JPH067620B2 - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPH067620B2 JPH067620B2 JP5813984A JP5813984A JPH067620B2 JP H067620 B2 JPH067620 B2 JP H067620B2 JP 5813984 A JP5813984 A JP 5813984A JP 5813984 A JP5813984 A JP 5813984A JP H067620 B2 JPH067620 B2 JP H067620B2
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- junction
- stripe
- semiconductor laser
- layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の属する技術分野］ 本発明は半導体レーザーに関する。
［発明の技術的背景とその問題点］ 近年デジタル・オーディオ、ディスク（以下ＤＡＤと略
す）およびビデオ・ディスク（以下ＶＤと略す）技術な
どの光情報処理システムにおいて半導体レーザが多く用
いられる。
す）およびビデオ・ディスク（以下ＶＤと略す）技術な
どの光情報処理システムにおいて半導体レーザが多く用
いられる。
ＤＡＤではディジタル信号処理であるためレーザ雑音に
する許容レベルが高くあまり問題とならないが、ＶＤで
はアナログ信号処理であり、レーザ雑音が画質に影響す
るため雑音レベル対して厳しい要求がなされる。
する許容レベルが高くあまり問題とならないが、ＶＤで
はアナログ信号処理であり、レーザ雑音が画質に影響す
るため雑音レベル対して厳しい要求がなされる。
半導体レーザの雑音の中でも特に問題となるのは、レー
ザ素子の温度変化にともない発振スペクトルが変化する
際に生ずるいわゆるモードホッピング雑音と、ディスク
からのもどり光により光出力が変動するいわゆる反射雑
音である。モードホッピンク雑音を抑えるには、いわゆ
る縦モードをマルチ化する方法が考えられ、また反射雑
音を抑えるには発振スペクトル線幅を広げることによ
り、レーザ光のコヒーレント長を短くする方法が考えら
れる。コヒーレント長を短くすることと縦モードをマル
チ化することとは等価である。
ザ素子の温度変化にともない発振スペクトルが変化する
際に生ずるいわゆるモードホッピング雑音と、ディスク
からのもどり光により光出力が変動するいわゆる反射雑
音である。モードホッピンク雑音を抑えるには、いわゆ
る縦モードをマルチ化する方法が考えられ、また反射雑
音を抑えるには発振スペクトル線幅を広げることによ
り、レーザ光のコヒーレント長を短くする方法が考えら
れる。コヒーレント長を短くすることと縦モードをマル
チ化することとは等価である。
縦モードがマルチの半導体レーザとしてつくりつけの屈
折率分布がない、いわゆる利得がガイド型レーザが知ら
れている。
折率分布がない、いわゆる利得がガイド型レーザが知ら
れている。
第１図は利得ガイド型のレーザの一例である。(2)はＧ
ａＡｓ基板、(4)(6)はＡｌＧａＡｓクラッド層、(8)は
ＡｌＧａＡｓ活性層、(10)はＧａＡｓオーミック層、
（12）はＳｉＯ２、(１４)(１６)は電極金属である。こ
の様な利得ガイド型レーザでは特定の光出力までは温度
変動及びもどり光に対して安定に動作することができる
が、いわゆる横モードが不安定であり、またレーザ光の
いわゆる非点較差が大きいためディスク上に絞り込む場
合、かなり複雑な光学系を必要とし実用的でない。ま
た、光出力とともに縦モードが変化し高出力では縦モー
ドが単一モードとなってしまい、モードホッピング雑音
及び、もどり光雑音を発生する。
ａＡｓ基板、(4)(6)はＡｌＧａＡｓクラッド層、(8)は
ＡｌＧａＡｓ活性層、(10)はＧａＡｓオーミック層、
（12）はＳｉＯ２、(１４)(１６)は電極金属である。こ
の様な利得ガイド型レーザでは特定の光出力までは温度
変動及びもどり光に対して安定に動作することができる
が、いわゆる横モードが不安定であり、またレーザ光の
いわゆる非点較差が大きいためディスク上に絞り込む場
合、かなり複雑な光学系を必要とし実用的でない。ま
た、光出力とともに縦モードが変化し高出力では縦モー
ドが単一モードとなってしまい、モードホッピング雑音
及び、もどり光雑音を発生する。
一方、横モードが安定で非点較差が小さい半導体レーザ
