JPH04283950A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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Landscapes
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関し、特に、樹脂封止型半導体装置の耐湿性改善技術
に適用して有効な技術に関するものである。
に関し、特に、樹脂封止型半導体装置の耐湿性改善技術
に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ等
に組込まれる民生用リニアＩＣとして、ＭＳＰ構造、Ｑ
ＦＰ構造等の所謂面実装型の樹脂封止型半導体装置が使
用される。この種の樹脂封止型半導体装置は、小型でか
つ薄型であり、しかも量産に適しているので安価である
特徴を有する。
に組込まれる民生用リニアＩＣとして、ＭＳＰ構造、Ｑ
ＦＰ構造等の所謂面実装型の樹脂封止型半導体装置が使
用される。この種の樹脂封止型半導体装置は、小型でか
つ薄型であり、しかも量産に適しているので安価である
特徴を有する。
【０００３】前記樹脂封止型半導体装置の基本的な構造
はタブ吊りリードで支持されるタブの表面上に裏面を対
向し搭載された半導体ペレット（半導体チップ）の外部
端子（ボンディングパッド）にリードのインナーリード
を電気的に接続する。半導体ペレットの外部端子、イン
ナーリードの夫々の接続はワイヤボンディングで行われ
る。前記半導体ペレット、タブ吊りリード、タブ及びイ
ンナーリードは樹脂封止体で封止される。樹脂封止体と
しては、一般的にエポキシ系樹脂が使用され、トランス
ファモールド法において成型される。リードのアウター
リードは、インナーリードに一体に構成され、樹脂封止
体の外部に突出される。
はタブ吊りリードで支持されるタブの表面上に裏面を対
向し搭載された半導体ペレット（半導体チップ）の外部
端子（ボンディングパッド）にリードのインナーリード
を電気的に接続する。半導体ペレットの外部端子、イン
ナーリードの夫々の接続はワイヤボンディングで行われ
る。前記半導体ペレット、タブ吊りリード、タブ及びイ
ンナーリードは樹脂封止体で封止される。樹脂封止体と
しては、一般的にエポキシ系樹脂が使用され、トランス
ファモールド法において成型される。リードのアウター
リードは、インナーリードに一体に構成され、樹脂封止
体の外部に突出される。
【０００４】前記樹脂封止型半導体装置に搭載される半
導体ペレットは単結晶珪素基板を主体に構成され、この
単結晶珪素基板の素子形成面の中央部分には例えばビデ
オ信号を処理する回路が搭載される。この回路は単結晶
珪素基板の主面に配置された複数個の半導体素子例えば
バイポーラトランジスタで構成され、この半導体素子を
被覆する単結晶珪素基板の素子形成面上には半導体素子
間若しくは回路間を結線する配線層が構成される。
導体ペレットは単結晶珪素基板を主体に構成され、この
単結晶珪素基板の素子形成面の中央部分には例えばビデ
オ信号を処理する回路が搭載される。この回路は単結晶
珪素基板の主面に配置された複数個の半導体素子例えば
バイポーラトランジスタで構成され、この半導体素子を
被覆する単結晶珪素基板の素子形成面上には半導体素子
間若しくは回路間を結線する配線層が構成される。
【０００５】民生用リニアＩＣは、通常、配線占有面積
の縮小化による高集積化若しくは配線長の縮小による高
速動作化を目的として、単結晶珪素基板の素子形成面上
に２層構造の配線層が構成される。２層構造の配線層の
夫々にはいずれも低抵抗値配線材料としてのアルミニウ
ム合金配線が配置される。前記半導体素子と第１層目配
線層との間、第１層目配線層と第２層目配線層との間の
夫々は双方を絶縁する層間絶縁膜（パッシベーション膜
）が構成される。半導体素子と第１層目配線との間の電
気的接続、第１層目配線と第２層目配線との間の電気的
接続の夫々は各層間絶縁膜に形成される接続孔を通して
行われる。また、第２層目配線は最終保護膜（ファイナ
ルパッシベーション膜）で被覆され、この第２層目配線
を含む半導体ペレットは外部環境から保護される。
の縮小化による高集積化若しくは配線長の縮小による高
速動作化を目的として、単結晶珪素基板の素子形成面上
に２層構造の配線層が構成される。２層構造の配線層の
夫々にはいずれも低抵抗値配線材料としてのアルミニウ
ム合金配線が配置される。前記半導体素子と第１層目配
線層との間、第１層目配線層と第２層目配線層との間の
夫々は双方を絶縁する層間絶縁膜（パッシベーション膜
）が構成される。半導体素子と第１層目配線との間の電
気的接続、第１層目配線と第２層目配線との間の電気的
接続の夫々は各層間絶縁膜に形成される接続孔を通して
行われる。また、第２層目配線は最終保護膜（ファイナ
ルパッシベーション膜）で被覆され、この第２層目配線
を含む半導体ペレットは外部環境から保護される。
【０００６】民生用リニアＩＣはその需要が多く低価格
化が要求されているので、前述の半導体ペレットに構成
される層間絶縁膜、最終保護膜の夫々はポリイミド系樹
脂膜等の有機膜が使用される。ポリイミド系樹脂膜は、
半導体ペレットの製造プロセス（ウエーハプロセス）に
おいて１回の塗布工程で成膜でき、しかもポリイミド系
樹脂膜自体が安価であるので、半導体ペレットの製造価
格を低減できる。
化が要求されているので、前述の半導体ペレットに構成
される層間絶縁膜、最終保護膜の夫々はポリイミド系樹
脂膜等の有機膜が使用される。ポリイミド系樹脂膜は、
半導体ペレットの製造プロセス（ウエーハプロセス）に
おいて１回の塗布工程で成膜でき、しかもポリイミド系
樹脂膜自体が安価であるので、半導体ペレットの製造価
格を低減できる。
【０００７】前記半導体ペレットの外部端子は、２層構
造の配線層を有する場合、通常、最上層の配線層である
第２層目配線層に形成され、半導体ペレットの周辺の領
域に配置される。つまり、外部端子はアルミニウム合金
膜で形成される。この外部端子は、最終保護膜に形成さ
れたボンディング開口を通してボンディングワイヤが接
続され、このボンディングワイヤを通してインナーリー
