JPH0682909B2

JPH0682909B2 - 抵抗体付セラミック回路板の製造方法

Info

Publication number: JPH0682909B2
Application number: JP63159823A
Authority: JP
Inventors: 清隆脇; 昇山口
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1988-06-27
Filing date: 1988-06-27
Publication date: 1994-10-19
Anticipated expiration: 2009-10-19
Also published as: JPH029192A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、抵抗体付セラミック回路板の製造方法に関
し、通常の配線用導体回路とともに抵抗体が形成された
セラミック回路板を製造する方法に関するものである。

〔従来の技術〕

抵抗体を含むセラミック回路板を製造する方法として
は、従来、焼結されたセラミック基板上に導体回路とな
るAg/Pd等を主成分とする貴金属ペーストをスクリーン
印刷等によって印刷するとともに、RuO₂を主成分とする
フリット入りの抵抗体ペーストをスクリーン印刷等によ
って印刷し、酸化雰囲気中において焼成することによっ
て、導体回路と抵抗体を同時に形成する方法が一般的で
あった。

しかし、上記方法では、マイグレーションが発生し易
く、また配線抵抗も10〜30mΩ／□と高い。そこで、最
近、上記方法を改良して、マイグレーションの防止や配
線抵抗の低減化とともにペースト材料の低コスト化を図
れる方法として、Cu等を主成分とする卑金属ペーストと
LaB₆、SnO₂等を主成分とするフリット入りの抵抗体ペー
ストを組み合わせ、両者を窒素雰囲気中で焼成して、導
体回路と抵抗体を同時に形成する方法が盛んになってい
る。

しかし、上記方法でも、導体金属ペーストをスクリーン
印刷しているため100μｍ以下の微細配線の形成が困難
であるとともに、ペースト中にガラス質を含むためにハ
ンダ付着性が劣り、不良品が出やすく、使用時に故障を
起こし易いという問題がある。また、抵抗体ペーストを
窒素雰囲気中で焼成する必要があり、ペースト材料の完
成度が低いこともあって、従来の空気焼成用抵抗体ペー
ストに比べて、性能的に全ての面で充分に匹敵するとは
言えない。

一方、微細配線回路を形成する方法として、メタライジ
ング法によって、セラミック基板の表面に、ガラス質を
含まない導体金属層を形成し、写真製版技術を用いて回
路を形成する方法が提案されている。しかし、この方法
は、抵抗体ペーストを焼成する際の高温で導体金属層が
酸化されるのを防止するために、不活性あるいは還元性
雰囲気で焼成しなければならないといった制約がある。
また、サブトラクティブ法において、感光性の液状レジ
ストを用いた場合、両面回路板に設けるスルーホール部
の信頼性に劣るという問題もある。

そこで、RuO₂を主成分とする空気焼成用抵抗体ペースト
を印刷・焼成して抵抗体層を形成した後、抵抗体層の上
に保護層を形成し、セラミック基板の表面および抵抗体
層の露出部分全体を、強酸によって同時に粗化し、つい
で触媒・活性化処理を行った後、化学めっきまたは化学
めっきと電気めっきを施して導体金属層を形成し、この
導体金属層をパターンエッチングして導体回路を形成す
る方法が提案されており、特開昭61-185995号公報に開
示されている。

また、前記したような各従来技術は、特開昭61-270885
号公報、特開昭61-194794号公報等に開示されている。
また、本願出願人は同様の技術について、特願昭61-357
67号および特願昭63-62347号にて特許出願している。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記した特開昭61-185995号公報に開示の先
行技術では、セラミック基板の表面全体および抵抗体層
の露出部分に、導体回路として必要な厚膜の導体金属層
を形成した後、パターンエッチングして導体金属層の不
用部分を除去するので、作業が面倒な厚膜の導体金属層
のエッチング工程が必要であるとともに、回路部分以外
の不用な導体金属を除去するため、導体金属の無駄が多
くコスト的に高くつく問題がある。またセラミック回路
板にスルーホールを形成しておく場合、エッチング工程
において、スルーホールの一部までエッチングされてし
まい、スルーホールの断線等の不良が発生し易いという
欠点もあった。

