JPH065985A - レーザー光源、光磁気ディスク、光ピックアップ、および光磁気ディスク装置 - Google Patents
レーザー光源、光磁気ディスク、光ピックアップ、および光磁気ディスク装置Info
- Publication number
- JPH065985A JPH065985A JP4156543A JP15654392A JPH065985A JP H065985 A JPH065985 A JP H065985A JP 4156543 A JP4156543 A JP 4156543A JP 15654392 A JP15654392 A JP 15654392A JP H065985 A JPH065985 A JP H065985A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気ディスク装置において、直接オーバー
ライトを可能にするとともに、磁気ヘッドをなくし、部
品数を低減する。 【構成】 光磁気ディスク装置のレーザー光源１に光軸
方向に磁場を作用させ、円偏光の光を放射させる。同時
に光磁気ディスク３に量子井戸構造と周期構造を設け、
円偏光の光で光磁気記録を行う。 【効果】 光磁気ディスク装置の情報記録速度が向上す
るとともに、部品点数を低減することができる。
ライトを可能にするとともに、磁気ヘッドをなくし、部
品数を低減する。 【構成】 光磁気ディスク装置のレーザー光源１に光軸
方向に磁場を作用させ、円偏光の光を放射させる。同時
に光磁気ディスク３に量子井戸構造と周期構造を設け、
円偏光の光で光磁気記録を行う。 【効果】 光磁気ディスク装置の情報記録速度が向上す
るとともに、部品点数を低減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光源、光磁気
ディスク、光ピックアップ、および光磁気ディスク装置
に係り、特に光情報媒体に対して記録に要する時間を短
縮して光学的に情報を読み書きするのに好適なレーザー
光源、光磁気ディスク、光ピックアップ、および光磁気
ディスク装置に関する。
ディスク、光ピックアップ、および光磁気ディスク装置
に係り、特に光情報媒体に対して記録に要する時間を短
縮して光学的に情報を読み書きするのに好適なレーザー
光源、光磁気ディスク、光ピックアップ、および光磁気
ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスク装置は、基板上の磁性薄
膜に磁化の向きという形で情報の記録、再生を光学的手
段で行うものである。光磁気ディスク装置や光磁気テー
プ装置に用いられるレーザー光源については、伊賀健
一、小山二三夫、共著、オーム社発行の「面発光レー
ザ」、または、伊藤良一、中村道治、共編、培風館発行
の「半導体レーザ」に記載されている。また、特開平３
−１１７８３号、特開平３−１８８３５号等の特許出願
がなされている。
膜に磁化の向きという形で情報の記録、再生を光学的手
段で行うものである。光磁気ディスク装置や光磁気テー
プ装置に用いられるレーザー光源については、伊賀健
一、小山二三夫、共著、オーム社発行の「面発光レー
ザ」、または、伊藤良一、中村道治、共編、培風館発行
の「半導体レーザ」に記載されている。また、特開平３
−１１７８３号、特開平３−１８８３５号等の特許出願
がなされている。
【０００３】円偏光の光の磁気的作用については、論文
誌「応用磁気学会誌」（１９８１年、５巻、２号、第１
５７頁から第１６０頁）に記載されている。
誌「応用磁気学会誌」（１９８１年、５巻、２号、第１
５７頁から第１６０頁）に記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の光磁気ディスク
装置や光磁気テープ装置では、情報を記録する際には、
一定の方向の磁場を作用させ、一定の強度の光を照射し
て一度記録されていた情報の消去を行い、しかる後に反
対向きの磁場を作用させ、さらに強度を変調した光を照
射して記録を行っている。この方法では情報の記録に時
間がかかるとともに、磁場を作用させる磁気ヘッドが必
要となる。
装置や光磁気テープ装置では、情報を記録する際には、
一定の方向の磁場を作用させ、一定の強度の光を照射し
て一度記録されていた情報の消去を行い、しかる後に反
対向きの磁場を作用させ、さらに強度を変調した光を照
射して記録を行っている。この方法では情報の記録に時
間がかかるとともに、磁場を作用させる磁気ヘッドが必
要となる。
【０００５】本発明の目的は、光磁気ディスク装置にお
いて、情報の記録の際に円偏光の光を用いることによ
り、記録されていた情報を一度消去するというプロセス
を省略し、記録に要する時間を短縮するとともに、磁気
ヘッドを省略することにより、部品点数を減らすことの
できるレーザー光源、光磁気ディスク、光ピックアッ
プ、および光磁気ディスク装置を提供することである。
いて、情報の記録の際に円偏光の光を用いることによ
り、記録されていた情報を一度消去するというプロセス
を省略し、記録に要する時間を短縮するとともに、磁気
ヘッドを省略することにより、部品点数を減らすことの
できるレーザー光源、光磁気ディスク、光ピックアッ
プ、および光磁気ディスク装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、電流を流すことにより光を放射する活性層
と、前記活性層に電流を供給する電極と、前記活性層か
ら放射された光を反射する反射手段を該活性層を中心と
して向かい合わせて構成した共振器とを有し、前記活性
層および前記共振器が、前記共振器で共振を起こす光の
光軸に対して軸対称構造をなしているレーザー光源にお
いて、前記活性層に磁場を作用させるコイルが設けら
れ、かつ前記コイルにより前記活性層部分に作用する磁
場の方向が、前記活性層内を伝播する光の方向と一致し
ていることを特徴とするレーザー光源とする。
に本発明は、電流を流すことにより光を放射する活性層
