JPH0669210A - 集積回路 - Google Patents

集積回路

Info

Publication number
JPH0669210A
JPH0669210A JP22241492A JP22241492A JPH0669210A JP H0669210 A JPH0669210 A JP H0669210A JP 22241492 A JP22241492 A JP 22241492A JP 22241492 A JP22241492 A JP 22241492A JP H0669210 A JPH0669210 A JP H0669210A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal line
ladder
shield electrode
circuit
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22241492A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Ogasawara
寛 小笠原
Masayuki Ueno
雅之 植野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP22241492A priority Critical patent/JPH0669210A/ja
Publication of JPH0669210A publication Critical patent/JPH0669210A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 主として信号線について、集積回路内のある
回路部分の信号が、該集積回路内の他の回路部分へと、
ノイズとして誘導されてしまうこと、ピンホールやクラ
ックによる短絡不良、寄生容量による特性劣化を低減す
る。 【構成】 ラダー状シールド電極30は、信号線20を
シールドする。該ラダー状シールド電極30は、前記信
号線20に平行な平行配線部分と、これら平行配線部分
を接続する多数のステップ配線部分とで構成される。該
ステップ配線部分は、電気的に絶縁された状態で前記信
号線20と交差する。前記ラダー状シールド電極30
は、グランド配線に接続される。前記信号線と前記ラダ
ー状シールド電極30との交差部分の面積が減少されて
おり、シールド効果を確保しながら、ピンホールやクラ
ックによる短絡不良や、寄生容量による特性劣化を低減
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、所定の基板上に作り込
まれた素子間を、複数の配線層それぞれに作り込まれた
配線を用いて接続して形成された回路が組み込まれた集
積回路に係り、特に、集積回路内のある回路部分の信号
が、該集積回路内の他の回路部分へと、ノイズとして誘
導されてしまうことを低減することができる集積回路に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、集積回路内の回路部分が相互
に干渉し合い、ノイズが発生してしまう恐れがあること
が知られている。このようなノイズが発生してしまう
と、各回路部分の性能が劣化してしまう。又、単一の基
板上に所定の回路が組み込まれた集積回路においては、
混在する各回路部分が、該単一の基板上で相互に干渉し
合い、性能劣化や信頼性の低下などの問題が生じてしま
う恐れがあることが知られている。
【0003】このため、特開平1−206646では、
デジタル回路群とそれ以外の回路群、例えばアナログ回
路群とが混在する集積回路における、回路群相互間の干
渉を低減するという技術が開示されている。該特開平1
−206646で開示されている技術は、前記デジタル
回路群の領域とその他の回路群との間に、所定のバイア
ス電圧源に接続されたP型ウェル領域又はN型ウェル領
域を形成するというものである。該ウェル領域は、その
表面部に高濃度不純物層が形成されたものである。該特
開平1−206646によれば、単一の基板上に作られ
たデジタル回路群とその他の回路群との間の相互干渉を
低減することができる。
【0004】又、従来、デジタル回路が組み込まれてい
る単一の集積回路において、アナログ回路部分を設ける
際、該アナログ回路部分の最上層の導電膜全面をシール
ド電極として用いるということが行われている。これに
より、周囲のデジタル回路からの該アナログ回路部分へ
のノイズの飛び込みを低減することができる。
【0005】又、特開平2−162755では、同一半
導体基板上にデジタル回路とアナログ回路とが多層配線
を用いて形成された集積回路における、前記デジタル回
路から前記アナログ回路へのノイズ飛び込みを防止す
る、最上層導電膜で形成されたシールド電極に関する技
術が開示されている。該特開平2−162755で開示
されている技術は、前述のような最上層導電膜で形成さ
れたシールド電極に、島状又はチャネル状の欠落部を設
けるという技術が開示されている。該特開平2−162
