JPH0683038A - マスクの修正方法 - Google Patents
マスクの修正方法Info
- Publication number
- JPH0683038A JPH0683038A JP23561892A JP23561892A JPH0683038A JP H0683038 A JPH0683038 A JP H0683038A JP 23561892 A JP23561892 A JP 23561892A JP 23561892 A JP23561892 A JP 23561892A JP H0683038 A JPH0683038 A JP H0683038A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- shifter
- defect
- substrate
- fib
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】集束イオンビーム加工（ＦＩＢ）または集束イ
オンビームアシストエッチング（ＦＩＢＡＥ）により短
い工程で、かつごみの出る可能性があるレジスト露光や
エッチングなどの工程を用いないで修正を行う。 【効果】ＦＩＢにより修正加工を行うことにより、修正
工数が低減すると共に、フォトリソ工程がないのでごみ
のでる心配もなくなる。
オンビームアシストエッチング（ＦＩＢＡＥ）により短
い工程で、かつごみの出る可能性があるレジスト露光や
エッチングなどの工程を用いないで修正を行う。 【効果】ＦＩＢにより修正加工を行うことにより、修正
工数が低減すると共に、フォトリソ工程がないのでごみ
のでる心配もなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位相シフトマスクの製造
工程において、マスクの修正方法、及びＦＩＢ修正加工
装置に関する。
工程において、マスクの修正方法、及びＦＩＢ修正加工
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】位相シフトマスクの欠陥修正について
は、公知例（特開平３−１０５３４４、光学マスクの製
造方法および光学マスクの修正方法）に示されているよ
うにシフタ余剰欠陥をエッチングにより除去する方法
や、公知例（特開平３−１９６０４１、マスク修正方法
およびマスク）に示されているようにシフタ欠落欠陥部
を、欠陥部の残存シフタをエッチングによりきれいに除
去した後さらにマスク基板を必要深さだけ掘込む方法が
ある。これらの公知例においてはフォトレジストを露光
によりパターニングし、エッチングで修正加工してい
る。
は、公知例（特開平３−１０５３４４、光学マスクの製
造方法および光学マスクの修正方法）に示されているよ
うにシフタ余剰欠陥をエッチングにより除去する方法
や、公知例（特開平３−１９６０４１、マスク修正方法
およびマスク）に示されているようにシフタ欠落欠陥部
を、欠陥部の残存シフタをエッチングによりきれいに除
去した後さらにマスク基板を必要深さだけ掘込む方法が
ある。これらの公知例においてはフォトレジストを露光
によりパターニングし、エッチングで修正加工してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】フォトリソ工程により
シフタ欠陥を修正すると、修正の過程でごみなどにより
欠陥を新たに作ってしまうこと、また修正にかかる工数
と時間が大きいことの問題があった。
シフタ欠陥を修正すると、修正の過程でごみなどにより
欠陥を新たに作ってしまうこと、また修正にかかる工数
と時間が大きいことの問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、集束イオンビーム加工（ＦＩＢ）または集束イオン
ビームアシストエッチング（ＦＩＢＡＥ）により短い工
程で、かつごみの出る可能性があるレジスト露光やエッ
チングなどの工程を用いないで修正を行う。
に、集束イオンビーム加工（ＦＩＢ）または集束イオン
ビームアシストエッチング（ＦＩＢＡＥ）により短い工
程で、かつごみの出る可能性があるレジスト露光やエッ
チングなどの工程を用いないで修正を行う。
【０００５】さらに本発明ではＦＩＢやＦＩＢＡＥにお
いてイオンビームを欠陥に位置決めするための具体的な
手段を提供する。
いてイオンビームを欠陥に位置決めするための具体的な
手段を提供する。
【０００６】
【作用】ＦＩＢにより修正加工を行うことにより、修正
工数が低減すると共に、フォトリソ工程がないのでごみ
のでる心配もなくなる。
工数が低減すると共に、フォトリソ工程がないのでごみ
のでる心配もなくなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図３を用いて
説明する。
説明する。
【０００８】図１は、修正前の位相シフタ１の部分欠落
欠陥をもったマスクのＳＩＭ(Scanning Ion Microscop
e)像と欠陥部分の断面図である。基板（石英）２の上に
