JPH067609B2 - 発光素子の駆動回路 - Google Patents
発光素子の駆動回路Info
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- JPH067609B2 JPH067609B2 JP20408585A JP20408585A JPH067609B2 JP H067609 B2 JPH067609 B2 JP H067609B2 JP 20408585 A JP20408585 A JP 20408585A JP 20408585 A JP20408585 A JP 20408585A JP H067609 B2 JPH067609 B2 JP H067609B2
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- Japan
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- transistor
- light
- voltage
- output
- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明はＡＰＣ（定出力制御）及びＡＣＣ（定電流制
御）の両動作が可能な発光素子の駆動回路に関する。
御）の両動作が可能な発光素子の駆動回路に関する。
(ロ) 従来の技術 現在、コンパクトディスク、ビデオディスク等の光源と
して広く半導体レーザが使用されている。斯る半導体レ
ーザは熱等の影響によりその出力特性が変化するため、
その特性測定のためにＡＰＣ回路が用いられている。
して広く半導体レーザが使用されている。斯る半導体レ
ーザは熱等の影響によりその出力特性が変化するため、
その特性測定のためにＡＰＣ回路が用いられている。
第２図は特願昭５９−２１７８５３号で提案されたＡＰ
Ｃ回路の一例を示す。
Ｃ回路の一例を示す。
斯る回路は半導体レーザＬＤを駆動するための駆動部
（110）と、上記半導体レーザＬＤから放出されるレー
ザ光を受光する受光素子ＰＩＮの受光量に基づき電圧信
号を発生する光検出部（120）と、該光検出部からの電
圧信号と予め定められた基準電圧とを比較し、上記駆動
部（110）における半導体レーザＬＤへの印加電流を制
御するための比較信号を発生する電圧比較部（130）
と、トランジスタＴＲ２のエミッタと受光素子ＰＩＮの
アノードとの間に接続されたコンデンサＣ２とからな
る。
（110）と、上記半導体レーザＬＤから放出されるレー
ザ光を受光する受光素子ＰＩＮの受光量に基づき電圧信
号を発生する光検出部（120）と、該光検出部からの電
圧信号と予め定められた基準電圧とを比較し、上記駆動
部（110）における半導体レーザＬＤへの印加電流を制
御するための比較信号を発生する電圧比較部（130）
と、トランジスタＴＲ２のエミッタと受光素子ＰＩＮの
アノードとの間に接続されたコンデンサＣ２とからな
る。
上記駆動部（110）はトランジスタＴＲ１、ＴＲ２、Ｔ
Ｒ３、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１〜Ｒ５を備え、トラン
ジスタＴＲ３のコレクタ側は電源端子Ｖｃｃに接続さ
れ、エミッタ側は抵抗Ｒ４を介してグランドに接続され
ると共に抵抗Ｒ３を介してトランジスタＴＲ２のベース
に接続されている。また、上記トランジスタＴＲ２のベ
ース側には夫々その一端が設置されたコンデンサＣ１と
抵抗Ｒ５が接続され、エミッタ側は一端を接地された抵
抗Ｒ１が接続されると共にトランジスタＴＲ２のベース
に接続されている。斯るトランジスタＴＲ２のエミッタ
側には一端が接地された抵抗Ｒ２が接続されている。更
に上記トランジスタＴＲ１、ＴＲ２のコレクタ側は共に
半導体レーザＬＤのカソード側に接続されている。
Ｒ３、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１〜Ｒ５を備え、トラン
ジスタＴＲ３のコレクタ側は電源端子Ｖｃｃに接続さ
れ、エミッタ側は抵抗Ｒ４を介してグランドに接続され
ると共に抵抗Ｒ３を介してトランジスタＴＲ２のベース
に接続されている。また、上記トランジスタＴＲ２のベ
ース側には夫々その一端が設置されたコンデンサＣ１と
抵抗Ｒ５が接続され、エミッタ側は一端を接地された抵
抗Ｒ１が接続されると共にトランジスタＴＲ２のベース
