JPH0665614B2 - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- JPH0665614B2 JPH0665614B2 JP12665789A JP12665789A JPH0665614B2 JP H0665614 B2 JPH0665614 B2 JP H0665614B2 JP 12665789 A JP12665789 A JP 12665789A JP 12665789 A JP12665789 A JP 12665789A JP H0665614 B2 JPH0665614 B2 JP H0665614B2
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- quartz glass
- fine particle
- glass fine
- glass
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
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- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B2207/00—Glass deposition burners
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、コア用ロッドの回りにガラス微粒子を複数
本のバーナを用いて堆積させ、その透明ガラス化時にフ
ッ素をドープしてクラッドとする光ファイバ母材の製造
方法に関するもので、フッ素が均一にドープされるよう
にしてクラッドの屈折率を一定に保ち、得られるファイ
バの伝送特性の向上を図ったものである。
本のバーナを用いて堆積させ、その透明ガラス化時にフ
ッ素をドープしてクラッドとする光ファイバ母材の製造
方法に関するもので、フッ素が均一にドープされるよう
にしてクラッドの屈折率を一定に保ち、得られるファイ
バの伝送特性の向上を図ったものである。
(従来の技術) 従来のこの種の方法では、第3図に示すようにコア用の
SiO2、もしくはドープSiO2ロッド1上に、複数本例えば
2本のバーナ3,4を用いてバーナ3,4をロッド1の
軸方向にトラバースさせつつSiO2ガラス微粒子層2を形
成させる。なお、図において21は先行するバーナ3によ
るガラス微粒子層、22は後行するバーナ4によるガラス
微粒子層である。次いでこのガラス微粒子層2を必要に
応じて脱水処理した後、フッ素ガス雰囲気で高温に加熱
して透明ガラス化してフッ素によって屈折率が低下され
たフッ素ドープSiO2ガラスとなし、コアークラッド型の
光ファイバ母材とする。
SiO2、もしくはドープSiO2ロッド1上に、複数本例えば
2本のバーナ3,4を用いてバーナ3,4をロッド1の
軸方向にトラバースさせつつSiO2ガラス微粒子層2を形
成させる。なお、図において21は先行するバーナ3によ
るガラス微粒子層、22は後行するバーナ4によるガラス
微粒子層である。次いでこのガラス微粒子層2を必要に
応じて脱水処理した後、フッ素ガス雰囲気で高温に加熱
して透明ガラス化してフッ素によって屈折率が低下され
たフッ素ドープSiO2ガラスとなし、コアークラッド型の
光ファイバ母材とする。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、先行するバーナ炎の熱がコア用ロッド1
や、先に堆積されたガラス微粒子層21に奪われるため、
後行するバーナ炎に比較してその堆積面の温度が低下す
るという現象が生じる。そのため、先行するバーナによ
って得られるガラス微粒子層21のカサ密度と、後行する
バーナによって得られるガラス微粒子層22のカサ密度と
が異なることとなり、結果として透明ガラス化時にドー
プさせるべきフッ素量に影響を及ぼし、第4図に示すよ
うにクラッド内において屈折率の微少変動が生じ、コア
とクラッド間の比屈折率差が不安定となる。なお、バー
ナ温度ひいてはガラス微粒子堆積面の温度と、得られる
ガラス微粒子のカサ密度との関係は、温度が低いほどカ
サ密度の小さい柔らかな層となり、フッ素はドープしや
すくなる。
や、先に堆積されたガラス微粒子層21に奪われるため、
後行するバーナ炎に比較してその堆積面の温度が低下す
るという現象が生じる。そのため、先行するバーナによ
って得られるガラス微粒子層21のカサ密度と、後行する
バーナによって得られるガラス微粒子層22のカサ密度と
が異なることとなり、結果として透明ガラス化時にドー
プさせるべきフッ素量に影響を及ぼし、第4図に示すよ
うにクラッド内において屈折率の微少変動が生じ、コア
とクラッド間の比屈折率差が不安定となる。なお、バー
ナ温度ひいてはガラス微粒子堆積面の温度と、得られる
ガラス微粒子のカサ密度との関係は、温度が低いほどカ
サ密度の小さい柔らかな層となり、フッ素はドープしや
すくなる。
(課題を解決するための手段) この発明は、以上の観点からコア用ガラスロッドの回り
に、複数本のバーナを用いて外付け法によりガラス微粒
子層を堆積させ、このガラス微粒子層をフッ素ガス雰囲
