JPH0722815A - Electronic parts for high frequency - Google Patents

Electronic parts for high frequency

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JPH0722815A
JPH0722815A JP18879693A JP18879693A JPH0722815A JP H0722815 A JPH0722815 A JP H0722815A JP 18879693 A JP18879693 A JP 18879693A JP 18879693 A JP18879693 A JP 18879693A JP H0722815 A JPH0722815 A JP H0722815A
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JP
Japan
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glass
dielectric
resin
base substrate
good
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP18879693A
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Japanese (ja)
Inventor
Naoshi Shima
直志 島
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To supply a product having good characteristics and a high reliability. CONSTITUTION:A base substrate 22 is made of a glass thermosetting polyphenylene-oxide resin. Since the glass thermosetting polyphenylene-oxide resin is superior in heat resistance to a conventionally used glass epoxy resin and has a higher characteristic stability against temperature, the appearance and characteristics are less changed before and after reflow solder. Further, the product of good high frequency characteristics is produced because dielectric loss tangent tandelta of the glass thermosetting polyphenylene-oxide resin is good. Since this resin has proper dielectric constant epsilonr in comparison with Teflon glass, a pattern having a capacity is not made too large to miniaturize the product, and this resin is characterized by inexpensive materials. Consequently, the product which has good high frequency characteristics and has the solder heat resistance improved and has a high reliability is supplied without increasing the cost.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体フィルタ
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to, for example, a car telephone,
The present invention relates to a dielectric filter used in mobile communication devices such as mobile phones.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は従来のこの種の誘電体フィルタの
全体の分解斜視図を示しており、バンドエリミネーショ
ンフィルタとバンドパスフィルタとで構成された所謂ア
ンテナ共用器と言われているものである。図4におい
て、ガラスエポキシやテフロン(商品名)グラス等の誘
電体からなるベース基板22にはアンテナ側、送信部
側、受信部側と接続される入出力端子23〜25が電極
膜状にそれぞれ形成されている。これら入出力端子23
〜25の部分を除いた他の上面及び下面には電極膜状の
アース電極26が形成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is an exploded perspective view of a conventional dielectric filter of this type, which is a so-called antenna duplexer composed of a band elimination filter and a bandpass filter. Is. In FIG. 4, the base substrate 22 made of a dielectric material such as glass epoxy or Teflon (trade name) glass has input / output terminals 23 to 25 connected to the antenna side, the transmitter side and the receiver side in the form of electrode films. Has been formed. These input / output terminals 23
Electrode film-like ground electrodes 26 are formed on the upper and lower surfaces other than the portions 25 to 25.

【0003】ベース基板22のアース電極26の上面に
は、この例では7個の誘電体同軸共振器1〜7が半田付
け等により実装されるようになっている。また、誘電体
同軸共振器1〜7の穴内には接続端子9が圧入される。
なお、詳細な説明は実施例の部分で説明するが、誘電体
同軸共振器1〜7の他に結合基板13,18、スペーサ
21等や、コンデンサ基板、インダクタ等も実装される
ようになっている。尚、上記金属カバー27とベース基
板22とで誘電体フィルタのケーシング(外殻)を構成
している。
In this example, seven dielectric coaxial resonators 1 to 7 are mounted on the upper surface of the ground electrode 26 of the base substrate 22 by soldering or the like. Further, the connection terminal 9 is press-fitted into the holes of the dielectric coaxial resonators 1 to 7.
Although detailed description will be given in the embodiments, the coupling substrates 13 and 18, the spacer 21 and the like, the capacitor substrate, the inductor and the like are also mounted in addition to the dielectric coaxial resonators 1 to 7. There is. The metal cover 27 and the base substrate 22 form a casing (outer shell) of the dielectric filter.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】かかる図4に示す従来
例の誘電体フィルタに用いているベース基板22の材質
に、上述のようにガラスエポキシやテフロン(商品名)
グラスを使用していたため、以下のような問題点を有し
ていた。
The material of the base substrate 22 used in the conventional dielectric filter shown in FIG. 4 is made of glass epoxy or Teflon (trade name) as described above.
Since the glass was used, it had the following problems.

