JPH0676356A - 光記録媒体、光記録媒体用基板及び光記録媒体用基板の製造方法 - Google Patents
光記録媒体、光記録媒体用基板及び光記録媒体用基板の製造方法Info
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- JPH0676356A JPH0676356A JP5147703A JP14770393A JPH0676356A JP H0676356 A JPH0676356 A JP H0676356A JP 5147703 A JP5147703 A JP 5147703A JP 14770393 A JP14770393 A JP 14770393A JP H0676356 A JPH0676356 A JP H0676356A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録層に悪影響を与えることなくＵＶ光によ
る劣化を抑制した光記録媒体を提供することを目的とす
る。 【構成】 ポリカーボネート樹脂を含有してなる基板及
び記録層を具備してなる光記録媒体に於て、該基板が下
記式（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を有するコポ
リカーボネート樹脂を含有することを特徴とする。 【外１】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、式（ｙ）のＹ
は、アルキリデン基、アリール置換アルキレン基、アリ
ール基または−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を
示す。］
る劣化を抑制した光記録媒体を提供することを目的とす
る。 【構成】 ポリカーボネート樹脂を含有してなる基板及
び記録層を具備してなる光記録媒体に於て、該基板が下
記式（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を有するコポ
リカーボネート樹脂を含有することを特徴とする。 【外１】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、式（ｙ）のＹ
は、アルキリデン基、アリール置換アルキレン基、アリ
ール基または−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を
示す。］
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学的に情報の記録・再
生を行う光記録媒体、及びその光記録媒体に用いる光記
録媒体用基板とその製造方法に関するものである。
生を行う光記録媒体、及びその光記録媒体に用いる光記
録媒体用基板とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来光記録媒体は記録・再生を行う光、
例えば半導体レーザービー等が透過する透明な基板上に
記録層を設け、その上に必要に応じて保護層を設けるこ
とによって構成されている。
例えば半導体レーザービー等が透過する透明な基板上に
記録層を設け、その上に必要に応じて保護層を設けるこ
とによって構成されている。
【０００３】そして上記基板としては、透明性、強度に
優れ、吸湿性の低いポリカーボネート樹脂が広く用いら
れている。なお、ここでいうポリカーボネート樹脂と
は、従来より工業的に生産されてなる通常のポリカーボ
ネート樹脂、例えばビス（ヒドロキシフェニル）アルカ
ン系ポリカーボネート樹脂を指すものである。
優れ、吸湿性の低いポリカーボネート樹脂が広く用いら
れている。なお、ここでいうポリカーボネート樹脂と
は、従来より工業的に生産されてなる通常のポリカーボ
ネート樹脂、例えばビス（ヒドロキシフェニル）アルカ
ン系ポリカーボネート樹脂を指すものである。
【０００４】そしてかかるポリカーボネート樹脂からな
る光記録媒体用基板（以下基板と略す）は自然光（特に
その紫外光成分）の照射によって変色や分子量低下等の
劣化が生じ易く、かかる光劣化を防止することが要求さ
れており、そのために基板中にＵＶ吸収剤を添加してお
く技術が知られている。
る光記録媒体用基板（以下基板と略す）は自然光（特に
その紫外光成分）の照射によって変色や分子量低下等の
劣化が生じ易く、かかる光劣化を防止することが要求さ
れており、そのために基板中にＵＶ吸収剤を添加してお
く技術が知られている。
【０００５】しかし、ＵＶ吸収剤として一般的なＵＶ吸
収剤、例えば２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェニ
ル）ベンゾトリアゾールや２−［２−ヒドロキシ−３−
（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミドメチル）
−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール等を用いた
場合、この基板を用いてなる光記録媒体を高温高湿下に
長時間放置した時に記録層に好ましくない影響を与える
ことがあり、例えば記録層として有機色素を用いた場
合、その反射率を低下させ、又記録層として光磁気膜を
用いた場合、該光磁気膜に孔食を生じさせ、ビットエラ
ーレートを低下させるという問題点が有った。
収剤、例えば２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェニ
ル）ベンゾトリアゾールや２−［２−ヒドロキシ−３−
（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミドメチル）
−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール等を用いた
場合、この基板を用いてなる光記録媒体を高温高湿下に
長時間放置した時に記録層に好ましくない影響を与える
ことがあり、例えば記録層として有機色素を用いた場
合、その反射率を低下させ、又記録層として光磁気膜を
用いた場合、該光磁気膜に孔食を生じさせ、ビットエラ
ーレートを低下させるという問題点が有った。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】本発明は、上記問
題点に鑑みなされたものであって、記録層に悪影響を与
えることなくＵＶ光による劣化を抑制した光記録媒体用
ポリカーボネート基板を提供することを目的とする。
題点に鑑みなされたものであって、記録層に悪影響を与
えることなくＵＶ光による劣化を抑制した光記録媒体用
ポリカーボネート基板を提供することを目的とする。
【０００７】又、本発明は高温高湿条件下に於ても、記
録層の劣化の程度が小さく、そして又、ポリカーボネー
ト基板の劣化をも抑制してなる光記録媒体を提供するこ
とを他の目的とする。
録層の劣化の程度が小さく、そして又、ポリカーボネー
ト基板の劣化をも抑制してなる光記録媒体を提供するこ
とを他の目的とする。
【０００８】又、本発明は記録層に悪影響を与えること
なく、耐光性を向上させた光記録媒体用ポリカーボネー
ト基板を低コストで製造することのできる光記録媒体用
基板の製造方法を提供することを更に他の目的とする。
なく、耐光性を向上させた光記録媒体用ポリカーボネー
ト基板を低コストで製造することのできる光記録媒体用
基板の製造方法を提供することを更に他の目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】即ち本発明の光記録媒体
は、ポリカーボネート樹脂を含有してなる基板及び記録
層を具備してなる光記録媒体に於て、該基板が下記式
（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を有するコポリカ
ーボネート樹脂を含有することを特徴とする。
は、ポリカーボネート樹脂を含有してなる基板及び記録
層を具備してなる光記録媒体に於て、該基板が下記式
（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を有するコポリカ
ーボネート樹脂を含有することを特徴とする。
【００１０】
【外８】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］
【００１１】又本発明の光記録媒体用基板は、ポリカー
ボネート樹脂を含有してなる光記録媒体用基板に於て、
該基板が下記式（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を
有するコポリカーボネート樹脂を含有することを特徴と
する。
ボネート樹脂を含有してなる光記録媒体用基板に於て、
該基板が下記式（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を
有するコポリカーボネート樹脂を含有することを特徴と
する。
【００１２】
【外９】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］
【００１３】又、本発明の光記録媒体用基板の製造方法
は、下記式（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を有す
るコポリカーボネート樹脂を含有してなるポリカーボネ
ート樹脂を熔融して押し出し、樹脂シートを成形する工
程、及び該樹脂シートを、周面にプリフォーマットパタ
ーンを有してなるロールスタンパーと、該ロールスタン
パーに対向配置されてなるロールとで、挟圧して、該樹
脂シート表面にプリフォーマットパターンを転写する工
程、とを有してなることを特徴とする。
は、下記式（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を有す