としては屈折率ガイド型のいわゆるＣＳＰ型レーザー
が、特公昭54-5273号公報で知られている。第２図にそ
の構造を示す。この構造では縦モードが単一モードでコ
ヒーレント長が長いためモードホッピング雑音及び反射
雑音をおさえることは不可能である。
としては屈折率ガイド型のいわゆるＣＳＰ型レーザー
が、特公昭54-5273号公報で知られている。第２図にそ
の構造を示す。この構造では縦モードが単一モードでコ
ヒーレント長が長いためモードホッピング雑音及び反射
雑音をおさえることは不可能である。
さらに、比較的利得ガイド性の強い屈折率ガイド型レー
ザとしていわゆるＶＳＩＳ型レーザが特開昭57-159084
号公報で知られている。このレーザの基本構造は第３図
に示す様にＰ−ＧａＡｓ基板（18）上にｎ−ＧａＡｓか
ら成る電流阻止層（20）を形成した後、基板（18）まで
達する溝（34）を設け、この上に半導体レーザとなる多
層を順次結晶成長して成るものである。しかしこのレー
ザでは光出力１ｍＷ程度までは縦マルチモードであるが
それ以上の光出力では単一縦モードとなる。実際ＤＡＤ
及びＶＤなどに応用する場合実用的光出力は３ｍＷ以上
であり、従ってやはりモードホッピング雑音及び反射雑
音を抑えることはできない。
ザとしていわゆるＶＳＩＳ型レーザが特開昭57-159084
号公報で知られている。このレーザの基本構造は第３図
に示す様にＰ−ＧａＡｓ基板（18）上にｎ−ＧａＡｓか
ら成る電流阻止層（20）を形成した後、基板（18）まで
達する溝（34）を設け、この上に半導体レーザとなる多
層を順次結晶成長して成るものである。しかしこのレー
ザでは光出力１ｍＷ程度までは縦マルチモードであるが
それ以上の光出力では単一縦モードとなる。実際ＤＡＤ
及びＶＤなどに応用する場合実用的光出力は３ｍＷ以上
であり、従ってやはりモードホッピング雑音及び反射雑
音を抑えることはできない。
「発明の目的］ 本発明は高光出力までモードホッピング雑音及び反射雑
音が抑えられ、かつ横モードが安定で非点較差の小さい
半導体レーザを提供するものである。
音が抑えられ、かつ横モードが安定で非点較差の小さい
半導体レーザを提供するものである。
［発明の概要］ 本発明では光ガイド機構と電流狭窄機構とが活性層をは
さんで相反する側に位置し、かつ光ガイド領域の一部の
みに電流注入を行なうことを特徴とする。光ガイドはク
ラッド層に設けた凹凸とその外側に設けた光吸収層によ
り行なう。また電流狭窄はｐ−ｎ逆接合あるいは高抵抗
層により行なう。
さんで相反する側に位置し、かつ光ガイド領域の一部の
みに電流注入を行なうことを特徴とする。光ガイドはク
ラッド層に設けた凹凸とその外側に設けた光吸収層によ
り行なう。また電流狭窄はｐ−ｎ逆接合あるいは高抵抗
層により行なう。
本発明の概要を従来例と比較して説明する。第４図は従
来技術、第５図は本発明による半導体レーザをそれぞれ
示す。同図において、（48）は電流流線の広がりであ
り、（50）（54）はいわゆるゲイン分布を示し、（52）
（56）は光広がり領域を示す光強度分布である。
来技術、第５図は本発明による半導体レーザをそれぞれ
示す。同図において、（48）は電流流線の広がりであ
り、（50）（54）はいわゆるゲイン分布を示し、（52）
（56）は光広がり領域を示す光強度分布である。
電流流線の広がりはいわゆるレーザ発振に寄与するゲイ
ンを与える領域でありまた、光広がり領域とは活性層
（42）で発生した光が基板に吸収されることの少ない、
いわゆる損失の小さい領域を意味する。第４図に示すよ
うに従来例のレーザではゲイン領域と光広がり領域がほ
ぼ同じである。この様なレーザは一般的にモードが単一
モードとなりやすい。実験によれば光出力１ｍＷ以上で
は単−縦モードとなる。
ンを与える領域でありまた、光広がり領域とは活性層
（42）で発生した光が基板に吸収されることの少ない、
いわゆる損失の小さい領域を意味する。第４図に示すよ
うに従来例のレーザではゲイン領域と光広がり領域がほ
ぼ同じである。この様なレーザは一般的にモードが単一
モードとなりやすい。実験によれば光出力１ｍＷ以上で
は単−縦モードとなる。
一方、第５図に示す本発明による構造では、光ガイド機
構と電流狭窄機構とが活性層（42）を挟んで相反する側
に設けられている。領域Ｉは電流流線広がり領域であ
り、ゲインはほぼこの領域内にある。また領域IIは活性
層（42）が光吸収層（46）から遠いため光に対する損失