【0005】すなわち、ガラスエポキシでは、耐熱性が
低い、温度係数TCが悪い、誘電正接tanδが悪いと
いう問題がある。また、テフロン(商品名)グラスで
は、誘電率εrが低すぎる、スルーホール加工で表面処
理が必要なためコストが高い、素材自体のコストが高い
という問題がある。
That is, glass epoxy has the problems of low heat resistance, poor temperature coefficient TC, and poor dielectric loss tangent tan δ. In addition, Teflon (trade name) glass has problems that the permittivity εr is too low, the cost is high because surface treatment is required by through-hole processing, and the cost of the material itself is high.

【0006】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、特性が良く、且つ信頼性の高い製品を供給する
ことを目的とした高周波用電子部品を提供するものであ
る。
The present invention has been made in view of the above points, and provides a high frequency electronic component intended to supply a product having excellent characteristics and high reliability.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、ベース基板2
2の一面に高周波用の電子部品素子を半田付け等により
実装するようにした高周波用電子部品において、上記ベ
ース基板22の材質を、ガラス熱硬化ポリフェニレンオ
キサイド樹脂で構成したことを特徴としている。
The present invention provides a base substrate 2
In a high-frequency electronic component in which a high-frequency electronic component element is mounted on one surface of the substrate 2 by soldering or the like, the material of the base substrate 22 is a glass thermosetting polyphenylene oxide resin.

【0008】[0008]

【作用】本発明によれば、ベース基板22の材質をガラ
ス熱硬化ポリフェニレンオキサイド樹脂で構成したこと
により、ガラスエポキシに比べて耐熱性が優れ、また、
温度による特性安定性が良いので、リフロー半田の前後
で外観や特性の変化が少ない。更に、誘電正接tanδ
が良いので、高周波特性の良い製品を作成できる。ま
た、テフロン(商品名)グラスに比べて、適当な誘電率
εrを持っているので、容量を持つようなパターンが大
きくなりすぎず、小型化を図ることができ、また、材料
が安価である。従って、コストアップなしに高周波特性
が良く、はんだ耐熱性が向上した安くて信頼性の高い製
品を供給することができる。
According to the present invention, since the base substrate 22 is made of glass thermosetting polyphenylene oxide resin, it has excellent heat resistance as compared with glass epoxy, and
Since the characteristic stability with temperature is good, there is little change in appearance and characteristics before and after reflow soldering. Furthermore, the dissipation factor tan δ
Since it is good, a product with good high frequency characteristics can be created. In addition, since it has an appropriate dielectric constant εr as compared with Teflon (trade name) glass, a pattern having a capacitance does not become too large, so that it can be downsized, and the material is inexpensive. . Therefore, it is possible to supply inexpensive and highly reliable products having good high frequency characteristics and improved solder heat resistance without increasing costs.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。まず、本発明が適用される誘電体フィルタの全体
の構成について説明する。図1は誘電体フィルタの分解
斜視図を示し、図2は各種部品を実装した状態の斜視図
を示している。図1及び図2に示す誘電体フィルタは、
例えば、自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用
されるものであり、マイクロ波帯に用いられ所謂アンテ
ナ共用器と言われるものである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the overall configuration of the dielectric filter to which the present invention is applied will be described. FIG. 1 shows an exploded perspective view of a dielectric filter, and FIG. 2 shows a perspective view of a state in which various parts are mounted. The dielectric filter shown in FIG. 1 and FIG.
For example, it is used for mobile communication devices such as car phones and mobile phones, and is called a so-called antenna duplexer used in the microwave band.

【0010】そして、この誘電体フィルタは送信側がバ
ンドエリミネーションフィルタで構成され、受信側がバ
ンドパスフィルタで構成されている。まず、表面実装タ
イプのこの誘電体フィルタの全体の構成を図1及び図2
により説明する。バンドエリミネーションフィルタは3
段の共振器構成となっており、3個の1/4波長形誘電
体同軸共振器1〜3を有し、バンドパスフィルタは4段
の共振器構成で、4個の1/4波長形誘電体同軸共振器
4〜7を有している。
The dielectric filter has a band elimination filter on the transmitting side and a band pass filter on the receiving side. First, the overall structure of this surface mount type dielectric filter is shown in FIGS.
Will be described. Band elimination filter is 3
It has a multi-stage resonator configuration and has three quarter-wave dielectric coaxial resonators 1 to 3, and the bandpass filter has four-stage resonator configuration and four quarter-wave resonators. It has dielectric coaxial resonators 4 to 7.