に接続されている。斯るトランジスタＴＲ２のエミッタ
側には一端が接地された抵抗Ｒ２が接続されている。更
に上記トランジスタＴＲ１、ＴＲ２のコレクタ側は共に
半導体レーザＬＤのカソード側に接続されている。
上記光検出部(120)は受光素子PIN、抵抗R6〜R9、可変抵抗
VR1、VR2、オペアンプOPを備え、受光ダイオ-ドPINのカソ-ド側は電源端
子Vccに接続され、アノ-ド側は抵抗R6及び感度調整用の可変
抵抗VR1を介して接地されている。またオペアンペOPの非反転
入力端子には受光ダイオ-ドPINのアノ-ド側が接続され、反転入
力端子には抵抗R9及び利得調整用の可変抵抗VR2を介し
て接地されると共に斯る反転入力端子と出力端子との間
には抵抗R7とコンデンサC3とが並列的に接続されている。上記
オペアンプOP、抵抗R7、R9及びコンデンサC3からなる回路は周知の増
幅回路であり、オペアンプOPの非転入力端子に入力された受光
素子PINからの電圧信号を増幅し抵抗R8を介して電圧比
較部（130）に出力する。
VR1、VR2、オペアンプOPを備え、受光ダイオ-ドPINのカソ-ド側は電源端
子Vccに接続され、アノ-ド側は抵抗R6及び感度調整用の可変
抵抗VR1を介して接地されている。またオペアンペOPの非反転
入力端子には受光ダイオ-ドPINのアノ-ド側が接続され、反転入
力端子には抵抗R9及び利得調整用の可変抵抗VR2を介し
て接地されると共に斯る反転入力端子と出力端子との間
には抵抗R7とコンデンサC3とが並列的に接続されている。上記
オペアンプOP、抵抗R7、R9及びコンデンサC3からなる回路は周知の増
幅回路であり、オペアンプOPの非転入力端子に入力された受光
素子PINからの電圧信号を増幅し抵抗R8を介して電圧比
較部（130）に出力する。
電圧比較部（130）は定電圧ダイオードＤ、コンデンサ
Ｃ４、Ｃ５、トランジスタＴＲ４及び抵抗Ｒ10〜Ｒ12を
備え、トランジスタＴＲ4のベース側は抵抗Ｒ８の一端
が接続され、コレクタ側は抵抗Ｒ12を介して電源端子Ｖ
ｃｃに接続され、エミッタ側は一端が夫々接地されたＲ
10及びコンデンサＣ５に接続されている。また定電圧ダ
イオードＤのカソード側はトランジスタＴＲ４のコレク
タ側に接続され、アノード側はトランジスタＴＲ３のベ
ース側に接続されると共に一端が接地された抵抗Ｒ11が
接続されている。更にトランジスタＴＲ４のエミッタ側
には基準電圧が印加されている。
Ｃ４、Ｃ５、トランジスタＴＲ４及び抵抗Ｒ10〜Ｒ12を
備え、トランジスタＴＲ4のベース側は抵抗Ｒ８の一端
が接続され、コレクタ側は抵抗Ｒ12を介して電源端子Ｖ
ｃｃに接続され、エミッタ側は一端が夫々接地されたＲ
10及びコンデンサＣ５に接続されている。また定電圧ダ
イオードＤのカソード側はトランジスタＴＲ４のコレク
タ側に接続され、アノード側はトランジスタＴＲ３のベ
ース側に接続されると共に一端が接地された抵抗Ｒ11が
接続されている。更にトランジスタＴＲ４のエミッタ側
には基準電圧が印加されている。
斯る回路では半導体レーザＬＤより出力されたレーザ光
が受光素子ＰＩＮにより受光されると受光素子ＰＩＮよ
り上記受光量に対応した電圧信号が出力され、斯る電圧
信号はオペアンプ等からなる増幅回路により増幅され電
圧比較部（130）に出力される。電圧比較部（130）では
増幅された電圧信号と基準電圧とを比較し、電圧信号＞
基準電圧の際にはトランジスタＴＲ３のベース側に印加
する電流を減少せしめ、また逆の場合には斯る電流を上
昇せしめることとなる。また、駆動部（110）のトラン
ジスタＴＲ１、ＴＲ２のベース電流もトランジスタＴＲ
３のエミッタ出力に略比例して上昇もしくは減少するこ
ととなるので、半導体レーザＬＤに印加される電流も変
化し、半導体レーザＬＤの出力を一定に保つことができ
る。
が受光素子ＰＩＮにより受光されると受光素子ＰＩＮよ
り上記受光量に対応した電圧信号が出力され、斯る電圧
信号はオペアンプ等からなる増幅回路により増幅され電
圧比較部（130）に出力される。電圧比較部（130）では
増幅された電圧信号と基準電圧とを比較し、電圧信号＞
基準電圧の際にはトランジスタＴＲ３のベース側に印加
する電流を減少せしめ、また逆の場合には斯る電流を上
昇せしめることとなる。また、駆動部（110）のトラン
ジスタＴＲ１、ＴＲ２のベース電流もトランジスタＴＲ
３のエミッタ出力に略比例して上昇もしくは減少するこ