さらに、前記先行技術では、セラミック基板と導体回路
あるいは抵抗体層と導体回路との密着力を高めるため
に、セラミック基板および抵抗体層の露出部分を強酸で
粗化しているため、この粗化処理によって抵抗体層が侵
され、抵抗体層の品質性能に悪影響を与えるという問題
もあった。このような問題を起こさないためには、粗化
処理を、抵抗体層の品質性能に影響がない程度に抑えれ
ばよいが、そうすると、導体回路とセラミック基板およ
び抵抗体層との密着力が劣るものとなっていしまう。

そこで、この発明の課題は、上記従来技術において、厚
膜の導体金属層のエッチング工程を不要にするととも
に、両面回路板におけるスルーホール信頼性が高く、微
細配線が可能で配線抵抗が小さく、かつ高精度で高信頼
性の抵抗体層を有する抵抗体付セラミック回路板の製造
方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決する、この発明のうち、請求項１記載の
発明は、製造過程において以下の工程（１）〜（６）を
含むようにしている。

（１）セラミック基板の表面を粗化する工程。

（２）セラミック基板に抵抗体層を形成し、抵抗体層の
上に保護層を形成する工程。

（３）抵抗体層の露出部分を、セラミック基板表面の粗
化条件よりも弱い粗化条件による抵抗体層に悪影響を与
えない処理方法で粗化する工程。

（４）セラミック基板表面および抵抗体層の露出部分の
全体に薄膜金属層を形成する工程。

（５）薄膜金属層の上に所定の回路パターンに対応する
めっきレジスト層を形成し、めっきレジスト層のない部
分の薄膜金属層に、電解めっきによって導体金属層を形
成する工程。

（６）めっきレジスト層を剥離した後、導体金属層のな
い部分の薄膜金属層をエッチング除去する工程。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の実施に際
し、導体回路を構成する金属として、銅，ニッケル，金
のうちの何れかを使用するようにしている。

〔作用〕

請求項１記載の発明によれば、基板表面および抵抗体層
の露出部分全体には、薄膜金属層を形成しておき、この
薄膜金属層の上に形成されためっきレジスト層の形成パ
ターンにしたがって、回路パターンとして必要な個所の
みに、電解めっき法によって、厚膜の導体金属層を形成
するので、従来のような厚膜の導体金属層のエッチング
工程が不要になる。

また、セラミック基板の表面および抵抗体層の露出部分
を粗化処理することで、その上に形成する導体金属層と
の密着力が高くなる。

しかも、抵抗体層の粗化を、セラミック基板の粗化とは
別個に行い、セラミック基板に対しては、充分に粗化が
行える強酸等の強い処理方法を採用し、抵抗体層に対し
ては、抵抗体層の性能に悪影響を与えない、比較的弱い
処理方法で粗化することで、セラミック基板の表面およ
び抵抗体層の何れに対しても適切な粗化処理を行うこと
ができる。

請求項２記載の発明によれば、導体回路を銅，ニッケ
ル，金で構成することによって、導体回路の性能向上を
図ることができる。

〔実施例〕

第１図は、この発明にかかる抵抗体付セラミック回路板
の製造方法の１例を工程流れ図によって示しており、こ
れにしたがって順次説明を加える。また、第２図には、
製造された抵抗体付セラミック回路板の断面構造を示し
ている。

〔工程〕焼結されたセラミック基板１を用意する。セラミック基
板１の材質は、アルミナ，フォステライト，ステアタイ
ト，ジルコニア，ムライト，コージライト，ジルコン，
チタニア等の酸化物系セラミック材料を主に用いるが、
炭化物系あるいは窒化物系等、任意のセラミック材料を
使用することができる。

