JPH0676201A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
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- JPH0676201A JPH0676201A JP5141498A JP14149893A JPH0676201A JP H0676201 A JPH0676201 A JP H0676201A JP 5141498 A JP5141498 A JP 5141498A JP 14149893 A JP14149893 A JP 14149893A JP H0676201 A JPH0676201 A JP H0676201A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 240
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 74
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- JZQOJFLIJNRDHK-CMDGGOBGSA-N alpha-irone Chemical compound CC1CC=C(C)C(\C=C\C(C)=O)C1(C)C JZQOJFLIJNRDHK-CMDGGOBGSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B33/00—Constructional parts, details or accessories not provided for in the other groups of this subclass
- G11B33/14—Reducing influence of physical parameters, e.g. temperature change, moisture, dust
- G11B33/1493—Electro-Magnetic Interference [EMI] or Radio Frequency Interference [RFI] shielding; grounding of static charges
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
- G11B5/11—Shielding of head against electric or magnetic fields
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドから磁気ディスクへの漏電、
両者間の放電現象を防止するのに有効な磁気ディスク装
置を提供する。 【構成】 薄膜磁気ヘッド１は、スライダと、薄膜磁気
変換素子とを含み、スライダが薄膜磁気変換素子を支持
し、薄膜磁気変換素子の少なくとも１つが磁気抵抗効果
素子による読み出し素子１１である。磁気ディスク３
は、磁性膜の表面比抵抗ρがρ≧０．０３Ω・ｃｍであ
る
両者間の放電現象を防止するのに有効な磁気ディスク装
置を提供する。 【構成】 薄膜磁気ヘッド１は、スライダと、薄膜磁気
変換素子とを含み、スライダが薄膜磁気変換素子を支持
し、薄膜磁気変換素子の少なくとも１つが磁気抵抗効果
素子による読み出し素子１１である。磁気ディスク３
は、磁性膜の表面比抵抗ρがρ≧０．０３Ω・ｃｍであ
る
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に関
し、更に詳しくは、磁気抵抗効果素子を読み出し素子と
して用いた薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクとを組み合
わせた磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドから
磁気ディスクへの漏電、及び、両者間の放電現象を防止
するのに有効な磁気ディスク装置の改良に係わる。
し、更に詳しくは、磁気抵抗効果素子を読み出し素子と
して用いた薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクとを組み合
わせた磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドから
磁気ディスクへの漏電、及び、両者間の放電現象を防止
するのに有効な磁気ディスク装置の改良に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来、浮上型の薄膜磁気ヘッドとして
は、誘導型薄膜磁気変換素子を読み書き素子として使用
したものが最もよく知られている。誘導型薄膜磁気変換
素子を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、高い読み出し出
力を得るには、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の相対
速度を上げるか、または、コイルのターン数を増大させ
る必要がある。しかし、磁気ディスクが小型化される傾
向にあるため、相対速度の高速化による読み出し出力の
増大は実情に合わない。また、コイルのターン数増大に
よる読み出し出力は、コイルのインダクタンス及び直流
抵抗値の増大を招き、高周波特性を悪化させ、高速読み
出しに適応できなくなる。かかる問題点を解決する手段
として、読み出し素子を磁気抵抗効果素子によって構成
し、誘導型薄膜磁気変換素子は書込み専用として用いる
ようにした技術が提案されている。公知技術文献として
は、例えば特公昭５９−３５０８８号公報がある。 磁
気抵抗効果素子でなる読み出し素子は、読み出し動作時
に一定の直流電流（以下センス電流と称する）が供給さ
れ、磁気ディスクの磁界の変化を電気抵抗値の変化とし
て検出する。
は、誘導型薄膜磁気変換素子を読み書き素子として使用
したものが最もよく知られている。誘導型薄膜磁気変換
素子を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、高い読み出し出
力を得るには、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の相対
速度を上げるか、または、コイルのターン数を増大させ