るコポリカーボネート樹脂を含有してなるポリカーボネ
ート樹脂を熔融して押し出し、樹脂シートを成形する工
程、及び該樹脂シートを、周面にプリフォーマットパタ
ーンを有してなるロールスタンパーと、該ロールスタン
パーに対向配置されてなるロールとで、挟圧して、該樹
脂シート表面にプリフォーマットパターンを転写する工
程、とを有してなることを特徴とする。
【００１４】
【外１０】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］
【００１５】又本発明の光記録媒体は、樹脂基板及び記
録層を具備してなる光記録媒体に於て、該基板が下記式
（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を有するコポリカ
ーボネート樹脂を含有することを特徴とする光記録媒
体。
録層を具備してなる光記録媒体に於て、該基板が下記式
（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を有するコポリカ
ーボネート樹脂を含有することを特徴とする光記録媒
体。
【００１６】
【外１１】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］
【００１７】更に、本発明の光記録媒体用基板は、下記
式（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を有するコポリ
カーボネート樹脂を含有してなることを特徴とする。
式（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を有するコポリ
カーボネート樹脂を含有してなることを特徴とする。
【００１８】
【外１２】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］
【００１９】次に本発明について、図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【００２０】図１は本発明に係る光記録媒体の概略断面
図であって、同図に於て１０１はポリカーボネート樹脂
を含有してなる基板、１０２は光記録層である。そして
本発明の光記録媒体はポリカーボネート基板１０１に下
記式（ｘ）及び（ｙ）で表される構成単位を有するコポ
リカーボネート樹脂を含有させてなることを特徴とする
ものである。
図であって、同図に於て１０１はポリカーボネート樹脂
を含有してなる基板、１０２は光記録層である。そして
本発明の光記録媒体はポリカーボネート基板１０１に下
記式（ｘ）及び（ｙ）で表される構成単位を有するコポ
リカーボネート樹脂を含有させてなることを特徴とする
ものである。
【００２１】
【外１３】 ［そして上記、式（ｘ）中Ｚは直接結合、アルキリデン
基または−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、
またはハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル
基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキ
シ基を示し、Ｒ1はＨ、またはアルキル基、アラルキル
基を示し、ｍは１〜３の整数を示す。又上記式（ｙ）の
Ｙは、アルキリデン基、アリール置換アルキレン基、ア
リール基または−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −
を示し、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたは
アルキル基を示す。］
基または−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、
またはハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル
基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキ
シ基を示し、Ｒ1はＨ、またはアルキル基、アラルキル
基を示し、ｍは１〜３の整数を示す。又上記式（ｙ）の
Ｙは、アルキリデン基、アリール置換アルキレン基、ア
リール基または−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −
を示し、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたは
アルキル基を示す。］
【００２２】又、上記式（ｘ）中のＺに於て直接結合と
は、下記式（ｘ）−１〜（ｘ）−３に示す構造のことを
意味するものである。
は、下記式（ｘ）−１〜（ｘ）−３に示す構造のことを
意味するものである。
【００２３】
【外１４】
【００２４】そして、本発明のポリカーボネート基板を
用いて、光記録媒体を構成した場合基板の光劣化を抑制
できると共に、この光記録媒体を高温・高湿下に長時間
放置した場合でも、記録層の劣化を小さく抑えることが
できるものである。
用いて、光記録媒体を構成した場合基板の光劣化を抑制
できると共に、この光記録媒体を高温・高湿下に長時間
放置した場合でも、記録層の劣化を小さく抑えることが
できるものである。
【００２５】次に本発明に用いられるコポリカーボネー
トに於て、式（ｘ）の構成単位中、Ｚで示されるアルキ
リデン基としては、メチレン、エチリデン、プロピリデ
ン、イソプロピリデン、ブチリデン、オクチリデン、デ
シリデン等が挙げられる。
トに於て、式（ｘ）の構成単位中、Ｚで示されるアルキ
リデン基としては、メチレン、エチリデン、プロピリデ
ン、イソプロピリデン、ブチリデン、オクチリデン、デ
シリデン等が挙げられる。
【００２６】又これらのアルキリデン基はフェニル基等
のアリール基で置換されていてもよい。
のアリール基で置換されていてもよい。
【００２７】更にＺに用いられるアルキリデン基として
は、炭素数１〜１０のものは、コポリカーボネート分子
の配向を抑え基板の複屈折を小さくするうえで好まし
い。
は、炭素数１〜１０のものは、コポリカーボネート分子
の配向を抑え基板の複屈折を小さくするうえで好まし
い。
【００２８】又式（ｘ）中の置換基Ｒ1 に用いられるア
ルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブ
チル、アミル、ｔ−アミル、ヘキシル、ヘプチル、オク
チル、イソオクチル、Ｚ−エチルヘキシル、１，１，
３，３−テトラメチルブチル、ノニル、デシル、イソデ
シル、ドデシル、オクタデシル、２−ヒドロキシブチ
ル、３−ヒドロシキプロピルなどが挙げられ、アラルキ
ル基としては、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチ
ルメチル基、β−ナフチルメチル基、カルボキシベンジ
ル基、スルホベンジル基、ｐ−メチルベンジル基などが
挙げられる。
ルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブ
チル、アミル、ｔ−アミル、ヘキシル、ヘプチル、オク
チル、イソオクチル、Ｚ−エチルヘキシル、１，１，
３，３−テトラメチルブチル、ノニル、デシル、イソデ
シル、ドデシル、オクタデシル、２−ヒドロキシブチ
ル、３−ヒドロシキプロピルなどが挙げられ、アラルキ
ル基としては、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチ
ルメチル基、β−ナフチルメチル基、カルボキシベンジ
ル基、スルホベンジル基、ｐ−メチルベンジル基などが
挙げられる。
【００２９】そしてＲ1 に於ては、炭素数５以上１５以
下のアルキル基或いはアラルキル基とした場合、例えば
記録層を湿式塗布した時の記録層の膜厚の均一性が向上
し、記録層の反射率にムラが生じるのを抑えることがで
きる。即ち記録層をグラビアコート法で塗布した場合、
塗布領域の端部では膜厚が安定せず、中央部とで反射率
の差が生じることがあるが、本発明によれば基板表面の
有機溶媒に対するヌレ性が微妙に変化するため、かかる
膜厚ムラに起因する反射率差を解消でき、記録領域の拡
大を図ることができる。
下のアルキル基或いはアラルキル基とした場合、例えば
記録層を湿式塗布した時の記録層の膜厚の均一性が向上
し、記録層の反射率にムラが生じるのを抑えることがで
きる。即ち記録層をグラビアコート法で塗布した場合、
塗布領域の端部では膜厚が安定せず、中央部とで反射率
の差が生じることがあるが、本発明によれば基板表面の
有機溶媒に対するヌレ性が微妙に変化するため、かかる
膜厚ムラに起因する反射率差を解消でき、記録領域の拡
大を図ることができる。
【００３０】又、式（ｘ）中の置換基Ｘに用いられるハ
ロゲンとしては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素などが挙
げられ、アルキル基及びアラルキル基はＲ1 で示される
ものと同一のものが挙げられ、アルコキシ基としてはメ
トキシ、エトキシ、プロポキシなどの前記アルキル基か
らのアルコキシ基が挙げられ、アリール基としてはフェ
ニルなど、アリールオキシ基としてはフェノキシなど、
アラルキルオキシ基としては、前記アラルキル基からの
アラルキルオキシ基が挙げられる。
ロゲンとしては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素などが挙
げられ、アルキル基及びアラルキル基はＲ1 で示される
ものと同一のものが挙げられ、アルコキシ基としてはメ
トキシ、エトキシ、プロポキシなどの前記アルキル基か
らのアルコキシ基が挙げられ、アリール基としてはフェ
ニルなど、アリールオキシ基としてはフェノキシなど、
アラルキルオキシ基としては、前記アラルキル基からの