ドに接続される。
造の配線層を有する場合、通常、最上層の配線層である
第２層目配線層に形成され、半導体ペレットの周辺の領
域に配置される。つまり、外部端子はアルミニウム合金
膜で形成される。この外部端子は、最終保護膜に形成さ
れたボンディング開口を通してボンディングワイヤが接
続され、このボンディングワイヤを通してインナーリー
ドに接続される。
【０００８】なお、この種の樹脂封止型半導体装置につ
いては、例えば、特公昭６３−３１９３２号公報、特公
昭６３−３１９３９号公報等に記載されている。
いては、例えば、特公昭６３−３１９３２号公報、特公
昭６３−３１９３９号公報等に記載されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、前述の樹脂封止型半導体装置において、下記の問
題点を見出した。
者は、前述の樹脂封止型半導体装置において、下記の問
題点を見出した。
【００１０】前記樹脂封止型半導体装置において、樹脂
封止体とインナーリード、ボンディングワイヤの夫々と
は、樹脂と金属との接着であるので、基本的に接着力が
低い。つまり、インナーリード、ボンディングワイヤの
夫々と樹脂封止体との間の界面に極く微小な剥離が発生
し、この剥離は樹脂封止体の外部からインナーリード、
ボンディングワイヤの夫々を介在し半導体ペレットの外
部端子に達する水分の浸入経路を形成する。この水分の
浸入経路を通して浸入する水は、外部端子に達すると、
この外部端子若しくはその近傍に延在する第２層目の配
線を腐食してしまうが、外部端子に達する水分の量とし
て微量であり、樹脂封止型半導体装置を不良品とする腐
食には至らない。
封止体とインナーリード、ボンディングワイヤの夫々と
は、樹脂と金属との接着であるので、基本的に接着力が
低い。つまり、インナーリード、ボンディングワイヤの
夫々と樹脂封止体との間の界面に極く微小な剥離が発生
し、この剥離は樹脂封止体の外部からインナーリード、
ボンディングワイヤの夫々を介在し半導体ペレットの外
部端子に達する水分の浸入経路を形成する。この水分の
浸入経路を通して浸入する水は、外部端子に達すると、
この外部端子若しくはその近傍に延在する第２層目の配
線を腐食してしまうが、外部端子に達する水分の量とし
て微量であり、樹脂封止型半導体装置を不良品とする腐
食には至らない。
【００１１】一方、樹脂封止型半導体装置は、その組立
プロセスにおけるトランスファモールド工程或いは半田
浸漬工程、実装工程における赤外線リフロー或いは熱風
リフロー、加速試験における高温度雰囲気等、樹脂封止
体に熱応力が発生する。前記樹脂封止型半導体装置の半
導体ペレットの素子形成面の周辺領域は素子形成面の中
央部分に比べて熱応力が最大となり、最終保護膜の周辺
領域と樹脂封止体との間の界面に最大の剪断応力が発生
し、この最終保護膜と樹脂封止体との間の界面に剥離が
発生する。この剥離は、樹脂封止体の外部からこの樹脂
封止体とタブ吊りリード、タブの夫々との間の水分の浸
入経路を通して浸入した水分が（半導体ペレットの最外
周囲から）半導体ペレットの周辺領域に配置された外部
端子まで達する水分の浸入経路を形成する。このため、
この水分の浸入経路を通して外部端子に達する水分は、
前述のインナーリード及びボンディングワイヤを通して
外部端子に達する水分の量を加速的に増加し、外部端子
若しくはその近傍の第２層目配線を急激に腐食し、樹脂
封止型半導体装置の耐湿性を著しく劣化させる。
プロセスにおけるトランスファモールド工程或いは半田
浸漬工程、実装工程における赤外線リフロー或いは熱風
リフロー、加速試験における高温度雰囲気等、樹脂封止
体に熱応力が発生する。前記樹脂封止型半導体装置の半
導体ペレットの素子形成面の周辺領域は素子形成面の中
央部分に比べて熱応力が最大となり、最終保護膜の周辺
領域と樹脂封止体との間の界面に最大の剪断応力が発生
し、この最終保護膜と樹脂封止体との間の界面に剥離が
発生する。この剥離は、樹脂封止体の外部からこの樹脂
封止体とタブ吊りリード、タブの夫々との間の水分の浸
入経路を通して浸入した水分が（半導体ペレットの最外
周囲から）半導体ペレットの周辺領域に配置された外部
端子まで達する水分の浸入経路を形成する。このため、
この水分の浸入経路を通して外部端子に達する水分は、
前述のインナーリード及びボンディングワイヤを通して
外部端子に達する水分の量を加速的に増加し、外部端子
若しくはその近傍の第２層目配線を急激に腐食し、樹脂
封止型半導体装置の耐湿性を著しく劣化させる。
【００１２】特に、この樹脂封止型半導体装置の耐湿性
の著しい劣化に基づく不良は、半導体ペレットのサイズ
の増加、例えば５×５［ｍｍ２ ］若しくはそれ以上に
なると一義的に発生率が増加する。この現象は、本発明
者によれば、半導体ペレットのサイズの増加は半導体ペ
レットの周辺領域の剪断応力の増加になるものであるか
らと考察している。また、この現象は、樹脂封止体の占
有面積のうち半導体ペレットの占有面積が占める割合が
大きくなり、樹脂封止体の外部から半導体ペレットの外
部端子までの水分の浸入経路が短縮されるからと考察し
ている。
の著しい劣化に基づく不良は、半導体ペレットのサイズ
の増加、例えば５×５［ｍｍ２ ］若しくはそれ以上に
なると一義的に発生率が増加する。この現象は、本発明
者によれば、半導体ペレットのサイズの増加は半導体ペ
レットの周辺領域の剪断応力の増加になるものであるか
らと考察している。また、この現象は、樹脂封止体の占
有面積のうち半導体ペレットの占有面積が占める割合が
大きくなり、樹脂封止体の外部から半導体ペレットの外
部端子までの水分の浸入経路が短縮されるからと考察し
ている。
【００１３】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置に
おいて、半導体ペレットの周辺領域と樹脂封止体との間
の界面の剥離を防止することが可能な技術を提供するこ
とにある。
おいて、半導体ペレットの周辺領域と樹脂封止体との間
の界面の剥離を防止することが可能な技術を提供するこ
とにある。
【００１４】本発明の他の目的は、樹脂封止型半導体装
置において、半導体ペレットの周辺領域に配置される外