る必要がある。しかし、磁気ディスクが小型化される傾
向にあるため、相対速度の高速化による読み出し出力の
増大は実情に合わない。また、コイルのターン数増大に
よる読み出し出力は、コイルのインダクタンス及び直流
抵抗値の増大を招き、高周波特性を悪化させ、高速読み
出しに適応できなくなる。かかる問題点を解決する手段
として、読み出し素子を磁気抵抗効果素子によって構成
し、誘導型薄膜磁気変換素子は書込み専用として用いる
ようにした技術が提案されている。公知技術文献として
は、例えば特公昭５９−３５０８８号公報がある。 磁
気抵抗効果素子でなる読み出し素子は、読み出し動作時
に一定の直流電流（以下センス電流と称する）が供給さ
れ、磁気ディスクの磁界の変化を電気抵抗値の変化とし
て検出する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気抵
抗効果素子を読み出し素子として用いた薄膜磁気ヘッド
と、磁気ディスクとの組み合わせに係る磁気ディスク装
置には次のような問題点がある。
抗効果素子を読み出し素子として用いた薄膜磁気ヘッド
と、磁気ディスクとの組み合わせに係る磁気ディスク装
置には次のような問題点がある。
【０００４】（Ａ）磁気抵抗効果素子でなる読み出し素
子には、常時、センス電流が流れており、一方、磁気デ
ィスクは導電性剛性基体上に磁気記録層を有し、全体と
して導電性を有し、しかも接地電位にある駆動装置に機
械的に結合されている。このため、磁気記録の読み出し
動作において、薄膜磁気ヘッドが磁気ディスクの表面に
接触した場合、センス電流が薄膜磁気ヘッドから磁気デ
ィスクを通して接地側に漏電し、またはスパーク放電を
生じる。これらは、回復不可能なヘッドクラッシュを招
く。特に、最近は、高密度記録に対応するため、薄膜磁
気ヘッドの浮上量が例えば０．１μｍ以下となるように
低浮上化されており、磁気ディスクの表面に極微小な凹
凸があっただけで、実質的な電気的接触状態を生じる。
子には、常時、センス電流が流れており、一方、磁気デ
ィスクは導電性剛性基体上に磁気記録層を有し、全体と
して導電性を有し、しかも接地電位にある駆動装置に機
械的に結合されている。このため、磁気記録の読み出し
動作において、薄膜磁気ヘッドが磁気ディスクの表面に
接触した場合、センス電流が薄膜磁気ヘッドから磁気デ
ィスクを通して接地側に漏電し、またはスパーク放電を
生じる。これらは、回復不可能なヘッドクラッシュを招
く。特に、最近は、高密度記録に対応するため、薄膜磁
気ヘッドの浮上量が例えば０．１μｍ以下となるように
低浮上化されており、磁気ディスクの表面に極微小な凹
凸があっただけで、実質的な電気的接触状態を生じる。
【０００５】（Ｂ）電気的接触状態を考慮しない場合で
あっても、読み出し素子と磁気ディスクとの間に、短い
時間間隔で放電を生じ、同様のヘッドクラッシュを生じ
ることがある。例えば、読み出し素子と磁気ディスクと
の間に薄膜磁気ヘッドの浮上量に基づくキャパシタを想
定し、キャパシタに対するセンス電流の充電回路を考え
た場合、充電時定数は電源の抵抗成分とキャパシタによ
って定まる値となる。抵抗値は通常極く小さい値に選定
されているから、充電時定数は小さい。このため、キャ
パシタが放電電位まで短時間で充電されてしまう。しか
も、前述したように、高密度記録に対応するため、薄膜
磁気ヘッドの浮上量が例えば０．１μｍ以下となるよう
に低浮上化されており、低い放電電圧で放電を生じてし
まう。このため、単位時間あたりの放電発生回数が増
え、ヘッドクラッシュを生じ易くなる。
あっても、読み出し素子と磁気ディスクとの間に、短い
時間間隔で放電を生じ、同様のヘッドクラッシュを生じ
ることがある。例えば、読み出し素子と磁気ディスクと
の間に薄膜磁気ヘッドの浮上量に基づくキャパシタを想
定し、キャパシタに対するセンス電流の充電回路を考え
た場合、充電時定数は電源の抵抗成分とキャパシタによ
って定まる値となる。抵抗値は通常極く小さい値に選定
されているから、充電時定数は小さい。このため、キャ
パシタが放電電位まで短時間で充電されてしまう。しか
も、前述したように、高密度記録に対応するため、薄膜
磁気ヘッドの浮上量が例えば０．１μｍ以下となるよう
に低浮上化されており、低い放電電圧で放電を生じてし
まう。このため、単位時間あたりの放電発生回数が増
え、ヘッドクラッシュを生じ易くなる。
【０００６】（Ｃ）磁気ディスクの磁気記録層の表面ま
たは薄膜磁気ヘッドの空気ベアリング面の表面に電気絶
縁層を設けて、前述の漏電及び放電を阻止する技術が知
られている。しかし、この場合には、磁気ディスクと磁
気変換素子との間のスペーシングロスが電気絶縁層の厚
みのために大きくなり、高密度記録に対応できない。
たは薄膜磁気ヘッドの空気ベアリング面の表面に電気絶
縁層を設けて、前述の漏電及び放電を阻止する技術が知
られている。しかし、この場合には、磁気ディスクと磁
気変換素子との間のスペーシングロスが電気絶縁層の厚
みのために大きくなり、高密度記録に対応できない。
【０００７】そこで、本発明の課題は、上述する従来の
問題点を解決し、磁気抵抗効果素子を読み出し素子とし
て用いた薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクとを組み合わ
せた磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドから磁
気ディスクへの漏電、両者間の放電現象を防止するのに
有効な磁気ディスク装置を提供することである。
問題点を解決し、磁気抵抗効果素子を読み出し素子とし
て用いた薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクとを組み合わ
せた磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドから磁
気ディスクへの漏電、両者間の放電現象を防止するのに
有効な磁気ディスク装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクとを含
む磁気ディスク装置であって、前記薄膜磁気ヘッドは、
スライダと、薄膜磁気変換素子とを含み、前記スライダ
が前記薄膜磁気変換素子を支持し、前記薄膜磁気変換素
子の少なくとも１つが磁気抵抗効果素子による読み出し