アラルキルオキシ基が挙げられる。
【００３１】次に、上記式（ｙ）中、Ｙで示されるアル
キリデン基としては、前記Ｚに用いられる直鎖又は分岐
したアルキリデン基の他に、シクロヘキシリデン基など
の環状アルキリデン基が挙げられ、又前記したのと同じ
理由から炭素数１〜１０のアルキリデン基を用いるのが
好ましい。
キリデン基としては、前記Ｚに用いられる直鎖又は分岐
したアルキリデン基の他に、シクロヘキシリデン基など
の環状アルキリデン基が挙げられ、又前記したのと同じ
理由から炭素数１〜１０のアルキリデン基を用いるのが
好ましい。
【００３２】又、アリール置換アルキレン基としては、
例えばフェニル基で置換されてなるエチレン基、プロピ
レン基、ブチレン基、アミレン基（Ｃ5 Ｈ10＝）、ヘキ
シレン基（Ｃ6 Ｈ12＝）などが挙げられる。そして、本
発明に於てＹをアリール置換アルキレン基とする場合、
基板の強度を維持するためには、該アルキレン基の直鎖
の数を１〜１０個、特に１〜６個とするのが好ましい。
例えばフェニル基で置換されてなるエチレン基、プロピ
レン基、ブチレン基、アミレン基（Ｃ5 Ｈ10＝）、ヘキ
シレン基（Ｃ6 Ｈ12＝）などが挙げられる。そして、本
発明に於てＹをアリール置換アルキレン基とする場合、
基板の強度を維持するためには、該アルキレン基の直鎖
の数を１〜１０個、特に１〜６個とするのが好ましい。
【００３３】又式（ｙ）中Ｒ2 〜Ｒ5 に用いられるハロ
ゲンとしては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素などが挙げ
られ、アルキル基としては前記したＲ1 に用いられるア
ルキル基を用いることができる。そしてＲ2 〜Ｒ5 に於
てアルキル基を用いる場合、基板の複屈折を抑えるうえ
で、炭素数１〜４のアルキル基とすることが好ましい。
又、Ｒ2 〜Ｒ5 としては互いに同一であっても異なって
いてもよい。
ゲンとしては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素などが挙げ
られ、アルキル基としては前記したＲ1 に用いられるア
ルキル基を用いることができる。そしてＲ2 〜Ｒ5 に於
てアルキル基を用いる場合、基板の複屈折を抑えるうえ
で、炭素数１〜４のアルキル基とすることが好ましい。
又、Ｒ2 〜Ｒ5 としては互いに同一であっても異なって
いてもよい。
【００３４】次に本発明に用いるコポリカーボネート
は、下記一般的（１）及び（２）で示される二価フェノ
ールを用いることを除き、従来の芳香族ポリカーボネー
ト樹脂と同様の方法で合成できる。
は、下記一般的（１）及び（２）で示される二価フェノ
ールを用いることを除き、従来の芳香族ポリカーボネー
ト樹脂と同様の方法で合成できる。
【００３５】
【外１５】
【００３６】即ち、反応に不活性な有機溶媒、アルカリ
水溶液の存在下、前記一般式（１）、（２）の二価フェ
ノール系化合物及び必要に応じて分子量調節剤（末端停
止剤）を用い、ホスゲンと反応させた後、第三級アミン
若しくは第四級アンモニウム塩などの重合触媒を添加す
る界面重合法や、同様の二価フェノール系化合物及び分
子量調節剤をピリジン又はピリジン及び不活性溶媒の混
合溶液に溶解し、ホスゲンを吹き込むピリジン法が利用
できる。
水溶液の存在下、前記一般式（１）、（２）の二価フェ
ノール系化合物及び必要に応じて分子量調節剤（末端停
止剤）を用い、ホスゲンと反応させた後、第三級アミン
若しくは第四級アンモニウム塩などの重合触媒を添加す
る界面重合法や、同様の二価フェノール系化合物及び分
子量調節剤をピリジン又はピリジン及び不活性溶媒の混
合溶液に溶解し、ホスゲンを吹き込むピリジン法が利用
できる。
【００３７】又本発明に用いるコポリカーボネート樹脂
の化学構造としては、構成単位（ｘ）及び（ｙ）がラン
ダムに配列されてなるランダムコポリマー、構成単位
（ｘ）及び（ｙ）が交互に配列されてなる交互コポリマ
ー、構成単位（ｘ）が複数個結合してなるブロックと構
成単位（ｙ）が複数個結合してなるブロックとが結合し
てなるブロックコポリマー、更には構成単位（ｙ）から
なる主鎖ポリマーに構成単位（ｘ）からなるポリマーの
ブロックが分岐してなるグラフトコポリマーの４種の構
造が存在するが、その何れも本発明に用いることができ
る。
の化学構造としては、構成単位（ｘ）及び（ｙ）がラン
ダムに配列されてなるランダムコポリマー、構成単位
（ｘ）及び（ｙ）が交互に配列されてなる交互コポリマ
ー、構成単位（ｘ）が複数個結合してなるブロックと構
成単位（ｙ）が複数個結合してなるブロックとが結合し
てなるブロックコポリマー、更には構成単位（ｙ）から
なる主鎖ポリマーに構成単位（ｘ）からなるポリマーの
ブロックが分岐してなるグラフトコポリマーの４種の構
造が存在するが、その何れも本発明に用いることができ
る。
【００３８】更に本発明のコポリカーボネートの構成単
位（ｘ）及び（ｙ）の割合としては、該コポリカーボネ
ートが十分なＵＶ吸収能を示す様に、該コポリカーボネ
ートの二価フェノール換算値として、構成単位（ｘ）に
基づく二価フェノールが全ての二価フェノールに対して
０．１〜７０モル％となる様にするのが好ましいが、基
板の複屈折性を考慮した場合、１０〜４０モル％、特に
１５〜３５モル％とすることが好ましい。なお、この範
囲が基板の複屈折性を抑えることが好ましい理由は明ら
かでないが、構成単位（ｘ）の割合が多いと、その立体
障害によってコポリカーボネートの分子配向に影響を与
えるためであると考えられる。
位（ｘ）及び（ｙ）の割合としては、該コポリカーボネ
ートが十分なＵＶ吸収能を示す様に、該コポリカーボネ
ートの二価フェノール換算値として、構成単位（ｘ）に
基づく二価フェノールが全ての二価フェノールに対して
０．１〜７０モル％となる様にするのが好ましいが、基
板の複屈折性を考慮した場合、１０〜４０モル％、特に
１５〜３５モル％とすることが好ましい。なお、この範
囲が基板の複屈折性を抑えることが好ましい理由は明ら
かでないが、構成単位（ｘ）の割合が多いと、その立体
障害によってコポリカーボネートの分子配向に影響を与
えるためであると考えられる。
【００３９】そして又、本発明に用いるコポリカーボネ
ート樹脂の分子量としては、該コポリカーボネートが混
合されるポリカーボネート樹脂との溶融時の相溶性及び
光記録媒体の光記録層への影響を考慮すると粘度平均分
子量で０．１×１０4 〜４．０×１０4 程度が好まし
い。
ート樹脂の分子量としては、該コポリカーボネートが混
合されるポリカーボネート樹脂との溶融時の相溶性及び
光記録媒体の光記録層への影響を考慮すると粘度平均分
子量で０．１×１０4 〜４．０×１０4 程度が好まし
い。
【００４０】次に本発明にかかるコポリカーボネートと
混合されるポリカーボネート樹脂としては、通常のポリ
カーボネート樹脂、例えばビス（ヒドロキシフェニル）
アルカン系ポリカーボネート樹脂等を用いることができ
る。
混合されるポリカーボネート樹脂としては、通常のポリ
カーボネート樹脂、例えばビス（ヒドロキシフェニル）
アルカン系ポリカーボネート樹脂等を用いることができ
る。
【００４１】ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系ポ
リカーボネートとは、ビス（４ヒドロキシフェニル）ア
ルカンのようなヒドロキシジ（単核もしくは複核アリー
ル）化合物とカーボネートブリカーサー例えばホスゲ
ン、ホルメート又はカーボネートエステルと反応させて
得られる芳香族炭化水素重合体であり、前記構成単位
（ｙ）で示される繰り返し単位を有するものである。そ
して、本発明に於て用いるポリカーボネート樹脂の粘度
平均分子量は、機械的特性と成形性とのかね合いで１５
０００〜２２０００程度が好ましい。そして本発明に係
る基板に於てコポリカーボネートのポリカーボネートへ
の混合量としては、ポリカーボネート樹脂を基準とし
て、０．１〜２０重量％、特に０．３〜５重量％、更に
は０．５〜２重量％とした場合、基板に十分なＵＶ吸収
能を付与できると共に記録層への影響も抑えられ好まし
いものである。
リカーボネートとは、ビス（４ヒドロキシフェニル）ア
ルカンのようなヒドロキシジ（単核もしくは複核アリー
ル）化合物とカーボネートブリカーサー例えばホスゲ
ン、ホルメート又はカーボネートエステルと反応させて
得られる芳香族炭化水素重合体であり、前記構成単位
（ｙ）で示される繰り返し単位を有するものである。そ
して、本発明に於て用いるポリカーボネート樹脂の粘度
平均分子量は、機械的特性と成形性とのかね合いで１５
０００〜２２０００程度が好ましい。そして本発明に係
る基板に於てコポリカーボネートのポリカーボネートへ
の混合量としては、ポリカーボネート樹脂を基準とし
て、０．１〜２０重量％、特に０．３〜５重量％、更に
は０．５〜２重量％とした場合、基板に十分なＵＶ吸収
能を付与できると共に記録層への影響も抑えられ好まし
いものである。
【００４２】次に本発明の基板の製造方法としては、基
板の成形方法として公知の方法、例えば射出成形法、射
出圧縮成形法、コンプレッション法やキャスティング
法、さらには押出成形法を用いて製造することができる
が、本発明の基板は射出成形や射出圧縮成形及び押出成
形といった量産性に優れた成形方法との相性が極めて良
好である。
板の成形方法として公知の方法、例えば射出成形法、射
出圧縮成形法、コンプレッション法やキャスティング
法、さらには押出成形法を用いて製造することができる
が、本発明の基板は射出成形や射出圧縮成形及び押出成
形といった量産性に優れた成形方法との相性が極めて良
好である。
【００４３】即ち、上記した成形方法は、予め樹脂を熔
融状態とするものであり、成形材料として従来のＵＶ吸
収剤を添加したポリカーボネートを用いた場合、樹脂熔
融時にＵＶ吸収剤が揮発し、成形を繰り返す度に、スタ
