JPH0661841A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH0661841A
JPH0661841A JP4232836A JP23283692A JPH0661841A JP H0661841 A JPH0661841 A JP H0661841A JP 4232836 A JP4232836 A JP 4232836A JP 23283692 A JP23283692 A JP 23283692A JP H0661841 A JPH0661841 A JP H0661841A
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JP
Japan
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circuit
integrated circuit
power supply
supply voltage
semiconductor integrated
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JP4232836A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Aoki
青木  一夫
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a semiconductor integrated circuit whose characteristic is almost unchanged even when a different power supply voltage is adopted for the circuit. CONSTITUTION:A 2nd output circuit 12 is built in advance in the integrated circuit to compensate a characteristic change in a 1st output circuit 11 due to a different power supply voltage. Then a control signal input terminal 15 used to designate and control the operation of the circuits above is provided and the operation of the 2nd output circuit 12 is controlled by changing a logic level given to the control signal input terminal 15 depending on a power supply voltage adopted for the integrated circuit. Thus, it is not required for an integrated circuit manufacturer to develop a different integrated circuit for a different power supply voltage and the user of the integrated circuit facilitates the system design.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路に関
し,特に例えば5V,3Vのように、電源電圧を変える
ことができるシステムに対応した半導体集積回路に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a semiconductor integrated circuit corresponding to a system capable of changing a power supply voltage such as 5V and 3V.

【0002】[0002]

【従来の技術】図12は極めて一般的なCMOS半導体
集積回路の出力部分を示した図であり、図において、1
はパッケージ、2は集積回路の出力端子(パッケージ外
部リード)、3,4は出力回路を構成するPチャネルM
OS出力トランジスタ、およびNチャネルMOS出力ト
ランジスタ、5は出力回路の入力である。図13は図1
2の出力回路1の電気的特性を示した出力電圧(Vo)
対出力電流(Io)特性の一例を示す図であり、101
は電源電圧が高い値の時の出力トランジスタの出力電流
特性、102は電源電圧が低い値の時の出力電流特性で
ある。
2. Description of the Related Art FIG. 12 is a diagram showing an output portion of a very general CMOS semiconductor integrated circuit.
Is a package, 2 is an output terminal of the integrated circuit (external lead of the package), 3 and 4 are P-channel M constituting the output circuit
The OS output transistor and the N-channel MOS output transistor 5 are inputs to the output circuit. FIG. 13 shows FIG.
Output voltage (Vo) showing the electrical characteristics of the output circuit 1 of FIG.
It is a figure which shows an example of the output current (Io) characteristic.
Is the output current characteristic of the output transistor when the power supply voltage is high, and 102 is the output current characteristic when the power supply voltage is low.

【0003】図14は一般的によく知られている遅延回
路を示す図であり、202は遅延回路を構成するインバ
ータ回路であり、201はn個のインバータ回路を直列
に接続した回路構成を持った遅延回路である。
FIG. 14 is a diagram showing a generally well-known delay circuit, 202 is an inverter circuit that constitutes the delay circuit, and 201 is a circuit configuration in which n inverter circuits are connected in series. It is a delay circuit.

【0004】図12において、出力回路を構成するPチ
ャネルMOSトランジスタ3およびNチャネルMOSト
ランジスタ4は、負荷回路が接続された出力端子2に、
各々VDDレベルおよびGNDレベルを出力するが、こ
れら出力トランジスタ3,4に必要な駆動能力は、通
常、集積回路1の開発段階において、その集積回路の実
使用条件をもとに算出され、その能力を持つトランジス
タサイズを決定する。すなわち、集積回路の使用電源電
圧,使用温度,負荷等に対し、出力電圧とその時に流す
べき出力電流を測定し、これを実現し得るトランジスタ
の大きさを算出し、集積回路内に作り込む。ここで、作
り込まれた出力トランジスタ3,4は、電源電圧に対
し、図13で示されるようなDC特性を持つ。図13に
おいて、101は電源電圧が比較的高い(VDD1)場
合、例えば5Vの時の特性を示しており、102は電源
電圧が比較的低い(VDD2)場合、例えば3Vの時の
特性を示している。すなわち、出力回路を構成する出力
トランジスタサイズを1つの使用条件、例えば電源電圧
5Vの時に限って決定した場合、電源電圧が低い、例え
ば3Vの時には、トランジスタの流し得る電流は当然小
さくなる。
In FIG. 12, a P-channel MOS transistor 3 and an N-channel MOS transistor 4 forming an output circuit are connected to an output terminal 2 to which a load circuit is connected,
Although the VDD level and the GND level are output respectively, the driving capability required for these output transistors 3 and 4 is normally calculated in the development stage of the integrated circuit 1 based on the actual use conditions of the integrated circuit, and the capability thereof is calculated. To determine the transistor size. That is, the output voltage and the output current that should flow at that time are measured with respect to the power supply voltage, the operating temperature, the load, etc. of the integrated circuit, and the size of the transistor that can realize this is calculated and built in the integrated circuit. Here, the built-in output transistors 3 and 4 have DC characteristics as shown in FIG. 13 with respect to the power supply voltage. In FIG. 13, 101 indicates a characteristic when the power supply voltage is relatively high (VDD1), for example, 5V, and 102 indicates a characteristic when the power supply voltage is relatively low (VDD2), for example, 3V. There is. That is, when the size of the output transistor forming the output circuit is determined only under one use condition, for example, when the power supply voltage is 5V, the current that can flow through the transistor is naturally small when the power supply voltage is low, for example, 3V.