【0011】誘電体同軸共振器1〜7は、直方体状に形
成されている誘電体の穴8の内周面に形成した電極膜状
の内導体と、該誘電体の側表面に形成した電極膜状の外
導体と、図には表われていないが穴8が開口している端
面の一方に形成した電極膜状の内導体と外導体とを接続
する短絡導体とで構成され、所定の周波数で共振するよ
うになっている。この誘電体同軸共振器1〜7の穴8に
は一端側を略円筒状に形成した金属製の接続端子9がそ
れぞれ誘電体同軸共振器1〜7の開放端側より圧入され
て、穴8内の内導体と接触して導通を得ている。上記接
続端子9の他端側は舌片状に形成されていて、後述する
コンデンサ基板10〜12や結合基板13の上面に形成
されている電極膜14〜17に半田付け等でそれぞれ接
続されるようになっている。
In the dielectric coaxial resonators 1 to 7, the electrode film-shaped inner conductor formed on the inner peripheral surface of the dielectric hole 8 formed in a rectangular parallelepiped shape and the electrode formed on the side surface of the dielectric body. A film-shaped outer conductor and a short-circuit conductor that connects the electrode-film-shaped inner conductor and the outer conductor, which is not shown in the figure, is formed on one of the end faces where the hole 8 is open, It resonates at the frequency. Into the holes 8 of the dielectric coaxial resonators 1 to 7, metal connection terminals 9 whose one end side is formed in a substantially cylindrical shape are press-fitted from the open end sides of the dielectric coaxial resonators 1 to 7, respectively. Conductivity is obtained by contacting the inner conductor inside. The other end of the connection terminal 9 is formed in a tongue shape, and is connected to electrode films 14 to 17 formed on the upper surfaces of the capacitor substrates 10 to 12 and the coupling substrate 13, which will be described later, by soldering or the like. It is like this.

【0012】上記コンデンサ基板10〜12は誘電体か
らなり、その上下面には電極膜がそれぞれ形成されてい
て、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる
結合基板13の上面には複数の電極膜14〜17が並設
されており、電極膜14〜16は結合容量を多くとるた
めに、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結合
基板13の下面の両側にも電極膜が形成されている。ま
た、コンデンサ基板10〜12間にはコイル状のインダ
クタL1 〜L3 が接続される。上記インダクタL1 〜L
3 を実装する誘電体からなる結合基板18の上面には電
極膜19,20が形成されており、この結合基板18の
下面は全面にわたってアース電極となる電極膜が形成さ
れている。
The capacitor substrates 10 to 12 are made of a dielectric material, and electrode films are formed on the upper and lower surfaces thereof to form a capacitor. Further, a plurality of electrode films 14 to 17 are arranged in parallel on the upper surface of the coupling substrate 13 made of a dielectric material, and the electrode films 14 to 16 are formed in a comb-tooth shape at the opposing portions in order to increase the coupling capacitance. ing. Furthermore, electrode films are formed on both sides of the lower surface of the combined substrate 13. In addition, coil-shaped inductors L 1 to L 3 are connected between the capacitor substrates 10 to 12. The inductors L 1 to L
Electrode films 19 and 20 are formed on the upper surface of a combined substrate 18 made of a dielectric material for mounting 3 , and an electrode film serving as a ground electrode is formed on the entire lower surface of the combined substrate 18.

【0013】上記各部材を上面に実装するベース基板2
2には、アンテナ側と接続される電極膜状の入出力端子
23と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子2
4と、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子25
とがそれぞれ形成されている。また、ベース基板22の
上面及び下面は電極膜状のアース電極26が略全面にわ
たって形成してある。尚、このベース基板22は、誘電
体または絶縁体等で形成されている。ベース基板22の
上面に実装される上記結合基板13は2個のスペーサ2
1を介して実装されるものであり、他の1個のスペーサ
21はベース基板22の入出力端子24の上面に実装さ
れる。これら3個のスペーサ21は、金属等の導通のあ
る部材を用いている。
A base substrate 2 on which the above members are mounted on the upper surface.
Reference numeral 2 denotes an electrode film-shaped input / output terminal 23 connected to the antenna side and an electrode film-shaped input / output terminal 2 connected to the transmitter side.
4 and an input / output terminal 25 in the form of an electrode film to which the receiver side is connected
And are formed respectively. Further, an electrode film-shaped ground electrode 26 is formed on substantially the entire upper surface and lower surface of the base substrate 22. The base substrate 22 is made of a dielectric material or an insulating material. The combined substrate 13 mounted on the upper surface of the base substrate 22 includes two spacers 2.
The other spacer 21 is mounted on the upper surface of the input / output terminal 24 of the base substrate 22. The three spacers 21 are made of a conductive material such as metal.