755によれば、層間絶縁膜にピンホールやクラックな
どがあっても、アナログ回路が短絡不良となる割合が極
めて少なく、寄生容量によるアナログ回路の特性劣化の
少ない集積回路を提供することができる。
【0006】
【発明が達成しようとする課題】しかしながら、前記特
開平2−162755で開示されている技術など、所定
の配線層を用いてシールド電極を形成するという技術
は、前述のようなアナログ部分など、平面的な所定の面
積を有する回路部分をシールドするというものであっ
た。
【0007】近年、集積回路の集積度が向上し、集積回
路内部に組み込まれる回路の微細化が進むに連れ、集積
回路内のノイズの問題が増大している。又、このような
微細化が進むに連れ、集積回路内の回路部分のうち、信
号線に関するノイズの誘導の問題も増大している。これ
は、デジタル信号線やアナログ信号線などの信号線間で
ノイズが誘導されてしまうという問題である。あるい
は、デジタル信号線やアナログ信号線などの信号線か
ら、デジタル回路部分やアナログ回路部分などへノイズ
が誘導されてしまったり、これとは逆に、デジタル回路
部分やアナログ回路部分から、デジタル信号線やアナロ
グ信号線などの信号線へとノイズが誘導されてしまうと
いう問題である。
【0008】前記特開平2−162755で開示されて
いる技術では、このような信号線に関するノイズ誘導の
問題を解消するためのシールド電極に関して、ピンホー
ルやクラックなどによる短絡不良の減少や、寄生容量に
よるアナログ回路の特性劣化を減少させることは極めて
困難である。該特開平2−162755では、シールド
電極に島状又はチャネル状の欠落部を設けるというもの
であるが、デジタル信号線やアナログ信号線などの直線
状の部分をシールドするシールド電極に、この技術を適
用することは極めて困難である。
【0009】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
く成されたもので、主として信号線について、集積回路
内のある回路部分の信号が、該集積回路内の他の回路部
分へと、ノイズとして誘導されてしまうことを低減する
ことができる集積回路を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を達成するための手段】本発明は、所定の基板上
に作り込まれた素子間を、複数の配線それぞれに作り込
まれた配線を用いて接続して形成された回路が組み込ま
れた集積回路において、シールド対象信号線とは電気的
に絶縁されている、該シールド対象信号線に対して平行
に作り込まれたラダー状シールド電極と、該ラダー状シ
ールド電極を、所定の定電位部位に接続する定電位配線
とを備えたことにより、前記課題を達成したものであ
る。
【0011】
【作用】本発明は、デジタル信号線やアナログ信号線な
どの信号線から、電磁誘導や静電誘導、更には電磁波の
輻射によるノイズ発生を低減するために、ノイズ発生源
のこのような信号線をシールドするシールド電極のより
最適な形状について検討しなされたものである。あるい
は、電磁誘導や静電誘導、更には電磁波の輻射による他
の信号線や回路部分で発生してしまったノイズから、デ
ジタル信号線やアナログ信号線などの信号線にノイズが
誘導されてしまうことを防止するため、このようなノイ
ズから保護する側の信号線でのシールドに用いるシール
ド電極の形状について検討しなされたものである。
【0012】即ち、本発明は、このようなデジタル信号
線やアナログ信号線のシールドに用いるシールド電極に
ついて、ピンホールやクラックによる短絡不良や、寄生
容量による特性劣化を低減するため、該シールド電極の
より最適な形状について検討して成されたものである。
この結果、本発明では、信号線のシールドに用いるシー
ルド電極の形状を、ラダー状の形状とするようにしてい
る。
【0013】図1は、本発明の要旨を示す集積回路平面
図である。
【0014】この図1において、信号線20は、シール
ド対象信号線である。又、該信号線20のシールドに、
ラダー状シールド電極30が用いられている。該ラダー
状シールド電極30は、集積回路内の他の部分で発生し
たノイズが前記信号線へ飛び込んでしまうのを防止する
ために用いられる。あるいは、該ラダー状シールド電極
30は、前記信号線20からノイズが発生してしまうの
を防止するために用いられている。
【0015】該ラダー状シールド電極30の形状は、シ
ールド対象の前記信号線20に対して平行あるいはほぼ
平行な、少なくとも2本以上の平行配線部分と、前記信
号線20と電気的に絶縁されながら交差するステップ配
線部分とにより構成されている。これら平行配線部分と
ステップ配線部分とは互いに電気的に接続されている。
又、前記ステップ配線部分は、シールド効果が保持でき
る程度の間隔で多数設けられている。
【0016】なお、これら平行配線部分及びステップ配
線部分は、共に同一の配線層に作り込まれたものであっ
てもよく、あるいは、互いに異なる別の配線層に作り込
まれたものであってもよい。異なる配線層に作り込まれ
たものであっても、相互にコンタクトなどによって電気