は遮光パターン（Ｃｒ膜）３がある。基板２と位相シフ
タ（ＳＯＧ＝Spin On Grass)１の間にはエッチングスト
ッパ層(ITO,Al2O3,MgF2,CeF3等）４がある。位相シフタ
１には部分欠落欠陥５がある。図２は位相シフタ１の部
分欠落箇所５をＦＩＢＡＥにより下地であるエッチング
ストッパ層４に対し高い選択比で除去したあとのＳＩＭ
像と欠陥部分の断面図である。図３は欠陥箇所５をさら
にＦＩＢにより掘込んで１／２波長分の光路差を設けた
あとの、ＳＩＭ像と掘込み部分の断面図である。
欠陥をもったマスクのＳＩＭ(Scanning Ion Microscop
e)像と欠陥部分の断面図である。基板（石英）２の上に
は遮光パターン（Ｃｒ膜）３がある。基板２と位相シフ
タ（ＳＯＧ＝Spin On Grass)１の間にはエッチングスト
ッパ層(ITO,Al2O3,MgF2,CeF3等）４がある。位相シフタ
１には部分欠落欠陥５がある。図２は位相シフタ１の部
分欠落箇所５をＦＩＢＡＥにより下地であるエッチング
ストッパ層４に対し高い選択比で除去したあとのＳＩＭ
像と欠陥部分の断面図である。図３は欠陥箇所５をさら
にＦＩＢにより掘込んで１／２波長分の光路差を設けた
あとの、ＳＩＭ像と掘込み部分の断面図である。
【０００９】図１〜図３により示した方法において、図
２のＦＩＢＡＥの加工領域ＢＣを決めることが難しい。
図２の断面図からわかるようにＢとＣはクロムパターン
３のエッジに合わせるべきである。図４の様にクロムパ
ターン３に対し欠陥を持つシフタ部ｄを残すとこの部分
の位相が正しくなくなりよい露光結果が得られない。ま
た図５に示すようにシフタ１の除去加工幅ｂを広くとり
すぎクロムパターン３までも削ってしまうとクロムパタ
ーン幅がｃ’と狭くなってしまいよい露光結果が得られ
ない。
２のＦＩＢＡＥの加工領域ＢＣを決めることが難しい。
図２の断面図からわかるようにＢとＣはクロムパターン
３のエッジに合わせるべきである。図４の様にクロムパ
ターン３に対し欠陥を持つシフタ部ｄを残すとこの部分
の位相が正しくなくなりよい露光結果が得られない。ま
た図５に示すようにシフタ１の除去加工幅ｂを広くとり
すぎクロムパターン３までも削ってしまうとクロムパタ
ーン幅がｃ’と狭くなってしまいよい露光結果が得られ
ない。
【００１０】しかし図１に示したようにＳＩＭ像では、
クロムパターン３のエッジのＡとＤはエッチングストッ
パ層とシフタの材質の違いからよく認識できるが、クロ
ムパターンのエッジＢとＣはシフタ１の下に隠れている
ため見ることができない。そこで図２に示したようにマ
スクの設計データよりクロムパターン幅ａとｃを得て、
ＦＩＢによる加工位置ＢとＣを求める。
クロムパターン３のエッジのＡとＤはエッチングストッ
パ層とシフタの材質の違いからよく認識できるが、クロ
ムパターンのエッジＢとＣはシフタ１の下に隠れている
ため見ることができない。そこで図２に示したようにマ
スクの設計データよりクロムパターン幅ａとｃを得て、
ＦＩＢによる加工位置ＢとＣを求める。
【００１１】第２の実施例として図６に示すパターンを
説明する。図６でのＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは図２のそれらとお
なじエッジを示している。エッジＢとＣはＳＩＭ像では
見えないので設計データより位置を求める。図６ではエ
ッジＢとＣを破線でＳＩＭ像上に示している。このよう
にするとＦＩＢ加工のときＳＩＭ像画面上で加工領域を
定めやすくなる。
説明する。図６でのＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは図２のそれらとお
なじエッジを示している。エッジＢとＣはＳＩＭ像では
見えないので設計データより位置を求める。図６ではエ
ッジＢとＣを破線でＳＩＭ像上に示している。このよう
にするとＦＩＢ加工のときＳＩＭ像画面上で加工領域を
定めやすくなる。
【００１２】図７はまた別の実施例を示す。図７に示し
たマスクでは位相シフタ１のみでパターンを形成してお
り、またエッチングストッパ層は設けられていない。位
相シフタに余剰欠陥６がある。下地の石英２とシフタの
ＳＯＧ１とは似た材質（ＳｉＯ2）でできているためＳ
ＩＭ像ではシフタパターンを観察することが困難であ
る。そこで先ず検査装置でマスクの基準位置（図示せ
ず）からの欠陥位置（Ｘ１，Ｙ１）と、前記検査装置ま
たは光学顕微鏡によりおよその大きさ（ｄｘ×ｄｙ）を
求める。欠陥位置データに基きＦＩＢ装置のステージを
±５μｍ程度の精度で移動し、４０μｍ角程度の領域の
中に前記欠陥６が入るようにしてから、ＳＩＭ像をと
る。この領域の中には何らかのクロムパターン３がある
だろうから、これをたよりにして欠陥位置を求める。図
７のＳＩＭ像では、実線でクロムパターン３を示した。
ＳＩＭ像ではシフタパターン１は良く見えていない。次
にマスク設計データよりこの４０μｍ領域のクロムパタ
ーン３とシフタパターン１をＳＩＭ像モニタ画面上に重