【0014】また、ベース基板22の上下面の入出力端
子23〜25の部分以外の箇所は全面にわたってアース
電極26が形成されており、上下面のアース電極26は
横方向に一直線状に形成した複数のスルーホール33に
より導通を得ている。また、ベース基板22の周囲に複
数形成した半円状の切欠部34の端面に形成した電極膜
を介しても上下面のアース電極26が導通している。更
に、入出力端子23〜25も端面に形成した電極膜を介
してベース基板22の上下面が導通している。
Ground electrodes 26 are formed on the entire upper and lower surfaces of the base substrate 22 except for the input / output terminals 23 to 25, and the ground electrodes 26 on the upper and lower surfaces are formed in a straight line in the horizontal direction. Conduction is obtained by a plurality of through holes 33. Further, the ground electrodes 26 on the upper and lower surfaces are also electrically connected through the electrode film formed on the end surface of the semicircular cutout 34 formed around the base substrate 22. Further, the input / output terminals 23 to 25 are also electrically connected to the upper and lower surfaces of the base substrate 22 via the electrode films formed on the end surfaces.

【0015】ベース基板22を覆設するカバー27は金
属製で構成され、カバー27の天板には誘電体同軸共振
器1〜7の上面側外導体とカバー27とを半田付け等を
するための細長の穴28と、誘電体同軸共振器1〜7の
特性を調整するための治具挿入用の穴29が穿孔してあ
る。また、カバー27の下縁の前部・背部(図示せず)
よりベース基板22の上面アース電極26と接続される
アース端子30が複数形成されている。カバー27の側
板には、上記ベース基板22の入出力端子23〜25を
露出させるための切欠部31がそれぞれ形成してある。
また、図2に示すように、カバー27の上面にはラベル
32が貼付され穴28や29が覆われるようになってい
る。
The cover 27 that covers the base substrate 22 is made of metal, and the top plate of the cover 27 is used for soldering the outer conductors of the upper surfaces of the dielectric coaxial resonators 1 to 7 and the cover 27. And an elongated hole 28 and a hole 29 for inserting a jig for adjusting the characteristics of the dielectric coaxial resonators 1 to 7 are formed. Further, the front and back portions of the lower edge of the cover 27 (not shown)
A plurality of ground terminals 30 connected to the upper surface ground electrode 26 of the base substrate 22 are formed. Notches 31 for exposing the input / output terminals 23 to 25 of the base substrate 22 are formed on the side plates of the cover 27, respectively.
Further, as shown in FIG. 2, a label 32 is attached to the upper surface of the cover 27 to cover the holes 28 and 29.

【0016】尚、上記の場合においては、カバー27を
用いた場合について説明したが、カバー27を用いずに
誘電体フィルタを構成する場合もある。また、上記ラベ
ル32は、耐熱性の高いカプトン(商品名)という樹脂
で形成されている。ラベル32は、樹脂で形成した場合
はシールドの役目を有していないが、シールドの機能を
持たす場合には、金属製のものを使用するようになって
いる。
In the above case, the case where the cover 27 is used has been described. However, the dielectric filter may be formed without using the cover 27. The label 32 is formed of a resin called Kapton (trade name) having high heat resistance. When the label 32 is made of resin, it does not serve as a shield, but when it has the function of a shield, it is made of metal.

【0017】次に、各部材の配置構成について説明す
る。図1及び図2に示すように、バンドエリミネーショ
ンフィルタ側では、1個のスペーサ21がベース基板2
2の入出力端子24の上に実装され、また、結合基板1
8がベース基板22の入出力端子24と23との間のア
ース電極26の上に実装されハンダづけされる。更に、
入出力端子23と25の上面にスペーサ21がそれぞれ
実装され、この2個のスペーサ21の上面に、下面の電
極膜が接触する形で結合基板13が架橋されハンダづけ
される。
Next, the arrangement of each member will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, one spacer 21 is provided on the side of the band elimination filter as the base substrate 2.
2 is mounted on the input / output terminal 24 and the combined substrate 1
8 is mounted on the ground electrode 26 between the input / output terminals 24 and 23 of the base substrate 22 and soldered. Furthermore,
The spacers 21 are mounted on the upper surfaces of the input / output terminals 23 and 25, and the combined substrate 13 is bridged and soldered on the upper surfaces of the two spacers 21 so that the electrode films on the lower surfaces are in contact with each other.