【0005】一方、従来、特にロジックICの電源電圧
は5Vが主流であったが、近年システムの高機能化,大
規模化に伴い、システムの低消費電力化が必要となり、
また、システムの電池駆動の要求のため、システム電源
電圧の低電圧化が進んできた。
On the other hand, conventionally, the power supply voltage of the logic IC has been mainly 5V, but in recent years, with the higher performance and larger scale of the system, it has become necessary to reduce the power consumption of the system.
In addition, the system power supply voltage has been reduced due to the demand for battery drive of the system.

【0006】従って、システムに使用される半導体集積
回路においても、低電圧動作の要求が強くなっている。
しかし、一般に電源電圧を下げると、ロジックICにお
いては論理動作は同一に確保できるが、先に述べたよう
に、集積回路を構成するトランジスタの特性が低下し、
例えば、電源電圧を5Vから3Vに下げた場合、集積回
路の各AC,DC特性は、約1/2の能力となってしま
う。
Therefore, there is an increasing demand for low-voltage operation even in the semiconductor integrated circuit used in the system.
However, in general, if the power supply voltage is lowered, the logic operation can be secured in the logic IC, but as described above, the characteristics of the transistors forming the integrated circuit deteriorate,
For example, when the power supply voltage is reduced from 5V to 3V, each AC and DC characteristic of the integrated circuit has a capacity of about 1/2.

【0007】ここで、電源電圧を下げても、AC,DC
特性を変えたくない場合には、例えば電源電圧3Vの場
合のトランジスタサイズを大きくするよう設計し直す必
要があり、同一機能を持つ集積回路自体を3V用として
最初から開発し直す必要がある。
[0007] Here, even if the power supply voltage is lowered, AC, DC
If the characteristics are not desired to be changed, it is necessary to redesign the transistor size to be large when the power supply voltage is 3V, for example, and it is necessary to redevelop the integrated circuit itself having the same function for 3V from the beginning.

【0008】以上、集積回路の出力回路について述べた
が、これは、集積回路内部の回路動作についても同様で
あり、例えば、図14に示すような遅延集積回路201
はよく知られているが、この回路も遅延素子としてイン
バータ202を用いており、インバータを構成するMO
Sトランジスタは、電源電圧に依存して特性が変化する
ため、電源電圧を変えるとその遅延量が大きく変わって
しまうこととなる。従って、5V用,3V用で半導体集
積回路自体を別々に開発を行う必要がある。
The output circuit of the integrated circuit has been described above, but the same applies to the circuit operation inside the integrated circuit. For example, the delay integrated circuit 201 shown in FIG.
Is well known, this circuit also uses the inverter 202 as a delay element, and the MO
Since the characteristics of the S-transistor change depending on the power supply voltage, if the power supply voltage is changed, the delay amount will change greatly. Therefore, it is necessary to separately develop the semiconductor integrated circuits for 5V and 3V.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】以上のように従来の半
導体集積回路においては、システムの電源電圧を下げた
(3V)場合でもシステムの機能を同一に保ち、また、
特性等も同一に保つためには、電源電圧が高い(5V)
場合に使用している集積回路をそのまま使用することは
不可能であり、低い電源電圧において同一の機能,特性
を持つ集積回路を改めて開発し直す必要があり、このこ
とはシステムメーカにとっても,半導体メーカにとって
も、ともに開発に大きな負担を生ずる問題となってい
た。
As described above, in the conventional semiconductor integrated circuit, the function of the system is kept the same even when the power supply voltage of the system is lowered (3V).
Power supply voltage is high (5V) to keep the same characteristics.
It is impossible to use the integrated circuit used in such a case as it is, and it is necessary to redevelop an integrated circuit having the same function and characteristic at a low power supply voltage. This has been a problem for manufacturers as well, which puts a heavy burden on development.

【0010】この発明は上記のような従来の問題点を解
消するためになされたもので、電源電圧を変えても同一
機能,同一特性を保つことのできる半導体集積回路を提
供することを目的としている。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to provide a semiconductor integrated circuit capable of maintaining the same function and the same characteristic even when the power supply voltage is changed. There is.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路は、開発段階においてあらかじめ集積回路が使用
される電源電圧毎に、同一の機能,特性を保有する回路
を内蔵しておき、使用する電源電圧に対応して、それら
の回路動作を指定制御する手段を備えたものである。
In the semiconductor integrated circuit according to the present invention, a circuit having the same function and characteristics is used in advance at the development stage for each power supply voltage used by the integrated circuit. It is provided with means for designating and controlling those circuit operations in accordance with the power supply voltage.

【0012】また、この発明に係る半導体集積回路は、
上記回路動作指定制御手段を、集積回路に設けた動作回
路指定用の端子、あるいは、動作指定用信号の記憶素
子、あるいはウエハプロセスの任意の一工程のマスクレ
イアウト、あるいは供給される電源電圧を所定の電圧と
比較し該電源電圧に対応した論理レベルを出力する手
段、あるいは動作指定用のヒューズとしたものである。
The semiconductor integrated circuit according to the present invention is
The circuit operation designating control means is provided with a terminal for designating an operation circuit provided in an integrated circuit, a storage element for a signal for designating an operation, a mask layout in any one step of a wafer process, or a power supply voltage supplied. Means for outputting a logic level corresponding to the power supply voltage by comparison with the voltage of, or an operation designating fuse.

