JPH0664718B2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0664718B2 JPH0664718B2 JP60142542A JP14254285A JPH0664718B2 JP H0664718 B2 JPH0664718 B2 JP H0664718B2 JP 60142542 A JP60142542 A JP 60142542A JP 14254285 A JP14254285 A JP 14254285A JP H0664718 B2 JPH0664718 B2 JP H0664718B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- insulating film
- magnetically permeable
- thin film
- magnetoresistive effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、薄膜磁気ヘッドに係り、特にヨークタイプ
の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下単にMRヘッドと
称する）に関する。
の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下単にMRヘッドと
称する）に関する。
［発明の技術的背景］ 近年磁気記録が高密度化されるに伴い、薄膜技術を用い
て製造されるMRヘッドが注目されている。このヨークタ
イプMRヘッドは従来は第２図に一部断面斜視図として示
すように、磁性体基盤１上に絶縁膜２を介してMR素子５
を形成し、その両端にNi−Zn−フェライトなどの透磁性
絶縁膜11aおよび11bを形成する。さらに透磁性絶縁膜11
aおよび11bの両端に透磁性薄膜7aおよび7bを形成し、MR
素子上にSiO２などの絶縁膜12を介してバイアス３を形
成したものである。
て製造されるMRヘッドが注目されている。このヨークタ
イプMRヘッドは従来は第２図に一部断面斜視図として示
すように、磁性体基盤１上に絶縁膜２を介してMR素子５
を形成し、その両端にNi−Zn−フェライトなどの透磁性
絶縁膜11aおよび11bを形成する。さらに透磁性絶縁膜11
aおよび11bの両端に透磁性薄膜7aおよび7bを形成し、MR
素子上にSiO２などの絶縁膜12を介してバイアス３を形
成したものである。
しかしながら、従来の第２図に示すMRヘッドのように、
MR素子５端部に透磁性絶縁膜11aおよび11bを形成する場
合は、通常透磁性絶縁膜11aおよび11bをArイオンビーム
等によりエッチングしなければならなかった。この際、
透磁性絶縁膜11aおよび11bとMR素子５とのエッチングの
選択比が少ないため、MR素子５がダメージを受けるとい
う問題があった。MR素子５の厚さは200Å程度などで、
そのダメージは大きく、場合によっては透磁性絶縁膜11
aおよび11bの切れ目において断線するという問題があっ
た。
MR素子５端部に透磁性絶縁膜11aおよび11bを形成する場
合は、通常透磁性絶縁膜11aおよび11bをArイオンビーム
等によりエッチングしなければならなかった。この際、
透磁性絶縁膜11aおよび11bとMR素子５とのエッチングの
選択比が少ないため、MR素子５がダメージを受けるとい
う問題があった。MR素子５の厚さは200Å程度などで、
そのダメージは大きく、場合によっては透磁性絶縁膜11
aおよび11bの切れ目において断線するという問題があっ
た。
［背景技術の問題点］ 上述したように、従来のMRヘッドによれば、MR素子５を
覆うNi−Zn−フェライトなどの透磁性絶縁膜をエッチン
グする際に、MR素子５がダメージを受け、断線するとい
う問題があり、製造時の歩留まりを向上できないという
問題があった。
覆うNi−Zn−フェライトなどの透磁性絶縁膜をエッチン
グする際に、MR素子５がダメージを受け、断線するとい
う問題があり、製造時の歩留まりを向上できないという
問題があった。
［発明の目的］ この発明は上記欠点を除去し、磁気効率の良いヨークタ
イプMRヘッドの生産効率を向上することを目的とする。
イプMRヘッドの生産効率を向上することを目的とする。
［発明の概要］ 上記目的を達成するために、この発明では、ヨークタイ
プ磁気抵抗効果型の磁気コアを形成する磁気抵抗効果素
子と、前記磁気抵抗効果素子上の全面に形成した絶縁性
の軟磁性体と、前記軟磁性体に接し、前記磁気コアを形
成するように配設したヨーク部材と、前記軟磁性体上に
直接形成され、前記磁気抵抗効果素子に磁気的なバイア
スをかけるバイアス導体とを具備している。
プ磁気抵抗効果型の磁気コアを形成する磁気抵抗効果素
子と、前記磁気抵抗効果素子上の全面に形成した絶縁性
の軟磁性体と、前記軟磁性体に接し、前記磁気コアを形
成するように配設したヨーク部材と、前記軟磁性体上に
直接形成され、前記磁気抵抗効果素子に磁気的なバイア
スをかけるバイアス導体とを具備している。
［作用］ このように構成されたものにおいては、磁気抵抗効果素
子上に形成された絶縁性の軟磁性体をエッチングする必
要がないため、磁気抵抗素子のダメージをなくし、断線
の可能性をなくすことができる。
子上に形成された絶縁性の軟磁性体をエッチングする必
要がないため、磁気抵抗素子のダメージをなくし、断線
の可能性をなくすことができる。
［発明の実施例］ この発明の実施例を図面を参照し、詳細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例のMRヘッドを示す斜視図で
ある。フェライトなどからなる磁性体基板１上にはSiO
２などからなる第１の絶縁膜２が形成されており、、こ
の第１の絶縁膜２を介してMR素子５が形成されている。
このMR素子５の前面を覆うように第２の絶縁膜であるNi
−Zn−フェライトなどの透磁性絶縁膜11が形成されてい
る。前記第１の絶縁膜２上にはそれぞれ対向する一端が
前記透磁性絶縁膜11を被覆するように、パーマロイなど
からなる２個の透磁性薄膜7aおよび7bが対向して形成さ
れており、透磁性薄膜7aおよび7bの間には不連続部が設
けられており、磁気コアを形成する。また、透磁性薄膜
7bは前記第１の絶縁膜を貫通して磁性体基板１に直接接
続している。透磁性絶縁膜11上には、MR素子５に磁気的