素子であり、前記磁気ディスクは、磁性膜の表面比抵抗
ρが ρ≧０．０３Ω・ｃｍ である。
め、本発明は、薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクとを含
む磁気ディスク装置であって、前記薄膜磁気ヘッドは、
スライダと、薄膜磁気変換素子とを含み、前記スライダ
が前記薄膜磁気変換素子を支持し、前記薄膜磁気変換素
子の少なくとも１つが磁気抵抗効果素子による読み出し
素子であり、前記磁気ディスクは、磁性膜の表面比抵抗
ρが ρ≧０．０３Ω・ｃｍ である。
【０００９】
【作用】薄膜磁気ヘッドは、スライダが薄膜磁気変換素
子を支持し、薄膜磁気変換素子の少なくとも１つが磁気
抵抗効果素子による読み出し素子であるから、磁気ディ
スクと磁気ヘッドとの間の相対速度を上げることなく、
高い読み出し出力を得ることができ、高周波特性に優
れ、高速読み出しに適した磁気ディスク装置を実現でき
る。
子を支持し、薄膜磁気変換素子の少なくとも１つが磁気
抵抗効果素子による読み出し素子であるから、磁気ディ
スクと磁気ヘッドとの間の相対速度を上げることなく、
高い読み出し出力を得ることができ、高周波特性に優
れ、高速読み出しに適した磁気ディスク装置を実現でき
る。
【００１０】磁性膜は、表面比抵抗ρがρ≧０．０３Ω
・ｃｍとなるように選定する。このような表面比抵抗ρ
であると、磁気抵抗効果素子よりなる読み出し素子と、
磁気ディスクの磁性膜との間に漏電または放電が発生し
ないことがわかった。
・ｃｍとなるように選定する。このような表面比抵抗ρ
であると、磁気抵抗効果素子よりなる読み出し素子と、
磁気ディスクの磁性膜との間に漏電または放電が発生し
ないことがわかった。
【００１１】しかも、磁性膜の表面比抵抗ρの選定によ
って、漏電または放電を防止するものであるから、磁性
膜の上または薄膜磁気ヘッドの空気ベアリング面に電気
絶縁膜を設ける従来技術と異なって、スペーシングロス
を増大させることがない。
って、漏電または放電を防止するものであるから、磁性
膜の上または薄膜磁気ヘッドの空気ベアリング面に電気
絶縁膜を設ける従来技術と異なって、スペーシングロス
を増大させることがない。
【００１２】本発明は、特に、磁気抵抗効果素子または
給電用導体膜がスライダの媒体対向面に現れている薄膜
磁気ヘッドに有効である。
給電用導体膜がスライダの媒体対向面に現れている薄膜
磁気ヘッドに有効である。
【００１３】
【実施例】図１は本発明に係る磁気ディスク装置の構成
をモデル化して示す図である。１は薄膜磁気ヘッド、２
は支持装置、３は磁気ディスク、４は回転駆動装置、５
は信号処理回路である。
をモデル化して示す図である。１は薄膜磁気ヘッド、２
は支持装置、３は磁気ディスク、４は回転駆動装置、５
は信号処理回路である。
【００１４】薄膜磁気ヘッド１は、図示しないスライダ
と、薄膜磁気変換素子とを含み、スライダが薄膜磁気変
換素子を支持している。薄膜磁気変換素子の少なくとも
１つは、磁気抵抗効果素子による読み出し素子１１であ
る。磁気抵抗効果素子でなる読み出し素子１１は、読み
出し動作時にセンス電流Ｉが供給され、磁気ディスク３
の磁界Ｈの変化を電気抵抗値の変化として検出する。セ
ンス電流Ｉは抵抗Ｒ１及び読み出し素子１１を含む回路
ループで流れる。Ｒ１はセンス電流調整用抵抗、Ｃ１、
Ｃ２はセンス電流直流成分を阻止し、交流成分である検
出信号のみを信号処理回路５に伝送するコンデンサであ
る。
と、薄膜磁気変換素子とを含み、スライダが薄膜磁気変
換素子を支持している。薄膜磁気変換素子の少なくとも
１つは、磁気抵抗効果素子による読み出し素子１１であ
る。磁気抵抗効果素子でなる読み出し素子１１は、読み
出し動作時にセンス電流Ｉが供給され、磁気ディスク３
の磁界Ｈの変化を電気抵抗値の変化として検出する。セ
ンス電流Ｉは抵抗Ｒ１及び読み出し素子１１を含む回路
ループで流れる。Ｒ１はセンス電流調整用抵抗、Ｃ１、
Ｃ２はセンス電流直流成分を阻止し、交流成分である検
出信号のみを信号処理回路５に伝送するコンデンサであ
る。
【００１５】薄膜磁気ヘッド１は、薄膜磁気変換素子の
少なくとも１つが磁気抵抗効果素子による読み出し素子
１１であるから、磁気ディスク３と薄膜磁気ヘッド１と
の間の相対速度を上げることなく、高い読み出し出力を
得ることができ、高周波特性に優れ、高速読み出しに適
した磁気ディスク装置を実現できる。
少なくとも１つが磁気抵抗効果素子による読み出し素子
１１であるから、磁気ディスク３と薄膜磁気ヘッド１と
の間の相対速度を上げることなく、高い読み出し出力を
得ることができ、高周波特性に優れ、高速読み出しに適
した磁気ディスク装置を実現できる。
【００１６】磁気ディスク３は、図２に示すように、基
体３１上に磁性膜３２を有し、回転駆動装置４により、
矢印ａで示すごとく回転駆動される。磁性膜３２は表面
比抵抗ρが ρ≧０．０３Ω・ｃｍ となるように選定されている。
体３１上に磁性膜３２を有し、回転駆動装置４により、
矢印ａで示すごとく回転駆動される。磁性膜３２は表面
比抵抗ρが ρ≧０．０３Ω・ｃｍ となるように選定されている。
【００１７】表面比抵抗ρがρ≧０．０３Ω・ｃｍとな
るように選定されていると、薄膜磁気ヘッド１に備えら
れた磁気抵抗効果素子１１と、磁気ディスク３の磁性膜
３２との間に漏電または放電が発生しない。
るように選定されていると、薄膜磁気ヘッド１に備えら
れた磁気抵抗効果素子１１と、磁気ディスク３の磁性膜
３２との間に漏電または放電が発生しない。
【００１８】しかも、磁性膜３２の表面比抵抗ρの制御
によって、漏電または放電を防止するものであるから、
磁性膜３２の上または薄膜磁気ヘッド１の空気ベアリン
グ面に電気絶縁膜を設ける従来技術と異なって、スペー
シングロスを増大させることがない。
によって、漏電または放電を防止するものであるから、
磁性膜３２の上または薄膜磁気ヘッド１の空気ベアリン
グ面に電気絶縁膜を設ける従来技術と異なって、スペー
シングロスを増大させることがない。
【００１９】磁性膜３２の表面比抵抗ρを、ρ≧０．０
３Ω・ｃｍの範囲に選定する１つの有効な手段は、磁性
膜３２として、γ酸化鉄を主成分とする酸化物磁性膜、
代表的にはγーＦｅ2Ｏ3を用いることである。γ酸化鉄
を主成分とする酸化物磁性膜は、磁性膜表面の酸化の程
度をコントロールすることにより、表面層に向かう程、