【0013】[0013]

【作用】この発明においては、あらかじめ電源電圧毎に
機能する回路を作り込んでおき、使用する電源電圧に対
応して、それらの回路を指定し,動作させるようにした
から、電源電圧が変わっても同一の回路の動作特性を得
ることができる。
In the present invention, the circuits that function for each power supply voltage are created in advance, and those circuits are specified and operated according to the power supply voltage to be used. Can obtain the same operating characteristics of the circuit.

【0014】また、使用する電源電圧に応じて、動作回
路指定用の端子の論理レベルを変える、あるいは動作指
定用信号記憶素子に論理レベルを記憶させる、あるいは
ウエハプロセスの一工程のマスクレイアウトを変える、
あるいは電源電圧を自動的に検出しこれに応じて動作指
定信号を発生する、あるいは動作指定用のヒューズを切
断するようにしたから、使用する電源電圧に対応して、
各電源電圧毎に機能する回路を動作させることができ
る。
Further, the logic level of the operation circuit designating terminal is changed, the logic level is stored in the operation designating signal storage element, or the mask layout of one step of the wafer process is changed in accordance with the power supply voltage to be used. ,
Alternatively, the power supply voltage is automatically detected and the operation designating signal is generated accordingly, or the fuse for operation designating is cut off.
A functioning circuit can be operated for each power supply voltage.

【0015】[0015]

【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例1.図1はこの発明の一実施例による半導体集積
回路における出力回路及びその動作を指定制御する回路
を示し、図において、1はパッケージ、2は集積回路の
出力端子(パッケージ外部リード)、11は出力端子2
に接続された第1の出力回路、3,4は第1の出力回路
11を構成するPチャネルトランジスタ、およびNチャ
ネルトランジスタ、12は出力端子2に接続された第2
の出力回路、6,8は第2の出力回路12を構成する第
1のPチャネルトランジスタ、および第1のNチャネル
トランジスタ、7は電源電圧(VDD)と第1のPチャ
ネルトランジスタ6の間に直列に接続された第2のPチ
ャネルトランジスタ、9はGNDと第1のNチャネルト
ランジスタ8の間に直列に接続された第2のNチャネル
トランジスタ、10は第2の出力回路12において、第
2のPチャネルトランジスタ7のゲートと第2のNチャ
ネルトランジスタ9のゲートとの間に接続されたインバ
ータ、13は同じく第2のNチャネルトランジスタ9の
ゲートとインバータ10に入力される制御信号である。
また、5は出力回路11,12の入力信号であり、14
は制御信号13を出力するバッファ回路であり、15は
バッファ回路14の入力が接続された制御信号入力端子
であり、16はパッケージ外部で制御信号入力端子15
をGNDに接続した配線である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Example 1. FIG. 1 shows an output circuit in a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention and a circuit for designating and controlling its operation. In the figure, 1 is a package, 2 is an output terminal (package external lead) of the integrated circuit, and 11 is an output. Terminal 2
Connected to the first output circuit, 3, 4 are P-channel transistors forming the first output circuit 11, and N-channel transistors, and 12 is a second output circuit connected to the output terminal 2.
Output circuit, 6 and 8 are first P-channel transistors that form the second output circuit 12, and first N-channel transistors, and 7 is between the power supply voltage (VDD) and the first P-channel transistor 6. A second P-channel transistor connected in series, 9 is a second N-channel transistor connected in series between GND and the first N-channel transistor 8, and 10 is a second N-channel transistor in the second output circuit 12. An inverter connected between the gate of the P-channel transistor 7 and the gate of the second N-channel transistor 9 is a control signal 13 which is also input to the gate of the second N-channel transistor 9 and the inverter 10.
Further, 5 is an input signal of the output circuits 11 and 12, and 14
Is a buffer circuit for outputting the control signal 13, 15 is a control signal input terminal to which the input of the buffer circuit 14 is connected, and 16 is a control signal input terminal 15 outside the package.
Is connected to GND.

【0016】次に図1の本実施例の動作について説明す
る。集積回路の出力回路は通常、図12のように第1の
出力回路11のみで構成されるが、先に述べたように、
出力回路を構成するPチャネル,Nチャネルトランジス
タ3,4の大きさを電源電圧5Vの時に決定してしまう
と、電源電圧を例えば3Vと下げた場合、トランジスタ
の特性が低下し、集積回路の特性も、電源電圧5Vの時
より低下してしまう。
Next, the operation of this embodiment shown in FIG. 1 will be described. The output circuit of the integrated circuit is usually composed of only the first output circuit 11 as shown in FIG. 12, but as described above,
If the sizes of the P-channel and N-channel transistors 3 and 4 forming the output circuit are determined when the power supply voltage is 5V, when the power supply voltage is lowered to, for example, 3V, the characteristics of the transistors deteriorate and the characteristics of the integrated circuit. Also becomes lower than when the power supply voltage is 5V.

