JPH0664104B2 - 感光体の表面電位測定装置 - Google Patents
感光体の表面電位測定装置Info
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- JPH0664104B2 JPH0664104B2 JP59086156A JP8615684A JPH0664104B2 JP H0664104 B2 JPH0664104 B2 JP H0664104B2 JP 59086156 A JP59086156 A JP 59086156A JP 8615684 A JP8615684 A JP 8615684A JP H0664104 B2 JPH0664104 B2 JP H0664104B2
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- photoconductor
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- potential
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/02—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices
- G03G15/0266—Arrangements for controlling the amount of charge
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は複写機等の画像形成装置の感光体の表面電位測
定装置に関するものである。
定装置に関するものである。
（従来技術） 従来、この種装置としては、特開昭57−80570号あるい
は特開昭58−44450号に示されるように、帯電した面か
らの静電誘導を応用し、チヨツパー方式により電位を検
出するものが公知となつている。
は特開昭58−44450号に示されるように、帯電した面か
らの静電誘導を応用し、チヨツパー方式により電位を検
出するものが公知となつている。
しかしながら、この公知例は静電誘導によるものである
から、検出ヘツドの汚れ等の影響を受けやすく、またヘ
ツドの大きさが大きく、実装上の制約を受ける。さらに
回路が高インピーダンス回路であるから、温度、外来ノ
イズ等の影響を受けやすい上にチヨツパなどの部品が必
要で、回路が複雑かつ高価であるという欠点がある。
から、検出ヘツドの汚れ等の影響を受けやすく、またヘ
ツドの大きさが大きく、実装上の制約を受ける。さらに
回路が高インピーダンス回路であるから、温度、外来ノ
イズ等の影響を受けやすい上にチヨツパなどの部品が必
要で、回路が複雑かつ高価であるという欠点がある。
（目的） 本発明は、この様な従来例の欠点に鑑みてなされたもの
であり、電位の検出を帯電用帯電器の領域内で行うこと
により、電位計の実装上の制約をなくし、さらに構造が
簡単で汚れの影響を受けにくく、かつ低コストで電位測
定が可能な感光体の表面電位測定装置を提供することを
目的とするものである。
であり、電位の検出を帯電用帯電器の領域内で行うこと
により、電位計の実装上の制約をなくし、さらに構造が
簡単で汚れの影響を受けにくく、かつ低コストで電位測
定が可能な感光体の表面電位測定装置を提供することを
目的とするものである。
（構成） 本発明は、従来の表面電位の測定方法装置とは異なり、
静電複写機において、感光体の帯電につかう帯電器の特
性を利用し、帯電器の放電領域内でかつ、放電中に放電
の結果帯電した感光体の表面電位を測定する。詳しく言
えば、帯電器の放電領域中でかつ感光体表面近傍に設置
された検出電極に出力電圧を外部信号で制御できる電源
によりバイアス電位を与えておき、この電極に流れる電
流が一定になるようにバイアス電位を制御したときのバ
イアス電圧が感光体の表面電位の高さとともに増大する
という特性によつて表面電位を測定するものである。し
たがつて従来の表面電位の測定原理である静電誘導現象
とか、静電荷間のクーロン力とか、電界による逆圧電効
果などとは異なる検出原理に基づく測定装置である。
静電複写機において、感光体の帯電につかう帯電器の特
性を利用し、帯電器の放電領域内でかつ、放電中に放電
の結果帯電した感光体の表面電位を測定する。詳しく言
えば、帯電器の放電領域中でかつ感光体表面近傍に設置
された検出電極に出力電圧を外部信号で制御できる電源
によりバイアス電位を与えておき、この電極に流れる電
流が一定になるようにバイアス電位を制御したときのバ