α酸化鉄を多く含む磁性膜とし、表面比抵抗ρを、ρ≧
０．０３Ω・ｃｍの範囲に選定することができる。
３Ω・ｃｍの範囲に選定する１つの有効な手段は、磁性
膜３２として、γ酸化鉄を主成分とする酸化物磁性膜、
代表的にはγーＦｅ2Ｏ3を用いることである。γ酸化鉄
を主成分とする酸化物磁性膜は、磁性膜表面の酸化の程
度をコントロールすることにより、表面層に向かう程、
α酸化鉄を多く含む磁性膜とし、表面比抵抗ρを、ρ≧
０．０３Ω・ｃｍの範囲に選定することができる。
【００２０】磁性膜３２は金属または合金系磁性膜であ
ってもよい。この場合は、磁性膜３２の表面を金属酸化
物によって覆うことにより、表面比抵抗ρをρ≧０．０
３Ω・ｃｍの範囲に設定できる。金属酸化物の例として
は、酸化シリコン、アルミナまたはα酸化鉄等を挙げる
ことができる。磁性膜３２が金属または合金系磁性膜で
ある場合に、表面比抵抗ρを前述した範囲に設定するの
に有効な別の手段は、磁性膜３２の表面層を窒素化合物
によって覆うことである。金属または合金系磁性膜の代
表例は、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ等のように、鉄、コバ
ルト、ニッケルの内、少なくとも一種を含むようなもの
である。磁気ディスク３は、磁性膜３２の記録残留磁化
が膜面に対して垂直方向の成分を主成分とする垂直記
録、膜面内成分を主成分とする面内記録の何れであって
もよい。
ってもよい。この場合は、磁性膜３２の表面を金属酸化
物によって覆うことにより、表面比抵抗ρをρ≧０．０
３Ω・ｃｍの範囲に設定できる。金属酸化物の例として
は、酸化シリコン、アルミナまたはα酸化鉄等を挙げる
ことができる。磁性膜３２が金属または合金系磁性膜で
ある場合に、表面比抵抗ρを前述した範囲に設定するの
に有効な別の手段は、磁性膜３２の表面層を窒素化合物
によって覆うことである。金属または合金系磁性膜の代
表例は、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ等のように、鉄、コバ
ルト、ニッケルの内、少なくとも一種を含むようなもの
である。磁気ディスク３は、磁性膜３２の記録残留磁化
が膜面に対して垂直方向の成分を主成分とする垂直記
録、膜面内成分を主成分とする面内記録の何れであって
もよい。
【００２１】磁気ディスク３は、基板３１がガラスを主
成分とし、表面粗さＲｍａｘが、Ｒｍａｘ ＜１００Å
の範囲にあるものが適している。このような磁気ディス
ク３の組み合わせは、薄膜磁気ヘッド１と、磁気ディス
ク３の磁性膜３２との間に発生する実質的な浮上量が
０．１μｍ以下である低浮上量、低スペーシングロスに
おいても、ヘッドクラッシュを生じることがない。かか
る基板３１の具体例としては、ガラス、化学強化された
ソーダアルミノ珪酸ガラス、またはセラミックを主成分
とするもの等を上げることができる。
成分とし、表面粗さＲｍａｘが、Ｒｍａｘ ＜１００Å
の範囲にあるものが適している。このような磁気ディス
ク３の組み合わせは、薄膜磁気ヘッド１と、磁気ディス
ク３の磁性膜３２との間に発生する実質的な浮上量が
０．１μｍ以下である低浮上量、低スペーシングロスに
おいても、ヘッドクラッシュを生じることがない。かか
る基板３１の具体例としては、ガラス、化学強化された
ソーダアルミノ珪酸ガラス、またはセラミックを主成分
とするもの等を上げることができる。
【００２２】図３は磁気ディスク装置の具体的な構成を
示す図、図４は磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッ
ド装置の正面図、図５は同じくその底面図である。図に
おいて、７は位置決め装置である。
示す図、図４は磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッ
ド装置の正面図、図５は同じくその底面図である。図に
おいて、７は位置決め装置である。
【００２３】薄膜磁気ヘッド１はロール運動及びピッチ
運動ができるように、ヘッド支持装置２の先端部に取付
けられている。図６は薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部
分の拡大断面図である。図示の薄膜磁気ヘッドは、スラ
イダ１０の上に磁気抵抗効果素子を用いた読み出し素子
１１及び誘導型磁気変換素子でなる書き込み素子１２を
有する。
運動ができるように、ヘッド支持装置２の先端部に取付
けられている。図６は薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部
分の拡大断面図である。図示の薄膜磁気ヘッドは、スラ
イダ１０の上に磁気抵抗効果素子を用いた読み出し素子
１１及び誘導型磁気変換素子でなる書き込み素子１２を
有する。
【００２４】スライダ１０はセラミック構造体で構成さ
れ、Ａｌ2Ｏ3 −ＴｉＣ 等でなる基体部分の上にＡｌ
2Ｏ3 またはＳｉＯ2等でなる絶縁膜１０１を設けてあ
る。スライダ１０は磁気ディスク３と対向する一面側に
空気ベアリング面（以下ＡＢＳ面と称する）１０３を有
する。スライダ１０としては、磁気ディスク３と対向す
る面側にレール部を設け、レール部の表面をＡＢＳ面と
して利用するタイプの外に、レール部を持たない平面状
とし、平面のほぼ全面をＡＢＳ面として利用するタイプ
等も知られている。
れ、Ａｌ2Ｏ3 −ＴｉＣ 等でなる基体部分の上にＡｌ
2Ｏ3 またはＳｉＯ2等でなる絶縁膜１０１を設けてあ
る。スライダ１０は磁気ディスク３と対向する一面側に
空気ベアリング面（以下ＡＢＳ面と称する）１０３を有
する。スライダ１０としては、磁気ディスク３と対向す
る面側にレール部を設け、レール部の表面をＡＢＳ面と
して利用するタイプの外に、レール部を持たない平面状
とし、平面のほぼ全面をＡＢＳ面として利用するタイプ
等も知られている。
【００２５】読み出し素子１１は磁気抵抗効果素子１３
を絶縁膜１０２の内部に層状に埋設して構成されてい
る。１４は磁気抵抗効果素子１３に給電する端子導体で
ある。磁気抵抗効果素子１３及び端子導体１４は、スラ
イダ１０のＡＢＳ面１０３に現れており、これにより、
スペーシングロスをできるだけ減少させるようにしてあ
る。磁気抵抗効果素子１３はＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等
