JPH0670303U - Electrode structure - Google Patents
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- JPH0670303U JPH0670303U JP1627693U JP1627693U JPH0670303U JP H0670303 U JPH0670303 U JP H0670303U JP 1627693 U JP1627693 U JP 1627693U JP 1627693 U JP1627693 U JP 1627693U JP H0670303 U JPH0670303 U JP H0670303U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ベース基板の反り、ゆがみを減らし、実装信
頼性の高い製品を供給すること。
【構成】 ベース基板２２の入出力端子２３〜２５及び
アース電極２６の部分の銅箔の表面にニッケル下地を形
成する。次に、このニッケル下地の表面に無電解金メッ
キを施す。ニッケル下地を入れるのは、ハンダ付け後に
発生するＡｕＳｎ合金が脆いため、その改善効果を狙っ
たものである。また、メッキ厚は、例えば、ニッケル下
地で２μｍ、Ａｕで０．０３μｍである。これにより、
ベース基板２２の反り、ゆがみを減らすことができる。
そのため、実装信頼性の高い製品を供給できる。また、
金メッキを施しているため、経時変化がなく、いつでも
良好なハンダ付け性が得られる。
(57) [Abstract] [Purpose] To reduce warpage and distortion of the base board and to provide products with high mounting reliability. [Structure] A nickel underlayer is formed on the surface of the copper foil in the portions of the input / output terminals 23 to 25 and the ground electrode 26 of the base substrate 22. Next, electroless gold plating is applied to the surface of this nickel base. The nickel underlayer is intended to improve the AuSn alloy, which is generated after soldering, because it is brittle. Further, the plating thickness is, for example, 2 μm for the nickel underlayer and 0.03 μm for Au. This allows
The warp and distortion of the base substrate 22 can be reduced.
Therefore, a product with high mounting reliability can be supplied. Also,
Since it is gold-plated, it does not change with time and good solderability can be obtained at any time.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、例えば、自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電 体フィルタであって、この誘電体フィルタのベース基板の電極構造に関するもの である。 The present invention relates to a dielectric filter used in a mobile communication device such as a car phone and a mobile phone, and relates to an electrode structure of a base substrate of the dielectric filter.
【０００２】[0002]
この種の従来の誘電体フィルタは、ケース部材を兼ねた誘電体からなるベース 基板と、このベース基板の上面に実装される誘電体同軸共振器、コイル及び結合 基板等の各種電子部品と、これら電子部品を覆設するカバー等で構成されている 。 ベース基板の要所には、複数の入出力端子が電極膜状に形成されており、また 、これら入出力端子や回路パターンを除いた部分のベース基板の上下面にはアー ス電極が電極膜状に形成されている。 This type of conventional dielectric filter includes a base substrate made of a dielectric that also serves as a case member, various electronic components such as a dielectric coaxial resonator, a coil and a coupling substrate mounted on the upper surface of the base substrate, and It is composed of a cover that covers electronic components. A plurality of input / output terminals are formed in the shape of an electrode film at key points on the base substrate, and ground electrodes are formed on the upper and lower surfaces of the base substrate excluding these input / output terminals and circuit patterns. It is formed into a shape.
【０００３】 そして、上記入出力端子やアース電極となる電極部分には、電極を形成すべく 銅箔が形成され、この銅箔の表面にハンダレベラー処理を施していた。 ここで、ハンダレベラー処理とは、溶融ハンダにベース基板を浸漬して、片面 からエアーで吹き付けて電極面の平面度を出すようにしたものである。Then, a copper foil is formed on the electrode portion serving as the input / output terminal and the ground electrode to form an electrode, and the surface of the copper foil is subjected to a solder leveler treatment. Here, the solder leveler process is a process in which the base substrate is immersed in molten solder and blown with air from one side to obtain flatness of the electrode surface.
【０００４】[0004]
かかる従来例のベース基板の生成過程において、上述したようにハンダレベラ ー処理を行っているために、エアー吹きの処理において、ハンダの盛り上がりが できやすく、ハンダ量が不均一となる。そして、この時、ハンダの縮み方が両面 で異なり、反りの原因となる。 また、ハンダの盛り上がりそのものがベース基板の平面度を損なうことになる 。 Since the solder leveler process is performed as described above in the process of forming the base substrate of the conventional example, the solder is likely to rise in the air blowing process, and the amount of the solder becomes uneven. At this time, the contraction of the solder differs on both sides, causing warpage. Also, the swell of the solder itself impairs the flatness of the base substrate.