と、前記活性層に電流を供給する電極と、前記活性層か
ら放射された光を反射する反射手段を該活性層を中心と
して向かい合わせて構成した共振器とを有し、前記活性
層および前記共振器が、前記共振器で共振を起こす光の
光軸に対して軸対称構造をなしているレーザー光源にお
いて、前記活性層に磁場を作用させるコイルが設けら
れ、かつ前記コイルにより前記活性層部分に作用する磁
場の方向が、前記活性層内を伝播する光の方向と一致し
ていることを特徴とするレーザー光源とする。
【０００７】また、基板上に磁性薄膜を含む多層薄膜を
有し、前記磁性薄膜上に光学的手段により情報を記録ま
たは再生する光磁気ディスクにおいて、前記多層薄膜の
構造が、記録の際に前記光磁気ディスクに照射される波
長の光に対し、共鳴を起こす量子井戸構造となっている
ことを特徴とする光磁気ディスクとする。
有し、前記磁性薄膜上に光学的手段により情報を記録ま
たは再生する光磁気ディスクにおいて、前記多層薄膜の
構造が、記録の際に前記光磁気ディスクに照射される波
長の光に対し、共鳴を起こす量子井戸構造となっている
ことを特徴とする光磁気ディスクとする。
【０００８】また、前記多層薄膜が周期構造を有し、そ
の１周期の光路長が記録の際に前記光磁気ディスクに照
射される光の波長の４分の１になっていることを特徴と
する光磁気ディスクとする。
の１周期の光路長が記録の際に前記光磁気ディスクに照
射される光の波長の４分の１になっていることを特徴と
する光磁気ディスクとする。
【０００９】また、前記多層薄膜が周期構造を有し、そ
の１周期の光路長が記録の際に前記光磁気ディスクに照
射される光の波長の４分の１になっているとともに、該
光磁気ディスクに照射される波長の光に対し、共鳴を起
こす量子井戸構造となっていることを特徴とする光磁気
ディスクとする。
の１周期の光路長が記録の際に前記光磁気ディスクに照
射される光の波長の４分の１になっているとともに、該
光磁気ディスクに照射される波長の光に対し、共鳴を起
こす量子井戸構造となっていることを特徴とする光磁気
ディスクとする。
【００１０】また、レーザー光源と、前記レーザー光源
から放射された光を光情報媒体に照射する第１の光学系
と、光を電気信号に変換する光検出器と、前記光情報媒
体からの透過光もしくは反射光を前記光検出器に導く第
２の光学系とを有する光ピックアップにおいて、前記レ
ーザー光源が、電流を流すことにより光を放射する活性
層と、前記活性層に電流を供給する電極と、前記活性層
から放射された光を反射する反射手段を該活性層を中心
として向かい合わせて構成した共振器とを有し、前記活
性層および前記共振器が、前記共振器で共振を起こす光
の光軸に対して軸対称構造をなしているレーザー光源で
あり、かつ前記活性層に磁場を作用させるコイルが設け
られているとともに、前記コイルにより該活性層部分に
作用する磁場の方向が、該活性層内を伝播する光の方向
と一致しているレーザー光源であることを特徴とする光
ピックアップとする。
から放射された光を光情報媒体に照射する第１の光学系
と、光を電気信号に変換する光検出器と、前記光情報媒
体からの透過光もしくは反射光を前記光検出器に導く第
２の光学系とを有する光ピックアップにおいて、前記レ
ーザー光源が、電流を流すことにより光を放射する活性
層と、前記活性層に電流を供給する電極と、前記活性層
から放射された光を反射する反射手段を該活性層を中心
として向かい合わせて構成した共振器とを有し、前記活
性層および前記共振器が、前記共振器で共振を起こす光
の光軸に対して軸対称構造をなしているレーザー光源で
あり、かつ前記活性層に磁場を作用させるコイルが設け
られているとともに、前記コイルにより該活性層部分に
作用する磁場の方向が、該活性層内を伝播する光の方向
と一致しているレーザー光源であることを特徴とする光
ピックアップとする。
【００１１】また、レーザー光源と、前記レーザー光源
から放射された光を光情報媒体に照射する第１の光学系
と、光を電気信号に変換する光検出器と、前記光情報媒
体からの透過光もしくは反射光を前記光検出器に導く第
２の光学系とを有し、前記光情報媒体に光を照射するこ
とによって情報を記録し、前記光情報媒体からの透過光
もしくは反射光から情報の再生を行う光ピックアップに
おいて、前記光情報媒体に円偏光の光を照射し、右円偏
光と左円偏光とを切り換えることにより前記情報の記録
を行うことを特徴とする光ピックアップとする。
から放射された光を光情報媒体に照射する第１の光学系
と、光を電気信号に変換する光検出器と、前記光情報媒
体からの透過光もしくは反射光を前記光検出器に導く第
２の光学系とを有し、前記光情報媒体に光を照射するこ
とによって情報を記録し、前記光情報媒体からの透過光
もしくは反射光から情報の再生を行う光ピックアップに
おいて、前記光情報媒体に円偏光の光を照射し、右円偏
光と左円偏光とを切り換えることにより前記情報の記録
を行うことを特徴とする光ピックアップとする。
【００１２】また、レーザー光源からの光学的手段によ
り光磁気ディスクに対して情報を読み書きする光磁気デ
ィスク装置において、前記レーザー光源の活性層に磁場
を作用させるコイルを設けたことを特徴とする磁気ディ
スク装置とする。
り光磁気ディスクに対して情報を読み書きする光磁気デ
ィスク装置において、前記レーザー光源の活性層に磁場
を作用させるコイルを設けたことを特徴とする磁気ディ
スク装置とする。
【００１３】また、前記光磁気ディスクは、記録時に入
射される光に対して共鳴を起こす量子井戸構造であるこ
とを特徴とする磁気ディスク装置とする。
射される光に対して共鳴を起こす量子井戸構造であるこ
とを特徴とする磁気ディスク装置とする。
【００１４】また、前記磁気ディスクは、基盤上の磁性
薄膜を含む多層薄膜を周期的な多層構造とし、その周期
を１周期の光路長が記録時に入射する光の波長の４分の
１になるようにしたことを特徴とする磁気ディスク装置
とする。
薄膜を含む多層薄膜を周期的な多層構造とし、その周期