ンパーや成形ロールを汚染するため長時間の連続成形は
困難であった。しかし本発明に係る基板材料は、熔融時
に於ても揮発成分が殆ど認められず、連続成形を行って
も、スタンパーや成形ロールか汚染されず長時間の連続
成形が可能である。そこで、以下に押出成形法及び射出
成形法を用いた本発明に係る基板の成形方法について図
面を用いて説明する。
融状態とするものであり、成形材料として従来のＵＶ吸
収剤を添加したポリカーボネートを用いた場合、樹脂熔
融時にＵＶ吸収剤が揮発し、成形を繰り返す度に、スタ
ンパーや成形ロールを汚染するため長時間の連続成形は
困難であった。しかし本発明に係る基板材料は、熔融時
に於ても揮発成分が殆ど認められず、連続成形を行って
も、スタンパーや成形ロールか汚染されず長時間の連続
成形が可能である。そこで、以下に押出成形法及び射出
成形法を用いた本発明に係る基板の成形方法について図
面を用いて説明する。
【００４４】即ち図２は、本発明に係る基板を押出し成
形によって製造方法に用いられる装置の概略断面図であ
って、２０１は押出機、２０２は押出機２０１によって
熔融された樹脂をシート状に賦形するためのダイス、２
０４は周面にプリフォーマットに対応するプリフォーマ
ットパターンが形成されてなるロールスタンパー、そし
て２０３及び２０５はロールスタンパーに対向配置され
てなる鏡面ロールである。
形によって製造方法に用いられる装置の概略断面図であ
って、２０１は押出機、２０２は押出機２０１によって
熔融された樹脂をシート状に賦形するためのダイス、２
０４は周面にプリフォーマットに対応するプリフォーマ
ットパターンが形成されてなるロールスタンパー、そし
て２０３及び２０５はロールスタンパーに対向配置され
てなる鏡面ロールである。
【００４５】そしてシート用ダイス２０２は、該ダイス
から押出される熔融樹脂シートがロールスタンパー２０
４と鏡面ロール２０３の間に押出されるように配置され
ている。そして先ず、本発明に係るポリカーボネート樹
脂とコポリカーボネート樹脂の混合物を押出機２０１に
投入すると、該樹脂混合物が熔融され、ダイス２０２か
ら熔融樹脂シート２０７が押し出されてくる。
から押出される熔融樹脂シートがロールスタンパー２０
４と鏡面ロール２０３の間に押出されるように配置され
ている。そして先ず、本発明に係るポリカーボネート樹
脂とコポリカーボネート樹脂の混合物を押出機２０１に
投入すると、該樹脂混合物が熔融され、ダイス２０２か
ら熔融樹脂シート２０７が押し出されてくる。
【００４６】この時樹脂の温度は、例えばポリカーボネ
ート樹脂の場合、２６０℃〜３５０℃に設定される。次
いで、該熔融樹脂シート２０７を、先ず鏡面ロール２０
３とロールスタンパー２０４、次いでロールスタンパー
２０４と鏡面ロール２０５とで挟圧し、ロールスタンパ
ー２０４の表面のプリフォーマットパターンを熔融樹脂
シート２０７の表面に転写することによって基板シート
２０８か成形される。そしてこの時、本発明のロールス
タンパー２０４は、樹脂シートがロールスタンパー２０
４上で、歪やしわを生じることなく、その熱変形温度以
下の温度にまで冷却される様な温度に保たれる。
ート樹脂の場合、２６０℃〜３５０℃に設定される。次
いで、該熔融樹脂シート２０７を、先ず鏡面ロール２０
３とロールスタンパー２０４、次いでロールスタンパー
２０４と鏡面ロール２０５とで挟圧し、ロールスタンパ
ー２０４の表面のプリフォーマットパターンを熔融樹脂
シート２０７の表面に転写することによって基板シート
２０８か成形される。そしてこの時、本発明のロールス
タンパー２０４は、樹脂シートがロールスタンパー２０
４上で、歪やしわを生じることなく、その熱変形温度以
下の温度にまで冷却される様な温度に保たれる。
【００４７】即ち、ロールスタンパーの温度は用いる樹
脂の熱変形温度の＋２０〜−２０℃の範囲に過熱される
のが好ましく、例えばポリカーボネート樹脂を成形する
場合の表面温度は１００℃〜１６０℃に過熱されるのが
好ましい。即ち、上記の温度範囲とすることにより溶融
樹脂シートが急冷されないため樹脂シートに収縮等も歪
みが生じにくい。又、該ロールスタンパーに対向配置さ
れてなる鏡面ロールの温度はロールスタンパーと同じか
若干低めに設定されるのが好ましい。
脂の熱変形温度の＋２０〜−２０℃の範囲に過熱される
のが好ましく、例えばポリカーボネート樹脂を成形する
場合の表面温度は１００℃〜１６０℃に過熱されるのが
好ましい。即ち、上記の温度範囲とすることにより溶融
樹脂シートが急冷されないため樹脂シートに収縮等も歪
みが生じにくい。又、該ロールスタンパーに対向配置さ
れてなる鏡面ロールの温度はロールスタンパーと同じか
若干低めに設定されるのが好ましい。
【００４８】これらのロールの温度の調節は例えばロー
ルに鋳込まれたヒーターにより電気的に加熱されたり、
ロールの中心部に熱媒を循環させることにより制御され
る。
ルに鋳込まれたヒーターにより電気的に加熱されたり、
ロールの中心部に熱媒を循環させることにより制御され
る。
【００４９】又シート用ダイス及び鏡面ロール２０３
と、ロールスタンパー２０４は互いに協働して、該シー
ト用ダイスから押出されてなる樹脂シートが鏡面ロール
２０３とロールスタンパー２０４とで挟圧されることに
よって、冷却時に例えば０．３〜１．５ｍｍの厚さの基
板シートが得られる様に構成される。
と、ロールスタンパー２０４は互いに協働して、該シー
ト用ダイスから押出されてなる樹脂シートが鏡面ロール
２０３とロールスタンパー２０４とで挟圧されることに
よって、冷却時に例えば０．３〜１．５ｍｍの厚さの基
板シートが得られる様に構成される。
【００５０】又図３は本発明に係る基板を射出成形によ
って製造する方法に用いられる射出成形装置の概略図で
あり、図３に於て３０１は固定側型、３０２は該固定側
型に保持されている固定側ミラーであって、この両部材
で固定側金側３０３を構成してなる。又３０４は可動側
型、３０５は可動側型に保持されている可動側ミラーで
あってこの両部材で可動側金型３０６を構成してなるも
のである。そして可動側ミラー３０５の表面には、基板
に、情報用ピット、トラッキング用ピットやトラッキン
ググルーブなどのプリフォーマットを形成する為のスタ
ンパー３０７が外周スタンパーホルダー３０８及び内周
スタンパーホルダー３０９で固定されている。３１０は
固定側金型３０３及び可動側金型３０６とが閉じた状態
に於て固定側ミラー３０２及び可動側ミラー３０５によ
って形成されるキャビティである。又、３１１は固定側
金型３０３に内挿されてなり、スクリュシリンダ３１６
及びその先端に取り付けられてなる射出ノズル３１２か
らなる射出装置３１８から供給される熔融樹脂をキャビ
ティ３１０に導く通路を構成するスプルブッシュであ
る。そしてかかる３０１〜３１８の部材を備えた射出成
形装置を用いた基板の射出成形方法としては、スプルブ
ッシュ３１１に射出ノズル３１２を当接させ、射出装置
３１８内で熔融させてなる本発明に係るポリカーボネー
ト樹脂とコポリカーボネート樹脂の混合物３１３を、ス
プルッシュ３１１を介してキャビティ３１０に充填させ
た後、該樹脂を冷却固化させると共に可動側金型３０６
に配置されてなるゲートカッター３１４を用いて基板に
中心孔を形成し、次いでエジェクター３１５で基板をス
タンパー３０７で離型させることによって表面にプリフ
ォーマットが形成された基板を得ることができる。
って製造する方法に用いられる射出成形装置の概略図で
あり、図３に於て３０１は固定側型、３０２は該固定側
型に保持されている固定側ミラーであって、この両部材
で固定側金側３０３を構成してなる。又３０４は可動側
型、３０５は可動側型に保持されている可動側ミラーで
あってこの両部材で可動側金型３０６を構成してなるも
のである。そして可動側ミラー３０５の表面には、基板
に、情報用ピット、トラッキング用ピットやトラッキン
ググルーブなどのプリフォーマットを形成する為のスタ
ンパー３０７が外周スタンパーホルダー３０８及び内周
スタンパーホルダー３０９で固定されている。３１０は
固定側金型３０３及び可動側金型３０６とが閉じた状態
に於て固定側ミラー３０２及び可動側ミラー３０５によ
って形成されるキャビティである。又、３１１は固定側
金型３０３に内挿されてなり、スクリュシリンダ３１６
及びその先端に取り付けられてなる射出ノズル３１２か
らなる射出装置３１８から供給される熔融樹脂をキャビ
ティ３１０に導く通路を構成するスプルブッシュであ
る。そしてかかる３０１〜３１８の部材を備えた射出成
形装置を用いた基板の射出成形方法としては、スプルブ
ッシュ３１１に射出ノズル３１２を当接させ、射出装置
３１８内で熔融させてなる本発明に係るポリカーボネー
ト樹脂とコポリカーボネート樹脂の混合物３１３を、ス
プルッシュ３１１を介してキャビティ３１０に充填させ
た後、該樹脂を冷却固化させると共に可動側金型３０６
に配置されてなるゲートカッター３１４を用いて基板に
中心孔を形成し、次いでエジェクター３１５で基板をス
タンパー３０７で離型させることによって表面にプリフ
ォーマットが形成された基板を得ることができる。
【００５１】ところで、上記した本発明の基板の製造方
法に於て、基板とスタンパー又は基板とロールスタンパ
ーの離型性を改善する為に本発明に係る樹脂混合物中に
離型剤を添加してもよい。
法に於て、基板とスタンパー又は基板とロールスタンパ
ーの離型性を改善する為に本発明に係る樹脂混合物中に
離型剤を添加してもよい。
【００５２】そして離型剤としては、公知の種々の化合
物、例えば多価アルコールと酸とのエステル等を用いる
ことができるが、光記録層に対する影響を考慮した場
合、下記一般式（３）に示される飽和脂肪族モノカルボ
ン酸と、下記式（４）で示される多価アルコールとのエ
ステルが好適に用いられ、中でも特にペンタエリスリト
ールテトラステアレートは好ましい材料である。
