JPH067042B2 - 圧電素子微動機構 - Google Patents
圧電素子微動機構Info
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- JPH067042B2 JPH067042B2 JP62071014A JP7101487A JPH067042B2 JP H067042 B2 JPH067042 B2 JP H067042B2 JP 62071014 A JP62071014 A JP 62071014A JP 7101487 A JP7101487 A JP 7101487A JP H067042 B2 JPH067042 B2 JP H067042B2
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- piezoelectric element
- electrode
- movement mechanism
- fine movement
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、分析機器及び走査型トンネル顕微鏡の分野に
おいて、検出探針部の微小位置出しを行う微動機構に関
する。
おいて、検出探針部の微小位置出しを行う微動機構に関
する。
本発明は、中空円筒状圧電素子体の内側に一つの共通電
極を設け、外側に二段又は、三段からなるｘ，ｙ及びｚ
軸に中空円筒状圧電素子体に固定した検出探針の先端を
動作させる為の各電極を設けたもので、高剛性で微細な
位置出しを可能にしたものであり、産業上有益な圧電素
子微動機構である。
極を設け、外側に二段又は、三段からなるｘ，ｙ及びｚ
軸に中空円筒状圧電素子体に固定した検出探針の先端を
動作させる為の各電極を設けたもので、高剛性で微細な
位置出しを可能にしたものであり、産業上有益な圧電素
子微動機構である。
資料表面と検出探針先端部間に流れるトンネル電流を検
出し、トンネル電流が一定になるように、試料表面と検
出探針先端部との間を制御して、原子構造を観察する走
査型トンネル顕微鏡においては、試料表面のｘ，ｙ方向
及び試料表面の凹凸に添って動作する三次元の微動機構
が必要である。そして、従来はｘ，ｙ軸を一体に形成し
た圧電素子体にｚ軸用棒状圧電素子体を組合わせたもの
（ＳＴＭ装置の試作 第33回応用物理学関連連合講演会
予稿(1986) 小野雅敏，他） やｘ，ｙ，ｚ軸を一体に形成したキュービック状圧電素
子体からなるもの（特許１６２０５７２号（昭和６０年
特許願第６０４５１号）、第32回応用物理学関連連合講
演会予稿(1985) 岡山重夫，他） や中空円筒状圧電素子体からなるもの(Singletube thre
e-dimensional scanner for scanning tunneling micro
scopy,G. Binning 他，1986 American institute of
physics ReV.Sci.Instrum.57(8),August 1986) が知られている。キュービックタイプの圧電素子体の構
成は特許１６２０５７２号（昭和６０年特許願第６０４
５１号）第２図に示される。第２図から明らかなよう
に、立方体型の圧電体の１つの頂点のまわりの３面にそ
れぞれ正方形の穴を開けることによって、立方体本体か
ら当該頂点に向かって直方体状の梁が３本集まるような
形状を成している。電極は、３本の梁ｘ、ｙ、ｚのそれ
ぞれについて対向する２面に形成されている。例えば立
方体の１を１５ｍｍ、正方形の穴の１辺を９ｍｍとし
て、梁を１辺１ｍｍで長さ９ｍｍの正四角柱状にする。
梁が集まる頂点に探針を設置する。３本の梁のうちたと
えばｘの梁の電極間に電圧を加えたとき、ｘの梁がｙと
ｚの梁をたわませながら電圧に比例して伸縮することに
より、探針をｘ方向に変位させるようにする。ｙ、ｚの
梁の電極の場合も同様にする。中空円筒タイプとして、
第８図に示すような電極配置のものが考案されている。
この中空円筒タイプは、円筒の内側全面に共通電極５を
設け、外側は軸方向に平行な４つの同面積からなる電極
配置となっている。本件における圧電素子は、圧電素子
をはさむ対向電極に加える制御電圧によって、内部に生
じた電場と垂直な２方向に等しく縮み（伸び）、同時に
電場に平行な方向にその分伸びる（縮む）。中空円筒型
圧電素子の円筒面の一部領域において半径方向の電場を
加えた場合、当該領域の圧電素子面積を拡大（または縮
小）するような変位を生ずる。例えば第８図の電極７ａ
と５の間に電圧を加えた場合には７ａ領域の面積が伸縮
し、一方７ｂと５の間には電圧は加わっていないので７