はないがゲインが小さいためこの領域でのレーザ発振は
生じない。この様な領域IIはいわゆる可飽和吸収体の機
能をもつ。一般的に可飽和吸収特性をもつ半導体レーザ
は自励発振を生じやすくその結果、縦モードがマルチモ
ードとなる。従って本発明の構造のレーザでは自励発振
による縦マルチモードを得ることができる。実験によれ
ば可飽和吸収体となる領域IIは大きい方が低い周波数で
の自励発振が生じ、高光出力まで安定した縦マルチモー
ドが得られる。よってクラッド層の凸部（60）は広く、
電流通路（58）はできるだけ狭い方が好ましい。しかし
クラッド層の凸部（60）幅が広すぎるとレーザ光の横モ
ードが不安定となるとともに非点較差も大きくなるため
凸部幅は３μｍから５μｍ程度が好ましく凸部（60）の
高さは光ガイド機能をなす程度（〜０．５μｍ以上）で
よい。また第１クラッド層（40）の厚さは領域IIでの光
損失を小さくし、しかも電流通路（58）の出口から活性
層（42）までの間の電流広がりをできるだけ小さく抑え
るためにも０．４〜１．０μｍ程度が好ましい。電流通
路（58）の幅は２μｍ以下が好ましい。
構と電流狭窄機構とが活性層（42）を挟んで相反する側
に設けられている。領域Ｉは電流流線広がり領域であ
り、ゲインはほぼこの領域内にある。また領域IIは活性
層（42）が光吸収層（46）から遠いため光に対する損失
はないがゲインが小さいためこの領域でのレーザ発振は
生じない。この様な領域IIはいわゆる可飽和吸収体の機
能をもつ。一般的に可飽和吸収特性をもつ半導体レーザ
は自励発振を生じやすくその結果、縦モードがマルチモ
ードとなる。従って本発明の構造のレーザでは自励発振
による縦マルチモードを得ることができる。実験によれ
ば可飽和吸収体となる領域IIは大きい方が低い周波数で
の自励発振が生じ、高光出力まで安定した縦マルチモー
ドが得られる。よってクラッド層の凸部（60）は広く、
電流通路（58）はできるだけ狭い方が好ましい。しかし
クラッド層の凸部（60）幅が広すぎるとレーザ光の横モ
ードが不安定となるとともに非点較差も大きくなるため
凸部幅は３μｍから５μｍ程度が好ましく凸部（60）の
高さは光ガイド機能をなす程度（〜０．５μｍ以上）で
よい。また第１クラッド層（40）の厚さは領域IIでの光
損失を小さくし、しかも電流通路（58）の出口から活性
層（42）までの間の電流広がりをできるだけ小さく抑え
るためにも０．４〜１．０μｍ程度が好ましい。電流通
路（58）の幅は２μｍ以下が好ましい。
本発明の電流通路溝（58）及び第２クラッド層（44）の
凸部（60）の形成には反応性イオンエッチングが有効で
ある。第２クラッド層（４４)の凸部（60）は光吸収層
（46）を活性層（42）から遠ざけるため凸部側壁は垂直
であることが好ましい。また電流通路（58）ではできる
限り幅狭でしかも電流流線を広げないために溝側壁は垂
直である方がより好ましい。通常のウェットエッチング
法では等方性エッチングであるため溝側壁は垂直となら
ず50〜60°の傾斜をもつ。またいわゆるサンドエッチン
グにより溝幅がエッチングマスクより広がり２μｍ以下
の溝幅を再現性良く得ることが困難である。しかし反応
性イオンエッチング法では異方性エッチング、すなわち
垂直エッチングが可能であり制御性が高い。従って本発
明の半導体レーザの製造には最適な方法である。
凸部（60）の形成には反応性イオンエッチングが有効で
ある。第２クラッド層（４４)の凸部（60）は光吸収層
（46）を活性層（42）から遠ざけるため凸部側壁は垂直
であることが好ましい。また電流通路（58）ではできる
限り幅狭でしかも電流流線を広げないために溝側壁は垂
直である方がより好ましい。通常のウェットエッチング
法では等方性エッチングであるため溝側壁は垂直となら
ず50〜60°の傾斜をもつ。またいわゆるサンドエッチン
グにより溝幅がエッチングマスクより広がり２μｍ以下
の溝幅を再現性良く得ることが困難である。しかし反応
性イオンエッチング法では異方性エッチング、すなわち
垂直エッチングが可能であり制御性が高い。従って本発
明の半導体レーザの製造には最適な方法である。
［発明の実施例］ 第６図から第１０図に従って本発明の半導体レーザの作
製方法を示す。第６図に示すように（100）ｐ−ＧａＡ
ｓ基板（62）の一面上にｎ−ＧａＡｓ（64）を約０．７
μｍ結晶成長させその上に通常のフォトリソグラフィ工
程にて幅約１μｍのストライプ状溝を有するフォトレジ