【0018】図2に示すように、インダクタL1 の一端
がスペーサ21の上面に実装され、その上にコンデンサ
基板10が実装され、このコンデンサ基板10の上面の
電極膜に誘電体同軸共振器1からの接続端子9が接続さ
れる。また、インダクタL1 の他端は結合基板18の電
極膜19の上に実装され、インダクタL2 が結合基板1
8の電極膜19と20との間に実装される。そして、イ
ンダクタL1 とL2 の接続部の上にコンデンサ基板11
が実装され、コンデンサ基板11の上面の電極膜に誘電
体同軸共振器2からの接続端子9が接続される。インダ
クタL3 の一端が結合基板18の電極膜20の上に実装
され、他端は入出力端子23の上に実装される。また、
インダクタL2 とL3 の接続部の上にコンデンサ基板1
2が実装され、コンデンサ基板12の上面の電極膜に誘
電体同軸共振器3からの接続端子9が接続される。
As shown in FIG. 2, one end of the inductor L 1 is mounted on the upper surface of the spacer 21, the capacitor substrate 10 is mounted thereon, and the dielectric coaxial resonator 1 is mounted on the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 10. Is connected to the connection terminal 9. The other end of the inductor L 1 is mounted on the electrode film 19 of the combined substrate 18, and the inductor L 2 is connected to the combined substrate 1
8 is mounted between the electrode films 19 and 20. Then, the capacitor substrate 11 is placed on the connecting portion between the inductors L 1 and L 2.
Is mounted, and the connection terminal 9 from the dielectric coaxial resonator 2 is connected to the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 11. One end of the inductor L 3 is mounted on the electrode film 20 of the coupling substrate 18, and the other end is mounted on the input / output terminal 23. Also,
Capacitor board 1 above the connection between inductors L 2 and L 3.
2 is mounted, and the connection terminal 9 from the dielectric coaxial resonator 3 is connected to the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 12.

【0019】2個のスペーサ21の上に実装された結合
基板13の上面の各電極膜14〜17に、誘電体同軸共
振器4〜7からの接続端子9がそれぞれ接続されるよう
になっている。
The connection terminals 9 from the dielectric coaxial resonators 4 to 7 are connected to the electrode films 14 to 17 on the upper surface of the coupling substrate 13 mounted on the two spacers 21, respectively. There is.

【0020】図3は上記のようにして構成されている誘
電体フィルタの等価回路図を示し、バンドエリミネーシ
ョンフィルタ側のキャパシタC1 〜C3 は、コンデンサ
基板10〜12の上下の電極膜で形成され、キャパシタ
4 は入出力端子24と下面のアース電極との間で形成
されるものである。キャパシタC5 ,C6 は、結合基板
18の上面の電極膜19,20と下面の電極膜とで形成
されている。また、キャパシタC7 は、入出力端子23
と下面のアース電極との間で形成されるものである。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the dielectric filter constructed as described above. Capacitors C 1 to C 3 on the band elimination filter side are upper and lower electrode films of the capacitor substrates 10 to 12. The capacitor C 4 is formed between the input / output terminal 24 and the ground electrode on the lower surface. The capacitors C 5 and C 6 are formed by the electrode films 19 and 20 on the upper surface and the electrode film on the lower surface of the combined substrate 18. Further, the capacitor C 7 is connected to the input / output terminal 23.
And the ground electrode on the lower surface.

