JPH0682827B2 - ハイブリツド回路素子 - Google Patents
ハイブリツド回路素子Info
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- JPH0682827B2 JPH0682827B2 JP61164198A JP16419886A JPH0682827B2 JP H0682827 B2 JPH0682827 B2 JP H0682827B2 JP 61164198 A JP61164198 A JP 61164198A JP 16419886 A JP16419886 A JP 16419886A JP H0682827 B2 JPH0682827 B2 JP H0682827B2
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- Japan
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- circuit
- bioelectric
- electron transfer
- electrodes
- elements
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- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
- G11C13/0019—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material comprising bio-molecules
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
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- G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、生体材料を用いて形成された各種生物電気
素子を含むハイブリッド回路素子に関するものである。
素子を含むハイブリッド回路素子に関するものである。
従来、集積回路に用いられている整流素子としては、第
７図に示すMOS構造のものがあった。図において、11は
ｐ形シリコン基板、12はｎ形領域、13はｐ形領域、14は
ｎ形領域、15はSiO2膜、16,17は電極であり、これら２
つの電極16,17間でｐ−ｎ接合（ｐ形領域13−ｎ形領域1
4接合）が形成され、これにより整流特性が実現されて
いる。
７図に示すMOS構造のものがあった。図において、11は
ｐ形シリコン基板、12はｎ形領域、13はｐ形領域、14は
ｎ形領域、15はSiO2膜、16,17は電極であり、これら２
つの電極16,17間でｐ−ｎ接合（ｐ形領域13−ｎ形領域1
4接合）が形成され、これにより整流特性が実現されて
いる。
従来のMOS構造の整流素子は以上のように構成されてい
るため、微細加工が可能であり、現在では上記構造の整
流素子あるいはこれに類似する構造のトランジスタ素子
を用いたLSIとして256KビットLSIが実用化されている。
るため、微細加工が可能であり、現在では上記構造の整
流素子あるいはこれに類似する構造のトランジスタ素子
を用いたLSIとして256KビットLSIが実用化されている。
ところで、集積回路のメモリ容量と演算速度を上昇させ
るには、素子そのものの微細化が不可決であるが、Siを
用いる素子では0.2μｍ程度の超微細パターンで電子の
平均自由行程と素子サイズとがほぼ等しくなり、素子の
独立性が保たれなるなるという限界を抱えている。この
ように、日々発展を続けているシリコンテクノロジー
も、微細化の点ではいずれは壁に突きあたることが予想
され、新しい原理に基づく電気回路素子であって上記0.
2μｍの壁を破ることのできるものが求められている。
るには、素子そのものの微細化が不可決であるが、Siを
用いる素子では0.2μｍ程度の超微細パターンで電子の
平均自由行程と素子サイズとがほぼ等しくなり、素子の
独立性が保たれなるなるという限界を抱えている。この
ように、日々発展を続けているシリコンテクノロジー
も、微細化の点ではいずれは壁に突きあたることが予想
され、新しい原理に基づく電気回路素子であって上記0.
2μｍの壁を破ることのできるものが求められている。
このような状況において本件発明者らは生体内に存在す
る電子伝達蛋白質を用い、そのレドックス電位の違いを
利用してp,n型半導体を用いたｐ−ｎ接合と類似した整
流特性を呈する整流素子，及びｐ−ｎ−ｐ接合トランジ
スタと類似したトランジスタ特性を呈するトランジスタ
素子を開発した。そしてこれにより素子サイズを生体分
子レベルの超微細な大きさとし、回路の高密度化，高速
化を可能としている。
る電子伝達蛋白質を用い、そのレドックス電位の違いを
利用してp,n型半導体を用いたｐ−ｎ接合と類似した整
流特性を呈する整流素子，及びｐ−ｎ−ｐ接合トランジ