なバイアスをかけるバイアス３を形成する。
ある。フェライトなどからなる磁性体基板１上にはSiO
２などからなる第１の絶縁膜２が形成されており、、こ
の第１の絶縁膜２を介してMR素子５が形成されている。
このMR素子５の前面を覆うように第２の絶縁膜であるNi
−Zn−フェライトなどの透磁性絶縁膜11が形成されてい
る。前記第１の絶縁膜２上にはそれぞれ対向する一端が
前記透磁性絶縁膜11を被覆するように、パーマロイなど
からなる２個の透磁性薄膜7aおよび7bが対向して形成さ
れており、透磁性薄膜7aおよび7bの間には不連続部が設
けられており、磁気コアを形成する。また、透磁性薄膜
7bは前記第１の絶縁膜を貫通して磁性体基板１に直接接
続している。透磁性絶縁膜11上には、MR素子５に磁気的
なバイアスをかけるバイアス３を形成する。
ここで、MR素子５と透磁性絶縁膜11は交換結合してお
り、その磁化は透磁性薄膜7aから流入する磁束に応じて
一体となって回転する。
り、その磁化は透磁性薄膜7aから流入する磁束に応じて
一体となって回転する。
上述した絶縁膜２、MR素子５、透磁性薄膜7aおよび7bお
よび透磁性絶縁膜11はそれぞれ公知の各種リソグラフィ
技術によって形成されている。
よび透磁性絶縁膜11はそれぞれ公知の各種リソグラフィ
技術によって形成されている。
この実施例では、MR素子５上の前面をNi−Zn−フェライ
トなどの透磁性絶縁膜11で覆うように形成するため、透
磁性薄膜7aおよび7bやバイアス３をArイオンビーム等に
よりエッチングする際、透磁性絶縁膜11がMR素子５を保
護し、機能部であるMR素子５のダメージをなくすことが
できる。
トなどの透磁性絶縁膜11で覆うように形成するため、透
磁性薄膜7aおよび7bやバイアス３をArイオンビーム等に
よりエッチングする際、透磁性絶縁膜11がMR素子５を保
護し、機能部であるMR素子５のダメージをなくすことが
できる。
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明によれば、Ni−Zn−フェ
ライトなどの磁性絶縁膜をMR素子の上全面を覆うように
形成することにより、製造時のMR素子へのダメージをな
くし、製品の歩留まりを向上することができる。
ライトなどの磁性絶縁膜をMR素子の上全面を覆うように
形成することにより、製造時のMR素子へのダメージをな
くし、製品の歩留まりを向上することができる。
第１図は、この発明の一実施例のMRヘッドを示す斜視図
である。 第２図は、従来のMRヘッドを示す斜視図である。 １……磁性体基板、２……第１の絶縁膜、５……MR素
子、7a……透磁性薄膜（磁気コア）、7b……透磁性薄膜
（磁気コア）、11……透磁性絶縁膜（第２の絶縁膜）。
である。 第２図は、従来のMRヘッドを示す斜視図である。 １……磁性体基板、２……第１の絶縁膜、５……MR素
子、7a……透磁性薄膜（磁気コア）、7b……透磁性薄膜
（磁気コア）、11……透磁性絶縁膜（第２の絶縁膜）。
Claims (1)
- 【請求項１】ヨークタイプ磁気抵抗効果型の磁気コアを
形成する磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子上の全面に形成した絶縁性の軟磁
性体と、 前記軟磁性体に接し、前記磁気コアを形成するように配
設したヨーク部材と、 前記軟磁性体上に直接形成され、前記磁気抵抗効果素子
に磁気的なバイアスをかけるバイアス導体とを具備した
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142542A JPH0664718B2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142542A JPH0664718B2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS626421A JPS626421A (ja) | 1987-01-13 |
| JPH0664718B2 true JPH0664718B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=15317770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142542A Expired - Lifetime JPH0664718B2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664718B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE1007775A3 (nl) * | 1993-11-22 | 1995-10-17 | Philips Electronics Nv | Magneetkop, voorzien van een kopvlak en een dunnefilm structuur, en werkwijze voor het vervaardigen van de magneetkop. |
| JPH10241123A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
| EP0889460B1 (en) * | 1997-07-04 | 2003-09-24 | STMicroelectronics S.r.l. | An electromagnetic head with magnetoresistive means connected to a magnetic core |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5977618A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-04 | Sony Corp | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP60142542A patent/JPH0664718B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS626421A (ja) | 1987-01-13 |
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