【0017】そこで、集積回路の開発段階において、あ
らかじめこの低い電源電圧での使用を考え、第2の出力
回路12を設けておく。すなわち、トランジスタ特性の
低下する低電圧動作時は、第1の出力回路11,第2の
出力回路12を並列に動作させることにより、低下した
トランジスタ特性を補うようにする。一方、高電源電圧
時は、第2の出力回路12の動作をOFFさせ、第1の
出力回路111のみで出力負荷を駆動させる。
Therefore, at the development stage of the integrated circuit, the second output circuit 12 is provided beforehand in consideration of use at this low power supply voltage. That is, at the time of low voltage operation in which the transistor characteristic is deteriorated, the deteriorated transistor characteristic is compensated by operating the first output circuit 11 and the second output circuit 12 in parallel. On the other hand, when the power supply voltage is high, the operation of the second output circuit 12 is turned off, and the output load is driven only by the first output circuit 111.

【0018】これらの出力動作を指定し、制御するた
め,集積回路1のパッケージに制御信号入力端子15を
設ける。
A control signal input terminal 15 is provided in the package of the integrated circuit 1 to specify and control these output operations.

【0019】そして、集積回路の使用者は、使用する電
源電圧に対応して、パッケージ1外に設けられた入力端
子15を論理“H”または論理“L”レベルに設定する
ようにする。たとえば、電源電圧を3Vで使用したいと
きは、第2の出力回路12をONさせる必要があるが、
集積回路1内の制御信号13を論理“H”にすれば、第
2の出力回路12中の第2のNチャネルトランジスタ9
のゲート電位は“H”、制御信号13が入力されたイン
バータ10により第2のPチャネルトランジスタ7のゲ
ート電位は“L”となり、第2の出力回路12はON状
態になる。従って、集積回路の使用者は、集積回路1の
制御信号入力端子15を外部配線16によって電源(V
DD)に接続するようにすればよい。
Then, the user of the integrated circuit sets the input terminal 15 provided outside the package 1 to the logic "H" or logic "L" level according to the power supply voltage to be used. For example, when the power supply voltage is 3V, it is necessary to turn on the second output circuit 12.
When the control signal 13 in the integrated circuit 1 is set to logic “H”, the second N-channel transistor 9 in the second output circuit 12
, The gate potential of the second P-channel transistor 7 becomes "L" by the inverter 10 to which the control signal 13 is input, and the second output circuit 12 is turned on. Therefore, the user of the integrated circuit can connect the control signal input terminal 15 of the integrated circuit 1 to the power supply (V
DD).

【0020】また、電源電圧を5Vで使用する場合に
は、第2の出力回路12をOFFさせるため、制御信号
入力端子15を外部配線16によってGNDに接続す
る。この時、第2の出力回路12のNチャネルトランジ
スタ9のゲート電位は“L”、Pチャネルトランジスタ
7のゲート電位は“H”となり、出力回路12はOFF
する。
When the power supply voltage is 5V, the control signal input terminal 15 is connected to GND by the external wiring 16 in order to turn off the second output circuit 12. At this time, the gate potential of the N-channel transistor 9 of the second output circuit 12 becomes "L", the gate potential of the P-channel transistor 7 becomes "H", and the output circuit 12 is turned off.
To do.

【0021】このような本実施例1によれば、集積回路
内に、電源電圧が5Vか3Vかによって特性が変化する
第1の出力回路11に対し、あらかじめその電源電圧に
よる特性の変化を補償する第2の出力回路12を作り込
んでおき、この回路12の動作を外部制御端子15か
ら、指定制御するようにしたので、システムの電源電圧
にかかわらず、同一の集積回路を使用することができ、
かつ異なる電源電圧時の動作特性を同一にすることがで
きる。従って、集積回路の使用者にとって、システムの
電源電圧にかかわらず同一の集積回路が使用できるた
め、システム設計が容易であるなどの利点が得られる。
According to the first embodiment as described above, the first output circuit 11 whose characteristic changes depending on whether the power supply voltage is 5 V or 3 V is previously compensated for the change in the characteristic due to the power supply voltage in the integrated circuit. Since the second output circuit 12 for controlling the operation of this circuit 12 is designed and controlled from the external control terminal 15, the same integrated circuit can be used regardless of the power supply voltage of the system. You can
Also, the operating characteristics at different power supply voltages can be made the same. Therefore, since the same integrated circuit can be used by a user of the integrated circuit regardless of the power supply voltage of the system, advantages such as easy system design can be obtained.

【0022】実施例2.図1の実施例1では、電源電圧
毎に回路の動作を指定制御するための手段を、パッケー
ジ1外に設けた制御信号入力端子15とし、集積回路の
使用者が、該制御信号入力端子15を電源(VDD)ま
たはGNDに接続することにより出力回路12の動作を
制御するものとしたが、この回路動作指定制御手段とし
て、図3に示すように、集積回路内に制御信号入力端子
15と集積回路内電源との間にあらかじめ抵抗素子34
を作り込んでおくようにすれば、集積回路の使用者は、
制御信号入力端子15をGNDに接続するかしないか
で、電源電圧5Vと3Vの使い分けをすることが可能と
なり、かつシステムの基板設計が容易になる。
Example 2. In the first embodiment of FIG. 1, the means for designating and controlling the operation of the circuit for each power supply voltage is the control signal input terminal 15 provided outside the package 1, and the user of the integrated circuit uses the control signal input terminal 15 Is connected to a power supply (VDD) or GND to control the operation of the output circuit 12. As the circuit operation designation control means, as shown in FIG. 3, a control signal input terminal 15 is provided in the integrated circuit. A resistor element 34 is previously provided between the power source in the integrated circuit and the power source.
If you make sure that
Depending on whether the control signal input terminal 15 is connected to GND or not, it is possible to selectively use the power supply voltage of 5V and 3V, and the system board design becomes easy.

