JPH0677663A - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板の製造方法Info
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- JPH0677663A JPH0677663A JP23040892A JP23040892A JPH0677663A JP H0677663 A JPH0677663 A JP H0677663A JP 23040892 A JP23040892 A JP 23040892A JP 23040892 A JP23040892 A JP 23040892A JP H0677663 A JPH0677663 A JP H0677663A
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- Japan
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- hole
- ivh
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- layer pattern
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Abstract
(57)【要約】
【目的】インタスティシャルバイアホールに金メッキ層
を形成する際に必要な金メッキリードの数を減らして、
回路パターン設計の自由度を大きくするとともに、多層
板の高密度化を図る。 【構成】各一組のインタスティシャルバイアホール（Ｉ
ＶＨ）間のプリプレグ４に穴あけ加工を行った後、メッ
キ処理により各一組のＩＶＨ６を穴７のメッキ層を介し
て電気的に接続する。各一組のＩＶＨ６の一方に接続さ
れた外層パターン９からメッキリードを引き出し、金メ
ッキを施す。その後、ＩＶＨ６の内側のプリプレグ４に
穴７より大径でＩＶＨ６より小径のドリルで穴あけ加工
を施してＩＶＨ６を接続しているメッキリードを除去す
る。
を形成する際に必要な金メッキリードの数を減らして、
回路パターン設計の自由度を大きくするとともに、多層
板の高密度化を図る。 【構成】各一組のインタスティシャルバイアホール（Ｉ
ＶＨ）間のプリプレグ４に穴あけ加工を行った後、メッ
キ処理により各一組のＩＶＨ６を穴７のメッキ層を介し
て電気的に接続する。各一組のＩＶＨ６の一方に接続さ
れた外層パターン９からメッキリードを引き出し、金メ
ッキを施す。その後、ＩＶＨ６の内側のプリプレグ４に
穴７より大径でＩＶＨ６より小径のドリルで穴あけ加工
を施してＩＶＨ６を接続しているメッキリードを除去す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層プリント配線板の
製造方法に係り、詳しくは、外層パターンと内層パター
ンとを電気的に接続するインタスティシャルバイアホー
ルの形成方法に特徴を有する多層プリント配線板の製造
方法に関するものである。
製造方法に係り、詳しくは、外層パターンと内層パター
ンとを電気的に接続するインタスティシャルバイアホー
ルの形成方法に特徴を有する多層プリント配線板の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高密度実装化
及び高性能化（高速化）に伴い、配線板自体の高密度化
すなわち導体パターンの細線化、バイアホールの小径
化、ランド径の小径化及び配線板の多層化が行われてい
る。
及び高性能化（高速化）に伴い、配線板自体の高密度化
すなわち導体パターンの細線化、バイアホールの小径
化、ランド径の小径化及び配線板の多層化が行われてい
る。
【０００３】この配線板を４層以上に多層化するにあた
り、多層板を貫通するスルーホールあるいはバイアホー
ルの他に、多層板の内層パターン間又は、内層パターン
と外層パターンとを接続するインタスティシャルバイア
ホール（以下、ＩＶＨという。）が必要となる。そし
て、外層パターンと内層パターンとを接続するＩＶＨを
形成する場合、図３〜図４に示す手順により行われてい
る。
り、多層板を貫通するスルーホールあるいはバイアホー
ルの他に、多層板の内層パターン間又は、内層パターン
と外層パターンとを接続するインタスティシャルバイア
ホール（以下、ＩＶＨという。）が必要となる。そし
て、外層パターンと内層パターンとを接続するＩＶＨを
形成する場合、図３〜図４に示す手順により行われてい
る。
【０００４】すなわち、銅張り積層板からなる基板４１
にＩＶＨ用の穴あけを行った後、パネルメッキを施すと
ともに内層となる面のパターン形成を行ってバイアホー
ル４２ａ及び、内層パターン４２を形成する（図３）。