ねて表示する。この画面上でクロムパターンを使ってＳ
ＩＭ像と設計パターン像を合わせる。この結果シフタパ
ターン１が図７の破線で示したように画面上に表され
る。設計データより分かるクロムパターン位置（Ｘ２，
Ｙ２）と検査装置で求めた欠陥位置（Ｘ１，Ｙ１）より
前記クロムパターン３からの欠陥位置の距離（Ｘ３，Ｙ
３）＝（Ｘ１−Ｘ２，Ｙ１−Ｙ２）を求める。これをも
とに図８に示すように、ＳＩＭ像画面上でシフタ欠陥の
およその大きさ（ｄｘ×ｄｙ）を示すことができる。こ
れをＦＩＢ加工領域とし、修正加工を行う。エッチング
ストッパ層がなくても、ＸｅＦ2を用いたＦＩＢＡＥに
よれば加工選択比（ＳＯＧ／石英）は３程度とれるの
で、石英基板上２のシフタ（ＳＯＧ）１を選択的に除去
できる。
たマスクでは位相シフタ１のみでパターンを形成してお
り、またエッチングストッパ層は設けられていない。位
相シフタに余剰欠陥６がある。下地の石英２とシフタの
ＳＯＧ１とは似た材質（ＳｉＯ2）でできているためＳ
ＩＭ像ではシフタパターンを観察することが困難であ
る。そこで先ず検査装置でマスクの基準位置（図示せ
ず）からの欠陥位置（Ｘ１，Ｙ１）と、前記検査装置ま
たは光学顕微鏡によりおよその大きさ（ｄｘ×ｄｙ）を
求める。欠陥位置データに基きＦＩＢ装置のステージを
±５μｍ程度の精度で移動し、４０μｍ角程度の領域の
中に前記欠陥６が入るようにしてから、ＳＩＭ像をと
る。この領域の中には何らかのクロムパターン３がある
だろうから、これをたよりにして欠陥位置を求める。図
７のＳＩＭ像では、実線でクロムパターン３を示した。
ＳＩＭ像ではシフタパターン１は良く見えていない。次
にマスク設計データよりこの４０μｍ領域のクロムパタ
ーン３とシフタパターン１をＳＩＭ像モニタ画面上に重
ねて表示する。この画面上でクロムパターンを使ってＳ
ＩＭ像と設計パターン像を合わせる。この結果シフタパ
ターン１が図７の破線で示したように画面上に表され
る。設計データより分かるクロムパターン位置（Ｘ２，
Ｙ２）と検査装置で求めた欠陥位置（Ｘ１，Ｙ１）より
前記クロムパターン３からの欠陥位置の距離（Ｘ３，Ｙ
３）＝（Ｘ１−Ｘ２，Ｙ１−Ｙ２）を求める。これをも
とに図８に示すように、ＳＩＭ像画面上でシフタ欠陥の
およその大きさ（ｄｘ×ｄｙ）を示すことができる。こ
れをＦＩＢ加工領域とし、修正加工を行う。エッチング
ストッパ層がなくても、ＸｅＦ2を用いたＦＩＢＡＥに
よれば加工選択比（ＳＯＧ／石英）は３程度とれるの
で、石英基板上２のシフタ（ＳＯＧ）１を選択的に除去
できる。
【００１３】図７において、クロムパターン３が例えば
縦（Ｙ方向）に長く、Ｙ方向の位置決めにつかえない場
合を想定し、図９（ａ）に示すように、例えばＹ方向に
長いクロムパターン３の中に、露光では解像しないがＦ
ＩＢによるＳＩＭ像では検出できる太さの十字マーク１
５をあらかじめ決められた位置に書いておくことが有効
である。このパターンは図９（ｂ）に示すようにＸ方向
のパターンに入れることも有効であるし、パターン１５
の十字が重なっていなくても、その位置が判っていれば
構わない。このようにすれば、ＳＩＭ像のエリア内にＹ
方向パターンしかなくても、そのマーク１５基準の欠陥
位置ｄｘ，ｄｙをもとに容易に欠陥場所を見つけること
が出来る。
縦（Ｙ方向）に長く、Ｙ方向の位置決めにつかえない場
合を想定し、図９（ａ）に示すように、例えばＹ方向に
長いクロムパターン３の中に、露光では解像しないがＦ
ＩＢによるＳＩＭ像では検出できる太さの十字マーク１
５をあらかじめ決められた位置に書いておくことが有効
である。このパターンは図９（ｂ）に示すようにＸ方向
のパターンに入れることも有効であるし、パターン１５
の十字が重なっていなくても、その位置が判っていれば
構わない。このようにすれば、ＳＩＭ像のエリア内にＹ
方向パターンしかなくても、そのマーク１５基準の欠陥
位置ｄｘ，ｄｙをもとに容易に欠陥場所を見つけること
が出来る。
【００１４】図１０は上記実施例を実現するための装置
の例を示している。ＦＩＢ装置１０はよく知られたもの
であり、二次粒子検出器１１で得られた信号よりＦＩＢ
制御装置１２によりＳＩＭ像をモニタ１３に映す。一方
マスク設計データファイル１４よりマスクパターンデー
タがＦＩＢ制御装置１２へ送られ、モニタ１３上にＳＩ
Ｍ像と重ねて映しだされる。ＳＩＭ像に設計パターンを
精度よく重ねあわせるためにはマウス（図示せず）等の
手段を用いる。
の例を示している。ＦＩＢ装置１０はよく知られたもの
であり、二次粒子検出器１１で得られた信号よりＦＩＢ
制御装置１２によりＳＩＭ像をモニタ１３に映す。一方
マスク設計データファイル１４よりマスクパターンデー
タがＦＩＢ制御装置１２へ送られ、モニタ１３上にＳＩ
Ｍ像と重ねて映しだされる。ＳＩＭ像に設計パターンを
精度よく重ねあわせるためにはマウス（図示せず）等の
手段を用いる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、位相シフトマスクのシ