を１周期の光路長が記録時に入射する光の波長の４分の
１になるようにしたことを特徴とする磁気ディスク装置
とする。
【００１５】また、光磁気ディスクと、前記光磁気ディ
スクを回転させるスピンドルモータと、前記光磁気ディ
スクに光を照射して情報の記録を行うとともに、前記光
磁気ディスクからの反射光もしくは透過光から情報の再
生およびサーボ信号の検出を行う光ピックアップと、前
記光ピックアップから放射された光を前記光磁気ディス
ク上の所定の位置に照射すべく、前記光ピックアップも
しくは前記光ピックアップを構成する光学部品の一部を
移動させるアクチュエータと、前記光ピックアップから
のサーボ信号および外部からの信号に基づいて前記スピ
ンドルモータおよび前記アクチュエータに電流を供給し
てその動作を制御するとともに、前記情報の記録時には
前記外部からの信号に対応して前記光磁気ディスクに照
射される光を変調し、前記情報の再生時には前記光ピッ
クアップにより再生された情報を外部に出力するシステ
ムコントローラーとを有する光磁気ディスク装置におい
て、前記光磁気ディスクは基板上に磁性薄膜を含む多層
薄膜を有し、前記多層薄膜の構造が記録の際に該光磁気
ディスクに照射される波長の光に対し、共鳴を起こす量
子井戸構造となっているとともに、前記光ピックアップ
は、レーザー光源と、前記レーザー光源から放射された
光を前記光磁気ディスクに照射する第１の光学系と、光
を電気信号に変換する光検出器と、前記光磁気ディスク
からの透過光もしくは反射光を前記光検出器に導く第２
の光学系とを有して、前記レーザー光源が、電流を流す
ことにより光を放射する活性層と、前記活性層に電流を
供給する電極と、前記活性層から放射された光を反射す
る反射手段を該活性層を中心として向かい合わせて構成
した共振器とを有し、前記活性層および前記共振器が、
前記共振器で共振を起こす光の光軸に対し軸対称構造を
なしており、かつ前記活性層に磁場を作用させるコイル
が設けられているとともに、前記コイルにより該活性層
部分に作用する磁場の方向が、該活性層内を伝播する光
の方向と一致していることを特徴とする光磁気ディスク
装置とする。
スクを回転させるスピンドルモータと、前記光磁気ディ
スクに光を照射して情報の記録を行うとともに、前記光
磁気ディスクからの反射光もしくは透過光から情報の再
生およびサーボ信号の検出を行う光ピックアップと、前
記光ピックアップから放射された光を前記光磁気ディス
ク上の所定の位置に照射すべく、前記光ピックアップも
しくは前記光ピックアップを構成する光学部品の一部を
移動させるアクチュエータと、前記光ピックアップから
のサーボ信号および外部からの信号に基づいて前記スピ
ンドルモータおよび前記アクチュエータに電流を供給し
てその動作を制御するとともに、前記情報の記録時には
前記外部からの信号に対応して前記光磁気ディスクに照
射される光を変調し、前記情報の再生時には前記光ピッ
クアップにより再生された情報を外部に出力するシステ
ムコントローラーとを有する光磁気ディスク装置におい
て、前記光磁気ディスクは基板上に磁性薄膜を含む多層
薄膜を有し、前記多層薄膜の構造が記録の際に該光磁気
ディスクに照射される波長の光に対し、共鳴を起こす量
子井戸構造となっているとともに、前記光ピックアップ
は、レーザー光源と、前記レーザー光源から放射された
光を前記光磁気ディスクに照射する第１の光学系と、光
を電気信号に変換する光検出器と、前記光磁気ディスク
からの透過光もしくは反射光を前記光検出器に導く第２
の光学系とを有して、前記レーザー光源が、電流を流す
ことにより光を放射する活性層と、前記活性層に電流を
供給する電極と、前記活性層から放射された光を反射す
る反射手段を該活性層を中心として向かい合わせて構成
した共振器とを有し、前記活性層および前記共振器が、
前記共振器で共振を起こす光の光軸に対し軸対称構造を
なしており、かつ前記活性層に磁場を作用させるコイル
が設けられているとともに、前記コイルにより該活性層
部分に作用する磁場の方向が、該活性層内を伝播する光
の方向と一致していることを特徴とする光磁気ディスク
装置とする。
【００１６】また、前記光磁気ディスクは基板上に磁性
薄膜を含む多層薄膜を有し、前記多層薄膜の構造が記録
の際に該光磁気ディスクに照射される波長の光に対し、
共鳴を起こす量子井戸構造となっているとともに、前記
光ピックアップは、レーザー光源と、前記レーザー光源
から放射された光を前記光磁気ディスクに照射する第１
の光学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、前記
光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記光検
出器に導く第２の光学系とを有して、前記光磁気ディス
クに円偏光の光を照射し、右円偏光と左円偏光を切り換
えることにより情報の記録を行うことを特徴とする光磁
気ディスク装置とする。
薄膜を含む多層薄膜を有し、前記多層薄膜の構造が記録
の際に該光磁気ディスクに照射される波長の光に対し、
共鳴を起こす量子井戸構造となっているとともに、前記
光ピックアップは、レーザー光源と、前記レーザー光源
から放射された光を前記光磁気ディスクに照射する第１
の光学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、前記
光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記光検
出器に導く第２の光学系とを有して、前記光磁気ディス
クに円偏光の光を照射し、右円偏光と左円偏光を切り換
えることにより情報の記録を行うことを特徴とする光磁
気ディスク装置とする。
【００１７】また、前記光磁気ディスクは基板上に磁性
薄膜を含む多層薄膜を有し、前記多層薄膜が周期構造を
有して、その１周期の光路長が記録の際に該光磁気ディ
スクに照射される光の波長の４分の１になっているとと