【０００５】 更には、上記ハンダレベラー処理においては、例えばガラスエポキシ等からな るベース基板に部品段階で、既に、一度熱が加わっているため、この熱処理によ りガラスエポキシと銅箔、半田の熱膨張係数の差から応力が生じ、ユーザーへの 納入時にベース基板の反り、ゆがみが発生し得るという問題があった。 また、万一、気付かずに使用すると、半田付けランドが浮いていて、実装でき ない（リフローソルダリングで半田が付かない）という危険まである。Furthermore, in the above-mentioned solder leveler treatment, heat is already applied to the base substrate made of glass epoxy or the like at the stage of parts, so that the heat treatment of glass epoxy, copper foil and solder is performed by this heat treatment. There was a problem that stress was generated due to the difference in the coefficient of thermal expansion, which could cause warpage and distortion of the base substrate when delivered to users. Also, if it is used without notice, there is a risk that the soldering land will float and it will not be possible to mount it (there will be no solder due to reflow soldering).
【０００６】 本考案は上述の点に鑑みて提供したものであって、ベース基板の反り、ゆがみ を減らし、実装信頼性の高い製品を供給することを目的とした電極構造を提供す るものである。The present invention has been made in view of the above points, and provides an electrode structure for reducing warpage and distortion of a base substrate and supplying a product with high mounting reliability. is there.
【０００７】[0007]
本考案は、一面に形成された電極に電子部品を実装すると共に、ケースの部材 として兼ねたベース基板において、上記ベース基板の電極となる部分にニッケル 下地を形成し、このニッケル下地の表面に無電解金メッキを施すようにしたもの である。 The present invention mounts an electronic component on an electrode formed on one surface, and forms a nickel underlayer on a portion of the base substrate, which also serves as a case member, to be an electrode of the base substrate. It is designed for electrolytic gold plating.
【０００８】[0008]
本考案によれば、ベース基板の反り、ゆがみを減らすことができる。そのため 、実装信頼性の高い製品を供給することができる。また、金メッキを施している ため、経時変化がなく、いつでも良好なハンダ付け性を得ることができる。 According to the present invention, warpage and distortion of the base substrate can be reduced. Therefore, a product with high mounting reliability can be supplied. Also, since it is plated with gold, it does not change over time, and good solderability can always be obtained.
【０００９】[0009]
以下、本考案の実施例を図面を参照して説明する。まず、本考案が適用される 誘電体フィルタの全体の構成について説明する。 図１は誘電体フィルタの分解斜視図を示し、図２は各種部品を実装した状態の 斜視図を示している。図１及び図２に示す誘電体フィルタは、例えば、自動車電 話、携帯電話等の移動通信機器に使用されるものであり、マイクロ波帯に用いら れ所謂アンテナ共用器と言われるものである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the overall structure of the dielectric filter to which the present invention is applied will be described. FIG. 1 shows an exploded perspective view of a dielectric filter, and FIG. 2 shows a perspective view of a state in which various parts are mounted. The dielectric filters shown in FIGS. 1 and 2 are used, for example, in mobile communication devices such as automobile telephones and mobile phones, and are so-called antenna duplexers used in the microwave band. .
【００１０】 そして、この誘電体フィルタは送信側がバンドエリミネーションフィルタで構 成され、受信側がバンドパスフィルタで構成されている。 まず、表面実装タイプのこの誘電体フィルタの全体の構成を図１及び図２によ り説明する。バンドエリミネーションフィルタは３段の共振器構成となっており 、３個の１／４波長形誘電体同軸共振器１〜３を有し、バンドパスフィルタは４ 段の共振器構成で、４個の１／４波長形誘電体同軸共振器４〜７を有している。The dielectric filter has a band elimination filter on the transmitting side and a band pass filter on the receiving side. First, the overall structure of this surface mount type dielectric filter will be described with reference to FIGS. The band elimination filter has a three-stage resonator configuration and has three quarter-wave dielectric coaxial resonators 1 to 3, and the bandpass filter has a four-stage resonator configuration and four resonators. 1/4 wavelength type dielectric coaxial resonators 4 to 7.