〔工程〕セラミック基板１の表面を粗化処理する。この粗化処理
によって、後工程で形成される導体金属層20および厚膜
導体金属層２と基板表面との密着力（いわゆるアンカー
効果）を向上させることができる。粗化処理の方法は、
セラミック基板１を、例えば、熱リン酸，溶融アルカ
リ,HF等の溶液中に浸漬する方法、あるいは研磨やサン
ドブラスト等によって物理的に粗化する方法等がある
が、その他の粗化処理方法も採用できる。

〔工程〕セラミック基板１の所定の位置に、抵抗体ペーストをス
クリーン印刷等の手段で、所定のパターンになるように
塗布乾燥させる。その後、セラミック基板１とともに抵
抗体ペーストを焼成して、抵抗体層３を形成する。

抵抗体ペーストは、PdO/Pd/Ag系もしくはRuO₂系等の抵
抗成分を、Si,Ca,Al等の酸化物を含むガラスや有機系ビ
ヒクル等と混合してペースト化したもの等、通常の抵抗
体形成用の材料が使用される。抵抗体ペーストの使用に
あたっては、セラミック基板の材料と適合するものを選
択して使用するのが好ましいが、通常、最も安定した特
性を有するRuO₂系のものが好適である。

抵抗体ペーストを乾燥および焼成する方法は、通常の抵
抗体形成方法と同様の方法で行われるが、例えば、つぎ
のような条件が一般的である。すなわち、スクリーン印
刷等によってセラミック基板１上に印刷された抵抗体ペ
ーストを、50〜200℃で乾燥させた後、成分中のガラス
フリットが溶融接合する温度、好ましくは500〜1100
℃、より好ましくは600〜950℃の範囲で焼成する。

〔工程〕抵抗体層３の一部を覆って保護層４を形成する。この保
護層４は、抵抗体層３の耐熱性、耐湿性、耐薬品性等を
向上させ、抵抗値のドリフトを減少させるために形成す
る。保護層４は、後工程で抵抗体層３と薄膜金属層20お
よび導体金属層２とを接続するための部分を除いて、抵
抗体層３の全体を覆うようにする。保護層４としては、
従来の製造方法でも用いられている通常のオーバーコー
トガラスを用いることができるが、このオーバーコート
ガラスの代わりに、感光性ポリイミド、ポリイミド、エ
ポキシ樹脂、トリアジン系材料等から形成された有機系
あるいは無機系物質で、後工程における粗化処理で使用
される酸等に対して耐性のあるものからなる保護層４を
用いることもできる。

保護層４の形成方法は、通常の方法で実施できるが、例
えば、つぎのような条件が一般的である。すなわち、ス
クリーン印刷法を用いて、前記抵抗体層３の一部を除く
全体を覆って、オーバーコート用ガラスペーストを印刷
形成した後、300〜800℃でガラスペーストを焼成するこ
とによって、保護層４を形成する。

〔工程〕抵抗体層３のうち、保護層４で覆われていない露出部分
を粗化処理する。こうして粗化処理された抵抗体層３の
露出部分の上に薄膜金属層20および導体金属層２を形成
すれば、いわゆるアンカー効果によって、抵抗体層３と
薄膜金属層20等との接続部分の密着性が向上する。粗化
処理する方法は、前記したセラミック基板１の粗化処理
で説明した熱リン酸のような強い粗化作用を有する処理
方法を用いる必要はなく、比較的弱い粗化方法であって
も、抵抗体層３を粗化処理することができる。具体的な
処理方法としては、例えば、リン酸，フッ酸，クロム
酸，硫酸等の酸、あるいはNaOH等のアルカリ溶液を用い
る方法が適用できる。この粗化処理によって、抵抗体層
３の露出部分と同時に、保護層４やセラミック基板１の
表面がある程度粗化されても構わないが、保護層４によ
る抵抗体層３の保護効果や抵抗体層３の性能に悪影響を
与えない程度の粗化処理方法を適用する。