ととなるので、半導体レーザＬＤに印加される電流も変
化し、半導体レーザＬＤの出力を一定に保つことができ
る。
また、斯る装置では半導体レーザＬＤにしきい値電流を
印加した際に出力されるレーザ光を受光して受光素子Ｐ
ＩＮより出力される電圧信号を予め基準電圧として与
え、斯る状態で半導体レーザＬＤにパルス電圧を印加し
た際にトランジスタＴＲ２のエミッタ端の電流値を測定
することにより半導体レーザＬＤのしきい値電流値が得
られる。
印加した際に出力されるレーザ光を受光して受光素子Ｐ
ＩＮより出力される電圧信号を予め基準電圧として与
え、斯る状態で半導体レーザＬＤにパルス電圧を印加し
た際にトランジスタＴＲ２のエミッタ端の電流値を測定
することにより半導体レーザＬＤのしきい値電流値が得
られる。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点 然るに、斯るＡＰＣ回路では半導体レーザＬＤの光出力
を受光素子ＰＩＮで検出し、斯る検出結果に基づいて半
導体レーザＬＤへの印加電流を制御するものであるの
で、半導体レーザＬＤをパルス駆動する際には安定なレ
ーザ光を得るために上記パルス幅は１０μｓ程度必要で
あった。ゆえに、光出力パルス応答性や発振開始時の光
（波長）安定性等の特性を測定するには適していなかっ
た。
を受光素子ＰＩＮで検出し、斯る検出結果に基づいて半
導体レーザＬＤへの印加電流を制御するものであるの
で、半導体レーザＬＤをパルス駆動する際には安定なレ
ーザ光を得るために上記パルス幅は１０μｓ程度必要で
あった。ゆえに、光出力パルス応答性や発振開始時の光
（波長）安定性等の特性を測定するには適していなかっ
た。
(ニ) 問題点を解決するための手段 本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、その構成的特
徴は 発光素子ＬＤと直列に接続されたトランジスタＴｒ２を
有し、該トランジスタＴｒ２のベース電圧を変化させる
ことにより上記発光素子ＬＤの駆動電流を変更可能な駆
動部、 上記発光素子ＬＤからの出力を受光する受光素子ＰＤを
有し、該受光素子ＰＤの受光量に対応した電気信号を発
生する光検出部、 上記トランジスタＴｒ２のエミッタ電位と上記光検出部
からの電気信号とのいずれか一方を選択するためのスイ
ッチ部、 該スイッチ部により選択されたエミッタ電位もしくは電
気信号の一方と基準信号発生部から発生される基準信号
とを比較し、該比較結果に基づいて上記トランジスタＴ
ｒ２のベース電圧を変更する電圧比較部、 からなることにある。
徴は 発光素子ＬＤと直列に接続されたトランジスタＴｒ２を
有し、該トランジスタＴｒ２のベース電圧を変化させる
ことにより上記発光素子ＬＤの駆動電流を変更可能な駆
動部、 上記発光素子ＬＤからの出力を受光する受光素子ＰＤを
有し、該受光素子ＰＤの受光量に対応した電気信号を発
生する光検出部、 上記トランジスタＴｒ２のエミッタ電位と上記光検出部
からの電気信号とのいずれか一方を選択するためのスイ
ッチ部、 該スイッチ部により選択されたエミッタ電位もしくは電
気信号の一方と基準信号発生部から発生される基準信号
とを比較し、該比較結果に基づいて上記トランジスタＴ
ｒ２のベース電圧を変更する電圧比較部、 からなることにある。
(ホ) 作 用 斯る回路ではＡＰＣ及びＡＣＣの両動作を選択的に実行
可能である。
可能である。
(ヘ) 実 施 例 第１図は本発明の実施例を示し、半導体レーザＬＤを駆
動する駆動部(1)、上記半導体レーザＬＤが発生する光
を受光するダイオードＰＤを有する光検出部(2)及び該
光検出部の出力電圧（電気信号）もしくは上記半導体レ
ーザＬＤのカソード端の電圧と予め設定された基準信号
とを比較する比較部(3)を有する。
動する駆動部(1)、上記半導体レーザＬＤが発生する光
を受光するダイオードＰＤを有する光検出部(2)及び該
光検出部の出力電圧（電気信号）もしくは上記半導体レ
ーザＬＤのカソード端の電圧と予め設定された基準信号
とを比較する比較部(3)を有する。
光検出部(2)は正側の電源（＋１２）−グランド間に受
光ダイオードＰＤ、抵抗(21)及び感度調整用の可変抵抗
(22)を直列接続してなる。また、受光ダイオードＰＤと
抵抗(21)とのノードはスイッチ部(4)の第２切換接点Ｃ
に接続される。
光ダイオードＰＤ、抵抗(21)及び感度調整用の可変抵抗