【0023】実施例3.同様に、上記回路動作指定制御
手段として、図4に示すように、制御信号入力端子15
と集積回路内のGNDとの間にあらかじめ抵抗素子35
を作り込んでおけば、制御入力端子15を電源(VD
D)に接続するかしないかで、電源電圧5Vと3Vの使
い分けを可能とすることができる。
Example 3. Similarly, as the circuit operation designation control means, as shown in FIG.
Between the resistor and the GND in the integrated circuit in advance.
If the control input terminal 15 is a power source (VD
Depending on whether or not it is connected to D), it is possible to selectively use the power supply voltage of 5V and 3V.

【0024】実施例4.実施例2,3におけるこれらの
抵抗素子34,35は、半導体製造において抵抗として
扱うことのできる特定の工程、例えば、不純物拡散によ
って実現してもよいが、これは、図5の実施例4のよう
に、MOSトランジスタ36のON抵抗を利用して実現
することもできる。
Example 4. These resistance elements 34 and 35 in the second and third embodiments may be realized by a specific process that can be treated as a resistance in semiconductor manufacturing, for example, by impurity diffusion. As described above, it can be realized by utilizing the ON resistance of the MOS transistor 36.

【0025】実施例5.なお、以上の実施例では、集積
回路の出力回路の特性変化を補償する回路について説明
を行ったが、従来例の説明にもあるように、本発明は、
集積回路内の各種の回路の特性を補償する場合にも有効
となる。
Example 5. In the above embodiments, the circuit for compensating for the change in the characteristics of the output circuit of the integrated circuit is described. However, as described in the description of the conventional example, the present invention is
It is also effective in compensating the characteristics of various circuits in the integrated circuit.

【0026】本実施例5は、従来例における図14のよ
うな遅延回路の遅延値が電源電圧によって変化してしま
うような場合においてこれを補償できる回路を提供する
もので、かかる場合には、集積回路の開発段階におい
て、図2に示すように、例えば電源電圧が5Vの時、所
望の遅延時間を持つ遅延回路21と、電源電圧が3Vの
時、遅延回路21が電源電圧5V時に持つ遅延時間と、
同一の遅延時間を持つ遅延回路22とを設け、両者の出
力を制御信号13およびセレクタ回路23によって切り
替え、遅延回路の入力5から出力24までの遅延時間
を、電源電圧5V時と3V時で同一になるように制御す
ることができる。
The fifth embodiment provides a circuit capable of compensating for the case where the delay value of the delay circuit in the conventional example as shown in FIG. 14 varies with the power supply voltage. In such a case, At the development stage of the integrated circuit, as shown in FIG. 2, for example, when the power supply voltage is 5V, a delay circuit 21 having a desired delay time and when the power supply voltage is 3V, the delay circuit 21 has a delay when the power supply voltage is 5V. Time and
A delay circuit 22 having the same delay time is provided, both outputs are switched by the control signal 13 and the selector circuit 23, and the delay time from the input 5 to the output 24 of the delay circuit is the same when the power supply voltage is 5V and 3V. Can be controlled to.

【0027】制御の方法については図1および図3ない
し図5の実施例と同様で、集積回路端子の中に、制御信
号端子15を設け、集積回路の使用者が、集積回路を使
用する電圧に従って、制御信号入力端子15の電位を
“H”または“L”レベルに設定するようにする。
The control method is the same as that of the embodiment shown in FIGS. 1 and 3 to 5, and the control signal terminal 15 is provided in the integrated circuit terminal so that the user of the integrated circuit can control the voltage at which the integrated circuit is used. Accordingly, the potential of the control signal input terminal 15 is set to "H" or "L" level.

【0028】例えば電源電圧を5Vで使用する場合、遅
延回路21の遅延時間を使う必要があるため、制御信号
13を論理“L”レベルに設定し、セレクタ回路23の
出力24には、遅延回路21の信号が現れるようにす
る。そのためには、集積回路パッケージの制御信号入力
端子15を外部配線16によってGNDに接続すればよ
い。
For example, when the power supply voltage is 5V, it is necessary to use the delay time of the delay circuit 21. Therefore, the control signal 13 is set to the logic "L" level, and the output 24 of the selector circuit 23 has the delay circuit. 21 signal should appear. For that purpose, the control signal input terminal 15 of the integrated circuit package may be connected to GND by the external wiring 16.

【0029】また、電源電圧を3Vで使用するには、遅
延回路22の信号を選択するため、外部配線16によっ
て制御信号入力端子15を電源(VDD)に接続する。
すると、集積回路1内の制御信号13は論理“H”レベ
ルとなり、セレクタ23の出力24には遅延回路22の
信号が現れる。
In order to use the power supply voltage of 3V, the control signal input terminal 15 is connected to the power supply (VDD) by the external wiring 16 in order to select the signal of the delay circuit 22.
Then, the control signal 13 in the integrated circuit 1 becomes the logic "H" level, and the signal of the delay circuit 22 appears at the output 24 of the selector 23.