もに、前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レ
ーザー光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照
射する第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出
器と、前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光
を前記光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記レ
ーザー光源が、電流を流すことにより光を放射する活性
層と、前記活性層に電流を供給する電極と、前記活性層
から放射された光を反射する反射手段を該活性層を中心
として向かい合わせて構成した共振器とを有し、前記活
性層および前記共振器が、前記共振器で共振を起こす光
の光軸に対し軸対称構造をなしており、かつ前記活性層
に磁場を作用させるコイルが設けられているとともに、
前記コイルにより該活性層部分に作用する磁場の方向
が、該活性層内を伝播する光の方向と一致していること
を特徴とする光磁気ディスク装置とする。
薄膜を含む多層薄膜を有し、前記多層薄膜が周期構造を
有して、その１周期の光路長が記録の際に該光磁気ディ
スクに照射される光の波長の４分の１になっているとと
もに、前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レ
ーザー光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照
射する第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出
器と、前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光
を前記光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記レ
ーザー光源が、電流を流すことにより光を放射する活性
層と、前記活性層に電流を供給する電極と、前記活性層
から放射された光を反射する反射手段を該活性層を中心
として向かい合わせて構成した共振器とを有し、前記活
性層および前記共振器が、前記共振器で共振を起こす光
の光軸に対し軸対称構造をなしており、かつ前記活性層
に磁場を作用させるコイルが設けられているとともに、
前記コイルにより該活性層部分に作用する磁場の方向
が、該活性層内を伝播する光の方向と一致していること
を特徴とする光磁気ディスク装置とする。
【００１８】また、前記光磁気ディスクは基板上に磁性
薄膜を含む多層薄膜を有し、前記多層薄膜が周期構造を
有して、その１周期の光路長が記録の際に該光磁気ディ
スクに照射される光の波長の４分の１になっているとと
もに、前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レ
ーザー光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照
射する第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出
器と、前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光
を前記光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記光
磁気ディスクに円偏光の光を照射し、右円偏光と左円偏
光を切り換えることにより情報の記録を行うことを特徴
とする光磁気ディスク装置とする。
薄膜を含む多層薄膜を有し、前記多層薄膜が周期構造を
有して、その１周期の光路長が記録の際に該光磁気ディ
スクに照射される光の波長の４分の１になっているとと
もに、前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レ
ーザー光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照
射する第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出
器と、前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光
を前記光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記光
磁気ディスクに円偏光の光を照射し、右円偏光と左円偏
光を切り換えることにより情報の記録を行うことを特徴
とする光磁気ディスク装置とする。
【００１９】また、前記光磁気ディスクは基板上に磁性
薄膜を含む多層薄膜を有し、前記多層薄膜が周期構造を
有して、その１周期の光路長が記録の際に該光磁気ディ
スクに照射される光の波長の４分の１になっており、記
録の際に該光磁気ディスクに照射される波長の光に対し
て共鳴を起こす量子井戸構造であるとともに、前記光ピ
ックアップは、レーザー光源と、前記レーザー光源から
放射された光を前記光磁気ディスクに照射する第１の光
学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、前記光磁
気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記光検出器
に導く第２の光学系とを有して、前記レーザー光源が、
電流を流すことにより光を放射する活性層と、前記活性
層に電流を供給する電極と、前記活性層から放射された
光を反射する反射手段を該活性層を中心として向かい合
わせて構成した共振器とを有し、前記活性層および前記
共振器が、前記共振器で共振を起こす光の光軸に対し軸
対称構造をなしており、かつ前記活性層に磁場を作用さ
せるコイルが設けられているとともに、前記コイルによ
り該活性層部分に作用する磁場の方向が、該活性層内を