(22)を直列接続してなる。また、受光ダイオードＰＤと
抵抗(21)とのノードはスイッチ部(4)の第２切換接点Ｃ
に接続される。
このスイッチ部(4)はこの第２切換接点Ｃの他に共通接
点Ａ及び第１切換接点Ｂを有し、斯る共通接点ＡはＦＥ
Ｔ（電界効果トランジスタ）(31)のゲートに接続され
る。
点Ａ及び第１切換接点Ｂを有し、斯る共通接点ＡはＦＥ
Ｔ（電界効果トランジスタ）(31)のゲートに接続され
る。
ＦＥＴ(30)は抵抗(33)と直列接続されて正側の電源と負
側の電源（−１２Ｖ）との間に接続されており、両者の
接続点の電圧を電圧比較部３のオペアンプ(31)の反転入
力端子に与えている。(32)は基準信号を発生する基準信
号発生部としてのＤ／Ａ（デイジタル／アナログ）変換
器であって、デイジタルの基準信号をアナログ信号に変
じてこれをオペアンプ(31)の非反転入力に与えるべくな
してある。
側の電源（−１２Ｖ）との間に接続されており、両者の
接続点の電圧を電圧比較部３のオペアンプ(31)の反転入
力端子に与えている。(32)は基準信号を発生する基準信
号発生部としてのＤ／Ａ（デイジタル／アナログ）変換
器であって、デイジタルの基準信号をアナログ信号に変
じてこれをオペアンプ(31)の非反転入力に与えるべくな
してある。
オプアンプ(31)出力は基準信号に相当する電圧値と、光
検出部(2)の出力、つまり半導体レーザＬＤの出力に相
当する電圧もしくは後述する第２トランジスタＴｒ２の
エミッタ電位との差に相当する信号を駆動部(1)に与え
る。
検出部(2)の出力、つまり半導体レーザＬＤの出力に相
当する電圧もしくは後述する第２トランジスタＴｒ２の
エミッタ電位との差に相当する信号を駆動部(1)に与え
る。
駆動部１は第１、第２のトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、
第１、２、３の抵抗Ｐ１、Ｐ２及び第１、第２のコンデ
ンサＫ１、Ｋ２を有し、電圧比較部２の出力を第１のト
ランジスタＱ１のベースに入力すべくなしてある。ま
た、第１のトランジスタＴｒ１のベースは第１のコンデ
ンサＫ１を介してグランドに連なっている。
第１、２、３の抵抗Ｐ１、Ｐ２及び第１、第２のコンデ
ンサＫ１、Ｋ２を有し、電圧比較部２の出力を第１のト
ランジスタＱ１のベースに入力すべくなしてある。ま
た、第１のトランジスタＴｒ１のベースは第１のコンデ
ンサＫ１を介してグランドに連なっている。
第１のトランジスタＴｒ１のエミッタは第２のトランジ
スタＴｒ２のベースに接続されている。第１のトランジ
スタＴｒ１のコレクタは第２のトランジスタＴｒ２のコ
レクタと一括接続され、半導体レーザＬＤのカソードに
接続されている。
スタＴｒ２のベースに接続されている。第１のトランジ
スタＴｒ１のコレクタは第２のトランジスタＴｒ２のコ
レクタと一括接続され、半導体レーザＬＤのカソードに
接続されている。
第２のトランジスタＴｒ２のエミッタは第１の抵抗Ｐ１
を介してグランドに連なると共に第３のコンデンサＫ３
を介して光検出部２の受光ダイオードＰＤのアノードに
連なり、更にスイッチ部(4)の第１切換接点Ｂにも接続
される。
を介してグランドに連なると共に第３のコンデンサＫ３
を介して光検出部２の受光ダイオードＰＤのアノードに
連なり、更にスイッチ部(4)の第１切換接点Ｂにも接続
される。
半導体レーザＬＤのアノードは第２の抵抗Ｐ２を介して
電源に、また第２のコンデンサＫ２を介してグランドに
連なっている。
電源に、また第２のコンデンサＫ２を介してグランドに
連なっている。
なお、上述の回路を構成する部品は数百ＫＨｚ以上の高
周波用部品を用いるのが好ましい。またコンデンサ
Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３は夫々100ＰＦ〜0.01μＦ、0.1〜１μ
Ｆ、500ＰＦ〜0.05μＦとするのがよい。
周波用部品を用いるのが好ましい。またコンデンサ
Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３は夫々100ＰＦ〜0.01μＦ、0.1〜１μ
Ｆ、500ＰＦ〜0.05μＦとするのがよい。
さて、斯る回路において、スイッチ部(4)の共通接点Ａ
と第２切換接点Ｃとが接続状態となる従来のＡＰＣ回路
と同様な動作をする。
と第２切換接点Ｃとが接続状態となる従来のＡＰＣ回路
