JPH0682857U - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 薄型化を図ると共に耐湿性を向上するように
した半導体装置を提供する。 【構成】 基体１１に凹部１１Ａを形成し、この凹部１
１Ａの表面に湿気の浸入を防止するコーティング層８を
設ける。コーティング層８上に半導体チップ１２を実装
し、半導体チップ１２の電極１４と基体１１の電極１５
とをワイヤ１３でボンディングした後、パッケージ１６
で半導体チップ１２を凹部１１Ａ内に封止する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、基体に半導体チップを実装しこの半導体チップをパッケージで封止 した半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

表面弾性波素子，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置において、半導体チップを配線 が施された基体上に実装するようにしたチップオンボードパッケージ（以後ＣＯ Ｂパッケージと称する）が採用されている。図１３は従来のＣＯＢパッケージの 一例を示す断面図で、１は予め表面に配線が施された基体、２は基体１上の所望 位置に実装された表面弾性波素子等の半導体チップ、３は半導体チップ２上の電 極４と基体１上の電極５とをボンディングするワイヤ、６は半導体チップ２を外 部環境から保護するため基体１上に封止されたパッケージ、７は基体１の他の位 置に実装された外付け部品である。

【０００３】 ここで、基体１としてはコスト的に優れた樹脂が主として用いられ、必要に応 じてセラミック等が用いられる場合がある。また、パッケージ６としては金属あ るいは絶縁材料が用いられる。このようにＣＯＢパッケージにおいて、パッケー ジ６によって半導体チップ２を外部環境から保護することは、半導体装置を高信 頼性で動作させる上で重要な要件となる。特に、表面弾性波素子においては、伝 搬表面部となるチップ表面に異物が存在すると素子特性に著しく悪影響を与える ので、パッケージ６で覆うことによりそのような異物の存在を阻止することがで きるようになる。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

ところで従来のＣＯＢパッケージにおいては、次のような問題が存在している 。 （１）半導体チップ２を基体１表面上に実装して、この半導体チップ２をパッケ ージ６で封止しているので、半導体装置の薄型化が困難である。 （２）基体１としてコスト的に有利な樹脂を用いた場合、この樹脂は耐湿性の点 で劣るので、半導体装置の耐湿性が低下する。

【０００５】 本考案はこのような問題に対処してなされたもので、薄型化を図ると共に耐湿 性を向上するようにした半導体装置を提供することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するために本考案は、基体に凹部もしくは開口部を形成し、こ れら凹部もしくは開口部の少なくとも側面にコーティング層を設けて、上記凹部 もしくは開口部内に半導体チップを実装し、これら凹部もしくは開口部をパッケ ージで封止したことを特徴とするものである。

【０００７】

【作用】

基体に形成した凹部もしくは開口部内に半導体チップを実装してパッケージで 封止するので、薄型化を図ることができる。また、凹部もしくは開口部の少なく とも側面にコーティング層を設けたので、このコーティング層によって湿気の浸 入を防止できるため、耐湿性を向上することができる。

【０００８】

【実施例】

以下図面を参照して本考案の実施例を説明する。 図１は本考案の半導体装置の実施例を示す断面図で、１１は例えば樹脂からな る予め表面に配線が施された基体、１１Ａは基体１１に形成された凹部、８はこ の凹部１１Ａに設けられた例えばＡｇ，Ａｌ等のような金属からなるコーティン グ層である。このコーティング層８は基体１１からの湿気の浸入を防止するため に設けたものである。１２は基体１１のコーティング層１１Ａ上に実装された表 面弾性波素子等の半導体チップ、１３は半導体チップ１２上の電極１４と基体１ １上の電極１５とをボンディングするワイヤ、１６は半導体チップ１２を外部環 境から保護するため基体１１上に封止されたパッケージ、１７は基体１１の他の 位置に実装された外付け部品である。

【０００９】 次に本実施例の半導体装置の製造法を工程順に説明する。 まず、図２に示したように、表面の所望位置に電極１５及び外付け部品１７を 実装した基体１１を用意する。次に、図３に示したように、基体１１を加工して 半導体チップを実装すべき所望位置に凹部１１Ａを形成する。続いて、図４に示 したように、凹部１１Ａの表面にコーティング層８を設ける。次に、図５に示し たように、凹部１１Ａ内のコーティング層８上に半導体チップ１２を実装した後 、図６に示したように、半導体チップ１２の電極１４と基体１１の電極１５との 間にワイヤ１３をボンディングする。続いて、パッケージ１６を用いて凹部１１ Ａ内に半導体チップ１２を封止することにより、図１の構造が完成する。