の強磁性薄膜材料を用いて形成されている。磁気抵抗効
果素子１３には、端子導体１４を通して前述したセンス
電流を流す他、入力磁界に対して直線性のよい検出信号
を得るためバイアス磁界が加えられる。バイアス磁界を
発生する手段として、磁気抵抗効果素子に直接バイアス
導体膜を成膜し、バイアス導体膜に流す電流による発生
磁界を利用してバイアスを加えるシャントバイアス方
式、磁気抵抗効果素子からマグネティック・セパレーシ
ョン・レーヤー（ＭＳＬ）によって分離されて配置され
るソフト・アジェースント・レーヤー（ＳＡＬ）からの
発生磁界を利用するソフト・フィルム・バイアス方式、
磁気抵抗効果素子に近接して薄膜永久磁石を配置し、薄
膜永久磁石の発生磁界を利用するマグネットバイアス方
式等が採用される。１５は下部シールド膜であり、パー
マロイなどの磁性膜によって構成されている。
を絶縁膜１０２の内部に層状に埋設して構成されてい
る。１４は磁気抵抗効果素子１３に給電する端子導体で
ある。磁気抵抗効果素子１３及び端子導体１４は、スラ
イダ１０のＡＢＳ面１０３に現れており、これにより、
スペーシングロスをできるだけ減少させるようにしてあ
る。磁気抵抗効果素子１３はＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等
の強磁性薄膜材料を用いて形成されている。磁気抵抗効
果素子１３には、端子導体１４を通して前述したセンス
電流を流す他、入力磁界に対して直線性のよい検出信号
を得るためバイアス磁界が加えられる。バイアス磁界を
発生する手段として、磁気抵抗効果素子に直接バイアス
導体膜を成膜し、バイアス導体膜に流す電流による発生
磁界を利用してバイアスを加えるシャントバイアス方
式、磁気抵抗効果素子からマグネティック・セパレーシ
ョン・レーヤー（ＭＳＬ）によって分離されて配置され
るソフト・アジェースント・レーヤー（ＳＡＬ）からの
発生磁界を利用するソフト・フィルム・バイアス方式、
磁気抵抗効果素子に近接して薄膜永久磁石を配置し、薄
膜永久磁石の発生磁界を利用するマグネットバイアス方
式等が採用される。１５は下部シールド膜であり、パー
マロイなどの磁性膜によって構成されている。
【００２６】磁気抵抗効果素子１３及び端子導体１４
は、スペーシングロス減少のためにスライダ１０のＡＢ
Ｓ面１０３に現れているため、従来は磁気記録の読み出
し動作において、薄膜磁気ヘッド１が磁気ディスク３の
表面に接触した場合、センス電流が磁気抵抗効果素子１
３及び端子導体１４を通して接地側に漏電し、またはス
パーク放電を生じていた。これに対して、磁性膜３２の
表面比抵抗ρを、ρ≧０．０３Ω・ｃｍの範囲に選定し
た本発明にかかる磁気ディスク装置では、薄膜磁気ヘッ
ド１が磁気ディスク３の表面に接触した場合でも、セン
ス電流が磁気抵抗効果素子１３及び端子導体１４を通し
て接地側に漏電することがないし、スパーク放電を生じ
ることもない。
は、スペーシングロス減少のためにスライダ１０のＡＢ
Ｓ面１０３に現れているため、従来は磁気記録の読み出
し動作において、薄膜磁気ヘッド１が磁気ディスク３の
表面に接触した場合、センス電流が磁気抵抗効果素子１
３及び端子導体１４を通して接地側に漏電し、またはス
パーク放電を生じていた。これに対して、磁性膜３２の
表面比抵抗ρを、ρ≧０．０３Ω・ｃｍの範囲に選定し
た本発明にかかる磁気ディスク装置では、薄膜磁気ヘッ
ド１が磁気ディスク３の表面に接触した場合でも、セン
ス電流が磁気抵抗効果素子１３及び端子導体１４を通し
て接地側に漏電することがないし、スパーク放電を生じ
ることもない。
【００２７】書き込み素子１２は、下部磁性膜１２１、
上部磁性膜１２２、コイル膜１２３、アルミナ等でなる
ギャップ膜１２４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成
された絶縁膜１２５及び保護膜１２６などを有して、絶
縁膜１０２の上に積層されている。下部磁性膜１２１及
び上部磁性膜１２２の先端部は微小厚みのギャップ膜１
２４を隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となってお
り、ポール部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行なう。下
部磁性膜１２１及び上部磁性膜１２２のヨーク部であ
り、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側にあるバックギャッ
プ部において、磁気回路を完成するように互いに結合さ
れている。絶縁膜１２５の上に、ヨーク部の結合部のま
わりを渦巻状にまわるように、コイル膜１２３を形成し
てある。図示は、面内記録再生用磁気ヘッドであるが、
垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等であってもよい。
上部磁性膜１２２、コイル膜１２３、アルミナ等でなる
ギャップ膜１２４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成
された絶縁膜１２５及び保護膜１２６などを有して、絶
縁膜１０２の上に積層されている。下部磁性膜１２１及
び上部磁性膜１２２の先端部は微小厚みのギャップ膜１
２４を隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となってお
り、ポール部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行なう。下
部磁性膜１２１及び上部磁性膜１２２のヨーク部であ
り、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側にあるバックギャッ
プ部において、磁気回路を完成するように互いに結合さ
れている。絶縁膜１２５の上に、ヨーク部の結合部のま
わりを渦巻状にまわるように、コイル膜１２３を形成し
てある。図示は、面内記録再生用磁気ヘッドであるが、
垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等であってもよい。
【００２８】ヘッド支持装置２は、位置決め装置７に取
付けられる剛性アーム部２１に、弾性金属薄板でなる支
持体２２の一端を取付け固定すると共に、支持体２２の