部端子の腐食を防止し、耐湿性を向上することが可能な
技術を提供することにある。
置において、半導体ペレットの周辺領域に配置される外
部端子の腐食を防止し、耐湿性を向上することが可能な
技術を提供することにある。
【００１５】本発明の他の目的は、前記目的或いは他の
目的を達成するための形成工程数を削減することが可能
な技術を提供することにある。
目的を達成するための形成工程数を削減することが可能
な技術を提供することにある。
【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
【００１８】（１）素子形成面を最終保護膜で被覆する
半導体ペレットが樹脂封止体で封止される樹脂封止型半
導体装置において、前記半導体ペレットの最終保護膜の
周辺の領域であってこの最終保護膜の最外周囲よりも内
側の領域に、前記樹脂封止体が埋込まれる溝若しくは孔
を構成する。
半導体ペレットが樹脂封止体で封止される樹脂封止型半
導体装置において、前記半導体ペレットの最終保護膜の
周辺の領域であってこの最終保護膜の最外周囲よりも内
側の領域に、前記樹脂封止体が埋込まれる溝若しくは孔
を構成する。
【００１９】（２）素子形成面を配線層間の層間絶縁膜
を介在して最終保護膜で被覆する半導体ペレットが樹脂
封止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前
記半導体ペレットの最終保護膜下の層間絶縁膜の周辺の
領域であってこの層間絶縁膜の最外周囲よりも内側の領
域に、前記最終保護膜が埋込まれかつこの最終保護膜が
埋込まれた表面に溝若しくは孔が形成される溝若しくは
孔を構成する。
を介在して最終保護膜で被覆する半導体ペレットが樹脂
封止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前
記半導体ペレットの最終保護膜下の層間絶縁膜の周辺の
領域であってこの層間絶縁膜の最外周囲よりも内側の領
域に、前記最終保護膜が埋込まれかつこの最終保護膜が
埋込まれた表面に溝若しくは孔が形成される溝若しくは
孔を構成する。
【００２０】（３）素子形成面を配線層間の層間絶縁膜
を介在して最終保護膜で被覆する半導体ペレットが樹脂
封止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前
記半導体ペレットの最終保護膜、層間絶縁膜の夫々の周
辺の領域であってこの最終保護膜、層間絶縁膜の夫々の
最外周囲よりも内側の領域に、前記樹脂封止体が埋込ま
れる溝若しくは孔を構成する。
を介在して最終保護膜で被覆する半導体ペレットが樹脂
封止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前
記半導体ペレットの最終保護膜、層間絶縁膜の夫々の周
辺の領域であってこの最終保護膜、層間絶縁膜の夫々の
最外周囲よりも内側の領域に、前記樹脂封止体が埋込ま
れる溝若しくは孔を構成する。
【００２１】（４）前記手段（１）若しくは（２）の最
終保護膜の周辺の領域の溝若しくは孔は前記最終保護膜
に形成されるボンディング開口を形成する工程において
形成される、又は前記手段（２）若しくは（３）の層間
絶縁膜の周辺の領域の溝若しくは孔は層間絶縁膜に配線
層間を接続する接続孔を形成する工程において形成され
る。
終保護膜の周辺の領域の溝若しくは孔は前記最終保護膜
に形成されるボンディング開口を形成する工程において
形成される、又は前記手段（２）若しくは（３）の層間
絶縁膜の周辺の領域の溝若しくは孔は層間絶縁膜に配線
層間を接続する接続孔を形成する工程において形成され
る。
【００２２】
【作用】上述した手段（１）によれば、（Ａ）前記半導
体ペレットの最終保護膜の周辺領域において、前記最終
保護膜の溝又は孔内に樹脂封止体の一部を食い込ませ、
最終保護膜と樹脂封止体との間の線膨張係数差に基づき
発生する応力（剪断応力）に対する抗力を生成できるの
で、前記最終保護膜と樹脂封止体との間の剥離を防止で
きる。
体ペレットの最終保護膜の周辺領域において、前記最終
保護膜の溝又は孔内に樹脂封止体の一部を食い込ませ、
最終保護膜と樹脂封止体との間の線膨張係数差に基づき
発生する応力（剪断応力）に対する抗力を生成できるの
で、前記最終保護膜と樹脂封止体との間の剥離を防止で
きる。
【００２３】また、（Ｂ）前記半導体ペレットの最終保
護膜の周辺領域において、前記最終保護膜の溝又は孔の
内壁に樹脂封止体が沿う分、この最終保護膜と樹脂封止
体との間の接着面積を増加できるので、前記最終保護膜
と樹脂封止体との間の剥離を防止できる。
護膜の周辺領域において、前記最終保護膜の溝又は孔の
内壁に樹脂封止体が沿う分、この最終保護膜と樹脂封止
体との間の接着面積を増加できるので、前記最終保護膜
と樹脂封止体との間の剥離を防止できる。
【００２４】また、（Ｃ）前記半導体ペレットの最終保
護膜の周辺領域において、前記最終保護膜の溝又は孔の
内壁に樹脂封止体が沿う分、この最終保護膜と樹脂封止
体との間の界面に発生する水分の浸入の経路を長くでき
る。
護膜の周辺領域において、前記最終保護膜の溝又は孔の
内壁に樹脂封止体が沿う分、この最終保護膜と樹脂封止
体との間の界面に発生する水分の浸入の経路を長くでき
る。
【００２５】この結果、前記半導体ペレットの最外周領
域からその内側、特に半導体ペレットの素子形成面の周
辺領域に配置された外部端子（ボンディングパッド）ま
での間の水分の浸入経路を遮断し若しくは水分の浸入を
抑え、外部端子若しくはその近傍に延在する配線の腐食
を防止し、樹脂封止型半導体装置の耐湿性を向上できる
。
域からその内側、特に半導体ペレットの素子形成面の周
辺領域に配置された外部端子（ボンディングパッド）ま
での間の水分の浸入経路を遮断し若しくは水分の浸入を
抑え、外部端子若しくはその近傍に延在する配線の腐食
を防止し、樹脂封止型半導体装置の耐湿性を向上できる
。
【００２６】上述した手段（２）又は（３）によれば、
前記手段（１）の作用効果と同様の効果が得られる。
前記手段（１）の作用効果と同様の効果が得られる。
【００２７】上述した手段（４）によれば、最終保護膜
にボンディング開口を形成する工程で溝若しくは孔を形