【0021】また、バンドパスフィルタ側のキャパシタ
8 は、結合基板13の電極膜14と下面の電極膜との
間で形成され、キャパシタC9 〜C1 0 は、結合基板1
3の各電極膜14〜16間で形成される。また、キャパ
シタC1 1 は、結合基板13の上面の電極膜16と下面
の電極膜(図示せず)で形成される。また、この下面の
電極膜は図の右端のスペーサ21に導通している。更
に、キャパシタC1 2 は結合基板13の上面の電極膜1
7と下面の電極膜とで形成される。尚、誘電体同軸共振
器7とキャパシタC1 2 とで直列共振回路のトラップ回
路を構成している。
Further, the capacitor C 8 on the bandpass filter side is formed between the electrode film 14 of the combined substrate 13 and the electrode film on the lower surface, and the capacitors C 9 to C 10 are formed on the combined substrate 1.
3 between the electrode films 14 to 16. Further, the capacitor C 11 is formed by the electrode film 16 on the upper surface and the electrode film (not shown) on the lower surface of the combined substrate 13. The electrode film on the lower surface is electrically connected to the spacer 21 at the right end in the figure. Further, the capacitor C 12 is the electrode film 1 on the upper surface of the combined substrate 13.
7 and the electrode film on the lower surface. The dielectric coaxial resonator 7 and the capacitor C 12 form a trap circuit of a series resonance circuit.

【0022】次に、本発明の要旨について詳述する。本
発明は上記ベース基板22の材質をガラス熱硬化ポリフ
ェニレンオキサイド樹脂で形成したことに特徴がある。
このガラス熱硬化ポリフェニレンオキサイド樹脂は松下
電工社製の樹脂である。すなわち、ガラス熱硬化ポリフ
ェニレンオキサイド樹脂は従来用いていたガラスエポキ
シに比べ、耐熱性に優れ、温度による特性安定性が良い
ので、リフロー半田の前後で外観や特性の変化が少な
い。更に、誘電正接tanδが良いので、高周波特性の
良い製品を作成できるという特徴を持っている。
Next, the gist of the present invention will be described in detail. The present invention is characterized in that the base substrate 22 is made of glass thermosetting polyphenylene oxide resin.
This glass thermosetting polyphenylene oxide resin is a resin manufactured by Matsushita Electric Works, Ltd. That is, the glass thermosetting polyphenylene oxide resin is superior in heat resistance to the conventionally used glass epoxy and has good characteristic stability due to temperature, and therefore, changes in appearance and characteristics before and after reflow soldering are small. Furthermore, since the dielectric loss tangent tan δ is good, it has a feature that a product with good high frequency characteristics can be produced.

【0023】また、ガラス熱硬化ポリフェニレンオキサ
イド樹脂はテフロン(商品名)グラスに比べて、適当な
誘電率εrを持っているので、容量を持つようなパター
ンが大きくなりすぎず、小型化を図ることができ、ま
た、材料が安価であるという特徴を持っている。従っ
て、ベース基板22の材質にガラス熱硬化ポリフェニレ
ンオキサイド樹脂を用いることで、コストアップなしに
高周波特性が良く、はんだ耐熱性が向上した安くて信頼
性の高い製品を供給することができる。
Further, the glass thermosetting polyphenylene oxide resin has an appropriate dielectric constant εr as compared with Teflon (trade name) glass, so that the pattern having a capacitance does not become too large, and the size can be reduced. In addition, it has the characteristic that the material is inexpensive. Therefore, by using the glass thermosetting polyphenylene oxide resin as the material of the base substrate 22, it is possible to supply a cheap and highly reliable product having good high frequency characteristics and improved solder heat resistance without increasing the cost.

【0024】更に、ガラス熱硬化ポリフェニレンオキサ
イド樹脂は、1〜12GHzの高周波特性に優れてい
る、通常のガラスエポキシプリント配線板と同じ加工工
程で加工ができる、ガラスフッ素樹脂銅張積層板に比べ
て、コストダウンが図れる、スルーホール信頼性に優れ
ている、熱分解温度が高く、はんだ耐熱性に優れている
という種々の特徴を有している。また、高誘電率εタイ
プのガラス熱硬化ポリフェニレンオキサイド樹脂を用い
ることで、上記の効果に加えて高周波回路の小型化を図
ることができる。本実施例の誘電体フィルタに用いたベ
ース基板22を、上記ガラス熱硬化ポリフェニレンオキ
サイド樹脂で構成し、上下面に銅張積層した構成として
いるものである。
Further, the glass thermosetting polyphenylene oxide resin is excellent in high frequency characteristics of 1 to 12 GHz, and can be processed in the same processing step as a normal glass epoxy printed wiring board, compared to a glass fluororesin copper clad laminate. It has various features such as cost reduction, excellent through-hole reliability, high thermal decomposition temperature, and excellent solder heat resistance. Further, by using the glass thermosetting polyphenylene oxide resin of high dielectric constant ε type, in addition to the above effects, the size of the high frequency circuit can be reduced. The base substrate 22 used in the dielectric filter of the present embodiment is made of the above glass thermosetting polyphenylene oxide resin, and is copper-clad on the upper and lower surfaces.