長手方向の一端にある自由端に可撓体２３を取付け、こ
の可撓体２３の下面に、薄膜磁気ヘッド１を接着などの
手段によって取付けた構造となっている。可撓体２３ま
たは支持体２２には荷重用突起２４が設けられており、
この荷重用突起２４が薄膜磁気ヘッド１にバネ荷重を与
えている。ヘッド支持装置２は位置決め装置７により、
矢印ｂ１またはｂ２の方向に駆動されて位置決めされ、
それによって所定のトラックにおいて、磁気ディスク３
と薄膜磁気ヘッド１との間で磁気記録．再生が行なわれ
る。ヘッド支持装置２に対する薄膜磁気ヘッド１の取付
構造に関しては、薄膜磁気ヘッド１の取付け方向をヘッ
ド支持装置２の長手方向にとったいわゆるインラインタ
イプや、ヘッド支持装置２の長手方向と直交する方向に
取ったトラバースタイプ等が知られている。
付けられる剛性アーム部２１に、弾性金属薄板でなる支
持体２２の一端を取付け固定すると共に、支持体２２の
長手方向の一端にある自由端に可撓体２３を取付け、こ
の可撓体２３の下面に、薄膜磁気ヘッド１を接着などの
手段によって取付けた構造となっている。可撓体２３ま
たは支持体２２には荷重用突起２４が設けられており、
この荷重用突起２４が薄膜磁気ヘッド１にバネ荷重を与
えている。ヘッド支持装置２は位置決め装置７により、
矢印ｂ１またはｂ２の方向に駆動されて位置決めされ、
それによって所定のトラックにおいて、磁気ディスク３
と薄膜磁気ヘッド１との間で磁気記録．再生が行なわれ
る。ヘッド支持装置２に対する薄膜磁気ヘッド１の取付
構造に関しては、薄膜磁気ヘッド１の取付け方向をヘッ
ド支持装置２の長手方向にとったいわゆるインラインタ
イプや、ヘッド支持装置２の長手方向と直交する方向に
取ったトラバースタイプ等が知られている。
【００２９】磁気ディスク３は、駆動装置４（図１参
照）により矢印ａの方向に例えば３６００ｒｐｍで高速
回転するように駆動される。そして、磁気ディスク３を
高速回転させ、その時に発生する動圧を利用して、磁気
ディスク３の面上に配置した薄膜磁気ヘッド１を、所定
の浮上量で浮上させながら、記録及び再生を行なう。こ
こで、磁気ディスク３の磁性膜３２は、表面比抵抗ρが
ρ≧０．０３Ω・ｃｍであるから、薄膜磁気ヘッド１に
備えられた磁気抵抗効果素子１３と、磁気ディスク３の
磁性膜３２との間に漏電または放電を発生しない。
照）により矢印ａの方向に例えば３６００ｒｐｍで高速
回転するように駆動される。そして、磁気ディスク３を
高速回転させ、その時に発生する動圧を利用して、磁気
ディスク３の面上に配置した薄膜磁気ヘッド１を、所定
の浮上量で浮上させながら、記録及び再生を行なう。こ
こで、磁気ディスク３の磁性膜３２は、表面比抵抗ρが
ρ≧０．０３Ω・ｃｍであるから、薄膜磁気ヘッド１に
備えられた磁気抵抗効果素子１３と、磁気ディスク３の
磁性膜３２との間に漏電または放電を発生しない。
【００３０】上述の磁気ディスク装置は、ＣＳＳ方式に
よって駆動される。磁気ディスク３が静止しているとき
は、ヘッド支持装置２のバネ荷重を受て薄膜磁気ヘッド
１のＡＢＳ面１０３が磁気ディスク３の表面に押付けら
れているが、磁気ディスク３が回転を開始すると、薄膜
磁気ヘッド１のＡＢＳ面に揚力動圧が発生し、この動圧
とバネ荷重と釣合う浮上量で動作を開始する。回転して
いる磁気ディスク３が停止する場合は、逆の動作とな
る。
よって駆動される。磁気ディスク３が静止しているとき
は、ヘッド支持装置２のバネ荷重を受て薄膜磁気ヘッド
１のＡＢＳ面１０３が磁気ディスク３の表面に押付けら
れているが、磁気ディスク３が回転を開始すると、薄膜
磁気ヘッド１のＡＢＳ面に揚力動圧が発生し、この動圧
とバネ荷重と釣合う浮上量で動作を開始する。回転して
いる磁気ディスク３が停止する場合は、逆の動作とな
る。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）薄膜磁気ヘッドは、スライダが薄膜磁気変換素子
を支持し、薄膜磁気変換素子の少なくとも１つが磁気抵
抗効果素子による読み出し素子であるから、高い読み出
し出力を得ることができ、高周波特性に優れ、高速読み
出しに適した磁気ディスク装置を提供できる。 （ｂ）磁性膜は、表面比抵抗ρがρ≧０．０３Ω・ｃｍ
であるから、薄膜磁気ヘッドに備えられた磁気抵抗効果
素子と、磁気ディスクの磁性膜との間に漏電または放電
を発生しない磁気ディスク装置を提供できる。 （ｃ）磁性膜の表面比抵抗ρの選定によって、漏電また
は放電を防止するものであるから、スペーシングロスを
増大させることなく、漏電または放電を防止し得る磁気
ディスク装置を提供できる。
のような効果が得られる。 （ａ）薄膜磁気ヘッドは、スライダが薄膜磁気変換素子
を支持し、薄膜磁気変換素子の少なくとも１つが磁気抵
抗効果素子による読み出し素子であるから、高い読み出
し出力を得ることができ、高周波特性に優れ、高速読み
出しに適した磁気ディスク装置を提供できる。 （ｂ）磁性膜は、表面比抵抗ρがρ≧０．０３Ω・ｃｍ
であるから、薄膜磁気ヘッドに備えられた磁気抵抗効果
素子と、磁気ディスクの磁性膜との間に漏電または放電
を発生しない磁気ディスク装置を提供できる。 （ｃ）磁性膜の表面比抵抗ρの選定によって、漏電また
は放電を防止するものであるから、スペーシングロスを
増大させることなく、漏電または放電を防止し得る磁気
ディスク装置を提供できる。
【図１】本発明に係る磁気ディスク装置において薄膜磁
気ヘッドから磁気ディスクに至る電気回路をモデル化し
て示す図である。
気ヘッドから磁気ディスクに至る電気回路をモデル化し
て示す図である。
【図２】本発明に用いられる磁気ディスクの部分拡大断
面図である。
面図である。
【図３】磁気ディスク装置の構成を示す平面図である。
【図４】磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッド装置
の拡大正面図である。
の拡大正面図である。
【図５】磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッド装置
の拡大底面図である。
の拡大底面図である。
【図６】本発明に用いられる薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気
変換素子の構造をモデル化して示す拡大断面である。
変換素子の構造をモデル化して示す拡大断面である。