的に接続されていればよい。又、前記平行配線部分を前
記信号線20と同一の配線層に作り込み、前記ステップ
配線部分のみを異なる配線層に作り込んでもよい。この
場合には、前記平行配線部分と前記ステップ配線部分と
は、コンタクトにより電気的に接続する。
【0017】なお、前記ラダー状シールド電極30は、
この図1には図示されない所定の定電位配線により、所
定の定電位部位に接続されている。該定電位部位は、例
えば、低インピーダンスの電圧源の電源配線やグランド
配線などである。本発明は、前記定電位配線の形状や前
記定電位部位を具体的に限定するものではない。
【0018】なお、本発明においてシールド対象となる
前記信号線20は、この図1に示されるような直線形状
のものに限定されるものではない。該信号線20は、曲
線形状であってもよく、あるいは直角などの所定の角度
で曲がるものであってもよい。この場合には、このよう
な形状の信号線20に平行となるように、前記ラダー状
シールド電極30を作り込めばよい。
【0019】以上説明した通り、本発明によれば、主と
して信号線についてのノイズ誘導の問題を低減すること
ができる。又、ピンホールやクラックによる短絡不良
や、寄生容量による特性劣化を低減することができる。
これは、前記信号線20と前記ラダー状シールド電極3
0との交差部分の面積が、前記ステップ配線部分の一部
分のみとなっており、シールド効果を確保できる範囲で
減少されているためである。
【0020】
【実施例】以下、図を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
【0021】図2は、本発明が適用された集積回路の集
積回路チップの平面図である。
【0022】この図2において、集積回路チップ1に
は、アナログ回路部3と、デジタル回路部5a 及び5b
が作り込まれている。これらアナログ回路部3及びデジ
タル回路5a 、5b それぞれにおいては、最上層の配線
層を用いて、網目状シールド電極7が形成されている。
【0023】前記アナログ回路部3など、当該集積回路
チップ1に作り込まれているアナログ回路の電源系統
と、前記デジタル回路部5a 及び5b など、当該集積回
路チップ1に作り込まれているデジタル回路の電源系統
とは分離されている。又、前記アナログ回路部3の最上
層の配線層に作り込まれた網目状シールド電極7は、該
アナログ回路部3に用いられている電源系統のグランド
に接続されている。又、前記デジタル回路部5a 及び5
b それぞれの最上層の配線層に作り込まれたそれぞれの
網目状シールド電極7は、それぞれ、デジタル回路に用
いる電源系統のグランドに接続されている。
【0024】このような集積回路チップ1において、信
号線21により、前記アナログ回路部3中のA点から前
記デジタル回路部5a 中のB点へと、アナログ信号が伝
達されている。即ち、該信号線21は、アナログ信号線
である。該信号線21については、他の回路部分、特に
他のデジタル回路部分からのノイズの飛び込みを低減し
なければならない。このため、該信号線21において
は、図3〜図5を用いて後述するように、本発明が適用
されたシールドが成されている。
【0025】一方、このような集積回路チップ1におい
て、信号線22を用いて、前記デジタル回路部5a 中の
C点から前記デジタル回路部5b 中のD点へと、デジタ
ル信号が伝達されている。該信号線22は、合計4本の
デジタル信号線により構成されたものである。該信号線
22にて伝達されるデジタル信号は伝達速度が高速化さ
れており、L状態からH状態へと、あるいはH状態から
L状態へと変化する際の信号電流も多く、ノイズ発生源
となってしまう恐れがある。即ち、電磁誘導や静電誘
導、あるいは電磁波の輻射によって該信号線22からノ
イズが発生してしまう恐れがある。このため、該信号線
22においては、図6を用いて後述するように、本発明
が適用されたシールドが成され、そのノイズ発生の低減
が図られている。
【0026】図3は、前記実施例のシールドが成された
信号線の部分拡大平面図である。
【0027】この図3においては、前記図2の前記信号
線21の拡大平面図が示されている。該信号線21は、
この図3に示されるように、ラダー状シールド電極11
と、ラダー状シールド電極31とによりシールドされ、
他回路部分からのノイズの飛び込みが低減されている。
【0028】前記信号線21は、前記集積回路チップ1
における第1アルミニウム配線層に作り込まれている。
前記ラダー状シールド電極11は、前記第1アルミニウ
ム配線層よりも1層だけ下層のポリシリコン層に作り込
まれている。前記ラダー状シールド電極31は、前記第
1アルミニウム配線層よりも1層だけ上層の第2アルミ
ニウム配線層に作り込まれている。これらラダー状シー
ルド電極11及び31は、いずれも、前記図1を用いて
前述したような、それぞれ合計2本の平行配線部分と、
電気的に絶縁された状態で前記信号線21と交差する形
態で多数設けられた、それぞれの合計2本の前記平行配
線部分を接続する前記ステップ配線部分とにより構成さ