【００１０】 図７は本実施例の変形例を示すもので、図８に示したように、配線１８に一対 のバンプ電極１９，２０が多数組形成されたパッケージ２６を用い、各電極１９ ，２０を半導体チップ１２の電極１４に接続するようにして封止した例を示すも ので、図１と同様な効果を得ることができる。

【００１１】 このような本実施例によれば、基体１１に凹部１１Ａを形成し、この凹部１１ Ａ内に半導体チップ１２を実装してパッケージ１６を封止するようにしたので、 パッケージ１６の高さ寸法を小さくすることができるため、半導体装置の薄型化 を図ることができる。また、凹部１１Ａに湿気の浸入を防止するコーティング層 ８を設けて、このコーティング層８上に半導体チップ１２を実装するようにした ので、基体１１として樹脂のようにコスト的に有利な材料を用いた場合でも、こ の利点をそのまま生かしたままで半導体装置の耐湿性を向上することができる。

【００１２】 さらに、表面弾性波素子のように、チップ自身をグランドに落とす必要が生じ るような素子の場合でも、コーティング層８としてＡｇ，Ａｌ等のように導電性 に優れた材料を用いれば、このコーティング層８をグランドに容易に接続できる ので何ら支障は生じない。

【００１３】 図９は本考案の他の実施例を示すもので、図１の実施例と異なる点は、基体１ １に開口部２１を形成しこの開口部２１にコーティング層８を設けて、開口部２ １の裏面から予めダイパッド２２に実装した半導体チップ１２を配置して基体１ １に固定した後、開口部２１の表面から図８に示したようなパッケージ２６を封 止するようにした構造にある。

【００１４】 まず、図１０に示したように、表面の所望位置に電極１５及び外付け部品１７ を実装した基体１１を用意する。次に、図１１に示したように、基体１１を加工 して半導体チップを配置すべき所望位置に開口部２１を形成し、続いてこの開口 部２１の表面にコーティング層８を設ける。次に、図１２に示したように、予め ダイパッド２２に実装した半導体チップ１２を開口部２１の裏面から配置して基 体１１に固定した後、半導体チップ１２の電極１４と基体１１の電極１５との間 にワイヤ１３をボンディングする。続いて、図７のようなパッケージ２６を用い て、開口部２１内に半導体チップ１２を封止することにより、図９の構造が完成 する。

【００１５】 この本実施例によっても、基体１１に開口部２１を形成し、この開口部２１内 に半導体チップ１２を実装してパッケージ２６で封止すると共に、開口部２１に コーティング層８を設けるようにしたので、半導体装置の薄型化を図ることがで きると共に、耐湿性を向上することができる。

【００１６】 本考案は表面弾性波素子のように、素子の伝搬表面部が特に問題となるような 用途に適用して効果的であるが、これに限らず他の半導体装置に適用しても同様 な効果を得ることができる。なお、凹部１１Ａあるいは開口部２１内は、必要に 応じて樹脂で封止するようにしても良い。

【００１７】

【考案の効果】

以上述べたように本考案によれば、基体に形成した凹部もしくは開口部の少な くとも側面にコーティング層を設け、これら凹部もしくは開口部内に半導体チッ プを実装してパッケージで封止するようにしたので、半導体装置の薄型化を図る と共に耐湿性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の半導体装置の実施例を示す断面図であ
る。

【図２】本実施例の製造方法の一工程を示す断面図であ
る。

【図３】本実施例の製造方法の他の工程を示す断面図で
ある。

【図４】本実施例の製造方法のその他の工程を示す断面
図である。

【図５】本実施例の製造方法のその他の工程を示す断面
図である。

【図６】本実施例の製造方法のその他の工程を示す断面
図である。

【図７】図１の実施例の変形例を示す断面図である。

【図８】図７の変形例に用いられるパッケージを示す断
面図である。

【図９】本考案の他の実施例を示す断面図である。

【図１０】他の実施例の製造方法の一工程を示す断面図
である。

【図１１】他の実施例の製造方法の他の工程を示す断面
図である。

【図１２】他の実施例の製造方法のその他の工程を示す
断面図である。

【図１３】従来例を示す断面図である。

【符号の説明】

８ コーティング層 １１ 基体 １１Ａ 基体の凹部 １２ 半導体チップ １６，２６ パッケージ １９，２０ バンプ電極 ２１ 開口部 ２２ ダイパッド

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体に凹部もしくは開口部を形成し、こ
   れら凹部もしくは開口部の少なくとも側面にコーティン
   グ層を設けて、上記凹部もしくは開口部内に半導体チッ
   プを実装し、これら凹部もしくは開口部をパッケージで
   封止したことを特徴とする半導体装置。