ｂ領域の面積は伸縮しないことにより、中空円筒が折れ
曲がり第８図探針はｚ方向に変位する。よって、第８図
において、ｘ及びｙ方向の動きは、それぞれ、共通電極
５と７ａ又は７ｂ、８ａ又は８ｂの一方との間に電圧を
加えることによって動作する。次にｚ方向の動きは、７
ａ、７ｂ、８ａ、８ｂと共通電圧５との電位差をそれぞ
れＶｘ１、Ｖｘ２、Ｖｙ１、Ｖｙ２とすると、変位はそ
れぞれ次式によって示される。
出し、トンネル電流が一定になるように、試料表面と検
出探針先端部との間を制御して、原子構造を観察する走
査型トンネル顕微鏡においては、試料表面のｘ，ｙ方向
及び試料表面の凹凸に添って動作する三次元の微動機構
が必要である。そして、従来はｘ，ｙ軸を一体に形成し
た圧電素子体にｚ軸用棒状圧電素子体を組合わせたもの
（ＳＴＭ装置の試作 第33回応用物理学関連連合講演会
予稿(1986) 小野雅敏，他） やｘ，ｙ，ｚ軸を一体に形成したキュービック状圧電素
子体からなるもの（特許１６２０５７２号（昭和６０年
特許願第６０４５１号）、第32回応用物理学関連連合講
演会予稿(1985) 岡山重夫，他） や中空円筒状圧電素子体からなるもの(Singletube thre
e-dimensional scanner for scanning tunneling micro
scopy,G. Binning 他，1986 American institute of
physics ReV.Sci.Instrum.57(8),August 1986) が知られている。キュービックタイプの圧電素子体の構
成は特許１６２０５７２号（昭和６０年特許願第６０４
５１号）第２図に示される。第２図から明らかなよう
に、立方体型の圧電体の１つの頂点のまわりの３面にそ
れぞれ正方形の穴を開けることによって、立方体本体か
ら当該頂点に向かって直方体状の梁が３本集まるような
形状を成している。電極は、３本の梁ｘ、ｙ、ｚのそれ
ぞれについて対向する２面に形成されている。例えば立
方体の１を１５ｍｍ、正方形の穴の１辺を９ｍｍとし
て、梁を１辺１ｍｍで長さ９ｍｍの正四角柱状にする。
梁が集まる頂点に探針を設置する。３本の梁のうちたと
えばｘの梁の電極間に電圧を加えたとき、ｘの梁がｙと
ｚの梁をたわませながら電圧に比例して伸縮することに
より、探針をｘ方向に変位させるようにする。ｙ、ｚの
梁の電極の場合も同様にする。中空円筒タイプとして、
第８図に示すような電極配置のものが考案されている。
この中空円筒タイプは、円筒の内側全面に共通電極５を
設け、外側は軸方向に平行な４つの同面積からなる電極
配置となっている。本件における圧電素子は、圧電素子
をはさむ対向電極に加える制御電圧によって、内部に生
じた電場と垂直な２方向に等しく縮み（伸び）、同時に
電場に平行な方向にその分伸びる（縮む）。中空円筒型
圧電素子の円筒面の一部領域において半径方向の電場を
加えた場合、当該領域の圧電素子面積を拡大（または縮
小）するような変位を生ずる。例えば第８図の電極７ａ
と５の間に電圧を加えた場合には７ａ領域の面積が伸縮
し、一方７ｂと５の間には電圧は加わっていないので７
ｂ領域の面積は伸縮しないことにより、中空円筒が折れ
曲がり第８図探針はｚ方向に変位する。よって、第８図
において、ｘ及びｙ方向の動きは、それぞれ、共通電極
５と７ａ又は７ｂ、８ａ又は８ｂの一方との間に電圧を
加えることによって動作する。次にｚ方向の動きは、７
ａ、７ｂ、８ａ、８ｂと共通電圧５との電位差をそれぞ
れＶｘ１、Ｖｘ２、Ｖｙ１、Ｖｙ２とすると、変位はそ
れぞれ次式によって示される。
Δｘ＝（Ｖｘ１−Ｖｘ２）・β Δｙ＝（Ｖｙ１−Ｖｙ２）・β Δｚ＝（Ｖｘ１＋Ｖｘ２＋Ｖｙ１＋Ｖｙ２）・α ここで、α、βは動作定数である。
Δｚの式の右辺の各項は、制御電圧によって、各電極領
域の長手方向への変形を反映している。４つの制御電圧
のいずれか１つを変化させた場合もΔｘ、Δｙ、Δｚの
うち複数の成分が変化する。Ｘｘ１＋Ｖｘ２＝０、か
つ、Ｘｙ１＋Ｖｙ２＝０をみたす場合にのみ、干渉なし
に、Δｚを０に保ったままΔｘ、Δｙを独立に変化させ
ることができる。逆に、Ｖｘ１とＶｘ２、Ｖｙ１とＶｙ
２に同相電圧を加えることによってΔｚを発生させる。
第８図の従来例において、ｘ、ｙ、ｚ方向へ駆動する際
には、圧電素子に以下のような電圧を加える。円筒の内
側に形成された共通電極５をグラウンド（０Ｖ）とす
る。ｘ方向に変化させるためには、例えば、７ａにＶ
ｘ、７ｂに−Ｖｘを、ｙ方向に変化させるためには、例
えば、８ａにＶｙ、８ｂに−Ｖｙを、又ｚ方向に変位さ
せるためには、７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂの各々にＶｚの