〔工程〕セラミック基板１の表面および抵抗体層３の露出部分全
体に、薄膜金属層20を形成する。薄膜金属層20として
は、通常の導体回路の材料として用いられている各種の
金属材料が用いられ、化学めっき，蒸着，スパッタリン
グ，イオンプレーティング等の、通常の薄膜形成手段の
なかから選ばれた任意の方法で形成される。

化学めっきの場合には、通常のセンシタイジング−アク
チベーション法を用いて、セラミック基板１表面に金属
パラジウムを析出させて表面を活性化させる。その後、
化学銅めっき浴あるいは化学ニッケルめっき浴等に、前
記活性化されたセラミック基板１を浸漬し、銅あるいは
ニッケル等の薄膜金属層20を形成させる。

蒸着，スパッタリング，イオンプレーティング等の気相
法、あるいはCVD法を用いて薄膜金属層20を形成するこ
ともできる。気相法を用いる場合、第１工程でCrまたは
Tiの金属層を形成し、その上に第２工程として銅または
ニッケル等の金属層を形成させる方法や、400℃程度に
加熱された粗面化済みのセラミック基板１に、上記同様
のCrまたはTiの金属層および銅またはニッケル等の金属
層を順次形成する方法を採用することによって、セラミ
ック基板１と薄膜金属層20との密着力が増大する。

〔工程〕耐めっき性を有するレジストを、薄膜金属層20の上に塗
布し、乾燥させて、必要とする導体回路の回路パターン
と逆のパターンに、めっきレジスト層を形成する。パタ
ーン状のめっきレジスト層を形成する方法は、スクリー
ン印刷法、あるいは感光性を有する液状レジストを用い
る法、ドライフィルムを用いる方法等、通常の回路形成
におけるレジスト層の形成方法が適用できる。

めっきレジスト層の形成パターンにしたがって、めっき
レジスト層で覆われていない部分の薄膜金属層20の上
に、電解めっき法によって厚膜の導体金属層２を形成す
る。前記した薄膜金属層20の形成手段である化学めっき
法や気相法等では１〜数μｍ程度の薄い金属層しか形成
することができないので、導体回路として必要な充分な
厚みの導体金属層２を形成するには、この電解めっき法
が必要となる。導電性のある薄膜金属層20の上に電解め
っきを行うので、電解めっきは良好に能率良く行われ
る。

〔工程〕めっきレジスト層を剥離除去する。剥離液としては、Na
OH,Na₂CO₃等のアルカリ溶液が挙げられるが、有機溶剤
を用いることもでき、その他通常の剥離液が使用でき
る。剥離方法としては、セラミック基板１を剥離液に浸
漬する方法、あるいは剥離液をセラミック基板１の表面
にスプレーする方法で実施される。

〔工程〕つぎに、エッチングによって、厚膜の導体金属層２で覆
われていない部分、すなわち導体回路として不要な部分
の薄膜金属層20を除去する。エッチング液としては、過
硫酸ソーダ，塩化第２銅液，過酸化水素系のエッチング
液等が挙げられるが、その他通常のエッチング液を用い
ることができる。このエッチングでは、金属層を0.3〜
３μｍ程度の厚みで除去できる程度に行うのが、薄膜金
属層20を除去するのに好ましい。このとき、導体回路と
なる厚膜の導体金属層２が同時にエッチングされても、
導体金属層２は充分な厚みがあるので、何ら支障はな
い。逆に、このエッチングによって、導体金属層２の表
面の酸化物が除去され、回路が一層微細化されるので、
このような効果を充分に発揮できる程度にエッチングす
るのが、より好ましい実施条件である。