イアス電圧が感光体の表面電位の高さとともに増大する
という特性によつて表面電位を測定するものである。し
たがつて従来の表面電位の測定原理である静電誘導現象
とか、静電荷間のクーロン力とか、電界による逆圧電効
果などとは異なる検出原理に基づく測定装置である。
以下実施例について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例に係る表面電位検出回路
図である。本実施例では感光体６の表面を正帯電させる
ように構成されている。感光体６を正帯電させるコロナ
帯電器１は感光体６に対向して設けられ、コロナ電荷が
放出されるコロノード２には高圧電源５が接続されてい
る。電圧電源５の他端子、コロナ帯電器１のシールド
３、感光体６の背面電極は接地されている。第１図に示
すように、感光体６は矢印のように回転可能になつてい
て、コロナ帯電器１のシールド３で形成される開口部内
であつて、感光体６の移動方向の下流側の感光体６の表
面近傍に表面電位検出電極４が配設されている。
図である。本実施例では感光体６の表面を正帯電させる
ように構成されている。感光体６を正帯電させるコロナ
帯電器１は感光体６に対向して設けられ、コロナ電荷が
放出されるコロノード２には高圧電源５が接続されてい
る。電圧電源５の他端子、コロナ帯電器１のシールド
３、感光体６の背面電極は接地されている。第１図に示
すように、感光体６は矢印のように回転可能になつてい
て、コロナ帯電器１のシールド３で形成される開口部内
であつて、感光体６の移動方向の下流側の感光体６の表
面近傍に表面電位検出電極４が配設されている。
画像形成動作を開始して、感光体６が矢印のように回転
すると共に、コロノード２に正の高電圧が印加される
と、コロノード２から正のコロナ放電電荷が放出され
る。コロノード２から放出されたコロナ放電電荷は低電
位に保たれた周囲導体、即ち、感光体６の背面電極、シ
ールド３および表面電位検出電極４に吸引加速されて各
々の導体あるいは半導体部に到達し、コロナ放電電流と
して接地電位側に流れ、電圧電源５に戻る。このよう
に、コロノード２から放出されたコロナ放電電荷の一部
は表面電位検出電極４にも捕捉され、接続点Ａ側、即
ち、接地側に流れ、検出電流Ｉｖとなる。接続点Ａに対
して浮遊電源となる表面電位検出電極４から流出した検
出電流Ｉｖは接続点A,Bを経て、電流検出抵抗Ｒ１を介
して接地点に流れる。従つて、電流検出抵抗Ｒ１の非接
触側端子、即ち、接続点Ｂの電位を検出することによ
り、表面電位検出電極４に捕捉され、接地側に流れる検
出電流Ｉｖを測定できる。なお、電流検出抵抗Ｒ１に並
列に高周波濾波用コンデンサーＣ１が接続されていて、
コロナ放電により惹起された検出電流Ｉｖに含まれる交
流成分を除去して、交流成分によりバイアス電圧制御回
路の動作が不安定になるのを防止している。
すると共に、コロノード２に正の高電圧が印加される
と、コロノード２から正のコロナ放電電荷が放出され
る。コロノード２から放出されたコロナ放電電荷は低電
位に保たれた周囲導体、即ち、感光体６の背面電極、シ
ールド３および表面電位検出電極４に吸引加速されて各
々の導体あるいは半導体部に到達し、コロナ放電電流と
して接地電位側に流れ、電圧電源５に戻る。このよう
に、コロノード２から放出されたコロナ放電電荷の一部
は表面電位検出電極４にも捕捉され、接続点Ａ側、即
ち、接地側に流れ、検出電流Ｉｖとなる。接続点Ａに対
して浮遊電源となる表面電位検出電極４から流出した検
出電流Ｉｖは接続点A,Bを経て、電流検出抵抗Ｒ１を介
して接地点に流れる。従つて、電流検出抵抗Ｒ１の非接
触側端子、即ち、接続点Ｂの電位を検出することによ
り、表面電位検出電極４に捕捉され、接地側に流れる検
出電流Ｉｖを測定できる。なお、電流検出抵抗Ｒ１に並
列に高周波濾波用コンデンサーＣ１が接続されていて、
コロナ放電により惹起された検出電流Ｉｖに含まれる交
流成分を除去して、交流成分によりバイアス電圧制御回
路の動作が不安定になるのを防止している。
トランスＴ、整流回路Ｄ、コンデンサーＣ２で構成され
る直流電源回路は、表面電位検出電極４を浮遊電源とす
るために、トランスＴによって交流入力電源に対して絶
縁されている。抵抗Ｒ６はトランジスターＱ２のベース
バイアス電圧と、フオトトランジスターＱc2のコレクタ
ーバイアス電圧を与えている。検出電流ＩｖはＶｖ×Ｒ
１によつて検出電圧Ｖｖに変換され、オペアンプＱ１の
非反転入力端子に入力され、反転入力端子に入力された
基準電源電圧（＋Ｖ）を分圧抵抗Ｒ２,R３で分圧した基
