JPH0677382A

JPH0677382A - リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0677382A
Application number: JP22849292A
Authority: JP
Inventors: Sumio Hokari; 澄夫穂苅; Kinshi Kako; 欣志加来; Nobuo Oshima; 伸雄大島; Takashi Saito; 隆斉藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-08-27
Filing date: 1992-08-27
Publication date: 1994-03-18
Anticipated expiration: 2016-10-02
Also published as: JP3214083B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】半導体装置がリードフレームに連結された状態
で、加工、電気的諸特性などを行う場合の位置決めを高
精度に行えるリードフレームなどを得ること。【構成】アウターリード１４の外端部は内部フレーム１
７Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤに支持されており、そして前記内部
フレームに複数の位置決め孔１９Ａ、１９Ｂ及び１９Ｃ
が形成されていて、このようなリードパターン部３０を
その外周部で強度が強い吊りリード２３と強度が弱い吊
りリード２４とで前記連結フレーム２１Ａ、２１Ｂの内
端部に連結したリードフレーム１１である。【効果】バーンイン試験工程などの時、前記強度が弱い
吊りリード２４のみでリードパターン部３０をフローテ
ィング状態に支持できるので、アウターリード１４とソ
ケット４２の電極４４の位置関係は連結フレーム２１
Ａ、２１Ｂなどの熱膨張に影響されない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置がリード
フレームに連結された状態で、加工、電気的諸特性の測
定などを行う場合の位置決めを高精度に行えるリードフ
レームに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置が微小化されるにした
がって、リードフレームのリードも狭ピッチ化、高リー
ド形状品質化が図られ、それらに伴い、生産工程内の測
定工程においては、リード部にダメージが掛からない高
精度の位置決め方法が必要になっている。

【０００３】現在、主として最終半導体装置の外形で位
置決めする方法が行われているが、前記高精度の位置決
め方法の１つの方法として、リードフレームに半導体装
置を連結した状態でリードフレームの位置決め孔を利用
して位置決めする方法が提案されている。

【０００４】この一例として、特開平２ー１３７２５２
「半導体装置用リードフレーム」を挙げることができ
る。図１１にその特許公開公報で開示されたリードフレ
ームを平面図で示した。

【０００５】このリードフレーム１は、各単一リードフ
レーム（この公報では「こま」と称している。以下、
（）内は同様）２に区切るスリット７の両側に設けた
ステー（仕切り枠）３に対応して、連結フレーム（連結
枠）４に切欠き５を設け、更に前記連結フレーム４に位
置決め孔（パイロット穴）６を設けている。

【０００６】このような一連の各単一リードフレーム２
に半導体チップを載置し、パッケージＳで封止した半製
品を形成し、そのようなリードフレーム１の前記位置決
め孔６をリードフレーム用ソケットの位置決めピンに嵌
め込み、バーンイン工程でバーンインを行うようにして
いる。

【０００７】従って、リードフレーム１とソケットの熱
膨張差による矢印Ｘ方向（リードフレーム１の長手方
向）にストレスが掛かっても、このリードフレーム１は
そのストレスをスリット７と切欠き５で挟まれた部分の
変形で吸収することができ、それ故に、ソケットと半導
体装置Ｓとの位置ずれが生じないので、アウターリード
８の変形を避けることができる、としている。なお、符
号９は吊りリードを示す。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来技術の構成では、連結フレーム４に切欠き５を設けた
ことにより、連結フレーム４自体が収縮、拡張できる形
状になっているため、リードフレームの搬送時、リード
フレーム１に変形が生じるという問題点がある。この発
明はバーンイン基板のソケット端子と半導体装置のアウ
ターリードとの位置決めを高精度で行うことができて、
かつ前記問題点を解消することができるリードフレーム
及びこれを用いた半導体装置の製造方法を得ることを課
題とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】そのため、この発明のリ
ードフレームは、リードパターンと内部フレームとから
なるリードパターン部及び連結フレームとから構成さ
れ、前記リードパターンは半導体チップを載置するダイ
パッドなど半導体チップの配置部とその外周部に配列さ
れたインナーリードと、これらインナーリードに対応し
て形成されたアウターリードとからなり、前記アウター
リードの外端部は前記内部フレームに支持されており、
そして前記内部フレームに複数の位置決め孔が形成され
ていて、このようなリードパターン部をその外周部で吊
りリードにて前記連結フレームに連結するようにした。