電圧を加えればよい。従って、これらの電圧を合成して
７ａにＶｘ＋Ｖｚ、７ｂに−Ｖｘ＋Ｖｚ、８ａにＶｙ＋
Ｖｚ、８ｂに−Ｖｙ＋Ｖｚを加えればよい。すなわち、
制御系にＶｘ＋Ｖｚ、−Ｖｘ＋Ｖｚ、Ｖｙ＋Ｖｚ、及び
−Ｖｙ＋Ｖｚの４通りの合成出力を用意し、それぞれの
出力を第８図の圧電素子の電力７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂ
に接続することにより、それぞれＶｘ、Ｖｙ、Ｖｚに比
例するｘ、ｙ、ｚ方向の変位を得る。
域の長手方向への変形を反映している。４つの制御電圧
のいずれか１つを変化させた場合もΔｘ、Δｙ、Δｚの
うち複数の成分が変化する。Ｘｘ１＋Ｖｘ２＝０、か
つ、Ｘｙ１＋Ｖｙ２＝０をみたす場合にのみ、干渉なし
に、Δｚを０に保ったままΔｘ、Δｙを独立に変化させ
ることができる。逆に、Ｖｘ１とＶｘ２、Ｖｙ１とＶｙ
２に同相電圧を加えることによってΔｚを発生させる。
第８図の従来例において、ｘ、ｙ、ｚ方向へ駆動する際
には、圧電素子に以下のような電圧を加える。円筒の内
側に形成された共通電極５をグラウンド（０Ｖ）とす
る。ｘ方向に変化させるためには、例えば、７ａにＶ
ｘ、７ｂに−Ｖｘを、ｙ方向に変化させるためには、例
えば、８ａにＶｙ、８ｂに−Ｖｙを、又ｚ方向に変位さ
せるためには、７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂの各々にＶｚの
電圧を加えればよい。従って、これらの電圧を合成して
７ａにＶｘ＋Ｖｚ、７ｂに−Ｖｘ＋Ｖｚ、８ａにＶｙ＋
Ｖｚ、８ｂに−Ｖｙ＋Ｖｚを加えればよい。すなわち、
制御系にＶｘ＋Ｖｚ、−Ｖｘ＋Ｖｚ、Ｖｙ＋Ｖｚ、及び
−Ｖｙ＋Ｖｚの４通りの合成出力を用意し、それぞれの
出力を第８図の圧電素子の電力７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂ
に接続することにより、それぞれＶｘ、Ｖｙ、Ｖｚに比
例するｘ、ｙ、ｚ方向の変位を得る。
以上に示した従来の圧電素子微動機構において、ｘ軸，
ｙ軸を一体に形成した圧電素子体にｚ軸用棒状圧電素子
体を組合わせたものは、構造上振動的観点からみると、
第５図に示す様に比較的共振周波数が低い位置にあり、
試料表面をゆっくり走査する上では問題はないが、試料
表面と検出探針先端部との間の制御の応答速度に限りが
ある。その点からすると、ｘ，ｙ，ｚ軸を一体に形成し
たキュービック状圧電素子体や中空円筒状圧電素子体か
らなるものは、よりリジッドに形成されていることもあ
り、共振周波数を高くもっていける為、速い走査が可能
になる。検出探針を試料の凹凸面にそって、走査する目
的は、走査中の各時点で探針によって検出する信号を、
その時の探針位置の局所情報として解釈しながら空間分
布を描き出すことにある。
ｙ軸を一体に形成した圧電素子体にｚ軸用棒状圧電素子
体を組合わせたものは、構造上振動的観点からみると、
第５図に示す様に比較的共振周波数が低い位置にあり、
試料表面をゆっくり走査する上では問題はないが、試料
表面と検出探針先端部との間の制御の応答速度に限りが
ある。その点からすると、ｘ，ｙ，ｚ軸を一体に形成し
たキュービック状圧電素子体や中空円筒状圧電素子体か
らなるものは、よりリジッドに形成されていることもあ
り、共振周波数を高くもっていける為、速い走査が可能
になる。検出探針を試料の凹凸面にそって、走査する目
的は、走査中の各時点で探針によって検出する信号を、
その時の探針位置の局所情報として解釈しながら空間分
布を描き出すことにある。
試料の各測定点において探針の位置を変位させようとす
る場合、圧電素子上の電極間に制御電圧を加える。この
時、圧電素子の変位量は制御電圧の大きさに比例する。
走査しながら、試料の凹凸を測定する場合においては、
制御電圧を時間変化させる。この時、圧電素子の共振周
波数が問題となる。共振周波数とは、固有振動数のこと
で、その振動数になると、最大の振幅で振動する。圧電
素子を振動機として使用する場合は、最大の効率が得ら
れるので、固有振動数付近で使用することが多い。制御
電圧の時間変化の周波数成分がいずれも圧電素子の共振
周波数に比べて十分低周波のものであるかぎり、圧電素
子は制御電圧の変化に十分追従できる。従って、この場
合、圧電素子は制御電圧の振幅に比例して、大きな効率
で、かつ、位相遅れの少ない変位を生じさせることがで
きる。従って、圧電素子の共振周波数が高ければ高いほ
ど、制御電圧の時間変化の周波数を高くして、圧電素子
を大きな効率で、かつ、速く伸縮することができる。速