〔工程〕つぎに、必要に応じて、導体金属層２が形成されたセラ
ミック基板１を、窒素雰囲気中で加熱処理する。処理温
度は、200〜800℃の範囲で行うのが好ましく、より好ま
しくは400〜700℃の範囲内で実施する。この加熱処理に
よって、薄膜金属層20および導体金属層２とセラミック
基板１の密着力が向上する等の効果があるが、必要がな
ければ行わなくてもよい。処理時間は適宜に設定される
が、例えば１〜100分程度行われる。加熱雰囲気は、真
空中または窒素雰囲気中で行う。なお、必要であれば、
上記加熱雰囲気中に、２〜200ppm程度の微量の酸素を含
んでいてもよい。

〔工程〕必要に応じて、抵抗体層３のトリミングを行い、所望の
抵抗値に調整する。トリミングの方法は通常の抵抗体付
回路板と同様の方法が用いられ、例えば、アブレッシブ
トリミング，レーザートリミング等の方法がある。その
中でも、高速処理が行え、高性能なレーザートリミング
が、この発明の実施にとって、最も好ましいものであ
る。

以上のような各工程を経て、第２図に示すような、抵抗
体付セラミック回路板が製造され、導体回路としては、
薄膜金属層20と厚膜の導体金属層２とが積層された構造
になっている。

上記実施例において、薄膜金属層20および導体金属層２
からなる導体回路を構成する金属として、配線抵抗が小
さく安価な銅，ニッケル等の卑金属導体を使用すること
によって、線幅、線間30μｍという微細パターンの導体
回路を安価に形成することができる。また、金を使用す
れば、マイグレーションの心配がなく、はんだ付け性等
が良好になる。

RuO₂系等の空気焼成用抵抗体ペーストを使用すれば、窒
素焼成用抵抗体ペーストに比べて、高精度で高信頼性の
抵抗体層３を形成することができ、例えば、回路定数に
対する抵抗特性が±２％以内という、極めて高精度な抵
抗体層３を備えたセラミック回路板を製造することがで
きる。

つぎに、この発明にかかる抵抗体付セラミック回路板の
製造方法を実際に適用した具体的実施例について説明す
る。

−実施例１− 焼結セラミック基板１として、96％アルミナ基板（４″
×４″×0.635mm）を用い、このセラミック基板１にレ
ーザーで200μｍφのスルーホール用孔をあけた。この
基板１を熱リン酸に浸漬して、基板表面およびスルーホ
ール用孔の内壁面を均一に粗化した。粗化によって、表
面粗さが最大粗さ２〜３μｍになった。粗化処理の後、
充分に洗浄して乾燥させた。乾燥後、セラミック基板１
の上にRuO₂系の抵抗体ペーストをスクリーン印刷し、乾
燥後、空気中850℃で焼成して抵抗体層３を形成した。
このあと、抵抗体層３のうち、導体回路との接続部分と
なる一部を除いて全体を覆うように、オーバーコート用
ガラスペーストをスクリーン印刷し、乾燥させた後、空
気中600℃の条件で焼成して保護層４を形成した。

つぎに、抵抗体層３の露出部分に対して、５％のフッ酸
溶液を用いて粗化処理を行い、その後充分に水洗および
乾燥させた。セラミック基板１を、センシタイジングお
よびアクチベーション用の処理液に順次浸漬し、セラミ
ック基板１の表面および抵抗体層３の露出部分全体に、
パラジウムの核付けを行った。セラミック基板１を市販
の化学銅めっき液に浸漬し、約１μｍの銅層からなる薄
膜金属層20を形成した。

セラミック基板１の両面に形成された薄膜金属層20の上
に、耐めっき性を有する感光性の液状レジストを塗布
し、写真製版技術を用いて、必要とする回路パターンと
は逆のパターンのめっきレジスト層を形成した。その
後、電気硫酸銅めっきを行って、10μｍの銅層からなる
厚膜の導体金属層２を形成した。