成できるので、又は層間絶縁膜に接続孔を形成する工程
で溝若しくは孔を形成できるので、この溝若しくは孔を
形成する工程に相当する分、樹脂封止型半導体装置の製
造プロセス（半導体ウエーハの製造プロセス）の工程数
を削減できる。
にボンディング開口を形成する工程で溝若しくは孔を形
成できるので、又は層間絶縁膜に接続孔を形成する工程
で溝若しくは孔を形成できるので、この溝若しくは孔を
形成する工程に相当する分、樹脂封止型半導体装置の製
造プロセス（半導体ウエーハの製造プロセス）の工程数
を削減できる。
【００２８】以下、本発明の構成について、民生用リニ
アＩＣを構成する、ＱＦＩ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｉ−
ｔｙｐｅ ｒｅａｄ）構造を採用する樹脂封止型半導体
装置に本発明を適用した一実施例とともに説明する。
アＩＣを構成する、ＱＦＩ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｉ−
ｔｙｐｅ ｒｅａｄ）構造を採用する樹脂封止型半導体
装置に本発明を適用した一実施例とともに説明する。
【００２９】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００３０】
【実施例】（実 施 例 １）本発明の実施例１である
民生用リニアＩＣを構成する、ＱＦＩ構造を採用する樹
脂封止型半導体装置の構成を図１（要部断面図）で示す
。
民生用リニアＩＣを構成する、ＱＦＩ構造を採用する樹
脂封止型半導体装置の構成を図１（要部断面図）で示す
。
【００３１】図１に示すように、ＱＦＩ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置１はタブ吊りリード２Ｂで支持さ
れたタブ２Ａの表面上に半導体ペレット（半導体チップ
）４を搭載する。タブ２Ａの表面上、半導体ペレット４
の裏面（素子形成面と対向する面）の夫々は、接着層３
を介在し、相互に固着される。接着層３は例えば絶縁性
のＡｇペーストを使用する。半導体ペレットの外周囲に
沿った領域にはこの周囲に沿って複数本のインナーリー
ド２Ｃが配列される。インナーリード２Ｃは、その一端
側がボンディングワイヤ５を介在して半導体ペレット４
の外部端子（ボンディングパッド）４５Ｐに接続され、
他端側がアウターリード２Ｄに一体に構成される（電気
的に接続される）。この樹脂封止型半導体装置１は半導
体ペレット４、タブ２Ａ、タブ吊りリード２Ｂ、インナ
ーリード２Ｃの夫々を樹脂封止体６で気密封止する。ア
ウターリード２Ｄは、樹脂封止体６の外周囲から突出し
、この外周囲に沿って複数本配列される。
樹脂封止型半導体装置１はタブ吊りリード２Ｂで支持さ
れたタブ２Ａの表面上に半導体ペレット（半導体チップ
）４を搭載する。タブ２Ａの表面上、半導体ペレット４
の裏面（素子形成面と対向する面）の夫々は、接着層３
を介在し、相互に固着される。接着層３は例えば絶縁性
のＡｇペーストを使用する。半導体ペレットの外周囲に
沿った領域にはこの周囲に沿って複数本のインナーリー
ド２Ｃが配列される。インナーリード２Ｃは、その一端
側がボンディングワイヤ５を介在して半導体ペレット４
の外部端子（ボンディングパッド）４５Ｐに接続され、
他端側がアウターリード２Ｄに一体に構成される（電気
的に接続される）。この樹脂封止型半導体装置１は半導
体ペレット４、タブ２Ａ、タブ吊りリード２Ｂ、インナ
ーリード２Ｃの夫々を樹脂封止体６で気密封止する。ア
ウターリード２Ｄは、樹脂封止体６の外周囲から突出し
、この外周囲に沿って複数本配列される。
【００３２】前記樹脂封止型半導体装置１のインナーリ
ード２Ｃ、アウターリード２Ｄ、タブ吊りリード２Ｂ、
タブ２Ａの夫々は１枚のリードフレームから切断され成
型される。このリードフレームは例えばＣｕ、Ｃｕ系合
金、Ｆｅ−Ｎｉ合金（例えば４２又は５０［％］のＮｉ
含有量）等の金属で形成される。
ード２Ｃ、アウターリード２Ｄ、タブ吊りリード２Ｂ、
タブ２Ａの夫々は１枚のリードフレームから切断され成
型される。このリードフレームは例えばＣｕ、Ｃｕ系合
金、Ｆｅ−Ｎｉ合金（例えば４２又は５０［％］のＮｉ
含有量）等の金属で形成される。
【００３３】前記樹脂封止体６は、例えばエポキシ系樹
脂を使用し、トランスファーモールド法で成型される。
脂を使用し、トランスファーモールド法で成型される。
【００３４】前記ボンディングワイヤ５は例えばＡｕワ
イヤを使用する。Ａｕワイヤは、例えば、半導体ペレッ
ト４の外部端子４５Ｐ側へのボンディングの際に、加熱
溶融し、ボール形状を形成するとともに、熱圧着に超音
波振動を併用する、ボールボンディング法でボンディン
グされる。また、Ａｕワイヤは、熱圧着に超音波振動を
併用し、インナーリード２Ｃ側へボンディングされる。 なお、ボンディングワイヤ５はＡｕワイヤ以外にＣｕワ
イヤ、Ａｌワイヤ等を使用してもよい。
イヤを使用する。Ａｕワイヤは、例えば、半導体ペレッ
ト４の外部端子４５Ｐ側へのボンディングの際に、加熱
溶融し、ボール形状を形成するとともに、熱圧着に超音
波振動を併用する、ボールボンディング法でボンディン
グされる。また、Ａｕワイヤは、熱圧着に超音波振動を
併用し、インナーリード２Ｃ側へボンディングされる。 なお、ボンディングワイヤ５はＡｕワイヤ以外にＣｕワ
イヤ、Ａｌワイヤ等を使用してもよい。
【００３５】前記半導体ペレット４は、図１、図２（半
導体ペレットの要部平面図）及び図３（半導体ペレット
の周辺領域の要部拡大断面図）に示すように、単結晶珪
素からなる半導体基板４１を主体に構成される。この半
導体基板４１の素子形成面の中央部分には図示しないが
複数個の回路が構成される。回路は例えば図示しないバ
イポーラトランジスタ、容量素子、抵抗素子等の半導体
素子を主体に構成され、これらの回路は例えばビデオ信
号を処理する機能を構成する。
導体ペレットの要部平面図）及び図３（半導体ペレット
の周辺領域の要部拡大断面図）に示すように、単結晶珪
素からなる半導体基板４１を主体に構成される。この半
導体基板４１の素子形成面の中央部分には図示しないが
複数個の回路が構成される。回路は例えば図示しないバ