く伸縮することができれば、それだけ速く走査すること
ができる。上記キュービックタイプの圧電素子はセラミ
ック圧電体を１ｍｍ角の柱状に成形した部分があるため
に、横応力が探針部分に突発的に加えられるとこわれや
すい。しかし、探針をｘ、ｙ、ｚ方向に変位させるため
に対応する梁の電極に電圧を各々独立にかけるので、軸
間の干渉が少ない。又、中空円筒型圧電素子は前述のΔ
ｘ、Δｙ、Δｚの式からわかるように、変位Δｘ、Δｙ
を得ようとして、共通電極５と電極７ａ、７ｂ、８ａ、
８ｂとの間に加えた各電圧が、変位Δｚにも影響を及ぼ
す。同様に、変位Δｚを得るために共通電極５と電極７
ａ、７ｂ、８ａ、８ｂとの間に加えた各電圧が、変位Δ
ｘ、Δｙに影響を及ぼす。以上のことから、キュービッ
クタイプと中空円筒タイプを比較すると、構造上、中空
円筒タイプはキュービックタイプより、横応力に対して
強いので、破損の危険性からみると、中空円筒タイプの
方が扱い易いといえる。しかし、中空円筒タイプはｘ、
ｙ、ｚ軸の干渉がキュービックタイプより、中空円筒タ
イプとして、第８図に示す様な電極配置のものが考案さ
れている。この中空円筒タイプは、内側に共通電極５を
設け、外側に４つの同面積からなる電極配置となってい
る。このタイプの動作について説明すると、まず、ｘ及
びｙ方向の動きは、それぞれ７ａ又は７ｂ、８ａ又は８
ｂの一方に電圧を加えることによって動作する。次にｚ
方向の動きは、７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂに同電圧を加え
ることにより動作するものである。つまり７ａ，７ｂ，
８ａ，８ｂと内側電極５との電位差をそれぞれ、Ｖ
ｘ1，Ｖｘ2，Ｖｙ1，Ｖｙ2とすると、変位はそれぞれ次
式によって示される。
る場合、圧電素子上の電極間に制御電圧を加える。この
時、圧電素子の変位量は制御電圧の大きさに比例する。
走査しながら、試料の凹凸を測定する場合においては、
制御電圧を時間変化させる。この時、圧電素子の共振周
波数が問題となる。共振周波数とは、固有振動数のこと
で、その振動数になると、最大の振幅で振動する。圧電
素子を振動機として使用する場合は、最大の効率が得ら
れるので、固有振動数付近で使用することが多い。制御
電圧の時間変化の周波数成分がいずれも圧電素子の共振
周波数に比べて十分低周波のものであるかぎり、圧電素
子は制御電圧の変化に十分追従できる。従って、この場
合、圧電素子は制御電圧の振幅に比例して、大きな効率
で、かつ、位相遅れの少ない変位を生じさせることがで
きる。従って、圧電素子の共振周波数が高ければ高いほ
ど、制御電圧の時間変化の周波数を高くして、圧電素子
を大きな効率で、かつ、速く伸縮することができる。速
く伸縮することができれば、それだけ速く走査すること
ができる。上記キュービックタイプの圧電素子はセラミ
ック圧電体を１ｍｍ角の柱状に成形した部分があるため
に、横応力が探針部分に突発的に加えられるとこわれや
すい。しかし、探針をｘ、ｙ、ｚ方向に変位させるため
に対応する梁の電極に電圧を各々独立にかけるので、軸
間の干渉が少ない。又、中空円筒型圧電素子は前述のΔ
ｘ、Δｙ、Δｚの式からわかるように、変位Δｘ、Δｙ
を得ようとして、共通電極５と電極７ａ、７ｂ、８ａ、
８ｂとの間に加えた各電圧が、変位Δｚにも影響を及ぼ
す。同様に、変位Δｚを得るために共通電極５と電極７
ａ、７ｂ、８ａ、８ｂとの間に加えた各電圧が、変位Δ
ｘ、Δｙに影響を及ぼす。以上のことから、キュービッ
クタイプと中空円筒タイプを比較すると、構造上、中空
円筒タイプはキュービックタイプより、横応力に対して
強いので、破損の危険性からみると、中空円筒タイプの
方が扱い易いといえる。しかし、中空円筒タイプはｘ、
ｙ、ｚ軸の干渉がキュービックタイプより、中空円筒タ
イプとして、第８図に示す様な電極配置のものが考案さ
れている。この中空円筒タイプは、内側に共通電極５を
設け、外側に４つの同面積からなる電極配置となってい
る。このタイプの動作について説明すると、まず、ｘ及
びｙ方向の動きは、それぞれ７ａ又は７ｂ、８ａ又は８
ｂの一方に電圧を加えることによって動作する。次にｚ
方向の動きは、７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂに同電圧を加え
ることにより動作するものである。つまり７ａ，７ｂ，
８ａ，８ｂと内側電極５との電位差をそれぞれ、Ｖ
ｘ1，Ｖｘ2，Ｖｙ1，Ｖｙ2とすると、変位はそれぞれ次
式によって示される。
△ｘ＝（Ｖｘ１−Ｖｘ２）・β △ｙ＝（Ｖｙ１−Ｖｙ２）・β △ｚ＝（Ｖｘ１＋Ｖｘ２＋Ｖｙ１＋Ｖｙ２）・α ここで、α，βは動作定数大きくなる上、制御方法が従