スト（66）を設ける。フォトレジスト厚は約０．５μｍ
でＡＺ−１３５０（米国シプレイファーイースト社の商
品名）を用いた。次に反応性イオンエッチングの異方性
条件を用いて深さ約０．８μｍの電流通路となる矩形溝
（68）を設ける（第７図）。反応性イオンエッチングは
雰囲気ガスとして三塩化硼素ＢＣｌ３の混合気体を用い
た。続いてレジスト（66）を除去した後、液相結晶成長
法にてｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層（70）を０．８μｍ
（溝（68）以外の厚さ）、ＡｌＧａＡｓ活性層（７２)
を0.1μm、n-AlGaAsクラッド層（74）を１．０μｍ連続成長
させる（第８図）。第９図は通常のフォトレジスト工程
にて幅４μｍのストライプパターンを形成した後反応性
イオンエッチングにて高あ約０．８μｍの凸部をｎ−Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層（74）に形成したものである。第
１０図は凸部を形成したｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層
（74）上にｎ−ＧａＡｓ光吸収層兼コンタクト層（76）
を結晶成長したものである。ＡｌＧａＡｓは表面が酸化
しやすく、大気に露出した後は表面酸化膜のため液相結
晶成長ができない。しかしＭＯ−ＣＶＤ法ではＡｌＧａ
？Ａｓ上への結晶成長が可能であることが実験により確
かめられている。従って本発明の実施例ではｎ−ＧａＡ
ｓ光吸収層（76）はＭＯ−ＣＶＤ法にて形成した。なお
（78）（80）は電極金属である。
製方法を示す。第６図に示すように（100）ｐ−ＧａＡ
ｓ基板（62）の一面上にｎ−ＧａＡｓ（64）を約０．７
μｍ結晶成長させその上に通常のフォトリソグラフィ工
程にて幅約１μｍのストライプ状溝を有するフォトレジ
スト（66）を設ける。フォトレジスト厚は約０．５μｍ
でＡＺ−１３５０（米国シプレイファーイースト社の商
品名）を用いた。次に反応性イオンエッチングの異方性
条件を用いて深さ約０．８μｍの電流通路となる矩形溝
（68）を設ける（第７図）。反応性イオンエッチングは
雰囲気ガスとして三塩化硼素ＢＣｌ３の混合気体を用い
た。続いてレジスト（66）を除去した後、液相結晶成長
法にてｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層（70）を０．８μｍ
（溝（68）以外の厚さ）、ＡｌＧａＡｓ活性層（７２)
を0.1μm、n-AlGaAsクラッド層（74）を１．０μｍ連続成長
させる（第８図）。第９図は通常のフォトレジスト工程
にて幅４μｍのストライプパターンを形成した後反応性
イオンエッチングにて高あ約０．８μｍの凸部をｎ−Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層（74）に形成したものである。第
１０図は凸部を形成したｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層
（74）上にｎ−ＧａＡｓ光吸収層兼コンタクト層（76）
を結晶成長したものである。ＡｌＧａＡｓは表面が酸化
しやすく、大気に露出した後は表面酸化膜のため液相結
晶成長ができない。しかしＭＯ−ＣＶＤ法ではＡｌＧａ
？Ａｓ上への結晶成長が可能であることが実験により確
かめられている。従って本発明の実施例ではｎ−ＧａＡ
ｓ光吸収層（76）はＭＯ−ＣＶＤ法にて形成した。なお
（78）（80）は電極金属である。
第１１図は本発明の他の実施例である。（82）ｐ−Ｇａ
Ａｓ基板、（84）はｐ−ＡｇＧａＡｓクラッド層（溝
（94）以外の厚さは０．２μｍ）、（86）はＡｌＧａＡ
ｓ活性層（厚さ０．１μｍ）、（88）はｎ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層（厚さ０．８μｍ）、（90）はｎ−ＧａＡ
ｓ電流阻止層（厚さ０．５μｍ）、（92）（95）は電極
金属である。なお電流通路（96）の幅は１μｍ、光ガイ
ド溝（94）の幅は４μｍ深さ０．８μｍでありそれぞれ
反応性イオンエッチング法にて形成した。
Ａｓ基板、（84）はｐ−ＡｇＧａＡｓクラッド層（溝
（94）以外の厚さは０．２μｍ）、（86）はＡｌＧａＡ
ｓ活性層（厚さ０．１μｍ）、（88）はｎ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層（厚さ０．８μｍ）、（90）はｎ−ＧａＡ