伝播する光の方向と一致していることを特徴とする光磁
気ディスク装置とする。
薄膜を含む多層薄膜を有し、前記多層薄膜が周期構造を
有して、その１周期の光路長が記録の際に該光磁気ディ
スクに照射される光の波長の４分の１になっており、記
録の際に該光磁気ディスクに照射される波長の光に対し
て共鳴を起こす量子井戸構造であるとともに、前記光ピ
ックアップは、レーザー光源と、前記レーザー光源から
放射された光を前記光磁気ディスクに照射する第１の光
学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、前記光磁
気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記光検出器
に導く第２の光学系とを有して、前記レーザー光源が、
電流を流すことにより光を放射する活性層と、前記活性
層に電流を供給する電極と、前記活性層から放射された
光を反射する反射手段を該活性層を中心として向かい合
わせて構成した共振器とを有し、前記活性層および前記
共振器が、前記共振器で共振を起こす光の光軸に対し軸
対称構造をなしており、かつ前記活性層に磁場を作用さ
せるコイルが設けられているとともに、前記コイルによ
り該活性層部分に作用する磁場の方向が、該活性層内を
伝播する光の方向と一致していることを特徴とする光磁
気ディスク装置とする。
【００２０】また、前記光磁気ディスクは基板上に磁性
薄膜を含む多層薄膜を有し、前記多層薄膜が周期構造を
有して、その１周期の光路長が記録の際に該光磁気ディ
スクに照射される光の波長の４分の１になっており、記
録の際に該光磁気ディスクに照射される波長の光に対し
て共鳴を起こす量子井戸構造であるとともに、前記光ピ
ックアップは、レーザー光源と、前記レーザー光源から
放射された光を前記光磁気ディスクに照射する第１の光
学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、前記光磁
気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記光検出器
に導く第２の光学系とを有して、前記光磁気ディスクに
円偏光の光を照射し、右円偏光と左円偏光を切り換える
ことにより情報の記録を行うことを特徴とする光磁気デ
ィスク装置とする。
薄膜を含む多層薄膜を有し、前記多層薄膜が周期構造を
有して、その１周期の光路長が記録の際に該光磁気ディ
スクに照射される光の波長の４分の１になっており、記
録の際に該光磁気ディスクに照射される波長の光に対し
て共鳴を起こす量子井戸構造であるとともに、前記光ピ
ックアップは、レーザー光源と、前記レーザー光源から
放射された光を前記光磁気ディスクに照射する第１の光
学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、前記光磁
気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記光検出器
に導く第２の光学系とを有して、前記光磁気ディスクに
円偏光の光を照射し、右円偏光と左円偏光を切り換える
ことにより情報の記録を行うことを特徴とする光磁気デ
ィスク装置とする。
【００２１】また、前記光ピックアップは、レーザー光
源と、前記レーザー光源から放射された光を前記光磁気
ディスクに照射する第１の光学系と、光を電気信号に変
換する光検出器と、前記光磁気ディスクからの透過光も
しくは反射光を前記光検出器に導く第２の光学系とを有
して、前記レーザー光源が、電流を流すことにより光を
放射する活性層と、前記活性層に電流を供給する電極
と、前記活性層から放射された光を反射する反射手段を
該活性層を中心として向かい合わせて構成した共振器と
を有し、前記活性層および前記共振器が、前記共振器で
共振を起こす光の光軸に対し軸対称構造をなしており、
かつ前記活性層に磁場を作用させるコイルが設けられて
いるとともに、前記コイルにより該活性層部分に作用す
る磁場の方向が、該活性層内を伝播する光の方向と一致
していることを特徴とする光磁気ディスク装置とする。
源と、前記レーザー光源から放射された光を前記光磁気
ディスクに照射する第１の光学系と、光を電気信号に変
換する光検出器と、前記光磁気ディスクからの透過光も
しくは反射光を前記光検出器に導く第２の光学系とを有
して、前記レーザー光源が、電流を流すことにより光を
放射する活性層と、前記活性層に電流を供給する電極
と、前記活性層から放射された光を反射する反射手段を
該活性層を中心として向かい合わせて構成した共振器と
を有し、前記活性層および前記共振器が、前記共振器で
共振を起こす光の光軸に対し軸対称構造をなしており、
かつ前記活性層に磁場を作用させるコイルが設けられて
いるとともに、前記コイルにより該活性層部分に作用す
る磁場の方向が、該活性層内を伝播する光の方向と一致
していることを特徴とする光磁気ディスク装置とする。
【００２２】また、前記光ピックアップは、レーザー光
源と、前記レーザー光源から放射された光を前記光磁気
ディスクに照射する第１の光学系と、光を電気信号に変
換する光検出器と、前記光磁気ディスクからの透過光も
しくは反射光を前記光検出器に導く第２の光学系とを有
して、前記光磁気ディスクに円偏光の光を照射し、右円
偏光と左円偏光を切り換えることにより情報の記録を行
うことを特徴とする光磁気ディスク装置とする。
源と、前記レーザー光源から放射された光を前記光磁気
ディスクに照射する第１の光学系と、光を電気信号に変
換する光検出器と、前記光磁気ディスクからの透過光も
しくは反射光を前記光検出器に導く第２の光学系とを有
して、前記光磁気ディスクに円偏光の光を照射し、右円
偏光と左円偏光を切り換えることにより情報の記録を行
うことを特徴とする光磁気ディスク装置とする。
【００２３】
【作用】上記構成によれば、レーザー光源の活性層に磁
場を作用させると、活性層内の電子のスピンの向きによ