【００１１】 誘電体同軸共振器１〜７は、直方体状に形成されている誘電体の穴８の内周面 に形成した電極膜状の内導体と、該誘電体の側表面に形成した電極膜状の外導体 と、図には表われていないが穴８が開口している端面の一方に形成した電極膜状 の内導体と外導体とを接続する短絡導体とで構成され、所定の周波数で共振する ようになっている。 この誘電体同軸共振器１〜７の穴８には一端側を略円筒状に形成した金属製の 接続端子９がそれぞれ誘電体同軸共振器１〜７の開放端側より圧入されて、穴８ 内の内導体と接触して導通を得ている。 上記接続端子９の他端側は舌片状に形成されていて、後述するコンデンサ基板 １０〜１２や結合基板１３の上面に形成されている電極膜１４〜１７に半田付け 等でそれぞれ接続されるようになっている。The dielectric coaxial resonators 1 to 7 are electrode film-shaped inner conductors formed on the inner peripheral surface of the hole 8 of the dielectric body formed in a rectangular parallelepiped shape, and electrodes formed on the side surface of the dielectric body. Although not shown in the figure, it is composed of a film-shaped outer conductor and a short-circuit conductor that connects the electrode film-shaped inner conductor and the outer conductor formed on one of the end faces where the hole 8 is opened, It resonates at the frequency. Into the holes 8 of the dielectric coaxial resonators 1 to 7, metal connection terminals 9 each having one end side formed in a substantially cylindrical shape are press-fitted from the open end sides of the dielectric coaxial resonators 1 to 7, respectively. Conductivity is obtained by contacting the inner conductor inside. The other end side of the connection terminal 9 is formed in a tongue shape and is connected to the electrode films 14 to 17 formed on the upper surfaces of the capacitor substrates 10 to 12 and the coupling substrate 13 described later by soldering or the like. It is like this.
【００１２】 上記コンデンサ基板１０〜１２は誘電体からなり、その上下面には電極膜がそ れぞれ形成されていて、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる結合 基板１３の上面には複数の電極膜１４〜１７が並設されており、電極膜１４〜１ ６は結合容量を多くとるために、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結 合基板１３の下面の両側にも電極膜が形成されている。 また、コンデンサ基板１０〜１２間にはコイル状のインダクタＬ1 〜Ｌ3 が接 続される。上記インダクタＬ1 〜Ｌ3 を実装する誘電体からなる結合基板１８の 上面には電極膜１９，２０が形成されており、この結合基板１８の下面は全面に わたってアース電極となる電極膜が形成されている。The capacitor substrates 10 to 12 are made of a dielectric material, and electrode films are respectively formed on the upper and lower surfaces thereof to form a capacitor. In addition, a plurality of electrode films 14 to 17 are juxtaposed on the upper surface of the coupling substrate 13 made of a dielectric material. The electrode films 14 to 16 have comb-shaped opposing portions in order to increase the coupling capacitance. Has been done. Furthermore, electrode films are formed on both sides of the lower surface of the combined substrate 13. Further, coil-shaped inductors L 1 to L 3 are connected between the capacitor substrates 10 to 12. Electrode films 19 and 20 are formed on the upper surface of a coupling substrate 18 made of a dielectric material on which the inductors L 1 to L 3 are mounted. The lower surface of the coupling substrate 18 has an electrode film serving as a ground electrode over the entire surface. Has been formed.