【００１０】また、前記第２の吊りリードは、強度が強
い吊りリードと強度が弱い吊りリードからなり、この第
２の吊りリードにて前記リードパターン部を、その外周
部で前記連結フレームの内端部にに連結するようにし
た。

【００１１】更にまた、リードフレームの配置部に半導
体チップを配置し、前記半導体チップの各電極をインナ
ーリードの内端部にワイヤボンディングをした後、前記
半導体チップ、ワイヤ、前記インナーリードの内端部な
どを樹脂で封止し、その樹脂の硬化後、前記アウターリ
ードの外端部を前記内部フレームから切離すと共に、前
記強度が強い吊りリードを除去して、前記リードパター
ン部を前記強度が弱い吊りリードのみで前記連結フレー
ムに支持した状態でバーンイン試験、最終特性測定など
を行い、その後内部フレーム及び前記連結フレームを除
去し、所望の半導体装置を得るようにした。

【００１２】そして更にまた、この発明では、前記リー
ドパターン部を前記強度が弱い吊りリードでフローティ
ング状態に支持して、前記半導体装置をバーンイン試験
及び最終特性測定などを行うようにした。

【００１３】

【作用】従って、リードパターン部に位置決め孔を形成
してあるために、熱的歪みに対して位置精度が出しやす
く、また、リードパターン部を第２の吊りリードで連結
フレームに連結しているので、リードフレームそのもの
の取扱いが従来のリードフレームと同様に取扱うことが
でき、従ってダイボンディングやワイヤボンディングな
どの加工工程は通常通り行える。そしてまた、バーンイ
ン工程では、リードパターン部を前記第２の吊りリード
の強度が弱い吊りリードだけで前記連結フレームに連結
しているので、熱的歪みが前記強度が弱い吊りリードに
吸収され、高精度で各アウターリードの位置決めを行う
ことができる。

【００１４】

【実施例】以下、この発明の実施例を図面を用いて説明
する。図１乃至図６を用いて、この発明のリードフレー
ムの第１の実施例及びそれを用いた半導体チップの樹脂
封止方法を説明する。図１はこの発明のリードフレーム
の第１の実施例を示す平面図であり、図２は図１のリー
ドフレームに半導体チップを固定し、樹脂封止した状態
を示す半導体装置の平面図であり、図３は図２に示した
半導体装置の強度が強い吊りリードを除去した状態を示
す平面図であり、図４は図１のリードフレームを用いて
半導体装置を加工する工程を示す工程図であり、図５は
図３に示したこの発明の半導体装置をバーンインするた
めのバーンイン装置を示した斜視図であり、図６は最終
特性測定での位置決め方法を示す斜視図である。

【００１５】図１に示したリードフレーム１１はＱＦＰ
型半導体装置に用いられるものであって、中央部に四角
形のダイパッド１２と、その各辺に沿って形成された複
数のインナーリード１３と、タイバー１５を介して、そ
れらのインナーリード１３に対応して形成されたアウタ
ーリード１４と、前記ダイパッド１２の各コーナー１６
Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ及び１６Ｄに形成され、前記ダイパ
ッド１２を内部フレーム１７Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤに接続し
て支持した４本の第１の吊りリード１８Ａ、１８Ｂ、８
Ｃ及び８Ｄなどから構成されている。

【００１６】このような四辺の内部フレーム１７Ａ、
Ｂ、Ｃ及びＤで囲まれた部分、つまり、一点鎖線Ｌａで
囲まれた部分の構成部分を、この発明ではリードパター
ン部３０と名付ける。

【００１７】前記のリードフレーム１１はリードパター
ン部３０にダイパッド１２が存在する形式のものとして
例示したが、近年、ダイパッドがない、所謂ダイパッド
レスのリードフレームも盛んに用いられており、この発
明のリードフレームとしてもダイパッドレスのものも対
象になり、使用できる。従って、この明細書で前記した
「半導体チップの配置部」とは、半導体チップをダイボ
ンディングする「ダイパッド」そのものを指す場合の
他、ダイパッドが無い場合は、インナーリードに囲まれ
た「半導体チップを配置する中央空間部分」をも指す。
以下の説明では、この発明のリードフレーム及びこれを
用いた半導体装置の製造方法を理解し易くするために、
「半導体チップの配置部」を単に「ダイパッド」という
表現で代表し、説明する。