準電圧と比較され、差電圧がオペアンプＱ１で増幅され
て出力される。
る直流電源回路は、表面電位検出電極４を浮遊電源とす
るために、トランスＴによって交流入力電源に対して絶
縁されている。抵抗Ｒ６はトランジスターＱ２のベース
バイアス電圧と、フオトトランジスターＱc2のコレクタ
ーバイアス電圧を与えている。検出電流ＩｖはＶｖ×Ｒ
１によつて検出電圧Ｖｖに変換され、オペアンプＱ１の
非反転入力端子に入力され、反転入力端子に入力された
基準電源電圧（＋Ｖ）を分圧抵抗Ｒ２,R３で分圧した基
準電圧と比較され、差電圧がオペアンプＱ１で増幅され
て出力される。
仮に、基準電圧より検出電圧Ｖｖが大きくなつた時は、
オペアンプＱ１から、より大きな正の電圧が出力され
る。オペアンプＱ１の出力電圧は制限抵抗Ｒ４を介して
フオトカプラーPC１の発光ダイオードＤc1に印加されて
いるから、発光ダイオードＤc1を流れる駆動電流が増大
し、発光ダイオードＤc1の発光強度も増大する。これに
よって、発光ダイオードＤc1の発光を受光するフオトカ
プラーPC１のフオトトランジスターＱc1の受光電流が増
大し、トランジスターＱ２のベース電位が低下する。従
つて、トランジスターＱ２のコレクター電流も減少する
から、整流回路Ｄの出力電流を制限する抵抗Ｒ５による
降下電圧が低下し、接続点Ｂに対する接続点Ａの電位が
上昇する。接続点A,B間の電位差は表面電位検出電極４
のバイアス電圧となつているから、このバイアス電圧の
上昇によつて検出電流Ｉｖが減少する。つまり、上述の
バイアス電圧制御回路は帰還制御系を構成しており、常
に検出電流Ｉｖが一定になるように制御している。
オペアンプＱ１から、より大きな正の電圧が出力され
る。オペアンプＱ１の出力電圧は制限抵抗Ｒ４を介して
フオトカプラーPC１の発光ダイオードＤc1に印加されて
いるから、発光ダイオードＤc1を流れる駆動電流が増大
し、発光ダイオードＤc1の発光強度も増大する。これに
よって、発光ダイオードＤc1の発光を受光するフオトカ
プラーPC１のフオトトランジスターＱc1の受光電流が増
大し、トランジスターＱ２のベース電位が低下する。従
つて、トランジスターＱ２のコレクター電流も減少する
から、整流回路Ｄの出力電流を制限する抵抗Ｒ５による
降下電圧が低下し、接続点Ｂに対する接続点Ａの電位が
上昇する。接続点A,B間の電位差は表面電位検出電極４
のバイアス電圧となつているから、このバイアス電圧の
上昇によつて検出電流Ｉｖが減少する。つまり、上述の
バイアス電圧制御回路は帰還制御系を構成しており、常
に検出電流Ｉｖが一定になるように制御している。
抵抗Ｒ９とフオトカプラーPC２の発光ダイオードＤc2の
直列回路は接続点A,B間を一定の検出電流Ｉｖが流れて
いる時のバイアス電圧、即ち、接続点A,B間の電圧を感
光体６の表面電位データとして得るための表面電位検出
回路である。感光体６の表面電位が変動すると、上述の
原理に基づいて接続点A,B間の電圧も変動し、抵抗Ｒ９
を流れる電流が変化するから、これに応じてフオトカプ
ラーPC２の発光ダイオードＤc2およびフオトトランジス
ターＱc2を流れる電流が変化し、表面電位検出抵抗Ｒ１
０の非接地側接続点の電圧を検出電圧として取り出すこ
とにより、交流入力電源およびバイアス電圧制御回路に
対して絶縁された状態で感光体６の表面電位データを検
出することができる。
直列回路は接続点A,B間を一定の検出電流Ｉｖが流れて
いる時のバイアス電圧、即ち、接続点A,B間の電圧を感
光体６の表面電位データとして得るための表面電位検出
回路である。感光体６の表面電位が変動すると、上述の
原理に基づいて接続点A,B間の電圧も変動し、抵抗Ｒ９
を流れる電流が変化するから、これに応じてフオトカプ
ラーPC２の発光ダイオードＤc2およびフオトトランジス
ターＱc2を流れる電流が変化し、表面電位検出抵抗Ｒ１
０の非接地側接続点の電圧を検出電圧として取り出すこ
とにより、交流入力電源およびバイアス電圧制御回路に
対して絶縁された状態で感光体６の表面電位データを検
出することができる。
第３図は第２の実施例に係る表面電位検出回路図であ
る。本実施例においても感光体６の表面を正帯電させる
ように構成されている。なお、第１の実施例と同一また
は同一と見做せる箇所には同一の符号を付してある。
る。本実施例においても感光体６の表面を正帯電させる
ように構成されている。なお、第１の実施例と同一また
は同一と見做せる箇所には同一の符号を付してある。
表面電位検出電極４から流れる検出電流Ｉｖは電流検出