ってエネルギーレベルに差が生ずる。レーザー光源の構
造が光軸に対し概ね軸対称である場合、このエネルギー
レベルの差と角運動量保存則により、光に対する活性層
の利得が右円偏光と左円偏光で異なった値となる。レー
ザー光源が発振を起こすときには僅かな利得の差によっ
て発振を起こすモードが決定される。このため、レーザ
ー光源の構造が光軸に対し概ね軸対称である場合、活性
層に磁場を作用させることにより円偏光の光を得ること
ができるとともに、活性層に作用させる磁場の向きを反
転させることにより偏光方向を反転させることができ
る。
場を作用させると、活性層内の電子のスピンの向きによ
ってエネルギーレベルに差が生ずる。レーザー光源の構
造が光軸に対し概ね軸対称である場合、このエネルギー
レベルの差と角運動量保存則により、光に対する活性層
の利得が右円偏光と左円偏光で異なった値となる。レー
ザー光源が発振を起こすときには僅かな利得の差によっ
て発振を起こすモードが決定される。このため、レーザ
ー光源の構造が光軸に対し概ね軸対称である場合、活性
層に磁場を作用させることにより円偏光の光を得ること
ができるとともに、活性層に作用させる磁場の向きを反
転させることにより偏光方向を反転させることができ
る。
【００２４】物質に円偏光の光を吸収させた場合、角運
動量保存則により物質が入射した光の光軸方向に磁化さ
れる。磁性薄膜を含む多層構造を、入射する波長の光に
対し共鳴を起こす量子井戸構造とするとともに、多層構
造を周期構造とし、その周期を、１周期の光路長が入射
する光の波長の４分の１になるようにする。すると入射
光に対し強い吸収が起こり、大きな磁化を発生させるこ
とができる。このときに発生する磁場によって磁性薄膜
の磁化の方向を変化させることができる。
動量保存則により物質が入射した光の光軸方向に磁化さ
れる。磁性薄膜を含む多層構造を、入射する波長の光に
対し共鳴を起こす量子井戸構造とするとともに、多層構
造を周期構造とし、その周期を、１周期の光路長が入射
する光の波長の４分の１になるようにする。すると入射
光に対し強い吸収が起こり、大きな磁化を発生させるこ
とができる。このときに発生する磁場によって磁性薄膜
の磁化の方向を変化させることができる。
【００２５】光磁気ディスク装置において、レーザー光
源を、円偏光の光を放射し、その偏光方向を可変のもの
とする。さらに光磁気ディスクを記録時に入射される光
に対し、共鳴を起こす量子井戸構造とするとともに、周
期的な多層構造とし、その周期を１周期の光路長が記録
時に入射する光の波長の４分の１になるようにする。す
るとレーザー光源から放射される光を右円偏光と左円偏
光に切り換えることにより、光磁気ディスク情報を書き
込むことができる。
源を、円偏光の光を放射し、その偏光方向を可変のもの
とする。さらに光磁気ディスクを記録時に入射される光
に対し、共鳴を起こす量子井戸構造とするとともに、周
期的な多層構造とし、その周期を１周期の光路長が記録
時に入射する光の波長の４分の１になるようにする。す
るとレーザー光源から放射される光を右円偏光と左円偏
光に切り換えることにより、光磁気ディスク情報を書き
込むことができる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明のいくつかの実施例を、図面を
参照して説明する。本発明の一実施例を図１から図３を
用いて説明する。図１は動作原理を示す光学系の概略
図、図２は光磁気ディスクの断面拡大図とバンドダイア
グラム、図３は図２の部分拡大図である。
参照して説明する。本発明の一実施例を図１から図３を
用いて説明する。図１は動作原理を示す光学系の概略
図、図２は光磁気ディスクの断面拡大図とバンドダイア
グラム、図３は図２の部分拡大図である。
【００２７】図１に示すように、活性層４は組成の異な
る半導体多層膜からなるブラッグ反射器５、６によりは
さまれている。ブラッグ反射器５、６の膜厚と組成は活
性層４から放射される光に対してブラッグ反射を起こす
ように選ばれており、共振器を構成している。電極８、
９から基板１２、ブラッグ反射器５、６を介して活性層
４に電流が供給され、活性層４から光が放射される。電
流は絶縁層７によって活性層４の中央部に集中させら
れ、発光は主として電流の集中した部分で生ずる。活性
層４から放射された光はブラッグ反射器５、６によって
構成される共振器と共振を起こし、レーザー発振が起こ
る。
る半導体多層膜からなるブラッグ反射器５、６によりは
さまれている。ブラッグ反射器５、６の膜厚と組成は活
性層４から放射される光に対してブラッグ反射を起こす
ように選ばれており、共振器を構成している。電極８、
９から基板１２、ブラッグ反射器５、６を介して活性層
４に電流が供給され、活性層４から光が放射される。電
流は絶縁層７によって活性層４の中央部に集中させら
れ、発光は主として電流の集中した部分で生ずる。活性
層４から放射された光はブラッグ反射器５、６によって
構成される共振器と共振を起こし、レーザー発振が起こ
る。
【００２８】レーザー光源１にはコイル１０、１１が設
けられている。コイル１０、１１に電流を流すことによ
り、磁場が生じ、活性層４、ブラッグ反射器５、６に光
軸方向の磁場が作用する。磁場が作用すると活性層４、
ブラッグ反射器５、６内の電子のエネルギーレベルがそ
のスピンの向きによって分離する。レーザー光源１の構
造は光軸に対し概ね軸対称であり、右円偏光の光と左円
偏光の光の両方がこのレーザー光源１から放射可能であ
る。しかし、角運動量保存則とスピンの向きに起因する
エネルギーレベルの差により、右円偏光と左円偏光では
活性層４の光に対する利得、ブラッグ反射器５、６の反
射率に差が生ずる。
けられている。コイル１０、１１に電流を流すことによ
り、磁場が生じ、活性層４、ブラッグ反射器５、６に光
軸方向の磁場が作用する。磁場が作用すると活性層４、
ブラッグ反射器５、６内の電子のエネルギーレベルがそ
のスピンの向きによって分離する。レーザー光源１の構