れており、ラダー状の形状となっている。
【0029】又、この図3の平面図に示される如く、前
記ラダー状シールド電極11の前記平行配線部分と、前
記ラダー状シールド電極31の前記平行配線部分とは、
前記集積回路チップ1上での平面的な位置がずらされて
作り込まれている。即ち、前記ラダー状シールド電極1
1は、幅方向について、前記ラダー状シールド電極31
の内側に作り込まれている。
【0030】このように、前記信号線21と前記ラダー
状シールド電極11との交差部分、前記信号線21と前
記ラダー状シールド電極31との交差部分、あるいは、
前記ラダー状シールド電極11と前記ラダー状シールド
電極31との交差部分の面積は、いずれも少なくされて
いる。これにより、ピンホールやクラックによる、これ
ら信号線21、ラダー状シールド電極11及びラダー状
シールド電極31間の短絡不良の発生してしまう度合が
低減されている。又、これら信号線21、ラダー状シー
ルド電極11及びラダー状シールド電極31間の寄生容
量による特性劣化も低減されている。
【0031】なお、前記信号線21に用いられるシール
ド電極はいずれもラダー状の形状とされているが、それ
ぞれのシールド電極のステップ配線部分の配置間隔があ
る程度細かくなっているので、シールド効果は確保され
ている。シールド対象となるノイズの周波数成分は高々
100MHz 程度以下の成分が主であると思われる。こ
こで、シールド対象となるノイズに1GHz の周波数成
分が含まれていたとしても、その波長は30cmであるの
で、前記ステップ配線部分の間隔を、例えば100μm
であるとすると、該ステップ配線部分の間隔は波長の1
/3000であるので、該ノイズを十分に遮閉すること
ができる。
【0032】なお、図4は、前記図3のI −I 断面の断
面図である。又、図5は、前記図3のII−II断面の断面
図である。
【0033】これら図4及び図5の断面図においては、
基板50上に、前記ポリシリコン層に作り込まれた前記
ラダー状シールド電極11と、前記第1アルミニウム配
線層に作り込まれた前記信号線21と、前記第2アルミ
ニウム配線層に作り込まれた前記ラダー状シールド電極
31とが示されている。該基板50上には、前記ポリシ
リコン層、前記第1アルミニウム配線層、前記第2アル
ミニウム配線層の順に、順次作り込まれる。
【0034】なお、これら図4及び図5において、前記
ポリシリコン層、前記第1アルミニウム配線層及び前記
第2アルミニウム配線層の、相互の間を電気的に絶縁す
る層間絶縁膜については、図示が省略されている。
【0035】図6は、前記実施例のシールドが成された
信号線の部分平面図である。
【0036】この図6の部分平面図においては、前記図
2で示した、前記集積回路チップ1の前記信号線22の
部分拡大図が示されている。この図6に示されるよう
に、ノイズ発生源となってしまう恐れのある合計4本の
前記信号線22は、ラダー状シールド電極12とラダー
状シールド電極32とによりシールドされている。これ
により、これら信号線22からのノイズの発生が低減さ
れている。
【0037】前記ラダー状シールド電極12の形状及び
前記ラダー状シールド電極32の形状、及びこれらラダ
ー状シールド電極12及び32相互の位置関係は、前記
図3〜図5において示される、前述の前記ラダー状シー
ルド電極11や前記ラダー状シールド電極31と同様と
なっている。例えば、前記ラダー状シールド電極12
は、その幅方向について、前記ラダー状シールド電極3
1の内側に配置されている。又、前記ラダー状シールド
電極12は前記ポリシリコン層に作り込まれ、前記信号
線22は前記第1アルミニウム配線層に作り込まれ、前
記ラダー状シールド電極32は前記第2アルミニウム配
線層に作り込まれている。
【0038】以上説明した通り、本実施例によれば、前
記信号線21や前記信号線22などの、前記集積回路チ
ップ1上で比較的長い配線に関するノイズの問題を低減
することができる。比較的長い信号線においては、他の
配線部分へとノイズを発生し易い。あるいは、比較的長
い信号線においては、他の回路部分で発生してしまった
ノイズが飛び込み易い。しかしながら、前記実施例によ
れば、このような比較的長い信号線に対して、ピンホー
ルやクラックによる短絡不良や、寄生容量による特性劣
化を低減することができるような形状のシールド電極を
用いて、効果的にシールドし、ノイズに関する問題を低
減することができる。
【0039】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、主
として信号線について、集積回路内のある回路部分の信
号が、該集積回路内の他の回路部分へと、ノイズとして
誘導されてしまうことを低減することができると共に、
ピンホールやクラックによる短絡不良や、寄生容量によ
る特性劣化を低減することができるという優れた効果を
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の要旨を示す集積回路チップの部分拡大
平面図
【図2】本発明が適用された集積回路の集積回路チップ