【００１８】この発明では、前記のようなリードパター
ン部３０の各内部フレーム１７Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤにおけ
る吊りリード１８Ａ、１８Ｂ及び１８Ｃの延長線上のコ
ーナーに、それぞれ貫通孔の位置決め孔１９Ａ、１９Ｂ
及び１９Ｃを形成した。

【００１９】更に、この発明では、前記リードパターン
部３０の各内部フレーム１７Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの辺を両
端の連結フレーム２１Ａ、２１Ｂ及び相隣る単一リード
フレーム１１の間に設けられたステー２２Ａ、２２Ｂに
連結した。この連結するに当たっては、比較的広い幅で
強度が強い吊りリード２３と、クランク状に形成され、
比較的狭い幅で強度が弱い吊りリード２４とからなる第
２の吊りリードで連結した。

【００２０】そして、前記強度が弱い吊りリード２４は
各内部フレーム１７Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの中間部を各連結
フレーム２１Ａ、２１Ｂ及び各ステー２２Ａ、２２Ｂの
中間部の２カ所で連結し、前記強度が強い吊りリード２
３は各内部フレーム１７Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの両端部を各
連結フレーム２１Ａ、２１Ｂ及び各ステー２２Ａ、２２
Ｂの両端部の２カ所で連結するようにしている。ただ
し、符号２３ａで示した部分の強度が強い吊りリードは
樹脂注入部２５で、他の強度が強い吊りリード２３より
もさらに幅が広く形成されている。

【００２１】これらの強度が強い吊りリード２３及び強
度が弱い吊りリード２４は四隅に形成した各貫通孔２６
と内部フレーム１７Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの各辺に形成した
２種類の貫通孔２７及び２８とで形成されている。ま
た、各ステー２２Ａ、２２Ｂの外側には貫通孔からなる
セクションバー２９が形成されている。

【００２２】このようなリードパターン部３０が連結フ
レーム２１Ａ、２１Ｂなどに連結されたリードフレーム
１１は、鉄ーニッケル系合金（ニッケル４２重量パーセ
ント）や銅系合金など一枚の短冊状導電性金属板を打ち
抜き、或いはエッチングして製作される。図１では一単
位のリードフレームだけ示したが、通常、このような単
位リードフレーム１１が一枚の導電性金属板に複数単位
形成されるものである。

【００２３】このようなリードフレーム１１を用いて所
望の半導体装置の半製品（図２、以下、単に「半製品」
と記す）Ｓａを得るには、先ず、前記ダイパッド１２に
半導体チップ（図示していない）をダイボンディングし
（図４の工程１）、その半導体チップの各電極を前記イ
ンナーリード１３の内端部にワイヤボンディングした後
（図４の工程２）、前記樹脂注入部２５が成形金型（図
示していない）の樹脂注入口に相対するようにに装着す
る。そして、その樹脂注入口から溶融した樹脂を、この
リードフレーム１１のダイパッド１２及びその上に固定
した半導体チップに向けて注入し、樹脂封止を行う（図
４の工程３）。図１の２点鎖線Ｌｂで囲んだ部分が樹脂
封止される部分である。

【００２４】そして、前記リードパターン部３０は前記
強度が強い吊りリード２３で連結フレーム２１Ａ、２１
Ｂに支持されているので、これまでの各種工程での処
理、取扱いにも耐えてリードフレーム１１が変形するこ
とがない。

【００２５】このようにして図２に示した半製品Ｓａが
形成される。符号３１は硬化した封止樹脂を指す。この
半製品Ｓａは図４の次の工程４において、アウターリー
ド１４などにメッキが施される。

【００２６】次に、図４の工程５にて、そのような半製
品Ｓａのタイバー１５（図１）を切断し、アウターリー
ド１４を所定の形状に折り曲げ加工をすると共に、リー
ドパターン部３０を連結フレーム２１Ａ、２１Ｂに接続
していた強度が強い吊りリード２３及び２３ａを切断す
る。このようにして得られた半製品Ｓｂを図３に示し
た。従って、リードフレーム１１は強度が弱い吊りリー
ド２４のみで連結フレーム２１Ａ、２１Ｂやステー２２
Ａ、２２Ｂに接続されたフローティング状態になってい
る。なお、符号２０は打ち抜きによる貫通孔である。

