491A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1998
- 1998-12-18 JP JP10361046A patent/JP2000188275A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013239491A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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