【0025】尚、実施例では、フィルタの構成として、
バンドパスフィルタとバンドエリミネーションフィルタ
の組み合わせたアンテナ共用器の例を示したが、これら
の単独構成や、他のハイパスフィルタ、ローパスフィル
タのそれぞれの単独構成、又は各フィルタの組み合わせ
にも本発明を適用できるものである。また、共振器の段
数には制限されないものである。
In the embodiment, as the filter configuration,
An example of an antenna duplexer in which a bandpass filter and a band elimination filter are combined is shown, but the present invention is also applicable to a single configuration of these, another highpass filter, a single configuration of each lowpass filter, or a combination of each filter. It is applicable. Further, the number of stages of the resonator is not limited.

【0026】更に、上記の実施例では、誘電体同軸共振
器を実装するベース基板を用いた誘電体フィルタに適用
した場合について説明したが、誘電体フィルタに限ら
ず、ビスマレイミド−トリアジン樹脂で形成したベース
基板を用いたVCOやFMのフロントエンドの回路等の
種々の電子回路にも適用できるものである。
Further, in the above-mentioned embodiment, the case where the invention is applied to the dielectric filter using the base substrate on which the dielectric coaxial resonator is mounted is explained, but the invention is not limited to the dielectric filter and is formed of bismaleimide-triazine resin. The present invention can be applied to various electronic circuits such as a VCO or FM front end circuit using the above base substrate.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明によれば、ベース基板一面に高周
波用の電子部品素子を半田付け等により実装するように
した高周波用電子部品において、上記ベース基板の材質
を、ガラス熱硬化ポリフェニレンオキサイド樹脂で構成
したものであるから、ガラスエポキシに比べて耐熱性が
優れ、また、温度による特性安定性が良いので、リフロ
ー半田の前後で外観や特性の変化が少ない。更に、誘電
正接tanδが良いので、特性の良い製品を作成でき
る。また、テフロン(商品名)グラスに比べて、適当な
誘電率εrを持っているので、容量を持つようなパター
ンが大きくなりすぎず、小型化を図ることができ、ま
た、材料が安価である。従って、コストアップなしに高
周波特性が良く、はんだ耐熱性が向上した安くて信頼性
の高い製品を供給することができるという効果を奏する
ものである。
According to the present invention, in a high frequency electronic component in which a high frequency electronic component element is mounted on the entire surface of the base substrate by soldering or the like, the material of the base substrate is glass thermosetting polyphenylene oxide resin. Since it is composed of, the heat resistance is superior to that of glass epoxy, and the characteristic stability with temperature is good, so that there is little change in appearance and characteristics before and after reflow soldering. Furthermore, since the dielectric loss tangent tan δ is good, a product with good characteristics can be created. In addition, since it has an appropriate dielectric constant εr as compared with Teflon (trade name) glass, the pattern having a capacitance does not become too large, so that it can be downsized, and the material is inexpensive. . Therefore, it is possible to provide a cheap and highly reliable product having good high-frequency characteristics and improved solder heat resistance without increasing the cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の誘電体フィルタの全体の分解
斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view of an entire dielectric filter according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例の実装状態を示す誘電体フィル
タの斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view of a dielectric filter showing a mounted state of an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例の誘電体フィルタの等価回路図
である。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a dielectric filter according to an embodiment of the present invention.

【図4】従来例の誘電体フィルタの分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of a conventional dielectric filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

22 ベース基板 22 Base substrate

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ベース基板(22)の一面に高周波用の
電子部品素子を半田付け等により実装するようにした高
周波用電子部品において、上記ベース基板(22)の材
質を、ガラス熱硬化ポリフェニレンオキサイド樹脂で構
成したことを特徴とする高周波用電子部品。
1. In a high frequency electronic component in which a high frequency electronic component element is mounted on one surface of a base substrate (22) by soldering or the like, the material of the base substrate (22) is glass thermosetting polyphenylene oxide. A high-frequency electronic component characterized by being made of resin.
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