スタと類似したトランジスタ特性を呈するトランジスタ
素子を開発した。そしてこれにより素子サイズを生体分
子レベルの超微細な大きさとし、回路の高密度化，高速
化を可能としている。
そしてさらにこのような素子を用いて生物電気素子回路
を構成するため、これらの素子との親和性の良い抵抗，
コンデンサ等の素子を開発したが、次にはこれらを用い
て回路をいかに構成するかが問題となり、これについて
はこれら生体材料を用いた生物電気素子と従来からの半
導体素子とを両方用いて回路を構成することも可能であ
ると考えられる。
を構成するため、これらの素子との親和性の良い抵抗，
コンデンサ等の素子を開発したが、次にはこれらを用い
て回路をいかに構成するかが問題となり、これについて
はこれら生体材料を用いた生物電気素子と従来からの半
導体素子とを両方用いて回路を構成することも可能であ
ると考えられる。
この発明は、かかる状況に鑑みてなされたもので、生物
電気素子と従来の半導体素子とからなるハイブリッド回
路素子を得ることを目的とする。
電気素子と従来の半導体素子とからなるハイブリッド回
路素子を得ることを目的とする。
この発明に係るハイブリッド回路素子は、電子伝達可能
な生体材料あるいは擬似生体材料を用いて構成された生
物電気素子回路と、半導体素子回路とを同一基板上にお
いて一体化し、かつ両者を配線により電気的に接続して
構成したものである。
な生体材料あるいは擬似生体材料を用いて構成された生
物電気素子回路と、半導体素子回路とを同一基板上にお
いて一体化し、かつ両者を配線により電気的に接続して
構成したものである。
この発明においては、生物電気素子回路と半導体素子回
路とを同一基板上において一体化してハイブリッド回路
素子を形成したので、上記両素子の長所を生かした回路
が得られる。
路とを同一基板上において一体化してハイブリッド回路
素子を形成したので、上記両素子の長所を生かした回路
が得られる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
まず、本発明者らが開発した生物電気素子である、整流
素子，スイッチ素子，抵抗素子，及びコンデンサ素子に
ついて説明する。
素子，スイッチ素子，抵抗素子，及びコンデンサ素子に
ついて説明する。
即ち、本発明者らが開発した整流素子は、第３図（ａ）
に示すように、異なるレドックス（酸化還元）電位を有
する２種の電子伝達蛋白質，即ち、例えばフラボドキシ
ン分子１とチトクロームｃ分子２とを接着接合して複合
体を構成し、その各分子に一対の電極4a,4bをそれぞれ
接続して構成したものである。そしてこの整流素子Ｄに
おいては、フラボドキシン１とチトクロームc2のレドッ
クス電位が第３図（ｂ）に示すように異なるため、この
両者間に電圧を印加した場合、電子は、図中実線矢印で
示すレドックス電位の負の準位から正の準位へは容易に
流れるが、逆方向（図中破線矢印方向）へは流れにくい
という整流特性を呈することとなり、これによりｎ型半
導体とｐ型半導体とを接合したｐ−ｎ接合ダイオードと
類似の整流特性を示す整流素子が得られるものである。
に示すように、異なるレドックス（酸化還元）電位を有
する２種の電子伝達蛋白質，即ち、例えばフラボドキシ
ン分子１とチトクロームｃ分子２とを接着接合して複合
体を構成し、その各分子に一対の電極4a,4bをそれぞれ
接続して構成したものである。そしてこの整流素子Ｄに
おいては、フラボドキシン１とチトクロームc2のレドッ
クス電位が第３図（ｂ）に示すように異なるため、この
両者間に電圧を印加した場合、電子は、図中実線矢印で
示すレドックス電位の負の準位から正の準位へは容易に
流れるが、逆方向（図中破線矢印方向）へは流れにくい
という整流特性を呈することとなり、これによりｎ型半
導体とｐ型半導体とを接合したｐ−ｎ接合ダイオードと
類似の整流特性を示す整流素子が得られるものである。
また、本発明者らが開発したスイッチ素子は、第４図
（ａ）に示すように、例えば上記チトクロームｃ分子２
の両側に上記フラボドキシン分子１を接着接合し、それ
ぞれに電極4c,4d,4eを接続して構成したものである。そ
して、このスイッチ素子Trにおいては、各電極4c,4d,4e
に電圧を印加しないときのレドックス電位状態は、第４
図（ｂ）に示すａの状態となり、一方、電極4eに対して
電極4cに負電圧V2を印加したとき、またあるいは該電圧
V2に加えて電極4eに対して電極4dに負電圧V1を印加した
ときのレドックス電位状態はそれぞれ第４図（ｂ）のb,
cの状態となる。そして、a,bの状態では電極4c,4eの間
に電流は流れず、ｃの状態では流れる。従って、電極4
c,4e間に電圧V2を印加した状態で、電極4d,4e間の電圧V
1をオン，オフすることにより、本素子にスイッチング
特性を持たせることができる。
（ａ）に示すように、例えば上記チトクロームｃ分子２
の両側に上記フラボドキシン分子１を接着接合し、それ
ぞれに電極4c,4d,4eを接続して構成したものである。そ
して、このスイッチ素子Trにおいては、各電極4c,4d,4e