物、例えば多価アルコールと酸とのエステル等を用いる
ことができるが、光記録層に対する影響を考慮した場
合、下記一般式（３）に示される飽和脂肪族モノカルボ
ン酸と、下記式（４）で示される多価アルコールとのエ
ステルが好適に用いられ、中でも特にペンタエリスリト
ールテトラステアレートは好ましい材料である。
【００５３】
【外１６】
【００５４】そして又かかる離型剤の該樹脂混合物の含
有量としては、該混合物を基準として、０．０１〜０．
０９重量％、特に０．０２〜０．０８重量％程度が好ま
しい。
有量としては、該混合物を基準として、０．０１〜０．
０９重量％、特に０．０２〜０．０８重量％程度が好ま
しい。
【００５５】即ち、離型剤の含有量を０．０９重量％よ
りも多くすると、例えば記録層として有機色素を湿式塗
布によって形成しようとした場合、塗布膜中に離型剤が
混入してしまい記録層の反射率を変化させる原因とな
り、又記録層として光磁気膜等の真空堆積法（例えば蒸
着やスパッタリング等）で形成される記録層とした場
合、基板と該記録層の密着性が不十分となり孔食等の原
因となる。
りも多くすると、例えば記録層として有機色素を湿式塗
布によって形成しようとした場合、塗布膜中に離型剤が
混入してしまい記録層の反射率を変化させる原因とな
り、又記録層として光磁気膜等の真空堆積法（例えば蒸
着やスパッタリング等）で形成される記録層とした場
合、基板と該記録層の密着性が不十分となり孔食等の原
因となる。
【００５６】上記した方法によって製造された基板は、
その上に記録層を形成し、次いで必要に応じて保護層を
設けることによって、光記録媒体を得ることかできるも
のである。
その上に記録層を形成し、次いで必要に応じて保護層を
設けることによって、光記録媒体を得ることかできるも
のである。
【００５７】そして本発明の光記録媒体に用いられる記
録層としては、特に限定されず例えは有機色素や光磁気
記録層などを用いることができる。
録層としては、特に限定されず例えは有機色素や光磁気
記録層などを用いることができる。
【００５８】そして本発明の光記録媒体の記録層に用い
る有機色素としては、記録・再生に使用する光の波長付
近、例えば、再生光のエネルギービームの波長が６５０
ｎｍ以上、特に７００〜９００ｎｍである場合には、記
録部であるピット等に於ける反射率と未記録部のそれと
の差が大きいものが好ましく、また、記録する為には上
記の波長域に吸収のある事が必要である。また、エネル
ギービームの照射によって反射率の変化が生ずるのに必
要とされるエネルギーが小さい方が好ましい。更に、再
生光のエネルギービームによって記録部（ピット等）及
び未記録部の反射率が変化し難いものが好ましい。
る有機色素としては、記録・再生に使用する光の波長付
近、例えば、再生光のエネルギービームの波長が６５０
ｎｍ以上、特に７００〜９００ｎｍである場合には、記
録部であるピット等に於ける反射率と未記録部のそれと
の差が大きいものが好ましく、また、記録する為には上
記の波長域に吸収のある事が必要である。また、エネル
ギービームの照射によって反射率の変化が生ずるのに必
要とされるエネルギーが小さい方が好ましい。更に、再
生光のエネルギービームによって記録部（ピット等）及
び未記録部の反射率が変化し難いものが好ましい。
【００５９】例えば、アントラキノン誘導体（特にイン
ダスレン骨格を有する物）、ジオキサジン化合物及びそ
の誘導体、トリフェノジチアジン化合物、フェナンスレ
ン誘導体、シアニン化合物、メロシアニン化合物、ピリ
リウム系化合物、キサンテン系化合物、トリフェニルメ
タン系化合物、クロコニウム系色素、アゾ色素、クロコ
ン類、アジン類、インジゴイド類、ポリメチン系色素、
アズレン類、スクアリウム誘導体、硫化染料及び金属の
ジチオラート錯体等を挙げる事ができる。
ダスレン骨格を有する物）、ジオキサジン化合物及びそ
の誘導体、トリフェノジチアジン化合物、フェナンスレ
ン誘導体、シアニン化合物、メロシアニン化合物、ピリ
リウム系化合物、キサンテン系化合物、トリフェニルメ
タン系化合物、クロコニウム系色素、アゾ色素、クロコ
ン類、アジン類、インジゴイド類、ポリメチン系色素、
アズレン類、スクアリウム誘導体、硫化染料及び金属の
ジチオラート錯体等を挙げる事ができる。
【００６０】またこれらの色素に対し安定化剤を混合し
たものでもよい。この安定化剤としては各種金属キレー
ト化合物、特にＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｎ、
Ｐｄ、Ｚｒを中心金属とする多座配位子、例えばＮ4 、
Ｎ2 Ｏ2 、Ｎ2 Ｓ2 Ｓ4 、Ｏ2 Ｓ2 、Ｏ4 等の四座配位
子等又はそれらの組み合わせから成るものの他、各種の
芳香族アミン類やジアミン類、含窒素芳香族及びそのオ
ニウム塩、例えばアミニウム塩、ジイモニウム塩、ピリ
ジウム塩、イミダゾニウム塩、キノリウム塩等が挙げら
れる。更に含酸素芳香族の塩であるピリリウム塩等も用
いられる。又これらの安定化剤を複数組み合わせて使用
することもできる。
たものでもよい。この安定化剤としては各種金属キレー
ト化合物、特にＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｎ、
Ｐｄ、Ｚｒを中心金属とする多座配位子、例えばＮ4 、
Ｎ2 Ｏ2 、Ｎ2 Ｓ2 Ｓ4 、Ｏ2 Ｓ2 、Ｏ4 等の四座配位
子等又はそれらの組み合わせから成るものの他、各種の
芳香族アミン類やジアミン類、含窒素芳香族及びそのオ
ニウム塩、例えばアミニウム塩、ジイモニウム塩、ピリ
ジウム塩、イミダゾニウム塩、キノリウム塩等が挙げら
れる。更に含酸素芳香族の塩であるピリリウム塩等も用
いられる。又これらの安定化剤を複数組み合わせて使用
することもできる。
【００６１】上記の種々の安定化剤は前記の有機色素と
用いる溶媒の相溶性を考慮して選択する。又安定化剤の
有機色素に対する添加量は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％が好ま
しく、特に１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％が感度の低下が少な
く且つ安定化剤としての効果も高い。
用いる溶媒の相溶性を考慮して選択する。又安定化剤の
有機色素に対する添加量は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％が好ま
しく、特に１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％が感度の低下が少な
く且つ安定化剤としての効果も高い。
【００６２】上記の有機色素及び安定化剤等を溶解する
のに用いられる溶媒としては樹脂シートの侵さないもの
がよく、例えばジアセトンアルコール、セロソルブ、１
−メトキシ−２−プロパノール等や上記のものにハロゲ
ン系の溶媒を少量加えた混合溶媒を用いることもでき
る。
のに用いられる溶媒としては樹脂シートの侵さないもの
がよく、例えばジアセトンアルコール、セロソルブ、１
−メトキシ−２−プロパノール等や上記のものにハロゲ
ン系の溶媒を少量加えた混合溶媒を用いることもでき
る。
【００６３】そして又本発明の光記録媒体の記録層に用
いる光磁気記録層としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＧ
ｄ、ＮｄＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の希土類元素
と、遷移金属元素の合金からなる磁性膜が代表例として
挙げられる。
いる光磁気記録層としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＧ
ｄ、ＮｄＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の希土類元素
と、遷移金属元素の合金からなる磁性膜が代表例として
挙げられる。
【００６４】なお、本発明に於て、プリフォーマットパ
ターンとしては、具体的には例えばピッチ１〜５μｍ、
深さ２００〜５０００Å程度のスパイラル状や同心円
状、或いはストライプ状の、光ディスクや光カード用の
トラッキンググルーブや幅２〜５μｍ、ピッチ８〜１５
μｍ、深さ２００〜５０００Å程度のスパイラル状や同
心円状、或いはストライプ状の、光ディスクや光カード
用のトラッキンググルーブに対応するパターンであった
り、これらのグルーブ内やグルーブ間に設けられてなる
プリピットに対応するパターンである。
ターンとしては、具体的には例えばピッチ１〜５μｍ、
深さ２００〜５０００Å程度のスパイラル状や同心円
状、或いはストライプ状の、光ディスクや光カード用の
トラッキンググルーブや幅２〜５μｍ、ピッチ８〜１５
μｍ、深さ２００〜５０００Å程度のスパイラル状や同
心円状、或いはストライプ状の、光ディスクや光カード
用のトラッキンググルーブに対応するパターンであった
り、これらのグルーブ内やグルーブ間に設けられてなる
プリピットに対応するパターンである。
【００６５】
【実施例】以下に実施例を用いて本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【００６６】（実施例１）先ずポリカーボネート樹脂と
して、ビスフェノールＡを重合させてなるポリカーボネ
ート樹脂（粘度平均分子量２００００）中に離型剤とし
てペンタエリスリトールテトラステアレートを０．０４
重量％含有させたポリカーボネート樹脂を用意した。
して、ビスフェノールＡを重合させてなるポリカーボネ
ート樹脂（粘度平均分子量２００００）中に離型剤とし
てペンタエリスリトールテトラステアレートを０．０４
重量％含有させたポリカーボネート樹脂を用意した。
【００６７】又、コポリカーボネート樹脂として、ベン