イポーラトランジスタ、容量素子、抵抗素子等の半導体
素子を主体に構成され、これらの回路は例えばビデオ信
号を処理する機能を構成する。
【００３６】半導体ペレット４は、この配線層数に限定
されないが、半導体素子間若しくは回路間を結線する配
線層を２層備えた、２層配線構造で構成される。つまり
、２層配線構造は、図１及び図３に示すように、半導体
基板４１の表面上に、層間絶縁膜４２、第１層目配線４
３、層間絶縁膜４４、第２層目配線４５、最終保護膜４
６の夫々を順次積層し構成される。
されないが、半導体素子間若しくは回路間を結線する配
線層を２層備えた、２層配線構造で構成される。つまり
、２層配線構造は、図１及び図３に示すように、半導体
基板４１の表面上に、層間絶縁膜４２、第１層目配線４
３、層間絶縁膜４４、第２層目配線４５、最終保護膜４
６の夫々を順次積層し構成される。
【００３７】前記層間絶縁膜４２は半導体基板４１の主
面に構成された半導体素子、第１層目配線４３の夫々の
間を電気的に分離する。層間絶縁膜４２は例えば酸化珪
素膜若しくはそれを主体とする複合膜で構成される。
面に構成された半導体素子、第１層目配線４３の夫々の
間を電気的に分離する。層間絶縁膜４２は例えば酸化珪
素膜若しくはそれを主体とする複合膜で構成される。
【００３８】第１層目配線４３は、層間絶縁膜４２の表
面上に延在し、この層間絶縁膜４２に形成された図示し
ない接続孔（コンタクトホール）を通して、半導体素子
例えばバイポーラトランジスタの動作領域（半導体領域
）に電気的に接続される。第１層目配線４３は例えばア
ルミニウム若しくはアルミニウム合金、又はそれを主体
とする複合膜で構成される。アルミニウム合金は、アロ
イスパイク耐性を向上するＳｉ、エレクトロマイグレー
ション耐性を向上するＣｕの少なくともいずれかが添加
されたアルミニウムである。積層膜としては、例えば、
前述のアルミニウム若しくはアルミニウム合金とＴｉＷ
、ＴｉＮ等のバリアメタル膜とが積層された膜を使用す
る。
面上に延在し、この層間絶縁膜４２に形成された図示し
ない接続孔（コンタクトホール）を通して、半導体素子
例えばバイポーラトランジスタの動作領域（半導体領域
）に電気的に接続される。第１層目配線４３は例えばア
ルミニウム若しくはアルミニウム合金、又はそれを主体
とする複合膜で構成される。アルミニウム合金は、アロ
イスパイク耐性を向上するＳｉ、エレクトロマイグレー
ション耐性を向上するＣｕの少なくともいずれかが添加
されたアルミニウムである。積層膜としては、例えば、
前述のアルミニウム若しくはアルミニウム合金とＴｉＷ
、ＴｉＮ等のバリアメタル膜とが積層された膜を使用す
る。
【００３９】層間絶縁膜４４は、第１層目配線４３、第
２層目配線４５の夫々の間を電気的に分離する。層間絶
縁膜４５は例えばポリイミド系樹脂膜等の有機膜で形成
される。ポリイミド系樹脂膜は、酸化珪素膜や窒化珪素
膜に比べて材料が安価であり、しかも１回の塗布及びベ
ーク工程で層間絶縁膜として成膜できるので、半導体ウ
エーハの製造プロセスにおいて製造コストが安価である
特徴がある。
２層目配線４５の夫々の間を電気的に分離する。層間絶
縁膜４５は例えばポリイミド系樹脂膜等の有機膜で形成
される。ポリイミド系樹脂膜は、酸化珪素膜や窒化珪素
膜に比べて材料が安価であり、しかも１回の塗布及びベ
ーク工程で層間絶縁膜として成膜できるので、半導体ウ
エーハの製造プロセスにおいて製造コストが安価である
特徴がある。
【００４０】第２層目配線４５は、層間絶縁膜４４の表
面上に延在し、この層間絶縁膜４４に形成された図示し
ない接続孔（スルーホール）を通して、第１層目配線４
３に電気的に接続される。第２層目配線４５は第１層目
配線４３と同様の材料で構成される。
面上に延在し、この層間絶縁膜４４に形成された図示し
ない接続孔（スルーホール）を通して、第１層目配線４
３に電気的に接続される。第２層目配線４５は第１層目
配線４３と同様の材料で構成される。
【００４１】最終保護膜４６は第２層目配線４５上にそ
れを被覆し構成される。この最終保護膜４６は、層間絶
縁膜４４と同様の理由に基づき例えばポリイミド系樹脂
膜で形成される。この最終保護膜４６の最外周領域は、
図１、図２及び図３に示すように、下層の層間絶縁膜４
４の最外周領域に比べて若干大きく（例えば半導体ウエ
ーハプロセスにおけるマスク合せ余裕寸法と同等かそれ
以上の寸法に）構成され、下層の層間絶縁膜４４の最外
周端を被覆する。つまり、半導体ペレット４の周辺領域
は、最終保護膜４６の最外周端と下層の層間絶縁膜４２
の周辺領域とを直接接合し、下層の層間絶縁膜４４の最
外周端と最終保護膜４６の最外周端との間の界面を最終
保護膜４６の外部に露出させず、層間絶縁膜４４の最外
周端と最終保護膜４６の最外周端との間の界面の剥離を
防止することができる。
れを被覆し構成される。この最終保護膜４６は、層間絶
縁膜４４と同様の理由に基づき例えばポリイミド系樹脂
膜で形成される。この最終保護膜４６の最外周領域は、
図１、図２及び図３に示すように、下層の層間絶縁膜４
４の最外周領域に比べて若干大きく（例えば半導体ウエ
ーハプロセスにおけるマスク合せ余裕寸法と同等かそれ
以上の寸法に）構成され、下層の層間絶縁膜４４の最外
周端を被覆する。つまり、半導体ペレット４の周辺領域
は、最終保護膜４６の最外周端と下層の層間絶縁膜４２
の周辺領域とを直接接合し、下層の層間絶縁膜４４の最
外周端と最終保護膜４６の最外周端との間の界面を最終
保護膜４６の外部に露出させず、層間絶縁膜４４の最外
周端と最終保護膜４６の最外周端との間の界面の剥離を
防止することができる。
【００４２】前記半導体ペレット４の外部端子４５Ｐは
基本的には半導体基板４１の素子形成面の周辺領域に複
数個配列される。外部端子４５Ｐは、第２層目配線４５
と同一配線層に形成され、同一材料で形成される。外部
端子４６は、その上部の最終保護膜４６に形成されたボ
ンディング開口４６Ａを通して、ボンディングワイヤ５
の一端側（ボール部分）がボンディングされる。
基本的には半導体基板４１の素子形成面の周辺領域に複
数個配列される。外部端子４５Ｐは、第２層目配線４５
と同一配線層に形成され、同一材料で形成される。外部