に電圧を印加しないときのレドックス電位状態は、第４
図（ｂ）に示すａの状態となり、一方、電極4eに対して
電極4cに負電圧V2を印加したとき、またあるいは該電圧
V2に加えて電極4eに対して電極4dに負電圧V1を印加した
ときのレドックス電位状態はそれぞれ第４図（ｂ）のb,
cの状態となる。そして、a,bの状態では電極4c,4eの間
に電流は流れず、ｃの状態では流れる。従って、電極4
c,4e間に電圧V2を印加した状態で、電極4d,4e間の電圧V
1をオン，オフすることにより、本素子にスイッチング
特性を持たせることができる。
また、本発明者らが開発した抵抗素子としては、例えば
第５図に示すように、一対の電極4f,4g間に上記複合体
を複数個ここでは２個を、逆並列に配置して抵抗素子Ｒ
を構成したものがあり、この素子Ｒでは、上記複合体の
個数を変えることにより、所望の抵抗値を得ることがで
きる。
第５図に示すように、一対の電極4f,4g間に上記複合体
を複数個ここでは２個を、逆並列に配置して抵抗素子Ｒ
を構成したものがあり、この素子Ｒでは、上記複合体の
個数を変えることにより、所望の抵抗値を得ることがで
きる。
また、同じくコンデンサ素子Ｃとしては、例えば第６図
に示すように、電子伝達活性のない誘電率の高い蛋白質
分子３を誘電体として用い、これを一対の電極4h,4i間
に配置して構成したものがある。
に示すように、電子伝達活性のない誘電率の高い蛋白質
分子３を誘電体として用い、これを一対の電極4h,4i間
に配置して構成したものがある。
また、上記整流素子の実際の構成は第９図に示す通りと
なる。
なる。
即ち、第９図において、76は絶縁特性を持つ基板、77は
Ag,Au,Alなどの金属製電極で、基板76上に複数条が平行
に形成されている。78は基板76上にLB（Langmuir-Blodg
ett）法等により作成されたチトクロームｃからなる第
１電子伝達蛋白質膜、79は同じくLB法等により作成され
たフラボドキシンからなる第２電子伝達蛋白質膜で、上
記第１電子伝達蛋白質膜78に累積して接着接合されてい
る。80は複数条の平行電極77と直角方向に形成された複
数条の平行電極で、第２電子伝達蛋白質膜79上に形成さ
れている。
Ag,Au,Alなどの金属製電極で、基板76上に複数条が平行
に形成されている。78は基板76上にLB（Langmuir-Blodg
ett）法等により作成されたチトクロームｃからなる第
１電子伝達蛋白質膜、79は同じくLB法等により作成され
たフラボドキシンからなる第２電子伝達蛋白質膜で、上
記第１電子伝達蛋白質膜78に累積して接着接合されてい
る。80は複数条の平行電極77と直角方向に形成された複
数条の平行電極で、第２電子伝達蛋白質膜79上に形成さ
れている。
また上記スイッチ素子の実際の構成は第10図に示す通り
となる。
となる。
即ち、第10図において、86は絶縁特性を持つ基板、87は
Ag,Au,Alなどの金属製電極で、基板86上に複数条が平行
に形成されている。88は基板86上にLB法等により、作成
されたフラボドキシンからなる第１電子伝達蛋白質膜
で、上記複数条の電極87上に形成されている。90は上記
複数条の平行電極87と直角方向に形成された複数条の平
行電極で、上記第１電子伝達蛋白質膜88上に形成されて
いる。89は同じくLB法等により作成されたチトクローム
ｃからなる第２電子伝達蛋白質膜で、第１電子伝達蛋白
質膜88に累積して接着接合され、電極90に接合されてい
る。91は同じくLB法等により作成されたフラボドキシン
からなる第３電子伝達蛋白質膜で、上記第２電子伝達蛋
白質膜89に累積して接着接合されている。92は上記複数
条の平行電極90と直角方向に形成された複数条の平行電
極で、第３電子伝達蛋白質膜91上に形成されている。
Ag,Au,Alなどの金属製電極で、基板86上に複数条が平行
に形成されている。88は基板86上にLB法等により、作成
されたフラボドキシンからなる第１電子伝達蛋白質膜
で、上記複数条の電極87上に形成されている。90は上記
複数条の平行電極87と直角方向に形成された複数条の平
行電極で、上記第１電子伝達蛋白質膜88上に形成されて
いる。89は同じくLB法等により作成されたチトクローム
ｃからなる第２電子伝達蛋白質膜で、第１電子伝達蛋白
質膜88に累積して接着接合され、電極90に接合されてい
る。91は同じくLB法等により作成されたフラボドキシン
からなる第３電子伝達蛋白質膜で、上記第２電子伝達蛋
白質膜89に累積して接着接合されている。92は上記複数
条の平行電極90と直角方向に形成された複数条の平行電
極で、第３電子伝達蛋白質膜91上に形成されている。
そして、上記各種の素子を用い、さらに配線に全方向に
電子伝達可能な導電性蛋白質を、絶縁体に電子伝達機能
のない蛋白質を用いることにより、蛋白質分子のみを用
いたモノリシックな生物電気素子回路を構成することが
できる。
電子伝達可能な導電性蛋白質を、絶縁体に電子伝達機能
のない蛋白質を用いることにより、蛋白質分子のみを用