セラミック基板１を５％のNaOH溶液中に浸漬することに
よって、めっきレジスト層を剥離した。セラミック基板
１の表面に露出した薄膜金属層20および厚膜導体金属層
２に対して、塩化第２銅を用いて、１〜２μｍ程度のク
イックエッチングを施して、不要な薄膜金属層20を除去
した。その結果、線幅、線間50μｍの導体回路が得ら
れ、スルーホール部の断線等の不良は見られなかった。

つぎに、製造されたセラミック回路板に対して、50ppm
の酸素を含む窒素雰囲気中で600℃の加熱処理を行っ
た。

上記のようにして製造された抵抗体付セラミック回路板
は、銅層からなる薄膜金属層20および導体金属層２が抵
抗体層３と強固に接着しているとともに、薄膜金属層20
および導体金属層２のセラミック基板１に対する密着力
は2.0〜3.0kg/mm²と、極めて高い値を示した。また、抵
抗体層３の回路定数に対する抵抗特性を測定したとこ
ろ、±２％以内で高精度な値を示した。その後、抵抗体
層３の抵抗値が所望の値になるように、レーザートリマ
ーでトリミング調整することによって、第２図に示すよ
うな、スルーホール５を備えた抵抗体付セラミック両面
回路板が製造できた。

このようにして製造された両面回路板は、従来のペース
ト法によるスルーホールに比べて、スルーホールの信頼
性が高く、厚膜の導体金属層のエッチング工程を用いる
ことなく微細回路が形成でき、配線抵抗も小さくなっ
た。また、抵抗体層も高精度で信頼性も良好であった。

−実施例２− 焼結セラミック基板１として、92％アルミナ基板を用
い、熱リン酸に浸漬することによって、表面を最大粗さ
２μｍ程度に粗化処理した後、充分に洗浄して乾燥させ
た。乾燥後、セラミック基板１の上に、RuO₂系の抵抗体
ペーストをスクリーン印刷し、乾燥させた後、空気中90
0℃の条件で焼成して抵抗体層３を形成した。このあ
と、抵抗体層３の所定部分を覆うように、オーバーコー
ト用ガラスペーストをスクリーン印刷し、乾燥させた
後、空気中600℃の条件で焼成して保護層４を形成し
た。さらに、抵抗体層３の露出部分を、10％のクロム酸
溶液を用いて粗化し、充分に水洗・乾燥した。

セラミック基板１の表面および抵抗体層３の露出部分の
全体に、化学めっきによって、厚み0.8〜1.2μｍの銅層
からなる薄膜金属層20を形成した。この薄膜金属層20の
上に、耐めっき性を有するドライフィルムをラミネート
し、写真製版技術を用いて所定パターンのめっきレジス
ト層を形成した。その後、めっきレジスト層のない部分
に、電解めっきによって、厚み13μｍの銅層からなる厚
膜の導体金属層２を形成した。ドライフィルムからなる
めっきレジスト層を、４％のKOH溶液を用いてスプレー
法で剥離した。薄膜金属層20および導体金属層２の表面
に、過硫酸ソーダによって、２〜３μｍ程度のクイック
エッチングを施した結果、線幅、線間50μｍの導体回路
が形成された。

その結果、得られた抵抗体付セラミック回路板は、抵抗
体層３の回路定数に対する抵抗特性が±２％以内で高精
度であった。このあと、抵抗体層をレーザートリマーで
トリミングして、所定の抵抗値に調整することによっ
て、抵抗体付セラミック回路板の製造が完了した。

−実施例３− 焼結セラミック基板１として、99％アルミナ基板を用
い、この基板の表面をフッ酸を用いて、最大粗さ１〜２
μｍに粗化処理した後、充分に洗浄した乾燥させた。乾
燥したセラミック基板１の上にRuO₂系の抵抗体ペースト
をスクリーン印刷し、乾燥させた後、空気中850℃で焼
成して抵抗体層３を形成した。抵抗体層３の所定部分を
覆うように、オーバーコート用ガラスペーストをスクリ
ーン印刷し、乾燥させた後、空気中600℃で焼成して保
護層４を形成した。