来用いていたものとは異なるものを必要とするといった
問題があった。
来用いていたものとは異なるものを必要とするといった
問題があった。
上記の問題点を解決するために、本発明では中空円筒圧
電素子体の内側に一つの共通電極を設け、ｘ，ｙ及びｚ
軸に動作させる為の各電極を二段又は三段で外側に設
け、中空円筒圧電素子体の円筒中心部に固定された探針
先端部のｘ，ｙ，ｚ軸の三次元の微細位置出しを可能に
した。
電素子体の内側に一つの共通電極を設け、ｘ，ｙ及びｚ
軸に動作させる為の各電極を二段又は三段で外側に設
け、中空円筒圧電素子体の円筒中心部に固定された探針
先端部のｘ，ｙ，ｚ軸の三次元の微細位置出しを可能に
した。
上記に示した方法により、中空円筒圧電素子体上に各動
作電極を形成することにより、内側電極と各電極間の電
位差をそれぞれＶｘ１，Ｖｘ２，Ｖｙ１，Ｖｙ２，Ｖｚ
とすると、各変位は以下の様になる。
作電極を形成することにより、内側電極と各電極間の電
位差をそれぞれＶｘ１，Ｖｘ２，Ｖｙ１，Ｖｙ２，Ｖｚ
とすると、各変位は以下の様になる。
Δｘ＝（Ｖｘ１−Ｖｘ２）・β Δｙ＝（Ｖｙ１−Ｖｙ２）・β Δｚ＝（Ｖｘ１＋Ｖｘ２＋Ｖｙ１＋Ｖｙ２）α＋Ｖ
ｚγ ここで、α，β，γは動作定数である。この様に、従来
品と違い単独にｚのみ動かす事ができ、しかもαのかか
る項よりもγがかかる項が大きく、電気的干渉要因を減
らすことができる上、従来の微動機構に用いられた制御
系により、探針先端部の三次元の微細位置出しを高速で
できることが可能になる。
ｚγ ここで、α，β，γは動作定数である。この様に、従来
品と違い単独にｚのみ動かす事ができ、しかもαのかか
る項よりもγがかかる項が大きく、電気的干渉要因を減
らすことができる上、従来の微動機構に用いられた制御
系により、探針先端部の三次元の微細位置出しを高速で
できることが可能になる。
本実施例は、走査型トンネル顕微鏡の検出探針部を微細
に位置決めする微動機構に関するもので、以下、図面に
基づいて説明していくこととする。
に位置決めする微動機構に関するもので、以下、図面に
基づいて説明していくこととする。
〔第１実施例〕 第１図，第２図(a)及び第２図(b)は本発明、第１実施例
の電極配置による微動機構の概観とその電極配置を展開
図で示したものである。中空円筒圧電素子体１の上部に
は絶縁性材料で形成された探針ホルダー２が固定され、
探針ホルダー２の中央部に探針３がバネ４により固定さ
れている。そして、中空円筒圧電素子体１の内側には共
通電極（ＧＮＤ）５が形成され、外側にはｚ軸動作用電
極６が円筒の上段周囲全面に及びその下の段にｘ軸動作
用電極７ａ，７ｂが形成されており、７ａと７ｂは同面
積からなる。又、さらにその下の段には、ｘ軸動作用電
極７ａ，７ｂに対し、90°ずらした位置にｙ軸動作用電
極８ａ，８ｂが形成され、８ａと８ｂは同面積からな
る。このようにｚ、ｘ、ｙの三段構造の電極配置を形成
した。次に、動作について説明すると、ｚ軸動作用電極
６が円筒の上段周囲全面に形成されているのでｚ軸方向
は内側電極に対し＋又は−電圧を加えることにより圧電
素子が全円周にわたって均等に厚み方向に変位すること
で結果として円筒の周囲全面にわたって同量のｚ軸方向
の変位が生じる。ｚ及びｙ軸方向は、第７図(a)，第７
図(b)に示す様に相対する電極の一方に内側電極に対し
＋の電圧を加え、又、他方には−の電圧を加えることに
より、一方は縮む方向に圧電素子が変形し、他方は延び
る方向に変形することで第７図(b)に示す様に傾きが生
じ結果として、第７図(a)に示す圧電を加えていない状
態から第７図(b)に示す様に探針先端部を矢印(10)の方
向に変位させ、ｘ及びｙ軸方向に動作させるものであ
る。
の電極配置による微動機構の概観とその電極配置を展開
図で示したものである。中空円筒圧電素子体１の上部に
は絶縁性材料で形成された探針ホルダー２が固定され、
探針ホルダー２の中央部に探針３がバネ４により固定さ
れている。そして、中空円筒圧電素子体１の内側には共
通電極（ＧＮＤ）５が形成され、外側にはｚ軸動作用電
極６が円筒の上段周囲全面に及びその下の段にｘ軸動作
用電極７ａ，７ｂが形成されており、７ａと７ｂは同面
積からなる。又、さらにその下の段には、ｘ軸動作用電
極７ａ，７ｂに対し、90°ずらした位置にｙ軸動作用電
極８ａ，８ｂが形成され、８ａと８ｂは同面積からな
る。このようにｚ、ｘ、ｙの三段構造の電極配置を形成
した。次に、動作について説明すると、ｚ軸動作用電極
６が円筒の上段周囲全面に形成されているのでｚ軸方向
は内側電極に対し＋又は−電圧を加えることにより圧電
素子が全円周にわたって均等に厚み方向に変位すること