【0030】実施例6.また、図1,図2の実施例にお
いては、電源電圧によって各種回路の動作を指定制御す
る制御信号13を、集積回路の使用者が設定可能なよう
に、集積回路の外部端子に制御信号入力端子15を設け
ているが、この回路動作指定制御手段は、外部端子数を
減らすために、集積回路メーカ側で、パッケージ組立時
に、図6に示すようにパッケージ内のワイヤ配線43,
42によってパッケージ内の制御信号入力端子(パッ
ド)41をVDD,あるいはGNDに接続するようにし
てもよい。
Example 6. In the embodiments of FIGS. 1 and 2, the control signal 13 for designating and controlling the operation of various circuits by the power supply voltage is input to the external terminal of the integrated circuit so that the user of the integrated circuit can set the control signal 13. Although the terminal 15 is provided, this circuit operation designation control means is provided on the integrated circuit maker side at the time of package assembly in order to reduce the number of external terminals, as shown in FIG.
The control signal input terminal (pad) 41 in the package may be connected to VDD or GND by 42.

【0031】このようにすれば、集積回路のメーカにと
って、電源電圧5V用の回路と、電源電圧3V用の回路
とを設計する必要がなくなり、集積回路の開発負荷が減
るという効果が得られる。
In this way, the integrated circuit maker does not need to design a circuit for the power supply voltage of 5 V and a circuit for the power supply voltage of 3 V, and the effect of reducing the development load of the integrated circuit can be obtained.

【0032】実施例7.また、この回路動作指定制御手
段としては、図7のように、例えばVDDとパッド41
との間に抵抗素子35を作り込んでおけば、集積回路メ
ーカ側で、パッケージ組立時に、上記パッド41をGN
Dに接続するかしないかだけで、上記制御信号13の設
定が可能となり、この場合には製造工程がより容易にな
る。
Example 7. As the circuit operation designation control means, as shown in FIG. 7, for example, VDD and pad 41
If a resistance element 35 is formed between the pad 41 and the pad, the integrated circuit maker can put the pad 41 into the GN at the time of package assembly.
The control signal 13 can be set only by connecting or not connecting to D, and in this case, the manufacturing process becomes easier.

【0033】実施例8.また、上記回路動作指定制御手
段としては、図8のように、集積回路内に、電源電圧毎
に回路の動作を指定制御する制御信号を記憶させるレジ
スタ(ラッチ)53を設け、システムの電源投入時(初
期リセット時)に、レジスタ内53に、使用する電圧に
対応した“H”または“L”の論理レベルを、記憶させ
るようにしてもよい。
Example 8. Further, as the circuit operation designation control means, as shown in FIG. 8, a register (latch) 53 for storing a control signal for designating and controlling the operation of the circuit for each power supply voltage is provided in the integrated circuit to turn on the system. At the time (at the time of initial reset), the logic level of “H” or “L” corresponding to the voltage used may be stored in the register 53.

【0034】該レジスタ53への制御信号データの書き
込みは、他のデータの書き込みに使用するデータ入力端
子52,内部データバス54、およびクロック入力端子
51,内部クロック信号55を用いて行うことができ
る。
The control signal data can be written in the register 53 by using the data input terminal 52, the internal data bus 54, and the clock input terminal 51 and the internal clock signal 55 which are used for writing other data. .

【0035】実施例9.また、図1および図3ないし図
7の実施例では、集積回路のパッケージ組立時または実
装時に、制御信号入力端子を電源(VDD)またはGN
Dに接続することにより、動作モードを設定するように
したが、この回路動作指定制御手段としては、図9のよ
うに、集積回路内の配線をウエハプロセス途中の任意の
一工程のマスクレイアウトにおいて、写真製版マスク6
1のパターンデータを61aと61bとで変えることで
変更し、制御信号13に直接論理“H”レベルまたは
“L”レベルを与えるようにしてもよい。この場合に
は、外部端子を制御信号入力のために使用しなくてすむ
利点がある。
Example 9. Further, in the embodiments of FIGS. 1 and 3 to 7, the control signal input terminal is connected to the power supply (VDD) or the GN when the integrated circuit package is assembled or mounted.
Although the operation mode is set by connecting to D, as the circuit operation designation control means, as shown in FIG. 9, the wiring in the integrated circuit is used in the mask layout of any one step during the wafer process. , Photoengraving mask 6
The pattern data of 1 may be changed by changing the pattern data of 61a and 61b, and the control signal 13 may be directly given the logical "H" level or "L" level. In this case, there is an advantage that the external terminal need not be used for inputting the control signal.

【0036】実施例10.また、上記回路動作指定制御
手段としては、図10に示すように、集積回路内に電源
電圧を自動的に検出し、制御信号13を所定の論理レベ
ルに設定する電源電圧検出回路を設けてもよい。この場
合も制御信号入力外部端子は不要となる。
Example 10. As the circuit operation designation control means, as shown in FIG. 10, a power supply voltage detection circuit for automatically detecting the power supply voltage and setting the control signal 13 at a predetermined logic level may be provided in the integrated circuit. Good. Also in this case, the control signal input external terminal becomes unnecessary.