フタ欠陥を短い工程で、新たな欠陥を作ること無く、修
正することができる。
フタ欠陥を短い工程で、新たな欠陥を作ること無く、修
正することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す位相シフトマスク
表面のＳＩＭ像及び断面図である。
表面のＳＩＭ像及び断面図である。
【図２】同じくＳＩＭ像及び断面図である。
【図３】同じくＳＩＭ像及び断面図である。
【図４】マスクの断面図である。
【図５】マスクの断面図である。
【図６】別の実施例を示すマスク表面のＳＩＭ像を示す
図である。
図である。
【図７】位相シフトマスク表面のＳＩＭ像及び断面図で
ある。
ある。
【図８】同じくＳＩＭ像及び断面図である。
【図９】位相シフトマスクのクロムパターン図である。
【図１０】本発明を実施するための装置の一例を示す装
置構成図である。
置構成図である。
１…位相シフタ、２…マスク基板、３…クロムパター
ン、４…エッチングストッパ層、５…シフタの部分欠落
欠陥、６…シフタ余剰欠陥、１０…ＦＩＢ装置、１１…
二次荷電粒子検出器、１２…ＦＩＢ制御装置、１３…走
査二次粒子像用モニタ、１４…マスク設計データファイ
ル、１５…クロムパターンに書き込まれたマーク。
ン、４…エッチングストッパ層、５…シフタの部分欠落
欠陥、６…シフタ余剰欠陥、１０…ＦＩＢ装置、１１…
二次荷電粒子検出器、１２…ＦＩＢ制御装置、１３…走
査二次粒子像用モニタ、１４…マスク設計データファイ
ル、１５…クロムパターンに書き込まれたマーク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 東 淳三 横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立 製作所生産技術研究所内 (72)発明者 古泉 裕弘 東京都小平市上水本町1450番地株式会社日 立製作所武蔵工場内
Claims (3)
- 【請求項１】位相シフトマスクの欠陥のＳＩＭ像と設計
データを重ねあわせることによって、集束エネルギ粒子
ビームの加工範囲を決めて修正することを特徴とするマ
スクの修正方法。 - 【請求項２】マスク基板とシフタの間に設けたエッチン
グストッパ層を用いて、位相シフトマスクのシフタ欠陥
を前記ストッパ層にたいし選択比よく加工するガスを用
いた集束エネルギ粒子ビームアシストエッチングにて修
正し、さらに必要な箇所の基板を掘込むことを特徴とす
る請求項１記載のマスクの修正方法。 - 【請求項３】ＳＩＭ像とマスク設計データをＳＩＭ像モ
ニタ上で重ねあわせる機能を持つことを特徴としたＦＩ
Ｂ修正加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23561892A JPH0683038A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | マスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23561892A JPH0683038A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | マスクの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0683038A true JPH0683038A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16988680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23561892A Pending JPH0683038A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | マスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0683038A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011227223A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Hoya Corp | 多階調マスクの製造方法およびエッチング装置 |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP23561892A patent/JPH0683038A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011227223A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Hoya Corp | 多階調マスクの製造方法およびエッチング装置 |
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