で結果として円筒の周囲全面にわたって同量のｚ軸方向
の変位が生じる。ｚ及びｙ軸方向は、第７図(a)，第７
図(b)に示す様に相対する電極の一方に内側電極に対し
＋の電圧を加え、又、他方には−の電圧を加えることに
より、一方は縮む方向に圧電素子が変形し、他方は延び
る方向に変形することで第７図(b)に示す様に傾きが生
じ結果として、第７図(a)に示す圧電を加えていない状
態から第７図(b)に示す様に探針先端部を矢印(10)の方
向に変位させ、ｘ及びｙ軸方向に動作させるものであ
る。
本実施例では、外径５mm，内径３mm，高さ10mmのＰＺＴ
圧電素子体にｘ，ｙ，ｚ軸電極の幅をそれぞれ２mm，
１．５mm,3.5mmにしたものを作製した。この様に構成し
た中空円筒型微動機構の周波数特性を測定したところ、
第６図に示す様な結果が得られ、共振周波数を従来より
高い値にするこたができ、高速走査が可能になった。
圧電素子体にｘ，ｙ，ｚ軸電極の幅をそれぞれ２mm，
１．５mm,3.5mmにしたものを作製した。この様に構成し
た中空円筒型微動機構の周波数特性を測定したところ、
第６図に示す様な結果が得られ、共振周波数を従来より
高い値にするこたができ、高速走査が可能になった。
〔第２実施例〕 第３図(a)及び第３図(b)は、本発明第２実施例の電極配
置を示したものであり、中空円筒圧電素子体１の内側に
は共通電極（ＧＮＤ）５が形成され、外側には、一周に
わたる帯状のＺ軸動作用電極６及び一周を四等分した四
つの位置にｘ軸動作用電極７ａ，７ｂ及びｙ軸動作用電
極８ａ，８ｂが各々形成されている。７ａ，７ｂ，８
ａ，８ｂは同面積からなり、隣り合う電極が他の動作軸
用電極となる様に設定された二段構造の電極配置を形成
した。本実施例では、外径５mm，内径３mm，高さ10mmの
ＰＺＴ圧電素子体にｘ，ｙ，ｚ軸電極の幅をそれぞれ
１．５mm，１．５mm，６．５mmにしたものを作製した結
果、第１実施例と同等な特性を得ることができた。
置を示したものであり、中空円筒圧電素子体１の内側に
は共通電極（ＧＮＤ）５が形成され、外側には、一周に
わたる帯状のＺ軸動作用電極６及び一周を四等分した四
つの位置にｘ軸動作用電極７ａ，７ｂ及びｙ軸動作用電
極８ａ，８ｂが各々形成されている。７ａ，７ｂ，８
ａ，８ｂは同面積からなり、隣り合う電極が他の動作軸
用電極となる様に設定された二段構造の電極配置を形成
した。本実施例では、外径５mm，内径３mm，高さ10mmの
ＰＺＴ圧電素子体にｘ，ｙ，ｚ軸電極の幅をそれぞれ
１．５mm，１．５mm，６．５mmにしたものを作製した結
果、第１実施例と同等な特性を得ることができた。
〔第３実施例〕 第４図(a)及び第４図(b)は、本発明第３実施例の電極配
置を示したものであり、中空円筒圧電素子体１の内側に
は共通電極（ＧＮＤ）５が形成され、外側にはｚ軸動作
用電極６及びｘ軸動作用電極７ａ，７ｂ及びｙ軸動作用
電極８ａ，８ｂが作成されている。７1，７2，８1，８2
は同面積の正弦曲線及び直線からなり、隣り合う電極の
向きが180°異なる様に配列してあり、しかも、隣り合
う電極が異なる動作軸用電極となる様に設定された二段
構造の電極配置を形成した。本実施例では、外径５mm，
内径３mm，高さ10mmのＰＺＴ圧電素子体に、ｚ軸電極の
幅を４mmに、ｘ，ｙ軸の電極の底辺の長さを約６mm，高
さ約３．５mmにしたものを作製した結果、第１実施例と
同等な特性を得ることができた。
置を示したものであり、中空円筒圧電素子体１の内側に
は共通電極（ＧＮＤ）５が形成され、外側にはｚ軸動作
用電極６及びｘ軸動作用電極７ａ，７ｂ及びｙ軸動作用
電極８ａ，８ｂが作成されている。７1，７2，８1，８2
は同面積の正弦曲線及び直線からなり、隣り合う電極の
向きが180°異なる様に配列してあり、しかも、隣り合
う電極が異なる動作軸用電極となる様に設定された二段
構造の電極配置を形成した。本実施例では、外径５mm，
内径３mm，高さ10mmのＰＺＴ圧電素子体に、ｚ軸電極の
幅を４mmに、ｘ，ｙ軸の電極の底辺の長さを約６mm，高
さ約３．５mmにしたものを作製した結果、第１実施例と
同等な特性を得ることができた。
従って、本電極配置にすることにより、電極中心から両
端に至る間の変形量を変化させることにより、隣り合う
変形していない部分との境界に生じる剪断応力を矩形の
ものより減らすことが可能になる。この点についてさら
に詳しく説明する。第２図から第４図の円筒面の展開図
の横軸、つまり周回方向をθ軸と呼ぶことにして各θ面
素（θ−Δθ＜θ＜θ＋Δθ）なる矩形領域）の変形を
考えてみると、第２図及び第３図の電極構成では電極間