次に、基板４１とプリプレグ４３とを積層し、プレス装
置により加熱プレス成形して多層基板４４を形成する
（図４（ａ））。続いて、多層基板４４の両面にパネル
銅メッキを施して銅メッキ層４５を形成してＩＶＨ４６
を形成する（図４（ｂ））。さらに、その銅メッキ層４
５にエッチング処理を行って外層パターン４７を形成す
るとともに、ＩＶＨ４６に対応する外層パターン４７か
らメッキリード（図示せず）を引き出す（図４
（ｃ））。そして、多層基板４４の表面にソルダーレジ
スト（図示せず）を塗布した後、電解金メッキを行う。
すると、外層パターン４７及びＩＶＨ４６の表面に金メ
ッキ層４８が形成される（図４（ｄ））。
にＩＶＨ用の穴あけを行った後、パネルメッキを施すと
ともに内層となる面のパターン形成を行ってバイアホー
ル４２ａ及び、内層パターン４２を形成する（図３）。
次に、基板４１とプリプレグ４３とを積層し、プレス装
置により加熱プレス成形して多層基板４４を形成する
（図４（ａ））。続いて、多層基板４４の両面にパネル
銅メッキを施して銅メッキ層４５を形成してＩＶＨ４６
を形成する（図４（ｂ））。さらに、その銅メッキ層４
５にエッチング処理を行って外層パターン４７を形成す
るとともに、ＩＶＨ４６に対応する外層パターン４７か
らメッキリード（図示せず）を引き出す（図４
（ｃ））。そして、多層基板４４の表面にソルダーレジ
スト（図示せず）を塗布した後、電解金メッキを行う。
すると、外層パターン４７及びＩＶＨ４６の表面に金メ
ッキ層４８が形成される（図４（ｄ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記した方
法によりＩＶＨ４６に金メッキ層４８を形成する場合、
各ＩＶＨ４６毎に金メッキリードがそれぞれ必要とな
る。従って、外層パターン４７を設計する場合、多数の
金メッキリードの引出しを考慮しながら設計しなければ
ならず、設計の自由度が小さくなるとともに、多層プリ
ント配線板の高密度化の障害となるという問題がある。
法によりＩＶＨ４６に金メッキ層４８を形成する場合、
各ＩＶＨ４６毎に金メッキリードがそれぞれ必要とな
る。従って、外層パターン４７を設計する場合、多数の
金メッキリードの引出しを考慮しながら設計しなければ
ならず、設計の自由度が小さくなるとともに、多層プリ
ント配線板の高密度化の障害となるという問題がある。
【０００６】本発明は前記の問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、ＩＶＨに金メッキ層を形成する
際に必要な金メッキリードの数を減らすことができ、回
路パターン設計の自由度が大きくなって、多層板の高密
度化を図ることができる多層プリント配線板の製造方法
を提供することにある。
のであり、その目的は、ＩＶＨに金メッキ層を形成する
際に必要な金メッキリードの数を減らすことができ、回
路パターン設計の自由度が大きくなって、多層板の高密
度化を図ることができる多層プリント配線板の製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明では、プリント配線板の厚さ方向の同一位置に
外層パターンと内層パターンとを接続するインタスティ
シャルバイアホールを有する多層プリント配線板の製造
方法において、インタスティシャルバイアホールとなる
バイアホールで外層側導体と電気的に接続された内層パ
ターンを形成した二枚の基材を、前記バイアホールの中
心が一致し、かつ層間絶縁材が存在する状態で積層し、
次に、前記各一組のインタスティシャルバイアホール間
の層間絶縁材に前記インタスティシャルバイアホールの
穴径よりも小径の穴あけ加工を施した後、メッキ処理に
より前記各一組のインタスティシャルバイアホールを電
気的に接続するとともに、各一組のインタスティシャル
バイアホールの一方のバイアホール又は、該バイアホー
ルに接続する外層パターンからメッキリードを引き出
し、次に、電解金メッキを行って各バイアホールに金メ
ッキ層を形成した後、インタスティシャルバイアホール
の中心に前記層間絶縁材に形成された穴径よりも大径
で、インタスティシャルバイアホールの穴径よりも小径
のドリルにより穴あけ加工を施すようにしている。
め本発明では、プリント配線板の厚さ方向の同一位置に
外層パターンと内層パターンとを接続するインタスティ
シャルバイアホールを有する多層プリント配線板の製造
方法において、インタスティシャルバイアホールとなる
バイアホールで外層側導体と電気的に接続された内層パ
ターンを形成した二枚の基材を、前記バイアホールの中
心が一致し、かつ層間絶縁材が存在する状態で積層し、
次に、前記各一組のインタスティシャルバイアホール間