端子４６は、その上部の最終保護膜４６に形成されたボ
ンディング開口４６Ａを通して、ボンディングワイヤ５
の一端側（ボール部分）がボンディングされる。
【００４３】このように構成される半導体ペレット４は
、同図１、図２及び図３に示すように、半導体ペレット
４の最終保護膜４６の最外周領域（最外周端）よりも内
側に、樹脂封止体６の一部分が埋込まれる溝若しくは孔
（貫通孔）４６Ｂが構成される。この溝若しくは孔４６
Ｂは、基本的に、最終保護膜４６の最外周端と外部端子
４５Ｐとの間に配置され、この間の距離が例えば５０〜
６０［μｍ］存在する場合、同一方向における寸法が１
０〜４０［μｍ］で構成される。
、同図１、図２及び図３に示すように、半導体ペレット
４の最終保護膜４６の最外周領域（最外周端）よりも内
側に、樹脂封止体６の一部分が埋込まれる溝若しくは孔
（貫通孔）４６Ｂが構成される。この溝若しくは孔４６
Ｂは、基本的に、最終保護膜４６の最外周端と外部端子
４５Ｐとの間に配置され、この間の距離が例えば５０〜
６０［μｍ］存在する場合、同一方向における寸法が１
０〜４０［μｍ］で構成される。
【００４４】溝若しくは孔４６Ｂは、図２に示すように
、半導体ペレット４の周辺領域にこの半導体ペレット４
の辺に沿い、外部端子４５Ｐの外周の空領域（デッドス
ペース）を利用し、複数個構成される。また、溝若しく
は孔４６Ｐは、その配列方向のいくつかと一体に連結し
て構成してもよい。
、半導体ペレット４の周辺領域にこの半導体ペレット４
の辺に沿い、外部端子４５Ｐの外周の空領域（デッドス
ペース）を利用し、複数個構成される。また、溝若しく
は孔４６Ｐは、その配列方向のいくつかと一体に連結し
て構成してもよい。
【００４５】また、前記溝若しくは孔４６Ｂは、この最
終保護膜４６の周辺領域に限らず、外部端子４５Ｐの前
述以外の周囲、外部端子４５Ｐと回路（内部回路）との
間の空領域（第２層目配線４５が延在しない領域）等に
配置してもよい。
終保護膜４６の周辺領域に限らず、外部端子４５Ｐの前
述以外の周囲、外部端子４５Ｐと回路（内部回路）との
間の空領域（第２層目配線４５が延在しない領域）等に
配置してもよい。
【００４６】この溝若しくは孔４６Ｂは、図３に示すよ
うに、最終保護膜４６の表面からその膜厚の深さ方向に
樹脂封止体６の一部を食い込ませ、最終保護膜４６と樹
脂封止体６との間の界面にそれに沿って発生する剪断応
力に対する抗力を生成する突起若しくは杭として作用す
る。また、溝若しくは孔４６Ｂは、その内壁（側面及び
底面）に沿って樹脂封止体６が接触するので、最終保護
膜４６と樹脂封止体６との間の接合面積を増加できる。 さらに、溝若しくは孔４６Ｂは、同様にその内壁に沿っ
て樹脂封止体６が接触するので、半導体ペレット４の最
外周端から外部端子４５Ｐまでの間の水分の浸入経路を
短縮できる。
うに、最終保護膜４６の表面からその膜厚の深さ方向に
樹脂封止体６の一部を食い込ませ、最終保護膜４６と樹
脂封止体６との間の界面にそれに沿って発生する剪断応
力に対する抗力を生成する突起若しくは杭として作用す
る。また、溝若しくは孔４６Ｂは、その内壁（側面及び
底面）に沿って樹脂封止体６が接触するので、最終保護
膜４６と樹脂封止体６との間の接合面積を増加できる。 さらに、溝若しくは孔４６Ｂは、同様にその内壁に沿っ
て樹脂封止体６が接触するので、半導体ペレット４の最
外周端から外部端子４５Ｐまでの間の水分の浸入経路を
短縮できる。
【００４７】前記溝若しくは孔４６Ｂは、半導体ウエー
ハプロセスにおいて、最終保護膜４６にボンディング開
口４６Ａを形成する工程と同一工程で形成される。つま
り、溝若しくは孔４６Ｂを形成する工程は、ボンディン
グ開口４６Ａを形成する工程に組込まれ、半導体ウエー
ハプロセスの増加を生じない。
ハプロセスにおいて、最終保護膜４６にボンディング開
口４６Ａを形成する工程と同一工程で形成される。つま
り、溝若しくは孔４６Ｂを形成する工程は、ボンディン
グ開口４６Ａを形成する工程に組込まれ、半導体ウエー
ハプロセスの増加を生じない。
【００４８】このように、素子形成面を最終保護膜４６
で被覆する半導体ペレット４が樹脂封止体６で封止され
る樹脂封止型半導体装置１において、前記半導体ペレッ
ト４の最終保護膜４６の周辺の領域であってこの最終保
護膜４６の最外周囲よりも内側の領域に、前記樹脂封止
体６が埋込まれる溝若しくは孔４６Ｂを構成する。この
構成により、前記半導体ペレット４の最終保護膜４６の
周辺領域において、前記最終保護膜４６の溝又は孔４６
Ｂ内に樹脂封止体６の一部を食い込ませ、最終保護膜４
６と樹脂封止体６との間の線膨張係数差に基づき発生す
る剪断応力に対する抗力を生成できるので、前記最終保
護膜４６と樹脂封止体６との間の剥離を防止できる。ま
た、前記半導体ペレット４の最終保護膜４６の周辺領域
において、前記最終保護膜４６の溝又は孔４６Ｐの内壁
に樹脂封止体６が沿う分、この最終保護膜４６Ｐと樹脂
封止体６との間の接着面積を増加できるので、前記最終
保護膜４６と樹脂封止体６との間の剥離を防止できる。 また、前記半導体ペレット４の最終保護膜４６の周辺領
域において、前記最終保護膜４６の溝又は孔４６Ｂの内
壁に樹脂封止体６が沿う分、この最終保護膜４６と樹脂
封止体６との間の界面に発生する水分の浸入の経路を長
くできる。この結果、前記半導体ペレット４の最外周領
域からその内側、特に半導体ペレット４の素子形成面の
周辺領域に配置された外部端子４５Ｐまでの間の水分の
浸入経路を遮断し若しくは水分の浸入を抑え、外部端子
４５Ｐ若しくはその近傍に延在する第２層目配線４５の
腐食を防止し、樹脂封止型半導体装置１の耐湿性を向上
できる。
で被覆する半導体ペレット４が樹脂封止体６で封止され
る樹脂封止型半導体装置１において、前記半導体ペレッ
ト４の最終保護膜４６の周辺の領域であってこの最終保
護膜４６の最外周囲よりも内側の領域に、前記樹脂封止
体６が埋込まれる溝若しくは孔４６Ｂを構成する。この
構成により、前記半導体ペレット４の最終保護膜４６の
周辺領域において、前記最終保護膜４６の溝又は孔４６
Ｂ内に樹脂封止体６の一部を食い込ませ、最終保護膜４
６と樹脂封止体６との間の線膨張係数差に基づき発生す