【００２７】この単一の半製品Ｓｂが複数個、連結フレ
ーム２１Ａ、２１Ｂで連結された状態を示したリードフ
レームを図５に示した。この一連の半製品Ｓｂは、図５
に示したバーンイン基板４０に高精度で載置される。

【００２８】バーンイン基板４０は平らな基板４１と、
その上に精度良く一列に配列、固定された複数のソケッ
ト４２と、それぞれのソケット４２に対応して一体に形
成された押圧蓋４３とから構成されており、更に前記各
ソケット４２は、その中央部に、前記半製品Ｓｂの各ア
ウターリード１４と対応し、接触する電極４４と、そし
てその電極４４の対角線上に配置、固定され、前記半製
品Ｓｂの位置決め孔１９Ａ及び１９Ｃを案内、規定し、
その半製品Ｓの前記各アウターリード１４が前記ソケッ
ト４２の電極４４に正確に対応させる一対の位置決めピ
ン４５Ａ及び４５Ｃが各ソケット４２の平面に垂直に植
立している。

【００２９】前記のように、このバーンイン基板４０の
各ソケット４２の一対の位置決めピン４５Ａ及び４５Ｃ
に前記一連の各半製品Ｓｂの位置決め孔１９Ａ及び１９
Ｃをそれぞれ嵌め込んで、各半製品Ｓｂのアウターリー
ド１４を電極４４に対接させ、その後、押圧蓋４３を閉
じて半製品Ｓｂを軽く押さえる。なお、符号４６はヒン
ジ４６である。

【００３０】この状態で、図４に示した工程６に送り、
バーンイン試験を行う。この時のリードパターン部３０
が個々のソケット４２でフローティング状態になってい
るため、加熱状態になっていてもバーンイン基板４０、
ソケット４２、連結フレーム２１Ａ、２１Ｂの熱膨張差
に関係なく、ソケット４２の各電極４４と半製品Ｓｂの
アウターリード１４との正確な位置決めを実現すること
ができる。

【００３１】また、図４に示した最終特性測定の工程７
においては、図６に示したような、基板５１、位置決め
ピン５２Ａ及び５２Ｃ、電極５３からなるソケット５０
を用いて行うが、その位置決め方法は、半製品Ｓｂの位
置決め孔１９Ａ及び１９Ｃをそれぞれソケット５０の位
置決めピン５２Ａ及び５２Ｃに挿入して行われる。この
時も、リードパターン部３０がフローティング状態にな
っているため、連結フレーム２１Ａ、２１Ｂの反り、送
り精度のバラツキに影響されることなく、精度の高い位
置決めができる。

【００３２】測定、検査の後、この半製品Ｓｂを図４の
工程８の製品切離し工程に送り、前記内部フレーム１７
Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤなどを除去し、半導体装置Ｓを得る。
これらの半導体装置Ｓは、図４の工程９に送られ、製品
として梱包、出荷される。なお、前記工程５で行ったア
ウターリード１４の折り曲げ加工は前記工程７の最終特
性測定工程以降で行ってもよい。

【００３３】次に、図２に示した半製品Ｓａの変形を、
図７乃至図９に示した。図７に示した半製品Ｓａ−１が
図２の半製品Ｓａと異なる点は、強度が弱い吊りリード
２４を左右のステー２２Ａ、２２Ｂ側のみに設けたこと
で、他は図２の半製品Ｓａと同一である。

【００３４】図８に示した半製品Ｓａ−２が図２の半製
品Ｓａと異なる点は、強度が弱い吊りリード２４を図の
上下の連結フレーム２１Ａ、２１Ｂ側のみに設けたこと
で、他は図２の半製品Ｓａと同一である。だだし、これ
らの強度が弱い吊りリード２４の形状は図２のものと異
なり、エの字型の形状に形成されている。この強度が弱
い吊りリード２４の形状はこのようにどのようにでも構
成でき、要はリードパターン部３０をフローティング状
態に維持できる構造の形状であればよい。