【００１３】 上記各部材を上面に実装するベース基板２２には、アンテナ側と接続される電 極膜状の入出力端子２３と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子２４と 、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子２５とがそれぞれ形成されている 。 また、ベース基板２２の上面及び下面は電極膜状のアース電極２６が略全面に わたって形成してある。尚、このベース基板２２は、誘電体または絶縁体等で形 成されている。 ベース基板２２の上面に実装される上記結合基板１３は２個のスペーサ２１を 介して実装されるものであり、他の１個のスペーサ２１はベース基板２２の入出 力端子２４の上面に実装される。これら３個のスペーサ２１は、金属等の導通の ある部材を用いている。An electrode film-shaped input / output terminal 23 connected to the antenna side and an electrode film-shaped input / output terminal 24 connected to the transmitter side are provided on the base substrate 22 on which the above-mentioned members are mounted. An input / output terminal 25 in the form of an electrode film to which the receiving portion side is connected is formed. Further, the upper and lower surfaces of the base substrate 22 are formed with electrode film-shaped ground electrodes 26 over substantially the entire surface. The base substrate 22 is made of a dielectric material or an insulating material. The coupling substrate 13 mounted on the upper surface of the base substrate 22 is mounted via two spacers 21, and the other one spacer 21 is mounted on the upper surface of the input / output terminal 24 of the base substrate 22. It These three spacers 21 are made of a conductive material such as metal.
【００１４】 ベース基板２２を覆設するカバー２７は金属製で構成され、カバー２７の天板 には誘電体同軸共振器１〜７の上面側外導体とカバー２７とを半田付け等をする ための細長の穴２８と、誘電体同軸共振器１〜７の特性を調整するための治具挿 入用の穴２９が穿孔してある。また、カバー２７の下縁の前部・背部（図示せず ）よりベース基板２２の上面アース電極２６と接続されるアース端子３０が複数 形成されている。 カバー２７の側板には、上記ベース基板２２の入出力端子２３〜２５を露出さ せるための切欠部３１がそれぞれ形成してある。 また、図２に示すように、カバー２７の上面にはラベル３２が貼付され穴２８ や２９が覆われるようになっている。このラベル３２の大きさはカバー２７の上 面よりもやや小さく作られている。The cover 27 that covers the base substrate 22 is made of metal, and the top side outer conductors of the dielectric coaxial resonators 1 to 7 and the cover 27 are soldered to the top plate of the cover 27. And an elongated hole 28 and a hole 29 for inserting a jig for adjusting the characteristics of the dielectric coaxial resonators 1 to 7 are formed. Further, a plurality of ground terminals 30 connected to the upper surface ground electrode 26 of the base substrate 22 from the front and back portions (not shown) of the lower edge of the cover 27 are formed. Notches 31 for exposing the input / output terminals 23 to 25 of the base substrate 22 are formed on the side plates of the cover 27, respectively. Further, as shown in FIG. 2, a label 32 is attached to the upper surface of the cover 27 to cover the holes 28 and 29. The size of the label 32 is made slightly smaller than the upper surface of the cover 27.
【００１５】 尚、上記の場合においては、カバー２７を用いた場合について説明したが、カ バー２７を用いずに誘電体フィルタを構成する場合もある。 また、上記ラベル３２は、耐熱性の高いカプトン（商品名）という樹脂で形成 されている。ラベル３２は、樹脂で形成した場合はシールドの役目を有していな いが、シールドの機能を持たす場合には、金属製のものを使用するようになって いる。Although the case where the cover 27 is used has been described in the above case, the dielectric filter may be configured without using the cover 27. The label 32 is formed of a resin called Kapton (trade name) having high heat resistance. When the label 32 is made of resin, it does not serve as a shield, but when it has a shield function, it is made of metal.
【００１６】 次に、各部材の配置構成について説明する。図１及び図２に示すように、バン ドエリミネーションフィルタ側では、１個のスペーサ２１がベース基板２２の入 出力端子２４の上に実装され、また、結合基板１８がベース基板２２の入出力端 子２４と２３との間のアース電極２６の上に実装されハンダ付けされる。 更に、入出力端子２３と２５の上面にスペーサ２１がそれぞれ実装され、この ２個のスペーサ２１の上面に、下面の電極膜が接触する形で結合基板１３が架橋 されハンダづけされる。Next, the arrangement configuration of each member will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, on the band elimination filter side, one spacer 21 is mounted on the input / output terminal 24 of the base substrate 22, and the coupling substrate 18 is the input / output of the base substrate 22. It is mounted and soldered on the ground electrode 26 between the terminals 24 and 23. Further, the spacers 21 are mounted on the upper surfaces of the input / output terminals 23 and 25, respectively, and the combined substrate 13 is bridged and soldered on the upper surfaces of the two spacers 21 so that the electrode films on the lower surfaces are in contact with each other.