気下で透明ガラス化してフッ素ドープクラッドプリフォ
ームとする際に、各バーナによるガラス微粒子の堆積面
の温度が一定になるようにバーナ内へのガスの供給量を
調整してカサ密度が等しくなるようにしたものである。
なお、ガラス微粒子の堆積成長面の温度の測定は例えば
放射温度計等を用いて測る。
に、複数本のバーナを用いて外付け法によりガラス微粒
子層を堆積させ、このガラス微粒子層をフッ素ガス雰囲
気下で透明ガラス化してフッ素ドープクラッドプリフォ
ームとする際に、各バーナによるガラス微粒子の堆積面
の温度が一定になるようにバーナ内へのガスの供給量を
調整してカサ密度が等しくなるようにしたものである。
なお、ガラス微粒子の堆積成長面の温度の測定は例えば
放射温度計等を用いて測る。
(作用) 各バーナによって生成されるガラス微粒子の堆積面の表
面温度を常に監視して、それらが等しくなるように各バ
ーナ内へのガスの供給量を調整しているので、得られる
各ガラス微粒子層のカサ密度は等しくなる。その結果、
フッ素のドープ量が一定になるためクラッド内における
屈折率に変動がなく半径方向に一定の値が得られる。
面温度を常に監視して、それらが等しくなるように各バ
ーナ内へのガスの供給量を調整しているので、得られる
各ガラス微粒子層のカサ密度は等しくなる。その結果、
フッ素のドープ量が一定になるためクラッド内における
屈折率に変動がなく半径方向に一定の値が得られる。
(実施例) この発明を第1図にもとずいて説明する。図において第
3図と同一部には同じ符号を付してある。コア用として
予めVAD法によりGeO2ドープSiO2透明ガラスロッド1
を用意した。このロッド1の外径は14mm、全長は1800m
m、そのうち有効長はおよそ750mmである。このロッド1
を20rpmで回転させた。一方バーナ3,4として第2図
に示す2連ノズル型バーナを用いた。図において、10は
中央に並列して配置された2連ノズルで、各々は同心2
重管構造になされており、内部パイプ12にはSiCl4、外
部パイプ14にはシールガスとしてのArが供給される。
16はこの2連ノズル10を囲むようにして位置される環状
パイプ群で、各々には酸素ガスが供給される。18は外管
で、内部には水素ガスが供給される。これら2本のバー
ナ3,4をロッド1の軸方向に40mm/分の速度でトラバ
ースさせるとともに、いずれにも第1表に示す流量のガ
スを供給した。
3図と同一部には同じ符号を付してある。コア用として
予めVAD法によりGeO2ドープSiO2透明ガラスロッド1
を用意した。このロッド1の外径は14mm、全長は1800m
m、そのうち有効長はおよそ750mmである。このロッド1
を20rpmで回転させた。一方バーナ3,4として第2図
に示す2連ノズル型バーナを用いた。図において、10は
中央に並列して配置された2連ノズルで、各々は同心2
重管構造になされており、内部パイプ12にはSiCl4、外
部パイプ14にはシールガスとしてのArが供給される。
16はこの2連ノズル10を囲むようにして位置される環状
パイプ群で、各々には酸素ガスが供給される。18は外管
で、内部には水素ガスが供給される。これら2本のバー
ナ3,4をロッド1の軸方向に40mm/分の速度でトラバ
ースさせるとともに、いずれにも第1表に示す流量のガ
スを供給した。
第1表 内部パイプ12 SiCl4 2.5 SLM Ar 1.5 SLM 外部パイプ14 Ar 3.5 SLM 環状パイプ群16 O2 11.5 SLM 外管18 H2 23.0 SLM ところが先行バーナ3によるガラス微粒子表面層21の放
射温度計31の温度が1100℃を示し、後行バーナ4による
ガラス微粒子表面層22の放射温度計41の温度が1200℃を
示したため、先行バーナ3内へのガスの供給量を以下の
第2表に示すように変更した。
射温度計31の温度が1100℃を示し、後行バーナ4による
ガラス微粒子表面層22の放射温度計41の温度が1200℃を
示したため、先行バーナ3内へのガスの供給量を以下の
第2表に示すように変更した。
第2表 内部パイプ12 SiCl4 2.5 SLM Ar 1.5 SLM 外部パイプ14 Ar 3.5 SLM 環状パイプ群16 O2 13.5 SLM 外管18 H2 27.0 SLM これにより、先行バーナ3、後行バーナ4によって得ら
れるガラス微粒子表面層21,22の温度は等しくなった。
れるガラス微粒子表面層21,22の温度は等しくなった。
以降、トラバースするごとに先行バーナ3のガス供給量
の調整を行い、全ガラス微粒子層のカサ密度を等しくし
た。ひき続いてこのガラス微粒子層を加熱炉に入れてC
l2にて脱水処理した後、さらに高温に上げるとともに
炉内をフッ素ガス雰囲気にして透明ガラス化を図り、フ
ッ素ドープSiO2層を得、コアークラッド型のプリフォー
ムとした。
の調整を行い、全ガラス微粒子層のカサ密度を等しくし
た。ひき続いてこのガラス微粒子層を加熱炉に入れてC
l2にて脱水処理した後、さらに高温に上げるとともに
炉内をフッ素ガス雰囲気にして透明ガラス化を図り、フ
ッ素ドープSiO2層を得、コアークラッド型のプリフォー
ムとした。
このプリフォームの屈折率を測定したところ、クラッド