【００３５】図９に示した半製品Ｓａ−３が図２の半製
品Ｓａと異なる点は、位置決め孔１９Ｂをなくし、かつ
位置決め孔１９Ａを円ではなく長円としたことで、他は
図２の半製品Ｓａと同一である。この位置決め孔１９Ａ
の長円は相対する２辺は平行で、その両者の間隔幅は前
記位置決め孔１９Ｃの直径と同一とする。このような構
造の長円とすることにより、熱膨張によりリードパター
ン部３０が僅かに膨張しても位置決め孔１９Ｃを中心に
して回動することなく、その対角線上で伸び、前記電極
４４とアウターリード１４との接触を損なうことがない
ようにすることはできる。

【００３６】これまで記した各実施例における各位置決
め孔１９Ａ、１９Ｂ及び１９Ｃは全て内部フレーム１７
Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤに形成されているが、これらの位置決
め孔は封止樹脂３１の一部を中空状態にし、その中のリ
ードフレームにも位置決め孔を開けて貫通させることに
より位置決めを行うこともできる。その実施例を図１０
に示した。この半製品Ｓａ−４はこの発明の第５の実施
例であって、同図Ａはその平面を、同図Ｂは同図ＡのＡ
ーＡ線上における断面を表した図である。

【００３７】この図の半製品Ｓａ−４はガードバンパ付
きパッケージの形式のもので、半導体チップやその電
極、インナーリード（いずれも図示していない）などを
封止した本体の封止樹脂３１を延長した四隅に存在する
ガードバンパ６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ及び６０Ｄで、四
辺に露出した各アウターリード１４を保護し、それらの
変形を防止する構造になっている。そして、前記のよう
に、これらのガードバンパ６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ及び
６０Ｄを構成する封止樹脂に孔を開け、かつそれらの内
部に存在する一部ダイパッド（図示していない）にも同
一の径で孔を開けて、位置決め孔６１Ａ、６１Ｂ、６１
Ｃ及び６１Ｄを構成するようにしている。

【００３８】このように構成することにより、他の実施
例と同様に、強度が強い吊りリード２３を切断し、強度
が弱い吊りリード２４のみでリードパターン部３０を両
連結フレーム２１Ａ、２１Ｂに連結するように加工する
と、そのリードパターン部３０は、連結フレーム２１
Ａ、２１Ｂの熱膨による変形が生じても、フローティン
グ状態に維持されるので、同様の作用効果を得ることが
できる。そして、単品測定での高精度な位置決めもでき
る。

【００３９】

【発明の効果】以上、説明したように、この発明のリー
ドフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法によ
れば、１．リードパターン部に位置決め孔を形成したために、
熱的歪みに対して位置精度が出しやすいこと２．リードパターン部を強度が強い吊りリードで連結フ
レームに連結しているので、リードフレームそのものの
取扱いが従来のリードフレームと同様に取扱うことがで
き、ダイボンディングやワイヤボンディングなどの加工
工程は通常通り行えること３．バーンイン試験工程では、リードパターン部を前記
強度が弱い吊りリードだけで前記連結フレームに連結し
ているので、フローティング状態にあり、従って、アウ
ターリードは連結フレームの熱的歪みの影響を受けず、
高精度で各アウターリードの位置決めを行うことができ
ること４．バーンイン試験工程において、両連結フレームに半
製品を連結した状態で、バーンイン基板上のソケットに
一括で位置決め、セットすることができこと５．最終特性測定工程において、リードフレームの反
り、測定装置のリードフレーム送り精度などの悪影響を
受けることなく、高精度に半製品を位置決め、測定する
ことができること６．バーンイン試験工程、最終特性測定工程の前工程に
おいて強度が強い吊りリードを取り除くことにより、組
立工程においては、従来通り安定したリードフレーム送
り、加工精度を得ることができることなど、優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のリードフレームの第１の実施例を示
す平面図である。