と同様な動作をする。
即ち、半導体レーザＬＤより出射されたレーザ光が受光
ダイオードＰＤにより受光されるとその受光量に対応す
る電圧信号がＦＥＴ(30)にて増幅出力され、これがオペ
アンプ(31)に入力される。オペアンプ(31)ではＤ／Ａ変
換器(32)出力、つまり基準電圧と比較され、光検出部２
出力電圧＞基準電圧（又は光検出部２出力電圧＜基準電
圧）である場合はトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のベース
電流が減少（増加）し、これに伴い半導体レーザＬＤに
流れる電流が減少（増加）し、これによって光出力が低
下（上昇）せしめられ、結局Ｄ／Ａ変換器(32)に設定し
た基準電圧に対応した光出力に保たれることになる。
ダイオードＰＤにより受光されるとその受光量に対応す
る電圧信号がＦＥＴ(30)にて増幅出力され、これがオペ
アンプ(31)に入力される。オペアンプ(31)ではＤ／Ａ変
換器(32)出力、つまり基準電圧と比較され、光検出部２
出力電圧＞基準電圧（又は光検出部２出力電圧＜基準電
圧）である場合はトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のベース
電流が減少（増加）し、これに伴い半導体レーザＬＤに
流れる電流が減少（増加）し、これによって光出力が低
下（上昇）せしめられ、結局Ｄ／Ａ変換器(32)に設定し
た基準電圧に対応した光出力に保たれることになる。
従って、基準電圧として半導体レーザＬＤの所望レーザ
光出力値に対応して受光素子ＰＤより出力される電圧を
与えることにより、その所望レーザ光出力値における半
導体レーザの駆動電流を第２のトランジスタＴｒ２のエ
ミッタ端で測定できるので、しきい値電流値等の測定を
短時間で行なえる。
光出力値に対応して受光素子ＰＤより出力される電圧を
与えることにより、その所望レーザ光出力値における半
導体レーザの駆動電流を第２のトランジスタＴｒ２のエ
ミッタ端で測定できるので、しきい値電流値等の測定を
短時間で行なえる。
また、斯る回路においてスイッチ部(4)の共通接点Ａと
第１切換接点Ｂとが接続状態となるとＡＣＣ回路として
動作する。
第１切換接点Ｂとが接続状態となるとＡＣＣ回路として
動作する。
即ち、半導体レーザＬＤに流れる電流に対応して第２の
トランジスタＴｒ２のエミッタ端に生じる電位がＦＥＴ
(30)にて増幅出力され、これがオペアンプ(31)に入力さ
れる。オペアンペ(31)ではＤ／Ａ変換器(32)出力、つま
り基準電圧と比較され、エミッタ電圧＞基準電圧（又は
エミッタ電位＜基準電圧）である場合はトランジスタＴ
ｒ１、Ｔｒ２のベース電流が減少（増加）し、これに伴
い半導体ＬＤに流れる電流が減少（増加）するため、半
導体レーザＬＤに流れる電流はＤ／Ａ変換器(32)に設定
した基準電圧に対応した値に保たれる。
トランジスタＴｒ２のエミッタ端に生じる電位がＦＥＴ
(30)にて増幅出力され、これがオペアンプ(31)に入力さ
れる。オペアンペ(31)ではＤ／Ａ変換器(32)出力、つま
り基準電圧と比較され、エミッタ電圧＞基準電圧（又は
エミッタ電位＜基準電圧）である場合はトランジスタＴ
ｒ１、Ｔｒ２のベース電流が減少（増加）し、これに伴
い半導体ＬＤに流れる電流が減少（増加）するため、半
導体レーザＬＤに流れる電流はＤ／Ａ変換器(32)に設定
した基準電圧に対応した値に保たれる。
このようなＡＣＣ回路では第２のトランジスタＴｒ２の
エミッタ電位に基づいて駆動電流を制御しているため約
１μｓ程度で安定なレーザ光が得られる。従って、駆動
電流として１μｓ幅のパルスを供給し、かつ、そのとき
の半導体レーザＬＤの光を測定することにより光出力の
パルス応答性及び発振開始時の光（波長）安定性等の特
性測定が可能となる。
エミッタ電位に基づいて駆動電流を制御しているため約
１μｓ程度で安定なレーザ光が得られる。従って、駆動
電流として１μｓ幅のパルスを供給し、かつ、そのとき
の半導体レーザＬＤの光を測定することにより光出力の
パルス応答性及び発振開始時の光（波長）安定性等の特
性測定が可能となる。
(ト) 発明の効果 本発明の駆動回路では、スイッチを切換えることにより
ＡＰＣ回路とＡＣＣ回路との動作を選択可能であり、従
ってしきい値電流値、光出力の応答性及び発振開始時の
光安定性等の諸特性を同一の回路にて短時間で測定可能
である。