の層間絶縁材に前記インタスティシャルバイアホールの
穴径よりも小径の穴あけ加工を施した後、メッキ処理に
より前記各一組のインタスティシャルバイアホールを電
気的に接続するとともに、各一組のインタスティシャル
バイアホールの一方のバイアホール又は、該バイアホー
ルに接続する外層パターンからメッキリードを引き出
し、次に、電解金メッキを行って各バイアホールに金メ
ッキ層を形成した後、インタスティシャルバイアホール
の中心に前記層間絶縁材に形成された穴径よりも大径
で、インタスティシャルバイアホールの穴径よりも小径
のドリルにより穴あけ加工を施すようにしている。
【０００８】
【作用】本発明の方法では、各一組のインタスティシャ
ルバイアホール間の層間絶縁材に穴あけ加工が行われた
後、メッキ処理により各一組のバイアホールが電気的に
接続される。そして、各一組のインタスティシャルバイ
アホールの一方のバイアホール又は、バイアホールに接
続する外層パターンからメッキリードが引き出されて金
メッキが施される。その後、インタスティシャルバイア
ホールの中心に前記層間絶縁材に形成された穴径よりも
大径でインタスティシャルバイアホールの穴径よりも小
径のドリルにより穴あけ加工が施される。この結果、両
インタスティシャルバイアホールを電気的に接続してい
た層間絶縁材の穴の内壁のメッキリードが除去される。
ルバイアホール間の層間絶縁材に穴あけ加工が行われた
後、メッキ処理により各一組のバイアホールが電気的に
接続される。そして、各一組のインタスティシャルバイ
アホールの一方のバイアホール又は、バイアホールに接
続する外層パターンからメッキリードが引き出されて金
メッキが施される。その後、インタスティシャルバイア
ホールの中心に前記層間絶縁材に形成された穴径よりも
大径でインタスティシャルバイアホールの穴径よりも小
径のドリルにより穴あけ加工が施される。この結果、両
インタスティシャルバイアホールを電気的に接続してい
た層間絶縁材の穴の内壁のメッキリードが除去される。
【０００９】従って、インタスティシャルバイアホール
に金メッキ層を形成する際に必要な金メッキリードの数
を減らすことができる。この結果、外層パターンの回路
パターン設計の自由度が大きくなって、多層プリント配
線板の高密度化を図ることができる。
に金メッキ層を形成する際に必要な金メッキリードの数
を減らすことができる。この結果、外層パターンの回路
パターン設計の自由度が大きくなって、多層プリント配
線板の高密度化を図ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を４層プリント配線板に具体化
した一実施例を図１，図２に従って説明する。
した一実施例を図１，図２に従って説明する。
【００１１】銅張り積層板からなる二枚の基板１にドリ
ル（図示せず）によりＩＶＨ用の穴を形成した後、パネ
ルメッキを施してバイアホール２を形成するとともに、
図１（ａ）に示すように内層パターン３を形成する。次
に、両基板１間に層間絶縁材としてのプリプレグ４を挟
み、バイアホール２が一致するように積層し、プレス装
置により加熱プレス成形し、多層基板５を形成する（図
１（ｂ））。この結果、各バイアホール２がＩＶＨ６と
なる。
ル（図示せず）によりＩＶＨ用の穴を形成した後、パネ
ルメッキを施してバイアホール２を形成するとともに、
図１（ａ）に示すように内層パターン３を形成する。次
に、両基板１間に層間絶縁材としてのプリプレグ４を挟
み、バイアホール２が一致するように積層し、プレス装
置により加熱プレス成形し、多層基板５を形成する（図
１（ｂ））。この結果、各バイアホール２がＩＶＨ６と
なる。
【００１２】次に、ＩＶＨ６の内側に存在するプリプレ
グ４にＩＶＨ６の直径よりも小径のドリル（図示せず）
により穴７を形成する（図１（ｃ））。穴７の中心はＩ
ＶＨ６の中心と一致している。
グ４にＩＶＨ６の直径よりも小径のドリル（図示せず）
により穴７を形成する（図１（ｃ））。穴７の中心はＩ
ＶＨ６の中心と一致している。
【００１３】穴あけ加工後、パネルメッキを施して多層
基板５の表面、ＩＶＨ６及び、穴７に銅メッキ層８を形
成する。（図１（ｄ））。次いで、エッチング処理を行
って外層パターン９を形成する。このとき一組のＩＶＨ
６のいずれか一方に対応する外層パターン９からメッキ
リード（図示せず）を引き出す。（図２（ａ））。この
結果、各ＩＶＨ６が電気的に接続される。
基板５の表面、ＩＶＨ６及び、穴７に銅メッキ層８を形
成する。（図１（ｄ））。次いで、エッチング処理を行
って外層パターン９を形成する。このとき一組のＩＶＨ
６のいずれか一方に対応する外層パターン９からメッキ
リード（図示せず）を引き出す。（図２（ａ））。この
結果、各ＩＶＨ６が電気的に接続される。