ゾトリアゾール化合物２，２′−メチレンビス−６−ベ
ンゾトリアゾリルフェノールとビスフェノールＡとの共
重合体（モル比１：６、粘度平均分子量１．１×１０
4 ）を用意し、該コポリカーボネート樹脂１重量部を該
ポリカーボネート樹脂１００重量部に添加した。
ゾトリアゾール化合物２，２′−メチレンビス−６−ベ
ンゾトリアゾリルフェノールとビスフェノールＡとの共
重合体（モル比１：６、粘度平均分子量１．１×１０
4 ）を用意し、該コポリカーボネート樹脂１重量部を該
ポリカーボネート樹脂１００重量部に添加した。
【００６８】次に、この樹脂混合物を図２に示す成形装
置の押出成形機２０１中に投入して光カード用基板シー
トの成形を行った。なお、図２の成形装置に於て、鏡面
ロール２０３、２０５としては直径３０ｃｍの周面をク
ロムメッキしてなる炭素鋼製のロールを用いた。又ロー
ルスタンパーとして、直径３０ｃｍの周面をクロムメッ
キしてなる炭素鋼製のロールの周面に光カードのプリフ
ォーマットパターンが形成された厚さ１００μｍのニッ
ケルスタンパーを厚さ１００μｍのポリイミドシートを
介して固定してなるものを用いた。
置の押出成形機２０１中に投入して光カード用基板シー
トの成形を行った。なお、図２の成形装置に於て、鏡面
ロール２０３、２０５としては直径３０ｃｍの周面をク
ロムメッキしてなる炭素鋼製のロールを用いた。又ロー
ルスタンパーとして、直径３０ｃｍの周面をクロムメッ
キしてなる炭素鋼製のロールの周面に光カードのプリフ
ォーマットパターンが形成された厚さ１００μｍのニッ
ケルスタンパーを厚さ１００μｍのポリイミドシートを
介して固定してなるものを用いた。
【００６９】なお、光カードのプリフォーマットパター
ンとして、幅３０ｍｍ、長さ８５ｍｍの長方形の領域に
長さ８５ｍｍ、幅３μｍ、ピッチ１２μｍの光カード用
トラッキンググルーブに対応するパターンとした。
ンとして、幅３０ｍｍ、長さ８５ｍｍの長方形の領域に
長さ８５ｍｍ、幅３μｍ、ピッチ１２μｍの光カード用
トラッキンググルーブに対応するパターンとした。
【００７０】そして成形条件として、ダイ温度３００
℃、鏡面ロール２０３の表面温度１２５℃、ロールスタ
ンパー２０４の表面温度１３５℃、鏡面ロール２０５の
表面温度１４０℃とし、基板シートの搬送速度３．０ｍ
／分、基板シートの厚さ０．４ｍｍとした。そして、上
記の条件で８時間連続して光カード用基板シートの成形
を行ったところ、成形終了後に於ても、ロールスタンパ
ー２０４、鏡面ロールの周面への汚れの付着は目視によ
っては確認できず、又得られた基板シートへのプリフォ
ーマットパターンの転写精度は基板シートの全てのプリ
フォーマットパターン転写部に於て９８％以上と良好で
あった。なお、本発明に於て転写精度とは、プリフォー
マットパターン転写部の９ケ所のトラック溝方向に垂直
な方向の断面形状を電子線表面形態解析装置（商品名：
ＥＳＡ−３０００；エリオニクス（株）製）で観測し、
基板シートのグルーブ転写部のランド部の幅をａ、スタ
ンパーのグルーブ形成用の凹部の下底の幅をＡとしたと
きのａ／Ａの値の平均値である。
℃、鏡面ロール２０３の表面温度１２５℃、ロールスタ
ンパー２０４の表面温度１３５℃、鏡面ロール２０５の
表面温度１４０℃とし、基板シートの搬送速度３．０ｍ
／分、基板シートの厚さ０．４ｍｍとした。そして、上
記の条件で８時間連続して光カード用基板シートの成形
を行ったところ、成形終了後に於ても、ロールスタンパ
ー２０４、鏡面ロールの周面への汚れの付着は目視によ
っては確認できず、又得られた基板シートへのプリフォ
ーマットパターンの転写精度は基板シートの全てのプリ
フォーマットパターン転写部に於て９８％以上と良好で
あった。なお、本発明に於て転写精度とは、プリフォー
マットパターン転写部の９ケ所のトラック溝方向に垂直
な方向の断面形状を電子線表面形態解析装置（商品名：
ＥＳＡ−３０００；エリオニクス（株）製）で観測し、
基板シートのグルーブ転写部のランド部の幅をａ、スタ
ンパーのグルーブ形成用の凹部の下底の幅をＡとしたと
きのａ／Ａの値の平均値である。
【００７１】次にこの基板シートを切断して、図４に示
す様に縦（ａ）５４ｍｍ、横（ｂ）８５ｍｍの光カード
用基板を作成し、該基板のプリフォーマットパターンが
転写された側の表面の、プリフォーマットパターン転写
領域４０１内の所定の領域４０２に、下記構造式（Ｉ）
で示されるポリメチン色素に、下記構造式（ＩＩ）で示
されるアミニウム塩化合物を２５重量％含有させた、ジ
アセトンアルコール溶液をグラビアコートによって乾燥
膜厚が１０００Åとなる様に塗布して記録層を形成し、
次いで該記録層上に厚さ０．３ｍｍのポリカーボネート
保護基板を接着層を介して貼り合せて光カードを作成し
た。
す様に縦（ａ）５４ｍｍ、横（ｂ）８５ｍｍの光カード
用基板を作成し、該基板のプリフォーマットパターンが
転写された側の表面の、プリフォーマットパターン転写
領域４０１内の所定の領域４０２に、下記構造式（Ｉ）
で示されるポリメチン色素に、下記構造式（ＩＩ）で示
されるアミニウム塩化合物を２５重量％含有させた、ジ
アセトンアルコール溶液をグラビアコートによって乾燥
膜厚が１０００Åとなる様に塗布して記録層を形成し、
次いで該記録層上に厚さ０．３ｍｍのポリカーボネート
保護基板を接着層を介して貼り合せて光カードを作成し
た。
【００７２】次に、この光カードの記録層形成領域４０
２内の両端部の幅５ｍｍの領域４０３と中央の領域４０
４との反射率を光カード評価機（キヤノン（株）製）を
用いて測定した。
２内の両端部の幅５ｍｍの領域４０３と中央の領域４０
４との反射率を光カード評価機（キヤノン（株）製）を
用いて測定した。
【００７３】
【外１７】
【００７４】次いで、この光カードをキセノンフェード
メーター（スガ試験機製、ＦＡＬ−２５ＡＸ−ＨＣ−Ｂ
−Ｅｃ）を用いて４３℃、７０％ＲＨ、４２ｍＷ／ｃｍ
2 の条件で５００時間保存耐久テストを行い、耐久テス
ト前後での中央の領域４０４の反射率変化を測定し、初
期を１００％とした場合の低下率を測定した。
メーター（スガ試験機製、ＦＡＬ−２５ＡＸ−ＨＣ−Ｂ
−Ｅｃ）を用いて４３℃、７０％ＲＨ、４２ｍＷ／ｃｍ
2 の条件で５００時間保存耐久テストを行い、耐久テス
ト前後での中央の領域４０４の反射率変化を測定し、初
期を１００％とした場合の低下率を測定した。
【００７５】更に又、本実施例に於て作成した光カード
用基板について、上記したのと同様にした保存耐久テス
トを行い基板の黄変度（Ｙ．Ｉ．値）を、カラーコンピ
ュータ（商品名：ＳＭ−３−ＣＨ型；スガ試験機（株）
製）を用いて測定した。なお、本実施例に於て、Ｙ．
Ｉ．値の基準として基板に通常要求される値である２．
５に設定した。
用基板について、上記したのと同様にした保存耐久テス
トを行い基板の黄変度（Ｙ．Ｉ．値）を、カラーコンピ
ュータ（商品名：ＳＭ−３−ＣＨ型；スガ試験機（株）
製）を用いて測定した。なお、本実施例に於て、Ｙ．
Ｉ．値の基準として基板に通常要求される値である２．
５に設定した。
【００７６】（実施例２）コポリカーボネート樹脂とし
て、２，２′−メチレンビス（４−オクチル−６−ベン
ゾトリアゾリフェノール）とビスフェノールＡとのコポ
リマー（モル比１：６、粘度平均分子量１．９×１０
4 ）を用いた以外は、実施例１と同様にして光カード用
基板シートを作成した。
て、２，２′−メチレンビス（４−オクチル−６−ベン
ゾトリアゾリフェノール）とビスフェノールＡとのコポ
リマー（モル比１：６、粘度平均分子量１．９×１０
4 ）を用いた以外は、実施例１と同様にして光カード用
基板シートを作成した。
【００７７】その結果８時間の連続成形によっても、ロ
ールスタンパー２０４及び鏡面ロール２０３への汚れの
付着は認められず、又得られた基板シートへのプリフォ
ーマットパターンの転写精度は基板シートの全てのプリ
フォーマットパターン転写部に於て９８％以上と良好で
あった。
ールスタンパー２０４及び鏡面ロール２０３への汚れの
付着は認められず、又得られた基板シートへのプリフォ
ーマットパターンの転写精度は基板シートの全てのプリ
フォーマットパターン転写部に於て９８％以上と良好で
あった。
【００７８】次にこの基板シートを切断して、実施例１
と同様にして光カードを作成し、実施例１と同様にして
評価した。
と同様にして光カードを作成し、実施例１と同様にして
評価した。
【００７９】（実施例３）実施例２に於て、樹脂混合物
中に、ペンタエリスリトールテトラステアレートを添加
しない以外は、実施例２と同様にして光カード用基板を
作成した。
中に、ペンタエリスリトールテトラステアレートを添加
しない以外は、実施例２と同様にして光カード用基板を
作成した。
【００８０】その結果、８時間の連続成形によっても、
ロールスタンパー２０４及び鏡面ロール２０３への汚れ
の付着は認められなかった。しかし、得られた基板シー
トへのプリフォーマットパターンの転写精度は、殆どの
プリフォーマット転写部に於て９５〜９６％であった。
ロールスタンパー２０４及び鏡面ロール２０３への汚れ
の付着は認められなかった。しかし、得られた基板シー
トへのプリフォーマットパターンの転写精度は、殆どの
プリフォーマット転写部に於て９５〜９６％であった。
【００８１】次にこの基板シートを用いて、実施例１と
同様にして光カードを作成し、実施例１と同様にして評
価した。
同様にして光カードを作成し、実施例１と同様にして評
価した。
【００８２】（比較例１）コポリカーボネート樹脂を混
入することなく、ＵＶ吸収剤として、下記構造式（ＩＩ
Ｉ）で示される化合物を重量比で０．３％混入して、実
施例１と同条件で成形を行った。
入することなく、ＵＶ吸収剤として、下記構造式（ＩＩ
Ｉ）で示される化合物を重量比で０．３％混入して、実
施例１と同条件で成形を行った。
【００８３】その結果、成形開始後１時間で鏡面ロール