の平面図
【図3】前記実施例においてシールドされた信号線の第
1例の部分拡大平面図
【図4】前記信号線の第1例の部分拡大平面図のI −I
断面の断面図
【図5】前記信号線の第1例の部分拡大平面図のII−II
断面の断面図
【図6】前記実施例においてシールドされた信号線の第
2例の部分拡大平面図
【符号の説明】
1…集積回路チップ 3…アナログ回路部 5a 、5b …デジタル回路部 7…網目状シールド電極 11、12、30〜32…ラダー状シールド電極 20〜22…シールド対象信号線 50…基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】所定の基板上に作り込まれた素子間を、複
    数の配線層それぞれに作り込まれた配線を用いて接続し
    て形成された回路が組み込まれた集積回路において、 シールド対象信号線とは電気的に絶縁されている、該シ
    ールド対象信号線に対して平行に作り込まれたラダー状
    シールド電極と、 該ラダー状シールド電極を、所定の定電位部位に接続す
    る定電位配線とを備えたことを特徴とする集積回路。
JP22241492A 1992-08-21 1992-08-21 集積回路 Pending JPH0669210A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22241492A JPH0669210A (ja) 1992-08-21 1992-08-21 集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22241492A JPH0669210A (ja) 1992-08-21 1992-08-21 集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0669210A true JPH0669210A (ja) 1994-03-11

Family

ID=16782014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22241492A Pending JPH0669210A (ja) 1992-08-21 1992-08-21 集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0669210A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1255334A1 (en) * 2001-04-30 2002-11-06 Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - Fault tolerant electrical circuit and method
US6664638B2 (en) 2000-12-20 2003-12-16 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise
US20130001650A1 (en) * 2010-03-23 2013-01-03 Panasonic Corporation Solid-state imaging device
JP2022033123A (ja) * 2009-01-22 2022-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN115413114A (zh) * 2022-09-23 2022-11-29 青岛柯锐思德电子科技有限公司 一种信号线屏蔽结构及其绘制方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7913212B2 (en) 2000-12-20 2011-03-22 Fujitsu Semiconductor Limited Method for determining a length of shielding of a semiconductor integrated circuit wiring
US7361975B2 (en) 2000-12-20 2008-04-22 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise
US6664638B2 (en) 2000-12-20 2003-12-16 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise
US6972493B2 (en) 2000-12-20 2005-12-06 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise
US7339250B2 (en) 2000-12-20 2008-03-04 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise
EP1255334A1 (en) * 2001-04-30 2002-11-06 Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - Fault tolerant electrical circuit and method
US6809403B2 (en) 2001-04-30 2004-10-26 Agilent Technologies, Inc. Fault tolerant electrical circuit and method
JP2022033123A (ja) * 2009-01-22 2022-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11551596B2 (en) 2009-01-22 2023-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device
JP2023022076A (ja) * 2009-01-22 2023-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US12062310B2 (en) 2009-01-22 2024-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device
US20130001650A1 (en) * 2010-03-23 2013-01-03 Panasonic Corporation Solid-state imaging device
US8653566B2 (en) * 2010-03-23 2014-02-18 Panasonic Corporation Solid-state imaging device
CN115413114A (zh) * 2022-09-23 2022-11-29 青岛柯锐思德电子科技有限公司 一种信号线屏蔽结构及其绘制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7714371B2 (en) Shielded capacitor structure
US6424022B1 (en) Guard mesh for noise isolation in highly integrated circuits
US6903460B2 (en) Semiconductor equipment
KR20010074942A (ko) 고 전압 차폐
EP0405460A2 (en) Semiconductor device using standard cell system
KR20020019413A (ko) 집적된 전자기 차폐 디바이스
JP2000269211A (ja) 半導体装置
JPH0669210A (ja) 集積回路
US6462384B2 (en) Semiconductor device for ESD protection
US4947235A (en) Integrated circuit shield
US5160997A (en) Semiconductor integrated circuit with shield electrodes for protecting the interconnection lines from undesirable radiation
JP3696706B2 (ja) 半導体装置の電源線構造
JP2002299440A (ja) 高周波半導体装置
EP0394878B1 (en) Semiconductor device having multi-layered wiring structure
JP3869675B2 (ja) 半導体装置の配線構造
US20090206946A1 (en) Apparatus and method for reducing propagation delay in a conductor
CN112435985A (zh) 芯片及芯片电源网络
JPH0637258A (ja) 集積回路
US6951806B1 (en) Metal region for reduction of capacitive coupling between signal lines
JPH0547767A (ja) 集積回路装置の配線構造
US7385455B2 (en) Monolithic integrated circuit with integrated interference suppression device
JP2001035853A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20220159834A1 (en) Module
US6734547B2 (en) Semiconductor wiring structure having divided power lines and ground lines on the same layer
US7411277B2 (en) Semiconductor integrated circuit having shield wiring