ＡＰＣ回路とＡＣＣ回路との動作を選択可能であり、従
ってしきい値電流値、光出力の応答性及び発振開始時の
光安定性等の諸特性を同一の回路にて短時間で測定可能
である。
第１図は本発明の実施例を示す回路図、第２図は従来例
を示す回路図である。 (1)…駆動部、(2)…光検出部、(3)…比較部、(4)…スイ
ッチ部、(31)…Ｄ／Ａ変換器（基準信号発生部）ＬＤ…
半導体レーザ（発光素子）、ＰＤ…受光素子、Ｔｒ２…
（第２の）トランジスタ。
を示す回路図である。 (1)…駆動部、(2)…光検出部、(3)…比較部、(4)…スイ
ッチ部、(31)…Ｄ／Ａ変換器（基準信号発生部）ＬＤ…
半導体レーザ（発光素子）、ＰＤ…受光素子、Ｔｒ２…
（第２の）トランジスタ。
Claims (1)
- 【請求項１】発光素子ＬＤと直列に接続されたトランジ
スタＴｒ２を有し、該トランジスタＴｒ２のベース電圧
を変化させることにより上記発光素子ＬＤの駆動電流を
変更可能な駆動部、 上記発光素子ＬＤからの出力を受光する受光素子ＰＤを
有し、該受光素子ＰＤの受光量に対応した電気信号を発
生する光検出部、 上記トランジスタＴｒ２のエミッタ電位と上記光検出部
からの電気信号とのいずれか一方を選択するためのスイ
ッチ部、 該スイッチ部により選択されたエミッタ電位もしくは電
気信号の一方と基準信号発生部から発生される基準信号
とを比較し、該比較結果に基づいて上記トランジスタＴ
ｒ２のベース電圧を変更する電圧比較部 とからなることを特徴とする発光素子の駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20408585A JPH067609B2 (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 発光素子の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20408585A JPH067609B2 (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 発光素子の駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6263483A JPS6263483A (ja) | 1987-03-20 |
| JPH067609B2 true JPH067609B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=16484533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20408585A Expired - Lifetime JPH067609B2 (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 発光素子の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067609B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086888A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Sony Corp | 半導体レーザ制御装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142324A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザー測定装置 |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP20408585A patent/JPH067609B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086888A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Sony Corp | 半導体レーザ制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6263483A (ja) | 1987-03-20 |
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