造は光軸に対し概ね軸対称であり、右円偏光の光と左円
偏光の光の両方がこのレーザー光源１から放射可能であ
る。しかし、角運動量保存則とスピンの向きに起因する
エネルギーレベルの差により、右円偏光と左円偏光では
活性層４の光に対する利得、ブラッグ反射器５、６の反
射率に差が生ずる。
【００２９】一般にレーザー光源が発振を起こすときに
は僅かな利得の差によって発振を起こすモードが決定さ
れる。このため、活性層４に光軸方向の磁場を作用させ
ることによって特定の方向の円偏光の光を発生させるこ
とができ、さらに磁場の向きを切り替えることにより、
右円偏光と左円偏光を切り替えることができる。レーザ
ー光源１から放射された光は対物レンズ２によって集光
され、光磁気ディスク３に照射される。
は僅かな利得の差によって発振を起こすモードが決定さ
れる。このため、活性層４に光軸方向の磁場を作用させ
ることによって特定の方向の円偏光の光を発生させるこ
とができ、さらに磁場の向きを切り替えることにより、
右円偏光と左円偏光を切り替えることができる。レーザ
ー光源１から放射された光は対物レンズ２によって集光
され、光磁気ディスク３に照射される。
【００３０】図２は光磁気ディスク３の断面拡大図とバ
ンド図である。バンド図の縦軸は光磁気ディスクに垂直
軸方向の座標軸、横軸は電子のエネルギーであり、左側
が価電子帯、右側が伝導帯である。透明基板１３上には
半導体薄膜１４、誘電体薄膜１５を交互に堆積させた多
層膜、および磁性膜１６、保護膜１７が設けられてい
る。半導体薄膜１４は量子井戸構造となっている。互い
に遷位が禁止されていない準位の一組のエネルギーギャ
ップをＥｇとし、この準位の組に対し、レーザー光源１
から放射された光が共鳴を起こすように半導体薄膜の膜
厚を決定する。この膜厚は数十ｎｍとなり、通常の光の
波長よりもはるかに薄くなる。誘電体薄膜１５の膜厚
は、この膜中をレーザー光源１から放射された光が伝播
するときの波長の４分の１、即ち誘電体の屈折率をｎ、
レーザー光源１から放射される光の真空中での波長をλ
として、λ／４ｎとする。半導体薄膜の膜厚は波長に対
し十分薄いので、こうすることにより光の吸収率を高め
ることができる。
ンド図である。バンド図の縦軸は光磁気ディスクに垂直
軸方向の座標軸、横軸は電子のエネルギーであり、左側
が価電子帯、右側が伝導帯である。透明基板１３上には
半導体薄膜１４、誘電体薄膜１５を交互に堆積させた多
層膜、および磁性膜１６、保護膜１７が設けられてい
る。半導体薄膜１４は量子井戸構造となっている。互い
に遷位が禁止されていない準位の一組のエネルギーギャ
ップをＥｇとし、この準位の組に対し、レーザー光源１
から放射された光が共鳴を起こすように半導体薄膜の膜
厚を決定する。この膜厚は数十ｎｍとなり、通常の光の
波長よりもはるかに薄くなる。誘電体薄膜１５の膜厚
は、この膜中をレーザー光源１から放射された光が伝播
するときの波長の４分の１、即ち誘電体の屈折率をｎ、
レーザー光源１から放射される光の真空中での波長をλ
として、λ／４ｎとする。半導体薄膜の膜厚は波長に対
し十分薄いので、こうすることにより光の吸収率を高め
ることができる。
【００３１】図３は図２のバンド図の拡大図であり、半
導体薄膜１４における光の吸収の様子を示している。レ
ーザー光源１から放射される光に対し、共鳴を起こす準
位の組のみを考えることにする。価電子帯の準位は上向
きのスピンを持った電子１９と下向きのスピンを持った
電子１８が各々１個づつ存在している。ここに円偏光の
光２０が入射したときのことを考える。円偏光の光２０
は角運動量、即ちスピンを持っている。例えば図３に示
すように上向きのスピンを持った光２０が入射した場
合、この光２０は価電子帯にある下向きのスピンを持つ
電子１８に吸収され、電子１８は伝導帯に励起される。
このとき、角運動量保存則により、励起された電子１８
のスピンは上向きになる。また同様に、角運動量保存則
により、電子１９は励起されない。吸収される前は上向
きのスピンを持つ電子の個数と下向きのスピンを持つ電
子の個数が同じであったが、吸収された後では１個電子
が励起される毎に上向きのスピンを持った電子の個数が
２個多くなる。電子は負の電荷を持っているため、上向
きのスピンは下向きの磁気モーメントになる。このスピ
ンのアンバランスに起因する磁気モーメントによって、
半導体薄膜は磁化され、周囲に磁場を作る。
導体薄膜１４における光の吸収の様子を示している。レ
ーザー光源１から放射される光に対し、共鳴を起こす準
位の組のみを考えることにする。価電子帯の準位は上向
きのスピンを持った電子１９と下向きのスピンを持った
電子１８が各々１個づつ存在している。ここに円偏光の
光２０が入射したときのことを考える。円偏光の光２０
は角運動量、即ちスピンを持っている。例えば図３に示
すように上向きのスピンを持った光２０が入射した場
合、この光２０は価電子帯にある下向きのスピンを持つ
電子１８に吸収され、電子１８は伝導帯に励起される。
このとき、角運動量保存則により、励起された電子１８
のスピンは上向きになる。また同様に、角運動量保存則
により、電子１９は励起されない。吸収される前は上向
きのスピンを持つ電子の個数と下向きのスピンを持つ電
子の個数が同じであったが、吸収された後では１個電子
が励起される毎に上向きのスピンを持った電子の個数が
２個多くなる。電子は負の電荷を持っているため、上向
きのスピンは下向きの磁気モーメントになる。このスピ
ンのアンバランスに起因する磁気モーメントによって、
半導体薄膜は磁化され、周囲に磁場を作る。
【００３２】光の照射により磁性膜の温度が上昇し、キ
ュリー点を越えたところで磁性を失う。ここで光を弱く
し、温度を下げる。このとき半導体薄膜による磁場によ
って磁性膜の磁化の向きが決定される。温度の低下によ
る自発磁化の発生においては、系の対称性の自発的破れ
が生じ、微弱な磁場によっても磁化の向きを揃えること
が可能である。照射される光のスピンは右円偏光と左円
偏光を切り替えることによって切り替えることができ