つぎに、抵抗体層３の露出部分を10％の硫酸溶液を用い
て粗化し、充分に水洗・乾燥した後、スパッタリング法
によって、銅層からなる薄膜金属層20を形成した。この
薄膜金属層20の上に、耐めっき性を有する感光性の液状
レジストを塗布し、写真製版技術を用いて、所定パター
ンのめっきレジスト層を形成した。めっきレジスト層の
パターンにしたがって、電解めっき法で、厚み12μｍの
厚膜の導体金属層２を形成した。その後、セラミック基
板１を20％のNaCO₃溶液中に浸漬して、めっきレジスト
層を剥離した。

セラミック基板１上の薄膜金属層20および導体金属層２
に対して、塩化第２鉄を用いて、1.5〜2.5μｍ程度のク
イックエッチングを施し、線幅、線間50μｍの導体回路
を得た。その後、70ppmの酸素を含む窒素雰囲気中にお
いて600℃で加熱処理を行った。

その結果、得られた抵抗体付セラミック回路板は、銅層
からなる薄膜金属層20および導体金属層２と抵抗体層３
との接続部分は強固に接着しており、銅層と基板との密
着力は2.0〜3.0kg/mm²と、極めて高い値を示した。ま
た、抵抗体層３の回路定数に対する抵抗特性を測定した
ところ、±２％以内で高精度な値を示した。その後、抵
抗体層３の抵抗値が所望の値になるように、レーザート
リマーでトリミング調整した。

−実施例４− 焼結窒化アルミ基板（２″×２″×0.635mm）を用い、
めっきレジストの剥離液として塩化メチレンを用いた以
外は、実施例１と同様の工程で抵抗体付セラミック回路
板を製造した。その結果、得られたセラミック回路板の
抵抗体層３の抵抗値のバラツキは、実施例１と同様の優
れた特性を有するものであった。

−実施例５− 焼結セラミック基板として、99％アルミナ基板を用い、
抵抗体ペーストをセラミック基板上に直接描画して所定
形状に形成した以外は、実施例２と同様の工程で、抵抗
体付セラミック回路板を製造した。その結果、得られた
セラミック回路板の抵抗体層３の抵抗値のバラツキは、
実施例２と同様の優れた特性を有するものであった。

−比較例１− この比較例は、抵抗体層を、セラミック基板表面と同時
に、セラミック基板に適した強い粗化条件で粗化した場
合である。

下記相違点以外は、実施例１と同様の条件で実施した。

熱リン酸によるセラミック基板表面の粗化は行わなか
った。

抵抗体層の露出部分を、セラミック基板表面ととも
に、12％フッ酸溶液（30℃、15分）で粗化した。

その結果、セラミック基板表面は良好に粗化され、薄膜
金属層および厚膜金属層の形成も良好に行えた。こうし
て形成された銅導体層のセラミック基板に対する密着力
を測定したところ、1.5〜2.5kg/mm²と、比較的高い値を
示した。

しかし、粗化処理によって、抵抗体層の露出部分でガラ
ス成分が侵され損傷を受けた。その結果、導体と抵抗体
層との電気的接続がうまく行われず、抵抗体付セラミッ
ク回路板としては、十分な性能が発揮できなかった。

−比較例２− この比較例は、抵抗体層とともにセラミック基板表面
を、抵抗体層に適した弱い粗化条件で粗化した場合であ
る。

下記相違点以外は、実施例１と同様の条件で実施した。

その結果、抵抗体層の露出部分は良好に粗化され、銅導
体層との電気的な接続も良好に行えた。

しかし、セラミック基板表面の粗化が不十分になったた
め、化学めっき法による薄膜金属層の形成の際に、セラ
ミック基板と薄膜金属層の密着不良が原因と考えられる
「ふくれ」が多数発生した。したがって、抵抗体付セラ
ミック回路板としては、十分な性能が発揮できなかっ
た。