【図２】図１のリードフレームに半導体チップを固定
し、樹脂封止した状態を示す半導体装置の半製品の平面
図である。

【図３】図２に示した半導体装置の半製品の強度が強い
吊りリードを除去した状態を示す平面図である。

【図４】図１のリードフレームを用いて半導体装置を加
工する工程を示す工程図である。

【図５】図３に示したこの発明の半導体装置の半製品を
バーンインするためのバーンイン装置を示した斜視図で
ある。

【図６】最終特性工程での位置決め方法を示す斜視図で
ある。

【図７】図２に示した半製品の第２の実施例の平面図で
ある。

【図８】図２に示した半製品の第３の実施例の平面図で
ある。

【図９】図２に示した半製品の第４の実施例の平面図で
ある。

【図１０】この発明の第５の実施例である半導体装置の
半製品で、同図Ａはその平面図であり、同図Ｂは同図Ａ
のＡーＡ線上における断面図である。

【図１１】従来技術の半導体装置用リードフレームの平
面図である。

【符号の説明】

１１リードフレーム１２ダイパッド１３インナーリード１４アウターリード１５タイバー１６Ａダイパッド１２のコーナー１６Ｂダイパッド１２のコーナー１６Ｃダイパッド１２のコーナー１６Ｄダイパッド１２のコーナー１７Ａ内部フレーム１７Ｂ内部フレーム１７Ｃ内部フレーム１７Ｄ内部フレーム１８Ａ吊りリード１８Ｂ吊りリード１８Ｃ吊りリード１９補助リード１９Ａ位置決め孔１９Ｂ位置決め孔１９Ｃ位置決め孔２０貫通孔２１Ａ連結フレーム２１Ｂ連結フレーム２２Ａステー２２Ｂステー２３強度が強い吊りリード２３ａ強度が強い吊りリード２４強度が弱い吊りリード２６貫通孔２７貫通孔２８貫通孔２９セクションバー３０リードパターン部３１封止樹脂４０バーンイン基板４１基板４２ソケット４３押圧蓋４４電極４５Ａ位置決めピン４５Ｃ位置決めピン５０ソケット５１基板５２Ａ位置決めピン５２Ｃ位置決めピン５３電極６０Ａガードバンパ６０Ｂガードバンパ６０Ｃガードバンパ６０Ｄガードバンパ６１Ａ位置決め孔６１Ｂ位置決め孔６１Ｃ位置決め孔６１Ｄ位置決め孔Ｓ半導体装置Ｓａ半導体装置の半製品Ｓａ−１半導体装置の半製品Ｓａ−２半導体装置の半製品Ｓａ−３半導体装置の半製品Ｓａ−４半導体装置の半製品Ｓｂ半導体装置の半製品

【手続補正書】

【提出日】平成４年１０月２０日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１０】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斉藤隆東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】リードパターンと内部フレームとからなる
リードパターン部及び連結フレームとから構成され、前
記リードパターンは半導体チップを載置するダイパッド
など半導体チップの配置部とその外周部に配列されたイ
ンナーリードと、これらインナーリードに対応して形成
されたアウターリードとからなり、前記アウターリード
の外端部は前記内部フレームに支持されており、そして
前記内部フレームに複数の位置決め孔が形成されてい
て、このようなリードパターン部をその外周部で吊りリ
ードにて前記連結フレームに連結したことを特徴とする
リードフレーム。
【請求項２】リードパターンと内部フレームとからなる
リードパターン部及び連結フレームとから構成され、前
記リードパターンは半導体チップを載置するダイパッド
など半導体チップの配置部とその外周部に配列されたイ
ンナーリードと、これらインナーリードに対応して形成
されたアウターリードとからなり、前記アウターリード
の外端部も前記内部フレームに支持されており、そして
このようなリードパターン部をその外周部で前記内部フ
レームの内端部に強度が強い吊りリードと強度が弱い吊
りリードとで前記連結フレームに連結したことを特徴と
するリードフレーム。
【請求項３】請求項２に記載のリードフレームの配置部
に半導体チップを配置し、前記半導体チップの各電極を
インナーリードの内端部にワイヤボンディングをした
後、前記半導体チップ、ワイヤ、前記インナーリードの
内端部などを樹脂で封止し、その樹脂の硬化後、前記ア
ウターリードの外端部を前記内部フレームから切離すと
共に、前記強度が強い吊りリードを除去して、前記リー
ドパターン部を前記強度が弱い吊りリードのみで前記連
結フレームに支持した状態でバーンイン試験、最終特性
測定などを行い、その後前記内部フレーム及び前記連結
フレームを除去することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
【請求項４】請求項３に記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記アウターリードの折り曲げ加工は、前記樹
脂の硬化後、それらのアウターリードの外端部を前記内
部フレームから切り離す時に行うか、前記最終特性測定
などを行った後に行うことを特徴とする請求項４に記載
の半導体装置の製造方法。