１ 薄膜磁気ヘッド １１ 磁気抵抗効果素子を用いた読み出し素子 ３ 磁気ディスク ３１ 基体 ３２ 磁性膜
フロントページの続き (72)発明者 江▲崎▼ 城一朗 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクとを含
む磁気ディスク装置であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気変換素子
とを含み、前記スライダが前記薄膜磁気変換素子を支持
し、前記薄膜磁気変換素子の少なくとも１つが磁気抵抗
効果素子による読み出し素子であり、 前記磁気ディスクは、磁性膜の表面比抵抗ρが ρ≧０．０３Ω・ｃｍ である磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 前記薄膜磁気ヘッドは、前記磁気抵抗効
果素子または給電用導体膜が前記スライダの媒体対向面
に現れている請求項１に記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項３】 前記磁性膜は、酸化物系磁性膜である請
求項１に記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項４】 前記磁性膜は、γ酸化鉄を主成分とする
請求項３に記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 前記磁性膜は、表面層に向かう程、α酸
化鉄を多く含む請求項４に記載磁気ディスク装置。 - 【請求項６】 前記磁性膜は、金属または合金系磁性膜
であり、表面層が金属酸化物によって覆われている請求
項１に記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項７】 前記磁性膜は、金属または合金系磁性膜
であり、表面層が窒素化合物によって覆われている請求
項１に記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項８】 前記磁気ディスクはガラスを主成分とす
る基板を有し、前記基板の表面粗さＲｍａｘが、 Ｒｍａｘ＜１００Å である請求項１に記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項９】 前記薄膜磁気変換素子は、書き込み素子
を含み、前記書き込み素子が、磁性膜と、前記磁性膜と
共に磁気回路を構成するコイル膜とを有する請求項１に
記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項１０】 前記磁性膜は、下部磁性膜と、上部磁
性膜とを含み、前記上部磁性膜が絶縁膜を介して前記下
部磁性膜の上に設けられ、前記下部磁性膜及び上部磁性
膜は、先端部が変換ギャップを構成するポール部となっ
ていて、後方側が磁気回路を完成するように結合されて
おり、 前記コイル膜は、結合部の回りに渦巻き状に設けられて
いる請求項９に記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項１１】 前記薄膜磁気ヘッドと、前記磁気ディ
スクの前記磁性膜との間に発生する実質的な浮上量が
０．１μｍ以下である請求項１に記載の磁気ディスク装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05141498A JP3099928B2 (ja) | 1992-07-07 | 1993-05-20 | 磁気ディスク装置 |
| US08/779,339 US5847899A (en) | 1992-07-07 | 1997-01-06 | Magnetic disk recording and reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-203050 | 1992-07-07 | ||
| JP20305092 | 1992-07-07 | ||
| JP05141498A JP3099928B2 (ja) | 1992-07-07 | 1993-05-20 | 磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676201A true JPH0676201A (ja) | 1994-03-18 |
| JP3099928B2 JP3099928B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=26473722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05141498A Expired - Lifetime JP3099928B2 (ja) | 1992-07-07 | 1993-05-20 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5847899A (ja) |
| JP (1) | JP3099928B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583968B1 (en) * | 2001-10-31 | 2003-06-24 | Western Digital Technologies, Inc. | Spindle motor hub having equivalent MR read element bias voltage to mitigate potential between disk and MR read element |
| US7142398B2 (en) * | 2002-03-06 | 2006-11-28 | Seagate Technology Llc | Electrostatic discharge and electrical overstress protection for magnetic heads |
| US7119995B2 (en) * | 2004-01-22 | 2006-10-10 | Seagate Technology Llc | ESD shunt for transducing head |