る剪断応力に対する抗力を生成できるので、前記最終保
護膜４６と樹脂封止体６との間の剥離を防止できる。ま
た、前記半導体ペレット４の最終保護膜４６の周辺領域
において、前記最終保護膜４６の溝又は孔４６Ｐの内壁
に樹脂封止体６が沿う分、この最終保護膜４６Ｐと樹脂
封止体６との間の接着面積を増加できるので、前記最終
保護膜４６と樹脂封止体６との間の剥離を防止できる。 また、前記半導体ペレット４の最終保護膜４６の周辺領
域において、前記最終保護膜４６の溝又は孔４６Ｂの内
壁に樹脂封止体６が沿う分、この最終保護膜４６と樹脂
封止体６との間の界面に発生する水分の浸入の経路を長
くできる。この結果、前記半導体ペレット４の最外周領
域からその内側、特に半導体ペレット４の素子形成面の
周辺領域に配置された外部端子４５Ｐまでの間の水分の
浸入経路を遮断し若しくは水分の浸入を抑え、外部端子
４５Ｐ若しくはその近傍に延在する第２層目配線４５の
腐食を防止し、樹脂封止型半導体装置１の耐湿性を向上
できる。
【００４９】また、前記最終保護膜４６の周辺の領域の
溝若しくは孔４６Ｐは前記最終保護膜４６に形成される
ボンディング開口４６Ａを形成する工程において形成さ
れる。この構成により、最終保護膜４６にボンディング
開口４６Ａを形成する工程で溝若しくは孔４６Ｂを形成
できるので、この溝若しくは孔４６Ｂを形成する工程に
相当する分、樹脂封止型半導体装置１の製造プロセス（
半導体ウエーハの製造プロセス）の工程数を削減できる
。
溝若しくは孔４６Ｐは前記最終保護膜４６に形成される
ボンディング開口４６Ａを形成する工程において形成さ
れる。この構成により、最終保護膜４６にボンディング
開口４６Ａを形成する工程で溝若しくは孔４６Ｂを形成
できるので、この溝若しくは孔４６Ｂを形成する工程に
相当する分、樹脂封止型半導体装置１の製造プロセス（
半導体ウエーハの製造プロセス）の工程数を削減できる
。
【００５０】（実 施 例 ２）本実施例２は、前記樹
脂封止型半導体装置の半導体ペレットの最終保護膜に形
成される溝若しくは孔の形状を変えた、本発明の第２実
施例である。
脂封止型半導体装置の半導体ペレットの最終保護膜に形
成される溝若しくは孔の形状を変えた、本発明の第２実
施例である。
【００５１】本発明の実施例２である民生用リニアＩＣ
を構成する、ＱＦＩ構造を採用する樹脂封止型半導体装
置の半導体ペレットの構成を図４（要部拡大断面図）、
図５（要部拡大断面図）の夫々に示す。
を構成する、ＱＦＩ構造を採用する樹脂封止型半導体装
置の半導体ペレットの構成を図４（要部拡大断面図）、
図５（要部拡大断面図）の夫々に示す。
【００５２】図４に示す樹脂封止型半導体装置１の半導
体ペレット４は、最終保護膜４６下の層間絶縁膜４４の
周辺の領域であってこの層間絶縁膜４４の最外周囲より
も内側の領域に、最終保護膜４６が埋込まれかつこの最
終保護膜４６が埋込まれた表面に溝若しくは孔が形成さ
れる溝若しくは孔４４Ｂを構成する。この溝若しくは孔
４４Ｂは、第１層目配線４３と第２層目配線４５とを接
続する接続孔を形成する工程と同一工程で形成される。 このように構成される樹脂封止型半導体装置１は前述の
実施例１の樹脂封止型半導体装置１と実質的に同様の効
果を得られる。
体ペレット４は、最終保護膜４６下の層間絶縁膜４４の
周辺の領域であってこの層間絶縁膜４４の最外周囲より
も内側の領域に、最終保護膜４６が埋込まれかつこの最
終保護膜４６が埋込まれた表面に溝若しくは孔が形成さ
れる溝若しくは孔４４Ｂを構成する。この溝若しくは孔
４４Ｂは、第１層目配線４３と第２層目配線４５とを接
続する接続孔を形成する工程と同一工程で形成される。 このように構成される樹脂封止型半導体装置１は前述の
実施例１の樹脂封止型半導体装置１と実質的に同様の効
果を得られる。
【００５３】図５に示す樹脂封止型半導体装置１の半導
体ペレット４は、最終保護膜４６、層間絶縁膜４４の夫
々の周辺の領域であってこの最終保護膜４６、層間絶縁
膜４４の夫々の最外周囲よりも内側の領域に、前記樹脂
封止体６が埋込まれる溝若しくは孔４６Ｂ及び４４Ｂを
構成する。このように構成される樹脂封止型半導体装置
１は、同様に、前述の実施例１の樹脂封止型半導体装置
１と同様の効果を得られる。
体ペレット４は、最終保護膜４６、層間絶縁膜４４の夫
々の周辺の領域であってこの最終保護膜４６、層間絶縁
膜４４の夫々の最外周囲よりも内側の領域に、前記樹脂
封止体６が埋込まれる溝若しくは孔４６Ｂ及び４４Ｂを
構成する。このように構成される樹脂封止型半導体装置
１は、同様に、前述の実施例１の樹脂封止型半導体装置
１と同様の効果を得られる。
【００５４】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論である
。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論である
。
【００５５】例えば、本発明は、前記樹脂封止型半導体
装置１の半導体ペレット４の層間絶縁膜４４、最終保護
膜４６の夫々を酸化珪素膜若しくは窒化珪素膜の単層、
或いはそれらの複合膜等、無機膜で構成してもよい。
装置１の半導体ペレット４の層間絶縁膜４４、最終保護
膜４６の夫々を酸化珪素膜若しくは窒化珪素膜の単層、
或いはそれらの複合膜等、無機膜で構成してもよい。
【００５６】また、本発明は、前記樹脂封止型半導体装
置１の半導体ペレット４に単層構造の配線構造若しくは
３層以上の多層配線構造を採用した場合にも適用できる
。
置１の半導体ペレット４に単層構造の配線構造若しくは
３層以上の多層配線構造を採用した場合にも適用できる
。
【００５７】また、本発明は、ＳＯＰ構造、ＭＳＰ構造
、ＴＡＢ構造等、いずれかの樹脂封止型半導体装置にも
適用できる。
、ＴＡＢ構造等、いずれかの樹脂封止型半導体装置にも
適用できる。
【００５８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００５９】樹脂封止型半導体装置において、半導体ペ
レットの周辺領域と樹脂封止体との間の剥離を防止でき
る。
レットの周辺領域と樹脂封止体との間の剥離を防止でき
る。
【００６０】樹脂封止型半導体装置において、耐湿性を