いたモノリシックな生物電気素子回路を構成することが
できる。
即ち、第８図（ｃ）は上記第3,4,5,6図のようにして整
流素子D1〜D4，スイッチ素子Tr1，Tr2，抵抗素子R1，R2
（R1はD1，D2からなり、R2はD3，D4からなる），コンデ
ンサ素子C1を用い、これらの間を第１図（ａ），（ｂ）
に示す回路を構成するよう、誘電率の低い蛋白質分子
（絶縁性蛋白質分子）５により絶縁しながら、全方向に
電子伝達可能な導電性蛋白質分子４を用いて配線するこ
とにより、第８図（ａ），（ｂ）の等価回路で表わされ
る回路を蛋白質のみからなるモノリシック回路素子とし
て構成したものであり、このようにして素子サイズが生
体分子レベルの超微細な大きさで高密度化，高速化の可
能な回路を得ることができる。
流素子D1〜D4，スイッチ素子Tr1，Tr2，抵抗素子R1，R2
（R1はD1，D2からなり、R2はD3，D4からなる），コンデ
ンサ素子C1を用い、これらの間を第１図（ａ），（ｂ）
に示す回路を構成するよう、誘電率の低い蛋白質分子
（絶縁性蛋白質分子）５により絶縁しながら、全方向に
電子伝達可能な導電性蛋白質分子４を用いて配線するこ
とにより、第８図（ａ），（ｂ）の等価回路で表わされ
る回路を蛋白質のみからなるモノリシック回路素子とし
て構成したものであり、このようにして素子サイズが生
体分子レベルの超微細な大きさで高密度化，高速化の可
能な回路を得ることができる。
第１図はこの発明の第１実施例によるハイブリッド回路
素子を示し、図において、１は基板、２は基板１上に形
成されたSiデバイス層、３はSiデバイス層２表面上の一
部に形成された絶縁層、４は絶縁層３上に形成された、
第８図に示したようなモノリシック生物電気素子回路で
ある。ただしこれは勿論より簡単な構成の素子であって
もよい。５は生物電気素子回路４とSiデバイス層２とを
電気的に接続するための配線である。そして本実施例で
は、Siデバイス層２上に絶縁層３を介して生物電気素子
回路４を形成し、両者を配線により電気的に接続してい
る。
素子を示し、図において、１は基板、２は基板１上に形
成されたSiデバイス層、３はSiデバイス層２表面上の一
部に形成された絶縁層、４は絶縁層３上に形成された、
第８図に示したようなモノリシック生物電気素子回路で
ある。ただしこれは勿論より簡単な構成の素子であって
もよい。５は生物電気素子回路４とSiデバイス層２とを
電気的に接続するための配線である。そして本実施例で
は、Siデバイス層２上に絶縁層３を介して生物電気素子
回路４を形成し、両者を配線により電気的に接続してい
る。
このような本実施例では、同一基板上に生物電気素子回
路とSiデバイスを組み合わせて構成したので、生物電気
素子回路の高密度，高速度の素子特性と半導体素子の特
性とを併せ持った回路を得ることができる。
路とSiデバイスを組み合わせて構成したので、生物電気
素子回路の高密度，高速度の素子特性と半導体素子の特
性とを併せ持った回路を得ることができる。
第２図はこの発明の第２実施例によるハイブリッド回路
素子を示し、図において、第１図と同一符号は同じもの
を示す。本実施例では、Siデバイス層２表面前面上に絶
縁層３を介して生物電気素子回路４を形成し、絶縁層３
を通して配線５により、両者3,4を接続し、生物電気素
子回路４とSiデバイス層２からなる多層構造を形成して
いる。
素子を示し、図において、第１図と同一符号は同じもの
を示す。本実施例では、Siデバイス層２表面前面上に絶
縁層３を介して生物電気素子回路４を形成し、絶縁層３
を通して配線５により、両者3,4を接続し、生物電気素
子回路４とSiデバイス層２からなる多層構造を形成して
いる。
本実施例では、上記第１実施例と同様、両素子の長所を
生かした回路を得ることができるとともに、該回路の集
積度を向上させることができる。
生かした回路を得ることができるとともに、該回路の集
積度を向上させることができる。
以上のようにこの発明によれば、生物電気素子回路と半
導体素子回路とからなるハイブリッド回路素子を構成し
たので、生物電気素子回路の高密度，高速度の素子特性
と半導体素子回路の特性とを併せ持った回路を構成でき
る効果がある。
導体素子回路とからなるハイブリッド回路素子を構成し
たので、生物電気素子回路の高密度，高速度の素子特性
と半導体素子回路の特性とを併せ持った回路を構成でき
る効果がある。
第１図，第２図はそれぞれこの発明の第１実施例及び第
２実施例によるハイブリッド回路素子を示す模式図、第
３図（ａ）は本発明者らが開発した整流素子の一例を示
す模式図、第３図（ｂ）はそのレドックス電位状態を示
す図、第４図は本発明者らが開発したスイッチ素子の一
例を示す模式図、第５図は本発明者らが開発した抵抗素
子の一例を示す模式図、第６図は本発明者らが開発した
コンデンサ素子の一例を示す模式図、第７図は従来のMO
S構成の整流素子の一例を示す図、第８図は本発明者ら
が開発したモノリシック生物電気素子回路を示す図、第
９図は本発明者らが開発した整流素子が組み込まれた装