【００１７】 図２に示すように、インダクタＬ1 の一端がスペーサ２１の上面に実装され、 その上にコンデンサ基板１０が実装され、このコンデンサ基板１０の上面の電極 膜に誘電体同軸共振器１からの接続端子９が接続される。 また、インダクタＬ1 の他端は結合基板１８の電極膜１９の上に実装され、イ ンダクタＬ2 が結合基板１８の電極膜１９と２０との間に実装される。そして、 インダクタＬ1 とＬ2 の接続部の上にコンデンサ基板１１が実装され、コンデン サ基板１１の上面の電極膜に誘電体同軸共振器２からの接続端子９が接続される 。 インダクタＬ3 の一端が結合基板１８の電極膜２０の上に実装され、他端は入 出力端子２３の上に実装される。また、インダクタＬ2 とＬ3 の接続部の上にコ ンデンサ基板１２が実装され、コンデンサ基板１２の上面の電極膜に誘電体同軸 共振器３からの接続端子９が接続される。As shown in FIG. 2, one end of the inductor L 1 is mounted on the upper surface of the spacer 21, the capacitor substrate 10 is mounted thereon, and the dielectric coaxial resonator 1 is mounted on the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 10. Is connected to the connection terminal 9. The other end of the inductor L 1 is mounted on the electrode film 19 of the coupling substrate 18, and the inductor L 2 is mounted between the electrode films 19 and 20 of the coupling substrate 18. Then, the capacitor substrate 11 is mounted on the connecting portion between the inductors L 1 and L 2 , and the connection terminal 9 from the dielectric coaxial resonator 2 is connected to the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 11. One end of the inductor L 3 is mounted on the electrode film 20 of the coupling substrate 18, and the other end is mounted on the input / output terminal 23. Further, the capacitor substrate 12 is mounted on the connection portion between the inductors L 2 and L 3 , and the connection terminal 9 from the dielectric coaxial resonator 3 is connected to the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 12.
【００１８】 ２個のスペーサ２１の上に実装された結合基板１３の上面の各電極膜１４〜１ ７に、誘電体同軸共振器４〜７からの接続端子９がそれぞれ接続されるようにな っている。The connection terminals 9 from the dielectric coaxial resonators 4 to 7 are connected to the electrode films 14 to 17 on the upper surface of the coupling substrate 13 mounted on the two spacers 21, respectively. ing.
【００１９】 図３はベース基板２２を示し、図３（ａ）はベース基板２２の正面図を、（ｂ ）はベース基板２２の背面図をそれぞれ示している。 図３に示すように、ベース基板２２の上下面の入出力端子２３〜２５の部分以 外の箇所は全面にわたってアース電極２６が形成されており、上下面のアース電 極２６は横方向に一直線状に形成した複数のスルーホール３３により導通を得て いる。 また、ベース基板２２の周囲に複数形成した半円状の切欠部３４の端面に形成 した電極膜を介しても上下面のアース電極２６が導通している。 更に、入出力端子２３〜２５も端面に形成した電極膜を介してベース基板２２ の上下面が導通している。FIG. 3 shows the base substrate 22, FIG. 3A is a front view of the base substrate 22, and FIG. 3B is a rear view of the base substrate 22. As shown in FIG. 3, ground electrodes 26 are formed on the entire surface of the upper and lower surfaces of the base substrate 22 except for the portions of the input / output terminals 23 to 25, and the ground electrodes 26 on the upper and lower surfaces are aligned in the horizontal direction. Conduction is obtained by a plurality of through holes 33 formed in a shape. Further, the ground electrodes 26 on the upper and lower surfaces are also electrically connected through the electrode film formed on the end surface of the semicircular cutout 34 formed around the base substrate 22. Further, the input / output terminals 23 to 25 are also electrically connected to the upper and lower surfaces of the base substrate 22 via the electrode films formed on the end faces.