【００１４】次に、多層基板５の表面にソルダーレジス
ト（図示しない）を塗布した後、電解金メッキを行い銅
メッキ層８に金メッキ層１０を形成する（図２
（ｂ））。次に、穴７が形成されたプリプレグ４に穴７
の直径よりも大径で、ＩＶＨ６の直径よりも小径のドリ
ル（図示しない）により穴１１を形成する（図２
（ｃ））。
ト（図示しない）を塗布した後、電解金メッキを行い銅
メッキ層８に金メッキ層１０を形成する（図２
（ｂ））。次に、穴７が形成されたプリプレグ４に穴７
の直径よりも大径で、ＩＶＨ６の直径よりも小径のドリ
ル（図示しない）により穴１１を形成する（図２
（ｃ））。
【００１５】このときの穴１１の中心はＩＶＨ６の中心
と一致している。そして、この穴１１が形成される際、
穴７に形成された銅メッキ層８及び金メッキ層１０が除
去される。その結果、両ＩＶＨ６は電気的に切り離され
た状態となる。
と一致している。そして、この穴１１が形成される際、
穴７に形成された銅メッキ層８及び金メッキ層１０が除
去される。その結果、両ＩＶＨ６は電気的に切り離され
た状態となる。
【００１６】前記のように一組のＩＶＨ６に金メッキを
施すのに必要な金メッキリードの数が一本でよい。従っ
て、金メッキ層を形成する際に必要な金メッキリードの
数を減らすことができる。この結果、外層パターンの回
路パターン設計の自由度が大きくなって、多層プリント
配線板の高密度化を図ることができる。
施すのに必要な金メッキリードの数が一本でよい。従っ
て、金メッキ層を形成する際に必要な金メッキリードの
数を減らすことができる。この結果、外層パターンの回
路パターン設計の自由度が大きくなって、多層プリント
配線板の高密度化を図ることができる。
【００１７】尚、本発明は上記実施例のみに限定される
ことはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で構成の一
部を変更してもよい。 （１）上記実施例では、４層プリント配線板に具体化し
たが４層より層数の多い多層板に具体化してもよい。 （２）上記実施例では、プリプレグ４にドリル（図示せ
ず）により穴７を形成したが、レーザー装置等により穴
あけ加工を行ってもよい。 （３）上記実施例では、サブトラクティブ法により基板
１にパネルメッキを施してバイアホール２及び内層パタ
ーン３を形成したが、代わりに、アディティブ法により
形成してもよい。
ことはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で構成の一
部を変更してもよい。 （１）上記実施例では、４層プリント配線板に具体化し
たが４層より層数の多い多層板に具体化してもよい。 （２）上記実施例では、プリプレグ４にドリル（図示せ
ず）により穴７を形成したが、レーザー装置等により穴
あけ加工を行ってもよい。 （３）上記実施例では、サブトラクティブ法により基板
１にパネルメッキを施してバイアホール２及び内層パタ
ーン３を形成したが、代わりに、アディティブ法により
形成してもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
インタスティシャルバイアホールに金メッキ層を形成す
る際に必要な金メッキリードの数を減らすことができ、
回路パターン設計の自由度が大きくなって、多層板の高
密度化を図ることができるという優れた効果を奏する。
インタスティシャルバイアホールに金メッキ層を形成す
る際に必要な金メッキリードの数を減らすことができ、
回路パターン設計の自由度が大きくなって、多層板の高
密度化を図ることができるという優れた効果を奏する。
【図１】 本発明の実施例を示し、（ａ）は内層パター
ンが形成された基板を示す模式部分断面図、（ｂ）は多
層基板を形成した状態を示す模式部分断面図、（ｃ）は
プリプレグに穴あけ加工した状態を示す模式部分断面
図、（ｄ）は多層基板の表面及び穴壁に銅メッキ層を形
成した状態を示す模式部分断面図である。
ンが形成された基板を示す模式部分断面図、（ｂ）は多
層基板を形成した状態を示す模式部分断面図、（ｃ）は
プリプレグに穴あけ加工した状態を示す模式部分断面
図、（ｄ）は多層基板の表面及び穴壁に銅メッキ層を形
成した状態を示す模式部分断面図である。
【図２】同じく、（ａ）は外層パターンを形成した状態
を示す模式部分断面図、（ｂ）は銅メッキ層に金メッキ
層を形成した状態を示す模式部分断面図、（ｃ）は銅メ
ッキ層と金メッキ層が形成されたプリプレグに穴あけ加
工した状態を示す模式部分断面図である。
を示す模式部分断面図、（ｂ）は銅メッキ層に金メッキ
層を形成した状態を示す模式部分断面図、（ｃ）は銅メ
ッキ層と金メッキ層が形成されたプリプレグに穴あけ加
工した状態を示す模式部分断面図である。