| US7573668B2 (en) * | 2006-01-16 | 2009-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for sensing leakage current to estimate and possibly adjust flying height of a read-write head in a hard disk drive |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3908194A (en) * | 1974-08-19 | 1975-09-23 | Ibm | Integrated magnetoresistive read, inductive write, batch fabricated magnetic head |
| US4504880A (en) * | 1982-08-09 | 1985-03-12 | International Business Machines Corporation | Integrated magnetic recording head assembly including an inductive write subassembly and a magnetoresistive read subassembly |
| US4647494A (en) * | 1985-10-31 | 1987-03-03 | International Business Machines Corporation | Silicon/carbon protection of metallic magnetic structures |
| JPS63237206A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Nec Corp | 磁気デイスク装置 |
| JPS6455702A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-02 | Tdk Corp | Magnetic recording and reproducing device |
| US5072320A (en) * | 1989-02-27 | 1991-12-10 | Tdk Corporation | Magnetic recording and reproducing apparatus having improved durability |
| US5227212A (en) * | 1989-03-16 | 1993-07-13 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk, magnetoresistive read head, inductive write head combination |
| JP2816472B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1998-10-27 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US5094897A (en) * | 1989-05-02 | 1992-03-10 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium comprising a glass substrate and a gamma Fe2 3 magnetic thin film with specified X-ray diffraction and surface roughness |
| JP2840966B2 (ja) * | 1989-11-08 | 1998-12-24 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 |
| US5424890A (en) * | 1990-02-05 | 1995-06-13 | Sony Corporation | Magnetoresistance effect type thin film head |
| US5142425A (en) * | 1990-08-09 | 1992-08-25 | Hewlett-Packard Company | Disk drive in which magnetic head-to-disk capacitive coupling is eliminated |
| US5159508A (en) * | 1990-12-27 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Magnetic head slider having a protective coating thereon |
| US5270882A (en) * | 1992-07-15 | 1993-12-14 | International Business Machines Corporation | Low-voltage, low-power amplifier for magnetoresistive sensor |
| US5375022A (en) * | 1993-08-06 | 1994-12-20 | International Business Machines Corporation | Magnetic disk drive with electrical shorting protection |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP05141498A patent/JP3099928B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-06 US US08/779,339 patent/US5847899A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5847899A (en) | 1998-12-08 |
| JP3099928B2 (ja) | 2000-10-16 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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