【００２０】 図４は上記のようにして構成されている誘電体フィルタの等価回路図を示し、 バンドエリミネーションフィルタ側のキャパシタＣ1 〜Ｃ3 は、コンデンサ基板 １０〜１２の上下の電極膜で形成され、キャパシタＣ4 は入出力端子２４と下面 のアース電極との間で形成されるものである。 キャパシタＣ5 ，Ｃ6 は、結合基板１８の上面の電極膜１９，２０と下面の電 極膜とで形成されている。また、キャパシタＣ7 は、入出力端子２３と下面のア ース電極との間で形成されるものである。FIG. 4 shows an equivalent circuit diagram of the dielectric filter configured as described above. Capacitors C 1 to C 3 on the band elimination filter side are electrode films above and below the capacitor substrates 10 to 12. The capacitor C 4 is formed between the input / output terminal 24 and the ground electrode on the lower surface. The capacitors C 5 and C 6 are formed by the electrode films 19 and 20 on the upper surface of the coupling substrate 18 and the electrode film on the lower surface. Further, the capacitor C 7 is formed between the input / output terminal 23 and the ground electrode on the lower surface.
【００２１】 また、バンドパスフィルタ側のキャパシタＣ8 は、結合基板１３の電極膜１４ と下面の電極膜との間で形成され、キャパシタＣ9 〜Ｃ1 0 は、結合基板１３の 各電極膜１４〜１６間で形成される。また、キャパシタＣ1 1 は、結合基板１３ の上面の電極膜１６と下面の電極膜（図示せず）で形成される。また、この下面 の電極膜は図の右端のスペーサ２１に導通している。 更に、キャパシタＣ1 2 は結合基板１３の上面の電極膜１７と下面の電極膜と で形成される。尚、誘電体同軸共振器７とキャパシタＣ1 2 とで直列共振回路の トラップ回路を構成している。Further, the capacitor C 8 on the bandpass filter side is formed between the electrode film 14 of the coupling substrate 13 and the electrode film on the lower surface, and the capacitors C 9 to C 10 are the electrode films of the coupling substrate 13. It is formed between 14 and 16. Further, the capacitor C 11 is formed by the electrode film 16 on the upper surface and the electrode film (not shown) on the lower surface of the combined substrate 13. The electrode film on the lower surface is electrically connected to the spacer 21 at the right end in the figure. Further, the capacitor C 12 is formed by the electrode film 17 on the upper surface and the electrode film on the lower surface of the combined substrate 13. The dielectric coaxial resonator 7 and the capacitor C 12 form a trap circuit of a series resonance circuit.
【００２２】 次に、本考案の要旨について詳述する。本考案の要旨は、ベース基板２２に形 成した入出力端子２３〜２５及びアース電極２６の電極構造であり、かかる電極 をニッケル下地無電解金メッキとしたことを特徴としている。 すなわち、ベース基板２２の入出力端子２３〜２５及びアース電極２６の部分 には、まず銅箔が形成され、この銅箔の表面にニッケル下地を形成する。次に、 このニッケル下地の表面に無電解金メッキを施したものである。Next, the gist of the present invention will be described in detail. The gist of the present invention is an electrode structure of the input / output terminals 23 to 25 and the ground electrode 26 formed on the base substrate 22, and is characterized in that such electrodes are made of nickel-based electroless gold plating. That is, copper foil is first formed on the input / output terminals 23 to 25 and the ground electrode 26 of the base substrate 22, and a nickel underlayer is formed on the surface of the copper foil. Next, the surface of this nickel base is plated with electroless gold.
【００２３】 ここで、無電解半田メッキは技術的に困難であるので、無電解金メッキを施し ている。また、ニッケル下地を入れるのは、ハンダ付け後に発生するＡｕＳｎ合 金が脆いため、その改善効果を狙ったものである。 また、メッキ厚は、例えば、ニッケル下地で２μｍ、Ａｕで０．０３μｍであ る。 尚、ニッケル下地無電解金メッキの後に、アース電極２６のうちハンダ付けを しない部分には、レジストを塗布している。Since electroless solder plating is technically difficult, electroless gold plating is applied here. In addition, the nickel underlayer is intended to improve the AuSn alloy produced after soldering because it is brittle. Further, the plating thickness is, for example, 2 μm for a nickel underlayer and 0.03 μm for Au. After the nickel-base electroless gold plating, a resist is applied to a portion of the ground electrode 26 which is not soldered.