置を示す模式図断面構成図、第10図は本発明者らが開発
したスイッチ素子が組み込まれた装置を示す模式的断面
構成図である。 図において、１は基板、２はSiデバイス層、３は絶縁
層、４は生物電気素子回路、５は配線である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
２実施例によるハイブリッド回路素子を示す模式図、第
３図（ａ）は本発明者らが開発した整流素子の一例を示
す模式図、第３図（ｂ）はそのレドックス電位状態を示
す図、第４図は本発明者らが開発したスイッチ素子の一
例を示す模式図、第５図は本発明者らが開発した抵抗素
子の一例を示す模式図、第６図は本発明者らが開発した
コンデンサ素子の一例を示す模式図、第７図は従来のMO
S構成の整流素子の一例を示す図、第８図は本発明者ら
が開発したモノリシック生物電気素子回路を示す図、第
９図は本発明者らが開発した整流素子が組み込まれた装
置を示す模式図断面構成図、第10図は本発明者らが開発
したスイッチ素子が組み込まれた装置を示す模式的断面
構成図である。 図において、１は基板、２はSiデバイス層、３は絶縁
層、４は生物電気素子回路、５は配線である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】電子伝達可能な生体材料あるいは擬似生体
材料を用いて構成された生物電気素子回路と、半導体素
子回路とを一体化し、かつ両者を配線により電気的に接
続してなることを特徴とするハイブリッド回路素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164198A JPH0682827B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | ハイブリツド回路素子 |
| DE19873722941 DE3722941A1 (de) | 1986-07-11 | 1987-07-10 | Hybridschaltkreiselement und verfahren zu seiner herstellung |
| US07/072,305 US4902555A (en) | 1986-07-11 | 1987-07-13 | Hybrid circuit element and method of manufacturing the same |
| US07/370,940 US5011786A (en) | 1986-07-11 | 1989-06-23 | Method of manufacturing a hybrid circuit element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164198A JPH0682827B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | ハイブリツド回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6319865A JPS6319865A (ja) | 1988-01-27 |
| JPH0682827B2 true JPH0682827B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=15788538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61164198A Expired - Lifetime JPH0682827B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | ハイブリツド回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682827B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4103064A (en) * | 1976-01-09 | 1978-07-25 | Dios, Inc. | Microdevice substrate and method for making micropattern devices |
| JPS61141883A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Ajinomoto Co Inc | 導電性タンパクで被覆した機能性素子 |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61164198A patent/JPH0682827B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6319865A (ja) | 1988-01-27 |
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