ｓ電流阻止層（厚さ０．５μｍ）、（92）（95）は電極
金属である。なお電流通路（96）の幅は１μｍ、光ガイ
ド溝（94）の幅は４μｍ深さ０．８μｍでありそれぞれ
反応性イオンエッチング法にて形成した。
第１２図は第１０図に示す断面構造をもつ半導体レーザ
の電流−光出力特性（100）の典型例である。また同図
のＡ点でおける発振スベクトルを第１３図に示す。本実
施例では光出力５ｍＷでも縦マルチモードが得られ、同
光出力において素子温度10度から60度の範囲でモードホ
ッピング雑音は観測されなかった。またＤＡＤ及びＶＤ
のいわゆるピックアップヘッドを想定した光学系にても
どり光量0.001％から１％の範囲で反射雑音はまったく
発生しなかった。また雑音の基底レベルは相対雑音強度
にて10-14（１／Ｈｚ）が得られた。さらに同レーザの
横モードは単一モードで全光出力範囲で安定であり、非
点較差は約５μｍ程度でＶＤ及びＤＡＤ等の光学系に組
み込むのに十分実用に耐える特性である。
の電流−光出力特性（100）の典型例である。また同図
のＡ点でおける発振スベクトルを第１３図に示す。本実
施例では光出力５ｍＷでも縦マルチモードが得られ、同
光出力において素子温度10度から60度の範囲でモードホ
ッピング雑音は観測されなかった。またＤＡＤ及びＶＤ
のいわゆるピックアップヘッドを想定した光学系にても
どり光量0.001％から１％の範囲で反射雑音はまったく
発生しなかった。また雑音の基底レベルは相対雑音強度
にて10-14（１／Ｈｚ）が得られた。さらに同レーザの
横モードは単一モードで全光出力範囲で安定であり、非
点較差は約５μｍ程度でＶＤ及びＤＡＤ等の光学系に組
み込むのに十分実用に耐える特性である。
［発明の効果］ 以上のように光ガイド領域の一部のみに電流注入するこ
とにより高光出力まで縦マルチモードの半導体レーザが
得られモードホッピング雑音及び反射雑音を抑えること
が可能となると同時に横モードが安定で非点較差の小さ
い半導体レーザを歩留り良く製造することが可能となっ
た。
とにより高光出力まで縦マルチモードの半導体レーザが
得られモードホッピング雑音及び反射雑音を抑えること
が可能となると同時に横モードが安定で非点較差の小さ
い半導体レーザを歩留り良く製造することが可能となっ
た。
［変形例］ 本発明の実施例ではＧａＡｓ及びＡｌＧａＡｓを用いた
が他にＩｎＰ、ＧａＳｂなどのすべての発光素子に適用
できる。また反応性イオンエッチングのマスクとして
は、フォトレジストの他にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ
３Ｎ４などの誘電体、金属及びそれらの多層膜であって
もかまわない。
が他にＩｎＰ、ＧａＳｂなどのすべての発光素子に適用
できる。また反応性イオンエッチングのマスクとして
は、フォトレジストの他にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ
３Ｎ４などの誘電体、金属及びそれらの多層膜であって
もかまわない。
第１図は利得ガイド型レーザ構造を示す断面図、第２図
は屈折率ガイド型レーザ構造を示す断面図、第３図は他
の従来例の半導体レーザ構造を示す断面図、第４図及び
第５図は本発明の概要を説明する断面図と特性図で第４
図は従来例、第５図は本発明を示す、第６図から第１０
図は本発明の実施例である半導体レーザの製造方法及び
構造を示す断面図、第１１図は本発明の他の実施例であ
る半導体レーザの構造を示す断面図、第１２図及び第１
３図は本発明の実施例である半導体レーザの特性図であ
る。 （62）（82）………ＧａＡｓ基板 （70）（74）（84）（88） ………ＡｌＧａＡｓクラッド層 （72）（86）………ＡｌＧａＡｓ活性層 （64）（90）………ＧａＡｓ電流阻止層 （76） ………光吸収層（兼コンタクト層） （78）（80）（92）（94）………電極金属 （68）（96）………電流通路 （75）（94）………広ガイド領域 （48） ………電流流線の広がり （50）（54）………ゲイン分布曲線 （52）（56）………光強度分布曲線 （66） ………フォトレジスト （100） ………電流−光出力特性曲線
は屈折率ガイド型レーザ構造を示す断面図、第３図は他
の従来例の半導体レーザ構造を示す断面図、第４図及び
第５図は本発明の概要を説明する断面図と特性図で第４