の境界でθ面素の変形量が不連続に変化する。これは電
極間の境界に剪断応力が発生することを意味する。剪断
応力は圧電素子内部の電場を乱し素子特性に悪影響を及
ぼすおそれがある。
端に至る間の変形量を変化させることにより、隣り合う
変形していない部分との境界に生じる剪断応力を矩形の
ものより減らすことが可能になる。この点についてさら
に詳しく説明する。第２図から第４図の円筒面の展開図
の横軸、つまり周回方向をθ軸と呼ぶことにして各θ面
素（θ−Δθ＜θ＜θ＋Δθ）なる矩形領域）の変形を
考えてみると、第２図及び第３図の電極構成では電極間
の境界でθ面素の変形量が不連続に変化する。これは電
極間の境界に剪断応力が発生することを意味する。剪断
応力は圧電素子内部の電場を乱し素子特性に悪影響を及
ぼすおそれがある。
第４図ａでは電極境界をＬ＝Ａｓｉｎ（θ）＋Ｂなる正
弦曲線および直線によって画している。各電極は円筒面
に楔を打ち込んだときの切り口の形になる。この電極構
成で７ａと７ｂ、あるいは８ａと８ｂに逆相の電圧をく
わえることにより、各θ面素の長手方向の伸縮量をｓｉ
ｎ（θ）あるいはｃｏｓ（θ）にほぼ比例させることが
できるので有害な剪断応力の発生を避けることができ
る。
弦曲線および直線によって画している。各電極は円筒面
に楔を打ち込んだときの切り口の形になる。この電極構
成で７ａと７ｂ、あるいは８ａと８ｂに逆相の電圧をく
わえることにより、各θ面素の長手方向の伸縮量をｓｉ
ｎ（θ）あるいはｃｏｓ（θ）にほぼ比例させることが
できるので有害な剪断応力の発生を避けることができ
る。
この発明によると以上説明した様に、中空円筒圧電素子
体の内側に一つの共通電極を設け、外側にｘ，ｙ及びｚ
軸に動作させる為の各電極を二段又は三段で設けること
により、本質的に従来の微動機構に用いられていた制御
系を用いて、中空円筒圧電素子体の円筒中心部に固定さ
れた探針先端部のｘ，ｙ，ｚ軸、三次元の微細位置出し
を行うことが可能になった。
体の内側に一つの共通電極を設け、外側にｘ，ｙ及びｚ
軸に動作させる為の各電極を二段又は三段で設けること
により、本質的に従来の微動機構に用いられていた制御
系を用いて、中空円筒圧電素子体の円筒中心部に固定さ
れた探針先端部のｘ，ｙ，ｚ軸、三次元の微細位置出し
を行うことが可能になった。
第１図は、本発明の第１実施例の電極配置による微動機
構の概観図、第２図(a)及び第２図(b)は、第１実施例の
電極配置展開図、第３図(a)及び第３図(b)は、第２実施
例の電極配置展開図、第４図(a)及び第４図(b)は、第３
実施例の電極配置展開図、第５図は、従来の微動機構の
周波数特性図、第６図は、本発明の中空円筒型微動機構
の周波数特性図、第７図(a)及び第７図(b)は、本発明の
中空円筒型微動機構の一軸動作を示す図、第８図は、従
来の電極配置による中空円筒型微動機構を示す図であ
る。 １・・・・・・中空円筒圧電素子体 ２・・・・・・探針ホルダー ３・・・・・・探針 ４・・・・・・バネ ５・・・・・・内側共通電極（ＧＮＤ） ６・・・・・・ｚ軸動作用電極 ７1，７２・・・ｘ軸動作用電極 ８1，８２・・・ｙ軸動作用電極
構の概観図、第２図(a)及び第２図(b)は、第１実施例の
電極配置展開図、第３図(a)及び第３図(b)は、第２実施
例の電極配置展開図、第４図(a)及び第４図(b)は、第３
実施例の電極配置展開図、第５図は、従来の微動機構の
周波数特性図、第６図は、本発明の中空円筒型微動機構
の周波数特性図、第７図(a)及び第７図(b)は、本発明の
中空円筒型微動機構の一軸動作を示す図、第８図は、従
来の電極配置による中空円筒型微動機構を示す図であ
る。 １・・・・・・中空円筒圧電素子体 ２・・・・・・探針ホルダー ３・・・・・・探針 ４・・・・・・バネ ５・・・・・・内側共通電極（ＧＮＤ） ６・・・・・・ｚ軸動作用電極 ７1，７２・・・ｘ軸動作用電極 ８1，８２・・・ｙ軸動作用電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｚ (72)発明者 坂井 文樹 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 (72)発明者 宮田 千加良 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 (72)発明者 脇山 茂 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 審査官 中村 和夫 (56)参考文献 特開 昭60−109774（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】中空円筒状に形成された圧電素子体の円筒