抵抗Ｒ１によつて検出電圧Ｖｖに変換され、オペアンプ
Ｑ１で基準電源電圧（＋Ｖ）を分圧抵抗Ｒ２,R３で分圧
した基準電圧と比較され、差電圧が増幅されて出力され
る。オペアンプＱ１の出力電圧は抵抗Ｒ１ ５を介してオ
ペアンプＱ３の非反転入力端子に入力され、検出電流Ｉ
ｖが設定目標値に一致する時のバイアス電圧制御電源７
の出力電圧を与えるためのオフセット電圧に加算され、
増幅される。オペアンプＱ３の出力電圧はＡ／Ｄ変換器
８に入力されてデジタルデータに変換される。デジタル
データはフオトカプラーPC9を介してＤ／Ａ変換器10に
入力され、アナログデータに戻されて、バイアス電圧制
御電源７に入力される。このように、オペアンプＱ３の
出力電圧を一旦、デジタルデータに変換した後、再びア
ナログデータに戻すのは、第１の実施例と同様に、表面
電位検出電極４のバイアス電圧を制御するバイアス電圧
制御電源７は接地電位に対して絶縁されている必要があ
り、オペアンプＱ３の出力電圧をバイアス電圧制御電源
７に対して絶縁状態で送らなければならないからであ
る。なお、オペアンプＱ３から出力された出力電圧のア
ナログ信号をそのままバイアス電圧制御電源７に出力す
ると、回路の温度特性が悪いので、感光体６の表面電位
の検出精度が低下する。
抵抗Ｒ１によつて検出電圧Ｖｖに変換され、オペアンプ
Ｑ１で基準電源電圧（＋Ｖ）を分圧抵抗Ｒ２,R３で分圧
した基準電圧と比較され、差電圧が増幅されて出力され
る。オペアンプＱ１の出力電圧は抵抗Ｒ１ ５を介してオ
ペアンプＱ３の非反転入力端子に入力され、検出電流Ｉ
ｖが設定目標値に一致する時のバイアス電圧制御電源７
の出力電圧を与えるためのオフセット電圧に加算され、
増幅される。オペアンプＱ３の出力電圧はＡ／Ｄ変換器
８に入力されてデジタルデータに変換される。デジタル
データはフオトカプラーPC9を介してＤ／Ａ変換器10に
入力され、アナログデータに戻されて、バイアス電圧制
御電源７に入力される。このように、オペアンプＱ３の
出力電圧を一旦、デジタルデータに変換した後、再びア
ナログデータに戻すのは、第１の実施例と同様に、表面
電位検出電極４のバイアス電圧を制御するバイアス電圧
制御電源７は接地電位に対して絶縁されている必要があ
り、オペアンプＱ３の出力電圧をバイアス電圧制御電源
７に対して絶縁状態で送らなければならないからであ
る。なお、オペアンプＱ３から出力された出力電圧のア
ナログ信号をそのままバイアス電圧制御電源７に出力す
ると、回路の温度特性が悪いので、感光体６の表面電位
の検出精度が低下する。
バイアス電圧制御電源７は第２図に示すような直線的な
入出力特性を有している。バイアス電圧制御電源７の入
出力特性をこのように設定して、バイアス電圧制御電源
７に検出電流Ｉｖを一定にするような制御信号を入力す
ることにより、バイアス電圧制御電源７の出力信号から
直接、感光体６の表面電位の検出信号を取り出さなくて
も、オペアンプＱ３から出力されたアナログ信号、また
は、Ａ／Ｄ変換器８の出力信号を感光体６の表面電位の
検出信号とすることができる。感光体６の表面電位検出
の原理は第１の実施例と同様である。バイアス電圧制御
電源７は、例えば、単なる直流増幅器であつても良く、
基準電圧をＤ／Ａ変換器10の出力信号とした直流安定化
電源であつても良い。
入出力特性を有している。バイアス電圧制御電源７の入
出力特性をこのように設定して、バイアス電圧制御電源
７に検出電流Ｉｖを一定にするような制御信号を入力す
ることにより、バイアス電圧制御電源７の出力信号から
直接、感光体６の表面電位の検出信号を取り出さなくて
も、オペアンプＱ３から出力されたアナログ信号、また
は、Ａ／Ｄ変換器８の出力信号を感光体６の表面電位の
検出信号とすることができる。感光体６の表面電位検出
の原理は第１の実施例と同様である。バイアス電圧制御
電源７は、例えば、単なる直流増幅器であつても良く、
基準電圧をＤ／Ａ変換器10の出力信号とした直流安定化
電源であつても良い。
上述の実施例においては、感光体６の帯電極性を正とし
た例について説明したが、負帯電の場合も全く同様であ
る。また、表面電位検出電極４の設置位置はコロナ帯電
器１のシールド３で形成される開口部内の感光体６の移
動方向の下流側位置に限らず、前記開口部全面に設けて
も良い。
た例について説明したが、負帯電の場合も全く同様であ
る。また、表面電位検出電極４の設置位置はコロナ帯電
器１のシールド３で形成される開口部内の感光体６の移
動方向の下流側位置に限らず、前記開口部全面に設けて
も良い。
（効果） 以上述べたように本発明によれば、帯電器の帯電領域内