図は従来例、第５図は本発明を示す、第６図から第１０
図は本発明の実施例である半導体レーザの製造方法及び
構造を示す断面図、第１１図は本発明の他の実施例であ
る半導体レーザの構造を示す断面図、第１２図及び第１
３図は本発明の実施例である半導体レーザの特性図であ
る。 （62）（82）………ＧａＡｓ基板 （70）（74）（84）（88） ………ＡｌＧａＡｓクラッド層 （72）（86）………ＡｌＧａＡｓ活性層 （64）（90）………ＧａＡｓ電流阻止層 （76） ………光吸収層（兼コンタクト層） （78）（80）（92）（94）………電極金属 （68）（96）………電流通路 （75）（94）………広ガイド領域 （48） ………電流流線の広がり （50）（54）………ゲイン分布曲線 （52）（56）………光強度分布曲線 （66） ………フォトレジスト （100） ………電流−光出力特性曲線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 栗原 春樹 神奈川県川崎市幸区堀川町72 東京芝浦電 気株式会社堀川町工場内 (56)参考文献 特開 昭59−10292（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板と、 この半導体基板の一主面上に設けられたほぼ均一の厚さ
の第１導電型の活性層と、 この活性層に接して設けられた前記第１導電型とは異な
る第２導電型の半導体層と前記活性層との接合であるｐ
ｎ接合と、 前記活性層で発生するレーザ光を前記活性層のストライ
プ状領域近傍に限定する幅Ｗｏの第１のストライプ構造
と、 前記ｐｎ接合を越えて前記活性層へ前記ストライプ状領
域とは異なる幅に限定し過剰少数キャリア注入する幅Ｗ
ｃ第２のストライプ構造とを有し、 前記基板の主面に直交する方向から眺めた場合に前記第
１のストライプ構造の中心軸と前記第２ストライプ構造
の中心軸とがほぼ一致し、 前記Ｗｃと前記Ｗｏとが互いに独立に設定可能であり、
かつ、前記Ｗｃ＜前記Ｗｏであり、 かつ、前記活性層を挟んで前記第１のストライプ構造と
第２のストライプ構造とが相反する側に位置することを
特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】前記ｐｎ接合を越えて前記活性層へ前記ス
トライプ状領域とは異なる幅に限定し過剰少数キャリア
注入するためのｐ−ｎ逆接合を有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】前記ｐｎ接合を越えて前記活性層へ前記ス
トライプ状領域とは異なる幅に限定し過剰少数キャリア
注入するための高抵抗層を有することを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5813984A JPH067620B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5813984A JPH067620B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202978A JPS60202978A (ja) | 1985-10-14 |
| JPH067620B2 true JPH067620B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=13075652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5813984A Expired - Lifetime JPH067620B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067620B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0548202A (ja) * | 1990-12-27 | 1993-02-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP5813984A patent/JPH067620B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60202978A (ja) | 1985-10-14 |
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