向上できる。
向上できる。
【００６１】樹脂封止型半導体装置において、製造プロ
セスの簡略化を図れる。
セスの簡略化を図れる。
【図１】本発明の実施例１である民生用リニアＩＣを構
成する、ＱＦＩ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の
要部断面図。
成する、ＱＦＩ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の
要部断面図。
【図２】前記樹脂封止型半導体装置に搭載される半導体
ペレットの要部平面図。
ペレットの要部平面図。
【図３】前記半導体ペレットの周辺領域の要部拡大断面
図。
図。
【図４】本発明の実施例２であるＱＦＩ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置に搭載される半導体ペレットの要
部拡大断面図。
樹脂封止型半導体装置に搭載される半導体ペレットの要
部拡大断面図。
【図５】前述の他の樹脂封止型半導体装置の半導体ペレ
ットの要部拡大断面図。
ットの要部拡大断面図。
１…樹脂封止型半導体装置、２Ｂ〜２Ｄ…リード、２Ａ
…タブ、４…半導体ペレット、５…ボンディングワイヤ
、６…樹脂封止体、４１…半導体基板、４２，４４…層
間絶縁膜、４３，４５…配線、４６…最終保護膜、４６
Ａ…ボンディング開口、４６Ｂ，４４Ｂ…溝若しくは孔
。
…タブ、４…半導体ペレット、５…ボンディングワイヤ
、６…樹脂封止体、４１…半導体基板、４２，４４…層
間絶縁膜、４３，４５…配線、４６…最終保護膜、４６
Ａ…ボンディング開口、４６Ｂ，４４Ｂ…溝若しくは孔
。
Claims (4)
- 【請求項１】 素子形成面を最終保護膜で被覆する半
導体ペレットが樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導
体装置において、前記半導体ペレットの最終保護膜の周
辺の領域であってこの最終保護膜の最外周囲よりも内側
の領域に、前記樹脂封止体が埋込まれる溝若しくは孔を
構成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 素子形成面を配線層間の層間絶縁膜を
介在して最終保護膜で被覆する半導体ペレットが樹脂封
止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前記
半導体ペレットの最終保護膜下の層間絶縁膜の周辺の領
域であってこの層間絶縁膜の最外周囲よりも内側の領域
に、前記最終保護膜が埋込まれかつこの最終保護膜が埋
込まれた表面に溝若しくは孔が形成される溝若しくは孔
を構成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 素子形成面を配線層間の層間絶縁膜を
介在して最終保護膜で被覆する半導体ペレットが樹脂封
止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前記
半導体ペレットの最終保護膜、層間絶縁膜の夫々の周辺
の領域であってこの最終保護膜、層間絶縁膜の夫々の最
外周囲よりも内側の領域に、前記樹脂封止体が埋込まれ
る溝若しくは孔を構成したことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項４】 前記最終保護膜の周辺の領域の溝若し
くは孔は前記最終保護膜に形成されるボンディング開口
を形成する工程において形成されることを特徴とする請
求項１又は請求項３に記載の、又は前記層間絶縁膜の周
辺の領域の溝若しくは孔は層間絶縁膜に配線層間を接続
する接続孔を形成する工程において形成されることを特
徴とする請求項２又は請求項３に記載のいずれかの樹脂
封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048019A JPH04283950A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048019A JPH04283950A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04283950A true JPH04283950A (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=12791601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3048019A Pending JPH04283950A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04283950A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007329396A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置、その製造方法及びその実装方法 |
| JP2014116333A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3048019A patent/JPH04283950A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007329396A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置、その製造方法及びその実装方法 |
| US7863745B2 (en) | 2006-06-09 | 2011-01-04 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, and mounting method of the semiconductor device |
| JP2014116333A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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