【００２４】 尚、実施例では、フィルタの構成として、バンドパスフィルタとバンドエリミ ネーションフィルタの組み合わせたアンテナ共用器の例を示したが、これらの単 独構成や、他のハイパスフィルタ、ローパスフィルタのそれぞれの単独構成、又 は各フィルタの組み合わせにも本考案を適用できるものである。また、共振器の 段数には制限されないものである。In the embodiment, the example of the antenna duplexer in which the band pass filter and the band elimination filter are combined is shown as the filter configuration. However, these single configurations and other high pass filters and low pass filters are not used. The present invention can be applied to each individual configuration or each filter combination. The number of resonator stages is not limited.
【００２５】 更に、上記の実施例では、誘電体同軸共振器を電極を有するベース基板を用い た誘電体フィルタに適用した場合について説明したが、誘電体フィルタに限らず 、電極構造を有するベース基板を用いたＶＣＯやＦＭのフロントエンドの回路等 の種々の電子回路にも適用できるものである。Further, in the above embodiment, the case where the dielectric coaxial resonator is applied to the dielectric filter using the base substrate having the electrodes has been described, but not limited to the dielectric filter, the base substrate having the electrode structure is also described. It can also be applied to various electronic circuits such as VCO and FM front-end circuits using the.
【００２６】[0026]
本考案によれば、一面に形成された電極に電子部品を実装すると共に、ケース の部材として兼ねたベース基板において、上記ベース基板の電極となる部分にニ ッケル下地を形成し、このニッケル下地の表面に無電解金メッキを施すようにし たものであるから、ベース基板の反り、ゆがみを減らすことができる。そのため 、実装信頼性の高い製品を供給することができる。また、金メッキを施している ため、経時変化がなく、いつでも良好なハンダ付け性を得ることができるという 効果を奏するものである。 According to the present invention, an electronic component is mounted on an electrode formed on one surface, and a nickel underlayer is formed on a portion of the base substrate that also serves as a member of the case to be an electrode of the base substrate. Since electroless gold plating is applied to the surface, warpage and distortion of the base substrate can be reduced. Therefore, a product with high mounting reliability can be supplied. Further, since it is plated with gold, there is no change over time, and good solderability can be obtained at any time.
【図１】本考案の実施例の誘電体フィルタの全体の分解
斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of an entire dielectric filter according to an embodiment of the present invention.
【図２】本考案の実施例の実装状態を示す誘電体フィル
タの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a dielectric filter showing a mounted state of an embodiment of the present invention.
【図３】（ａ）は本考案の実施例のベース基板の正面図
である。（ｂ）は本考案の実施例のベース基板の背面図
である。FIG. 3A is a front view of a base substrate according to an embodiment of the present invention. FIG. 3B is a rear view of the base substrate according to the embodiment of the present invention.
【図４】誘電体フィルタの等価回路図である。FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a dielectric filter.
２２ ベース基板 ２３ 入出力端子 ２４ 入出力端子 ２５ 入出力端子 ２６ アース電極 22 base substrate 23 input / output terminal 24 input / output terminal 25 input / output terminal 26 ground electrode
Claims (1)
すると共に、ケースの部材として兼ねたベース基板にお
いて、上記ベース基板の電極となる部分にニッケル下地
を形成し、このニッケル下地の表面に無電解金メッキを
施したことを特徴とする電極構造。1. An electronic component is mounted on an electrode formed on one surface, and a nickel base is formed on a portion of the base substrate that also functions as an electrode of the base substrate, and a nickel base is formed on the surface of the nickel base. Electrode structure characterized by electroless gold plating.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1627693U JPH0670303U (en) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | Electrode structure |
| US08/150,601 US5612512A (en) | 1992-11-11 | 1993-11-10 | High frequency electronic component having base substrate formed of bismaleimide-triazine resin and resistant film formed on base substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1627693U JPH0670303U (en) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | Electrode structure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0670303U true JPH0670303U (en) | 1994-09-30 |
Family
ID=11912032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1627693U Withdrawn JPH0670303U (en) | 1992-11-11 | 1993-03-10 | Electrode structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670303U (en) |
-
1993
- 1993-03-10 JP JP1627693U patent/JPH0670303U/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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