２０３の表面に汚れが付着し始め、これ以降に成形され
る基板の平面性が低下し転写精度も（５０％）以下とな
り、光カード用基板として使用することはできなかっ
た。
２０３の表面に汚れが付着し始め、これ以降に成形され
る基板の平面性が低下し転写精度も（５０％）以下とな
り、光カード用基板として使用することはできなかっ
た。
【００８４】
【外１８】
【００８５】次に、上記の成形を開始直後に得られた基
板を用いて、実施例１と同様にして光カードを作成し、
実施例１と同様にして評価した。
板を用いて、実施例１と同様にして光カードを作成し、
実施例１と同様にして評価した。
【００８６】（比較例２）コポリカーボネート樹脂を混
入することなく、ＵＶ吸収剤として、下記構造式（Ｉ
Ｖ）で示される化合物を重量比で０．３％混入して、実
施例１と同条件で成形した。
入することなく、ＵＶ吸収剤として、下記構造式（Ｉ
Ｖ）で示される化合物を重量比で０．３％混入して、実
施例１と同条件で成形した。
【００８７】その結果、成形開始後３０分で鏡面ロール
２０３の表面に汚れが付着し初め、これ以降に成形され
る基板の平面性が低下し、転写精度も５０％以下に低下
し、光カード用基板として使用することはできなかっ
た。
２０３の表面に汚れが付着し初め、これ以降に成形され
る基板の平面性が低下し、転写精度も５０％以下に低下
し、光カード用基板として使用することはできなかっ
た。
【００８８】
【外１９】
【００８９】次に上記成形の開始直後に得られた基板を
用いて、実施例１と同様にして光カードを作成し、実施
例１と同様にして評価した。
用いて、実施例１と同様にして光カードを作成し、実施
例１と同様にして評価した。
【００９０】（参考例１）実施例２に於て、コポリカー
ボネートの混合量をポリカーボネート樹脂１００重量部
に対して３０重量部とした以外は、実施例２と同様にし
て光カード用基板シートを作成した。
ボネートの混合量をポリカーボネート樹脂１００重量部
に対して３０重量部とした以外は、実施例２と同様にし
て光カード用基板シートを作成した。
【００９１】その結果、８時間の連続成形によってもロ
ールスタンパー２０４及び鏡面ロール２０３への汚れの
付着は認められず、又得られた基板シートへのプリフォ
ーマットパターンの転写精度は基板シートの全てのプリ
フォーマットパターン転写部に於て９８％以上と良好で
あった。
ールスタンパー２０４及び鏡面ロール２０３への汚れの
付着は認められず、又得られた基板シートへのプリフォ
ーマットパターンの転写精度は基板シートの全てのプリ
フォーマットパターン転写部に於て９８％以上と良好で
あった。
【００９２】次にこの基板シートを切断して、実施例１
と同様にして光カードを作成し、実施例１と同様にして
評価した。
と同様にして光カードを作成し、実施例１と同様にして
評価した。
【００９３】上記実施例１〜３及び比較例１、そして参
考例１の評価結果を表−１に示す。
考例１の評価結果を表−１に示す。
【００９４】
【表１】
【００９５】（実施例４）実施例１の樹脂混合物に於
て、離型剤の含有量を０．０８重量％とした樹脂混合物
を用意した。
て、離型剤の含有量を０．０８重量％とした樹脂混合物
を用意した。
【００９６】又図２の成形装置に於て、ロールスタンパ
ー周面に固定されているスタンパーを、光ディスク用プ
リフォーマットパターンが形成された厚さ１５０μｍの
ニッケルスタンパーに代え、更に成形条件として、基板
シートの搬送速度を１．８ｍ／分、鏡面ロール２０３の
表面温度１２０℃、ロールスタンパー２０４の表面温度
１２５℃、鏡面ロール２０５の表面温度１３５℃とし、
基板シートの厚さを１．２ｍｍとした。
ー周面に固定されているスタンパーを、光ディスク用プ
リフォーマットパターンが形成された厚さ１５０μｍの
ニッケルスタンパーに代え、更に成形条件として、基板
シートの搬送速度を１．８ｍ／分、鏡面ロール２０３の
表面温度１２０℃、ロールスタンパー２０４の表面温度
１２５℃、鏡面ロール２０５の表面温度１３５℃とし、
基板シートの厚さを１．２ｍｍとした。
【００９７】なお、光ディスク用プリフォーマットパタ
ーンとしては、外径１２８ｍｍ、内径５８ｍｍのドーナ
ツ状の領域にスパイラル状に形成されてなる、幅０．６
μｍ、ピッチ１．６μｍ、深さ１０００Åのトラック溝
に対応するパターンとした。そして上記の条件で７時間
連続して光ディスク用基板シートの成形を行ったとこ
ろ、成形終了後に於ても、ロールスタンパー２０４、鏡
面ロール２０３周面への汚れの付着は目視で確認され
ず、又得られた基板シートへのプリフォーマット転写精
度は全てのプリフォーマットパターン転写部に於て９７
％以上と良好であった。
ーンとしては、外径１２８ｍｍ、内径５８ｍｍのドーナ
ツ状の領域にスパイラル状に形成されてなる、幅０．６
μｍ、ピッチ１．６μｍ、深さ１０００Åのトラック溝
に対応するパターンとした。そして上記の条件で７時間
連続して光ディスク用基板シートの成形を行ったとこ
ろ、成形終了後に於ても、ロールスタンパー２０４、鏡
面ロール２０３周面への汚れの付着は目視で確認され
ず、又得られた基板シートへのプリフォーマット転写精
度は全てのプリフォーマットパターン転写部に於て９７
％以上と良好であった。
【００９８】こうして得られた光ディスク基板上に、こ
の基板に実施例１と同様の色素を用いてスピンコート法
で厚さ１０００Åの記録層を形成し、該記録層上に接着
層を介して厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート保護基板
を貼り合せて光ディスクとしたものについて保存耐久テ
ストを実施例１と同様にして行った。耐久テスト前後で
の反射率変化を測定したところ、テスト後の反射率は９
５％であり保存耐久後に於ても安定した情報の記録・再
生が可能であった。
の基板に実施例１と同様の色素を用いてスピンコート法
で厚さ１０００Åの記録層を形成し、該記録層上に接着
層を介して厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート保護基板
を貼り合せて光ディスクとしたものについて保存耐久テ
ストを実施例１と同様にして行った。耐久テスト前後で
の反射率変化を測定したところ、テスト後の反射率は９
５％であり保存耐久後に於ても安定した情報の記録・再
生が可能であった。
【００９９】又、本実施例３で作成した光ディスク基板
について、上記の保存耐久テストを行った後の黄変度
（Ｙ．Ｉ．値）を、実施例１と同様にして測定したとこ
ろ、Ｙ．Ｉ．値は規定値の２．５以下であった。
について、上記の保存耐久テストを行った後の黄変度
（Ｙ．Ｉ．値）を、実施例１と同様にして測定したとこ
ろ、Ｙ．Ｉ．値は規定値の２．５以下であった。
【０１００】
【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、紫外
線による基板の劣化を抑えると共に、光記録媒体として
の保存安定性も維持することができる高品質な光記録媒
体を得ることができる。
線による基板の劣化を抑えると共に、光記録媒体として
の保存安定性も維持することができる高品質な光記録媒
体を得ることができる。
【０１０１】そして又本発明によれば、紫外線による劣
化を抑え、且つ光記録媒体の保存安定性を低下させるこ
とのない、高品質な光記録媒体用基板を連続的に生産性
良く製造することができる。
化を抑え、且つ光記録媒体の保存安定性を低下させるこ
とのない、高品質な光記録媒体用基板を連続的に生産性
良く製造することができる。
【図１】本発明の光記録媒体の一実施態様の概略断面
図。
図。
【図２】本発明の光記録媒体用基板の製造方法の一実施
態様を示す概略図。
態様を示す概略図。
【図３】本発明の光記録媒体用基板の製造方法の他の実
施態様を示す概略図。
施態様を示す概略図。
【図４】本発明の実施例に係る光カードの評価方法の説
明図。
明図。
【符号の説明】 １０１ 基板 １０２ 光記録層 ２０１ 押出機 ２０２ ダイス ２０３ 鏡面ロール ２０４ ロールスタンパー ２０５ 鏡面ロール ２０６ 引取りロール ２０７ 熔融樹脂シート ２０８ 基板シート ３０１ 固定側型 ３０２ 固定側ミラー ３０３ 固定側金型 ３０４ 可動側型 ３０５ 可動側ミラー ３０６ 可動側金型 ３０７ スタンパー ３０８ 外周スタンパーホルダー ３０９ 内周スタンパーホルダー ３１０ キヤビティ ３１１ スプルブッシュ ３１２ 射出ノズル ３１３ 熔融樹脂 ３１４ ゲートカッター ３１５ エジェクター ３１６ スクリュシリンダ ３１８ 射出装置 ４０１ プリフォーマットパターン転写領域 ４０２ 記録層形成領域 ４０３ 端部領域 ４０４ 中央領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 17:00 4Ｆ (72)発明者 湯浅 俊哉 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 芳野 斉 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 串田 直樹 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内
Claims (34)
- 【請求項１】 ポリカーボネート樹脂を含有してなる基
板及び記録層を具備してなる光記録媒体に於て、 該基板が下記式（ｘ）及び（ｙ）で示される構成単位を
有するコポリカーボネート樹脂を含有することを特徴と
する光記録媒体。 【外１】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］ - 【請求項２】 該コポリカーボネート樹脂に於て置換基
Ｒ1 が炭素数５以上１５以下のアルキル基又はアラルキ