【0037】図10において、電源電圧は、分圧回路7
2によって分圧され、コンパレータ回路71の+入力7
3に出力される。コンパレータ71はこの入力73と、
もう一方の−入力74に接続された基準電圧Vref とを
比較する。基準電圧(Vref)と分圧電位73を適当に
設定することにより、コンパレータ71の出力は、例え
ば電源電圧が5Vの時、論理“H”レベル、3Vの時
“L”レベルを出力するから、これにより動作指定制御
信号13を得ることができる。
In FIG. 10, the power supply voltage is the voltage dividing circuit 7
The voltage is divided by 2 and the + input 7 of the comparator circuit 71 is input.
3 is output. The comparator 71 has this input 73,
The reference voltage Vref connected to the other-input 74 is compared. By appropriately setting the reference voltage (Vref) and the divided potential 73, the output of the comparator 71 outputs a logical “H” level when the power supply voltage is 5V, and an “L” level when the power supply voltage is 3V. Thereby, the operation designation control signal 13 can be obtained.

【0038】実施例11.さらに、上記回路動作指定制
御手段としては、図9と同様に、制御信号13の論理レ
ベルを、図11に示すように、制御信号13と電源の間
に設けたヒューズ81と、制御信号13とGNDとの間
に設けたヒューズ82のいずれかを切断することにより
設定することもできる。
Example 11. Further, as in the case of FIG. 9, the circuit operation designation control means sets the logic level of the control signal 13 to the fuse 81 provided between the control signal 13 and the power source, and the control signal 13 as shown in FIG. It can also be set by cutting one of the fuses 82 provided between the GND and the GND.

【0039】ここで、ヒューズ81,82の切断の方法
としては、集積回路のウエハテスト時、レーザ等により
切断する方法か、あるいは電気的にヒューズに過電流を
流し、溶断する方法等がある。
Here, as a method of cutting the fuses 81 and 82, there is a method of cutting with a laser or the like during a wafer test of the integrated circuit, or a method of electrically blowing an overcurrent into the fuses to blow them.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
集積回路によれば、集積回路内に、電源電圧によって特
性が変化する回路については、あらかじめその電源電圧
による特性の変化を補償する回路を作り込んでおき、こ
の回路の動作を外部制御端子等の回路動作指定制御手段
により指定制御するようにしたので、システムの電源電
圧にかかわらず、同一の集積回路を使用し、かつ特性を
同一にすることができる。これにより、集積回路のメー
カにとっては、集積回路の開発負荷が減り、また、集積
回路の使用者にとっても、同一の集積回路を使用できる
ため、システム設計が容易となるなどの利点が得られ
る。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the present invention, for a circuit whose characteristics change according to the power supply voltage, a circuit for compensating for the characteristics change due to the power supply voltage is provided in advance in the integrated circuit. Since it is built in and the operation of this circuit is specified and controlled by the circuit operation specification control means such as the external control terminal, the same integrated circuit is used and the characteristics are the same regardless of the power supply voltage of the system. can do. As a result, it is possible for the manufacturer of the integrated circuit to reduce the development load of the integrated circuit, and also for the user of the integrated circuit, since the same integrated circuit can be used, the system design becomes easy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施例による半導体集積回路
における出力回路およびその動作を指定制御する回路を
示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an output circuit in a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention and a circuit for designating and controlling its operation.

【図2】この発明の第5の実施例における遅延回路を示
す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a delay circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図3】この発明の第2の実施例による回路動作指定制
御手段を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a circuit operation designation control means according to a second embodiment of the present invention.

【図4】この発明の第3の実施例による回路動作指定制
御手段を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing circuit operation designation control means according to a third embodiment of the present invention.

【図5】この発明の第4の実施例による回路動作指定制
御手段を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a circuit operation designation control means according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】この発明の第6の実施例による回路動作指定制
御手段を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a circuit operation designation control means according to a sixth embodiment of the present invention.

【図7】この発明の第7の実施例による回路動作指定制
御手段を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a circuit operation designation control means according to a seventh embodiment of the present invention.

【図8】この発明の第8の実施例による回路動作指定制
御手段を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a circuit operation designation control means according to an eighth embodiment of the present invention.

【図9】この発明の第9の実施例による回路動作指定制
御手段を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a circuit operation designation control means according to a ninth embodiment of the present invention.

【図10】この発明の第10の実施例による回路動作指
定制御手段を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a circuit operation designation control means according to a tenth embodiment of the present invention.

【図11】この発明の第11の実施例による回路動作指
定制御手段を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a circuit operation designation control means according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図12】従来の半導体集積回路における出力回路を示
す図である。
FIG. 12 is a diagram showing an output circuit in a conventional semiconductor integrated circuit.

【図13】従来の半導体集積回路における遅延回路を示
す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a delay circuit in a conventional semiconductor integrated circuit.

【図14】従来の遅延回路を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a conventional delay circuit.

【符号の説明】 1 半導体集積回路パッケージ 2 出力端子 11 第1の出力回路 12 第2の出力回路 13 制御信号 15 制御信号入力端子 16 外部配線 21,22 遅延回路 23 セレクタ 24 セレクタ出力 34,35 抵抗素子 36 MOSトランジスタ 41 制御信号入力端子 42,43 内部配線 35 抵抗素子 51 クロック入力端子 52 データ入力端子 53 レジスタ(ラッチ) 54 内部データバス 55 内部クロック信号[Description of Reference Signs] 1 semiconductor integrated circuit package 2 output terminal 11 first output circuit 12 second output circuit 13 control signal 15 control signal input terminal 16 external wiring 21,22 delay circuit 23 selector 24 selector output 34, 35 resistance Element 36 MOS transistor 41 Control signal input terminal 42, 43 Internal wiring 35 Resistive element 51 Clock input terminal 52 Data input terminal 53 Register (latch) 54 Internal data bus 55 Internal clock signal