【図３】従来の内層パターンが形成された基板を示す模
式部分断面図である。
式部分断面図である。
【図４】同じく、（ａ）は多層基板を形成した状態を示
す模式部分断面図、（ｂ）は多層基板の表面及び穴壁に
銅メッキ層を形成した状態を示す模式部分断面図、
（ｃ）は外層パターンを形成した状態を示す模式部分断
面図、（ｄ）は銅メッキ層に金メッキ層を形成した状態
を示す模式部分断面図である。
す模式部分断面図、（ｂ）は多層基板の表面及び穴壁に
銅メッキ層を形成した状態を示す模式部分断面図、
（ｃ）は外層パターンを形成した状態を示す模式部分断
面図、（ｄ）は銅メッキ層に金メッキ層を形成した状態
を示す模式部分断面図である。
１…基板、２…バイアホール、３…内層パターン、４…
層間絶縁材としてのプリプレグ、６…ＩＶＨ、９…外層
パターン、１０…金メッキ層
層間絶縁材としてのプリプレグ、６…ＩＶＨ、９…外層
パターン、１０…金メッキ層
Claims (1)
- 【請求項１】 プリント配線板の厚さ方向の同一位置に
外層パターンと内層パターンとを接続するインタスティ
シャルバイアホールを有する多層プリント配線板の製造
方法において、 インタスティシャルバイアホールとなるバイアホールで
外層側導体と電気的に接続された内層パターンを形成し
た二枚の基材を、前記バイアホールの中心が一致し、か
つ層間絶縁材が存在する状態で積層し、次に、前記各一
組のインタスティシャルバイアホール間の層間絶縁材に
前記インタスティシャルバイアホールの穴径よりも小径
の穴あけ加工を施した後、メッキ処理により前記各一組
のインタスティシャルバイアホールを電気的に接続する
とともに、各一組のインタスティシャルバイアホールの
一方のバイアホール又は、該バイアホールに接続する外
層パターンからメッキリードを引き出し、次に、電解金
メッキを行って各バイアホールに金メッキ層を形成した
後、インタスティシャルバイアホールの中心に前記層間
絶縁材に形成された穴径よりも大径で、インタスティシ
ャルバイアホールの穴径よりも小径のドリルにより穴あ
け加工を施すことを特徴とする多層プリント配線板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23040892A JPH0677663A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23040892A JPH0677663A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677663A true JPH0677663A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16907422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23040892A Pending JPH0677663A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677663A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990030952A (ko) * | 1997-10-07 | 1999-05-06 | 윤종용 | 금도금용 도전 라인이 인출된 인쇄회로 기판 엣지 코넥터 |
| WO2001008458A1 (fr) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | Ibiden Co., Ltd. | Structure de tableau de cablage a traversees superposees |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP23040892A patent/JPH0677663A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990030952A (ko) * | 1997-10-07 | 1999-05-06 | 윤종용 | 금도금용 도전 라인이 인출된 인쇄회로 기판 엣지 코넥터 |
| WO2001008458A1 (fr) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | Ibiden Co., Ltd. | Structure de tableau de cablage a traversees superposees |
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