ル基である請求項１の光記録媒体。 - 【請求項３】 該コポリカーボネート樹脂に於て置換基
Ｒ2 〜Ｒ5 が炭素数１〜４のアルキル基である請求項１
の光記録媒体。 - 【請求項４】 該コポリカーボネート樹脂に於て該構造
式（ｘ）で示される構成単位の割合が０．１〜７０モル
％である請求項１の光記録媒体。 - 【請求項５】 該ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子
量が０．１×１０4〜４．０×１０4 である請求項１の
光記録媒体。 - 【請求項６】 該ポリカーボネート樹脂がビス（ヒドロ
キシフェニル）アルカン系ポリカーボネート樹脂である
請求項１の光記録媒体。 - 【請求項７】 該基板に於てポリカーボネート樹脂に対
するコポリカーボネート樹脂の混合量が、該ポリカーボ
ネート樹脂を基準として、０．１〜２０重量％である請
求項１の光記録媒体。 - 【請求項８】 該基板に於てポリカーボネート樹脂に対
するコポリカーボネート樹脂の混合量が、該ポリカーボ
ネート樹脂を基準として０．３〜５重量％である請求項
７の光記録媒体。 - 【請求項９】 該基板に於てポリカーボネート樹脂に対
するコポリカーボネート樹脂の混合量が該ポリカーボネ
ート樹脂を基準として、０．５〜２重量％である請求項
８の光記録媒体。 - 【請求項１０】 該記録層が有機色素を含有してなる請
求項１の光記録媒体。 - 【請求項１１】 該基板の記録層に対向する側の表面に
プリフォーマットを有してなる請求項１の光記録媒体。 - 【請求項１２】 該基板が、下記式（３）で示される飽
和脂肪族モノカルボン酸と、下記式（４）で示される多
価アルコールとのエステルを含有する請求項１の光記録
媒体。 【外２】 - 【請求項１３】 該エステルの含有量が０．０１〜０．
０９重量％である請求項１２の光記録媒体。 - 【請求項１４】 該エステルがペンタエリスリトールテ
トラステアレートである請求項１２の光記録媒体。 - 【請求項１５】 該光記録媒体が光カードである請求項
１の光記録媒体。 - 【請求項１６】 該光記録媒体が光ディスクである請求
項１の光記録媒体。 - 【請求項１７】 ポリカーボネート樹脂を含有してなる
光記録媒体用基板に於て、該基板が下記式（ｘ）及び
（ｙ）で示される構成単位を有するコポリカーボネート
樹脂を含有することを特徴とする光記録媒体用基板。 【外３】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］ - 【請求項１８】 該コポリカーボネート樹脂に於て置換
基Ｒ1 が炭素数５以上１５以下のアルキル基又はアラル
キル基である請求項１７の光記録媒体用基板。 - 【請求項１９】 該コポリカーボネート樹脂に於て置換
基Ｒ2 〜Ｒ5 が炭素数１〜４のアルキル基である請求項
１７の光記録媒体用基板。 - 【請求項２０】 該コポリカーボネート樹脂に於て該構
造式（ｘ）で示される構成単位の割合が０．１〜７０モ
ル％である請求項１７の光記録媒体用基板。 - 【請求項２１】 該コポリカーボネート樹脂の粘度平均
分子量が０．１×１０4 〜４．０×１０4 である請求項
１７の光記録媒体用基板。 - 【請求項２２】 該ポリカーボネート樹脂がビス（ヒド
ロキシフェニル）アルカン系ポリカーボネート樹脂であ
る請求項１７の光記録媒体用基板。 - 【請求項２３】 該基板に於てポリカーボネート樹脂に
対するコポリカーボネート樹脂の混合量が、該ポリカー
ボネート樹脂を基準として０．１〜２０重量％である請
求項１７の光記録媒体。 - 【請求項２４】 該基板に於てポリカーボネート樹脂に
対するコポリカーボネート樹脂の混合量が、該ポリカー
ボネート樹脂を基準として０．３〜５重量％である請求
項２３の光記録媒体用基板。 - 【請求項２５】 該基板に於てポリカーボネート樹脂に
対するコポリカーボネート樹脂の混合量が該ポリカーボ
ネート樹脂を基準として、０．５〜２重量％である請求
項２４の光記録媒体。 - 【請求項２６】 該基板の少なくとも一方の表面にプリ
フォーマットを有してなる請求項１７の光記録媒体用基
板。 - 【請求項２７】 該基板が、下記式（３）で示される飽
和脂肪族モノカルボン酸と、下記式（４）で示される多
価アルコールとのエステルを含有する請求項１７の光記
録媒体用基板。 【外４】 - 【請求項２８】 該エステルの含有量が０．０１〜０．
０９重量％である請求項２７の光記録媒体用基板。 - 【請求項２９】 該エステルがペンタエリスリトールテ
トラステアレートである請求項２７の光記録媒体用基
板。 - 【請求項３０】 該基板が光カード用基板である請求項
１７の光記録媒体用基板。 - 【請求項３１】 該基板が光ディスク用基板である請求
項１７の光記録媒体用基板。 - 【請求項３２】 下記式（ｘ）及び（ｙ）で示される構
成単位を有するコポリカーボネート樹脂を含有してなる
ポリカーボネート樹脂を熔融して押し出し、樹脂シート
を成形する工程、及び該樹脂シートを、周面にプリフォ
ーマットパターンを有してなるロールスタンパーと、 該ロールスタンパーに対向配置されてなるロールとで、
挟圧して、該樹脂シート表面にプリフォーマットパター
ンを転写する工程、とを有してなることを特徴とする光
記録媒体用基板の製造方法。 【外５】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］ - 【請求項３３】 樹脂基板及び記録層を具備してなる光
記録媒体に於て、該基板が下記式（ｘ）及び（ｙ）で示
される構成単位を有するコポリカーボネート樹脂を含有
することを特徴とする光記録媒体。 【外６】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］ - 【請求項３４】 下記式（ｘ）及び（ｙ）で示される構
成単位を有するコポリカーボネート樹脂樹脂を含有して
なることを特徴とする光記録媒体用基板。 【外７】 ［但し、式（ｘ）のＺは直接結合、アルキリデン基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −を示し、ＸはＨ、または
ハロゲン、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基を
示し、Ｒ1 はＨ、またはアルキル基、アラルキル基を示
し、ｍは１〜３の整数を示す。式（ｙ）のＹは、アルキ
リデン基、アリール置換アルキレン基、アリール基また
は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を示し、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はＨ、ハロゲンまたはアルキル基
を示す。］
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5147703A JPH0676356A (ja) | 1992-06-19 | 1993-06-18 | 光記録媒体、光記録媒体用基板及び光記録媒体用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-161345 | 1992-06-19 | ||
| JP16134592 | 1992-06-19 | ||
| JP5147703A JPH0676356A (ja) | 1992-06-19 | 1993-06-18 | 光記録媒体、光記録媒体用基板及び光記録媒体用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676356A true JPH0676356A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=26478163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5147703A Pending JPH0676356A (ja) | 1992-06-19 | 1993-06-18 | 光記録媒体、光記録媒体用基板及び光記録媒体用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676356A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005531098A (ja) * | 2002-06-26 | 2005-10-13 | エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド | 重合体基材上に微細構造を形成する方法及び装置 |
| JP2011141947A (ja) * | 2011-04-11 | 2011-07-21 | Toshiba Corp | パターン転写用樹脂スタンパ、これを用いた磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体 |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP5147703A patent/JPH0676356A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005531098A (ja) * | 2002-06-26 | 2005-10-13 | エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド | 重合体基材上に微細構造を形成する方法及び装置 |
| JP2011141947A (ja) * | 2011-04-11 | 2011-07-21 | Toshiba Corp | パターン転写用樹脂スタンパ、これを用いた磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020806 |