部は半径方向に均一であった。
部は半径方向に均一であった。
(発明の効果) この発明は、以上のように複数のバーナを用いてSiO2か
らなるガラス微粒子層を得る際に、各バーナにより得ら
れるガラス微粒子の堆積面の温度を監視しつつ行い、温
度差がある場合にはバーナ内へのガス量を変えることで
温度を一定になすようにしたので、得られるフッ素ドー
プSiO2クラッドの屈折率が一定に維持できるため、コア
ークラッド間の比屈折率差が安定した母材が得られる。
らなるガラス微粒子層を得る際に、各バーナにより得ら
れるガラス微粒子の堆積面の温度を監視しつつ行い、温
度差がある場合にはバーナ内へのガス量を変えることで
温度を一定になすようにしたので、得られるフッ素ドー
プSiO2クラッドの屈折率が一定に維持できるため、コア
ークラッド間の比屈折率差が安定した母材が得られる。
第1図は、この発明によるSiO2ガラス微粒子層の製造方
法を示す概略説明図、第2図は、ガラス微粒子製造用バ
ーナ、第3図は、従来の光ファイバ母材の製造方法を示
す概略説明図、第4図は、従来法により得られた母材の
屈折率分布を示す概略図である。 図において、2:SiO2ガラス微粒子層、21:先行バーナ
3によるSiO2ガラス微粒子層、22:後行バーナ4による
SiO2ガラス微粒子層、31,41:放射温度計。
法を示す概略説明図、第2図は、ガラス微粒子製造用バ
ーナ、第3図は、従来の光ファイバ母材の製造方法を示
す概略説明図、第4図は、従来法により得られた母材の
屈折率分布を示す概略図である。 図において、2:SiO2ガラス微粒子層、21:先行バーナ
3によるSiO2ガラス微粒子層、22:後行バーナ4による
SiO2ガラス微粒子層、31,41:放射温度計。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山内 良三 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株式 会社佐倉工場内 (72)発明者 佐藤 信安 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株式 会社佐倉工場内 (56)参考文献 特開 昭63−139030(JP,A) 特開 昭64−9821(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】石英ガラス系コア用ロッドの回りに、複数
本のバーナを用いて外付け法により石英ガラス微粒子を
堆積させ、得られる石英ガラス微粒子層をフッ素含有ガ
ス雰囲気で透明ガラス化してフッ素ドープ石英ガラスク
ラッドとする工程を含む光ファイバ母材の製造方法にお
いて、前記各バーナによって形成される石英ガラス微粒
子の堆積面の温度を判定し、これら温度が等しくなる所
に各バーナのガス供給量を調整することにより、各バー
ナによって得られる石英ガラス微粒子層のカサ密度を等
しくして堆積させることを特徴とする光ファイバ母材の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12665789A JPH0665614B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12665789A JPH0665614B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02307838A JPH02307838A (ja) | 1990-12-21 |
JPH0665614B2 true JPH0665614B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14940645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12665789A Expired - Lifetime JPH0665614B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0665614B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2592359B2 (ja) * | 1991-04-03 | 1997-03-19 | 矢崎総業株式会社 | クラッド部材形成用バーナの制御装置 |
US5296012A (en) * | 1992-12-28 | 1994-03-22 | Corning Incorporated | Method of making optical waveguide preforms |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP12665789A patent/JPH0665614B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02307838A (ja) | 1990-12-21 |
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