に設けた検出電極から接地に流れる検出電流を一定に保
つた時の表面電位検出電極の電位を測定したり、検出電
流を一定に保つための制御信号に従つて感光体の表面電
位を測定するようにしたので、電位計の実装上の制約を
なくし、さらに構造が簡単で汚れの影響を受けにくく検
出部の清掃も容易で、かつ低コストで感光体の表面電位
の測定ができる。
に設けた検出電極から接地に流れる検出電流を一定に保
つた時の表面電位検出電極の電位を測定したり、検出電
流を一定に保つための制御信号に従つて感光体の表面電
位を測定するようにしたので、電位計の実装上の制約を
なくし、さらに構造が簡単で汚れの影響を受けにくく検
出部の清掃も容易で、かつ低コストで感光体の表面電位
の測定ができる。
第１図は本発明の第１の実施例に係る表面電位検出回路
図、第２図はバイアス電圧制御電源の入出力特性を示す
特性図、第３図は本発明の第２の実施例に係る表面電位
検出回路図である。 １……コロナ帯電器、２……コロノード、４……表面電
位検出電極、６……感光体、７……バイアス電圧制御電
源。
図、第２図はバイアス電圧制御電源の入出力特性を示す
特性図、第３図は本発明の第２の実施例に係る表面電位
検出回路図である。 １……コロナ帯電器、２……コロノード、４……表面電
位検出電極、６……感光体、７……バイアス電圧制御電
源。
Claims (2)
- 【請求項１】接地された背面電極を有し、周回移動可能
な感光体に対向して設けられたコロナ帯電器により、帯
電された前記感光体の表面電位を測定する感光体の表面
電位測定装置において、前記コロナ帯電器のコロナ放出
電極と前記感光体との間に設けられた表面電位検出電極
と、該表面電位検出電極と接地電位との間を流れる検出
電流を一定値に保つ定電流回路と、該定電流回路の高圧
側電位を検出した検出電圧に基づいて前記感光体の表面
電位を検出する表面電位検出回路を有したことを特徴と
する感光体の表面電位測定装置。 - 【請求項２】接地された背面電極を有し、周回移動可能
な感光体に対向して設けられたコロナ帯電器により、帯
電された前記感光体の表面電位を測定する感光体の表面
電位測定装置において、前記コロナ帯電器のコロナ放出
電極と前記感光体との間に設けられた表面電位検出電極
と、該表面電位検出電極と接地電位との間を流れる検出
電流を一定値に保つ定電流回路と、前記検出電流に基づ
いて前記定電流回路の前記検出電流を制御する制御信号
に従つて前記感光体の表面電位を検出する表面電位検出
回路を有したことを特徴とする感光体の表面電位測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086156A JPH0664104B2 (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 感光体の表面電位測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086156A JPH0664104B2 (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 感光体の表面電位測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60230670A JPS60230670A (ja) | 1985-11-16 |
| JPH0664104B2 true JPH0664104B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=13878875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59086156A Expired - Lifetime JPH0664104B2 (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 感光体の表面電位測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664104B2 (ja) |
-
1984
- 1984-05-01 JP JP59086156A patent/JPH0664104B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60230670A (ja) | 1985-11-16 |
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