中心部に固定された探針の先端部をｘ，ｙ，ｚ軸、三次
元に微動位置出しする機構において、中空円筒圧電素子
体の内側に共通電極を設け、外側にｘ，ｙ及びｚ軸方向
に動作させる為の各電極を設けたことを特徴とする圧電
素子微動機構。 - 【請求項２】前記中空円筒圧電素子体の外側に、一周に
わたる帯状のｚ軸用電極と、一周を二等分した一対の相
対する帯状電極を互いに９０°ずらした位置に二段形成
し、各々ｘ及びｙ軸用電極にし、三段構造としたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の圧電素子微動機
構。 - 【請求項３】前記中空円筒圧電素子体の外側に、一周に
わたる帯状のｚ軸用電極と、一周を四等分した四つの位
置に各一個形成される電極の各々隣り合う電極が異なる
動作軸電極となる様に設定し、二段構造としたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の圧電素子微動機
構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071014A JPH067042B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 圧電素子微動機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071014A JPH067042B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 圧電素子微動機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236992A JPS63236992A (ja) | 1988-10-03 |
| JPH067042B2 true JPH067042B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=13448228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071014A Expired - Lifetime JPH067042B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 圧電素子微動機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067042B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2816851B2 (ja) * | 1988-12-17 | 1998-10-27 | 株式会社 トーキン | 圧電捩り変位素子，圧電伸縮変位素子，及び圧電複合変位素子 |
| US4935634A (en) * | 1989-03-13 | 1990-06-19 | The Regents Of The University Of California | Atomic force microscope with optional replaceable fluid cell |
| JP2571625B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1997-01-16 | 日本電子株式会社 | 走査形トンネル顕微鏡 |
| JP2691460B2 (ja) * | 1989-12-05 | 1997-12-17 | キヤノン株式会社 | トンネル電流検出装置 |
| JP5228500B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2013-07-03 | 富士通株式会社 | 電磁界分布計測方法、走査型電磁界センサユニット、および走査型電磁界計測装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437489B2 (ja) * | 1972-04-17 | 1979-11-15 |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP62071014A patent/JPH067042B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63236992A (ja) | 1988-10-03 |
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