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 動作可能標準電源電圧を少なくとも2値
以上設定可能であり、使用する異なる電源電圧に対して
も回路の動作特性が同一となるよう、供給される各電源
電圧値毎に少なくとも一部は異なる回路が機能するよう
にした半導体集積回路であって、 それら電源電圧毎に回路の動作を指定制御するための手
段を備えたことを特徴とする半導体集積回路。
1. An operable standard power supply voltage can be set to at least two values or more, and at least one is supplied for each power supply voltage value supplied so that the operating characteristics of the circuit are the same for different power supply voltages used. The section is a semiconductor integrated circuit in which different circuits are made to function, and is provided with means for designating and controlling the operation of the circuit for each power supply voltage.
【請求項2】 請求項1記載の半導体集積回路におい
て、 上記回路動作指定制御手段として、少なくとも1つの信
号電極端子を備え、 実使用時にはその信号電極端子に接続されたパッケージ
外部端子を、使用する電源電圧に対応して論理“H”レ
ベルまたは“L”レベルに設定して使用することを特徴
とする半導体集積回路。
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein as the circuit operation designation control means, at least one signal electrode terminal is provided, and a package external terminal connected to the signal electrode terminal is used in actual use. A semiconductor integrated circuit characterized by being set to a logical "H" level or "L" level in accordance with a power supply voltage.
【請求項3】 請求項2記載の半導体集積回路におい
て、 上記回路動作指定制御のための上記信号電極端子と電源
との間、または上記信号電極端子と接地との間に、プル
アップ、またはプルダウン抵抗素子を内蔵したことを特
徴とする半導体集積回路。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein a pull-up or a pull-down is provided between the signal electrode terminal for controlling the circuit operation and the power supply, or between the signal electrode terminal and the ground. A semiconductor integrated circuit having a built-in resistance element.
【請求項4】 請求項2記載の半導体集積回路におい
て、 上記回路動作指定制御のための信号電極端子は、パッケ
ージの外部端子へは接続せず、パッケージ組立中におい
て、直接論理“H”レベルまたは、“L”レベルへ接続
したことを特徴とする半導体集積回路。
4. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the signal electrode terminals for the circuit operation designation control are not connected to the external terminals of the package, but are directly connected to the logic “H” level during package assembly. , A semiconductor integrated circuit characterized by being connected to the "L" level.
【請求項5】 請求項1記載の半導体集積回路におい
て、 上記回路動作指定制御手段は、該集積回路中に設けられ
た、それら電源電圧毎に回路の動作を指定制御するため
の動作状態指定信号を記憶する少なくとも1つの記憶回
路とし、 電源投入時にこの記憶回路に使用する電源電圧に対応し
て論理“H”レベルまたは“L”レベルを記憶させるこ
とを特徴とする半導体集積回路。
5. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the circuit operation specifying control means is provided in the integrated circuit, and specifies an operation state specifying signal for specifying and controlling the operation of the circuit for each of the power supply voltages. And a logic "H" level or "L" level corresponding to a power supply voltage used for this memory circuit when the power is turned on.
【請求項6】 請求項1記載の半導体集積回路におい
て、 上記回路動作指定制御手段は、ウエハプロセス途中の任
意の一工程のマスクレイアウトとし、これを変えること
によって、回路の動作を指定制御するための回路中の信
号のレベルを論理“H”レベル、または“L”レベルに
固定するようにしたことを特徴とする半導体集積回路。
6. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the circuit operation designation control means sets a mask layout of an arbitrary step during a wafer process, and changes the mask layout to control the operation of the circuit. The semiconductor integrated circuit is characterized in that the level of a signal in the circuit is fixed to a logical "H" level or "L" level.
【請求項7】 請求項1記載の半導体集積回路におい
て、 上記回路動作指定制御手段は、供給される電源電圧を検
出し、該電源電圧を所定の電圧と比較し、該電源電圧に
対応した論理レベルを、それら電源電圧毎に回路の動作
を指定制御する信号として出力する手段であることを特
徴とした半導体集積回路。
7. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the circuit operation designation control means detects a power supply voltage to be supplied, compares the power supply voltage with a predetermined voltage, and outputs a logic corresponding to the power supply voltage. A semiconductor integrated circuit characterized in that it is means for outputting a level as a signal for designating and controlling the operation of the circuit for each of these power supply voltages.
【請求項8】 請求項1記載の半導体集積回路におい
て、 上記回路動作指定制御手段は、ウエハプロセス完了後、
検査時あるいは実装時にレーザあるいは電気的手段によ
って回路の一部を溶断できるヒューズとし、 該ヒューズの溶断により電源電圧毎に回路の動作を指定
制御するための信号レベルを“H”または“L”レベル
に固定するようにしたことを特徴とする半導体集積回
路。
8. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the circuit operation designation control means is configured to, after the wafer process is completed,
A fuse that can blow a part of the circuit by laser or electrical means at the time of inspection or mounting is used, and the signal level for designating and controlling the operation of the circuit for each power supply voltage by the blow of the fuse is "H" or "L" level. A semiconductor integrated circuit, characterized in that it is fixed to.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7164299B2 (en) 2003-01-17 2007-01-16 Nec Corporation Output buffer circuit having pre-emphasis function

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