〔発明の効果〕

以上に述べた、この発明にかかる抵抗体付セラミック回
路板の製造方法のうち、請求項１記載の発明によれば、
抵抗体層および保護層が形成されたセラミック基板の表
面および抵抗体層の露出部分全体に薄膜金属層を形成し
た後、所定の回路パターンに対応するめっきレジスト層
を形成し、このめっきレジスト層のパターンにしたがっ
て、電解めっき法で厚膜の導体金属層を形成するので、
従来の製造方法のように、厚膜の導体金属層をエッチン
グする面倒な工程が不要になる。厚膜の導体金属は回路
形成に必要なところのみに形成するので、無駄がなく材
料コストが安くなる。なお、この発明においても、薄膜
金属層については、回路パターンにしたがってエッチン
グしているが、薄膜金属層は厚膜の導体金属層に比べて
はるかに薄いものであるから、エッチングの手間はそれ
ほどかからず、除去される無駄な金属材料も極めて少な
い。

また、厚膜の導体金属のエッチングを行わないので、ス
ルーホールを設けたときに、スルーホールの一部がエッ
チングされて断線等の不良を生じるという心配がなく、
スルーホールの信頼性が高くなる。

しかも、導体金属ペーストの焼成によって導体回路を製
造する方法等に比べ、微細回路が形成でき、低抵抗の導
体金属を用いることができるので配線抵抗が低くなり、
抵抗体層として高性能なものを使用できるので、高精度
で高信頼性を有する抵抗体層を備えたセラミック回路板
を提供することができる。

さらに、抵抗体層を形成する前に、セラミック基板を通
常の強い粗化処理方法で粗化しておき、抵抗体層の露出
部分については、抵抗体層に悪影響を与えないような、
比較的弱い処理方法で粗化することによって、抵抗体層
の性能を低下させることなく、セラミック基板と導体回
路との密着力を高めることが可能になり、抵抗体付セラ
ミック回路板の性能向上に大きく貢献できることにな
る。

請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の上記効果
に加え、回路パターンを形成する導体金属として、銅ま
たはニッケルのような卑金属を用いることによって、材
料コストを削減できるとともに配線抵抗を低くでき、ま
た、金を用いることによって、マイグレーションの心配
がなくなるとともに、はんだ付け性等が良好になる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例を示す工程流れ図、第２図は
製造された抵抗体付セラミック回路板の断面図である。１…セラミック基板、２…導体金属層、20…薄膜金属
層、３…抵抗体層、４…保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭55−95396（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−185995（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−124596（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−86183（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基板に導体回路とともに抵抗体
が形成されたセラミック回路板を製造する方法であっ
て、以下の工程（１）〜（６）を含むことを特徴とする
抵抗体付セラミック回路板の製法。（１）セラミック基板の表面を粗化する工程。（２）セラミック基板に抵抗体層を形成し、抵抗体層の
上に保護層を形成する工程。（３）抵抗体層の露出部分を、セラミック基板表面の粗
化条件よりも弱い粗化条件による抵抗体層に悪影響を与
えない処理方法で粗化する工程。（４）セラミック基板表面および抵抗体層の露出部分の
全体に薄膜金属層を形成する工程。（５）薄膜金属層の上に所定の回路パターンに対応する
めっきレジスト層を形成し、めっきレジスト層のない部
分の薄膜金属層に、電解めっきによって導体金属層を形
成する工程。（６）めっきレジスト層を剥離した後、導体金属層のな
い部分の薄膜金属層をエッチング除去する工程。
【請求項２】導体回路を形成する金属が、銅，ニッケ
ル，金のうちの何れかである請求項１記載の抵抗体付セ
ラミック回路板の製造方法。