る。スピンの向きを切り替えることにより、半導体膜に
生ずる磁化の向きを切り替えることができ、最終的に磁
性膜に生ずる磁化の向きを切り替えることができる。
ュリー点を越えたところで磁性を失う。ここで光を弱く
し、温度を下げる。このとき半導体薄膜による磁場によ
って磁性膜の磁化の向きが決定される。温度の低下によ
る自発磁化の発生においては、系の対称性の自発的破れ
が生じ、微弱な磁場によっても磁化の向きを揃えること
が可能である。照射される光のスピンは右円偏光と左円
偏光を切り替えることによって切り替えることができ
る。スピンの向きを切り替えることにより、半導体膜に
生ずる磁化の向きを切り替えることができ、最終的に磁
性膜に生ずる磁化の向きを切り替えることができる。
【００３３】ここでは誘電体薄膜と半導体薄膜の多層構
造についての実施例を紹介したが、組成の異なる半導体
多層膜でも同様のことが可能である。また、磁性膜自身
を量子井戸構造とする多層膜構造に円偏光の光を吸収さ
せ、生ずる磁化により磁化の向きを切り替えることも可
能である。
造についての実施例を紹介したが、組成の異なる半導体
多層膜でも同様のことが可能である。また、磁性膜自身
を量子井戸構造とする多層膜構造に円偏光の光を吸収さ
せ、生ずる磁化により磁化の向きを切り替えることも可
能である。
【００３４】図４から図８を用いて本発明の別の実施例
について説明する。図４は本発明を用いた光磁気ディス
ク装置の斜視図、図５は光ピックアップ光学系の概略
図、図６は光ピックアップ光学系の平面図、図７はレー
ザー光源の斜視図、図８はレーザー光源の断面図であ
る。
について説明する。図４は本発明を用いた光磁気ディス
ク装置の斜視図、図５は光ピックアップ光学系の概略
図、図６は光ピックアップ光学系の平面図、図７はレー
ザー光源の斜視図、図８はレーザー光源の断面図であ
る。
【００３５】図４のレーザー光源２１から放射された光
は回折格子２６の設けられたプリズム２２に入射する。
この光は回折格子２６で反射され、対物レンズ２３で集
光されて光磁気ディスク２４の上に照射される。光磁気
ディスク２４からの反射光は対物レンズを通った後、回
折格子２６によって回折され光集積回路２５上に照射さ
れる。
は回折格子２６の設けられたプリズム２２に入射する。
この光は回折格子２６で反射され、対物レンズ２３で集
光されて光磁気ディスク２４の上に照射される。光磁気
ディスク２４からの反射光は対物レンズを通った後、回
折格子２６によって回折され光集積回路２５上に照射さ
れる。
【００３６】図５に示すように、光集積回路２５はシリ
コン基板２８上に、屈折率の高い誘電体膜２９を屈折率
の低い誘電体膜３０、３１でサンドイッチした構造を設
けた構成となっている。回折格子２６で回折された光が
入射する部分にはグレーティングカップラ２７が設けら
れており、ここに入射した光を屈折率の高い誘電体膜２
９の部分に閉じ込める。
コン基板２８上に、屈折率の高い誘電体膜２９を屈折率
の低い誘電体膜３０、３１でサンドイッチした構造を設
けた構成となっている。回折格子２６で回折された光が
入射する部分にはグレーティングカップラ２７が設けら
れており、ここに入射した光を屈折率の高い誘電体膜２
９の部分に閉じ込める。
【００３７】図６に示すように、シリコン基板２８上に
は誘電体膜２９、３０、３１をエッチングして形成した
直線導波路ミラー３２、放物線導波路ミラー３３を有す
る光導波路３４、３５、３６が設けられている。導波路
３４、３６に設けられているグレーティングカップラ２
７は入射した光のＴＥモードの成分を誘電体膜２９に閉
じ込め、導波路３５に設けられているグレーティングカ
ップラ２７は入射した光のＴＭモードの成分を誘電体膜
２９に閉じ込めるようにピッチおよびパターンが決めら
れている。誘電体膜２９に閉じ込められ、光導波路３
４、３５、３６内を伝播する光は直線導波路ミラー３
２、放物線導波路ミラー３３により反射、集光され、各
々隣接して設けられた光検出器３７、３８の境界近傍、
光検出器３９、４０の境界近傍、光検出器４１、４２の
境界近傍に入射する。
は誘電体膜２９、３０、３１をエッチングして形成した
直線導波路ミラー３２、放物線導波路ミラー３３を有す
る光導波路３４、３５、３６が設けられている。導波路
３４、３６に設けられているグレーティングカップラ２
７は入射した光のＴＥモードの成分を誘電体膜２９に閉
じ込め、導波路３５に設けられているグレーティングカ
ップラ２７は入射した光のＴＭモードの成分を誘電体膜
２９に閉じ込めるようにピッチおよびパターンが決めら
れている。誘電体膜２９に閉じ込められ、光導波路３
４、３５、３６内を伝播する光は直線導波路ミラー３
２、放物線導波路ミラー３３により反射、集光され、各
々隣接して設けられた光検出器３７、３８の境界近傍、
光検出器３９、４０の境界近傍、光検出器４１、４２の
境界近傍に入射する。
【００３８】導波路３４、３６にはグレーティングカッ
プラ２７に入射した光のＴＥモードの成分が伝播するた
め、光検出器３７、３８、４１、４２の和信号を取るこ
とにより、グレーティングカップラ２７に入射する光の
ＴＥモード成分を知ることができる。導波路３５にはグ
レーティングカップラ２７に入射した光のＴＭモードの
成分が伝播するため、光検出器３９、４０の和信号を取
ることにより、グレーティングカップラ２７に入射する
光のＴＭモード成分を知ることができる。よって、光検
出器３７、３８、３９、４０、４１、４２の出力をぞれ
ぞれａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆとして、（ａ＋ｂ＋ｅ＋
ｆ）−（ｃ＋ｄ）、なる信号を取ることにより、グレー
ティングカップラ２７に入射する光の偏光方向を知るこ
とができる。即ち、レーザー光源２１から直線偏光の光
が放射されている場合、光磁気信号を得ることができ
る。
プラ２７に入射した光のＴＥモードの成分が伝播するた
め、光検出器３７、３８、４１、４２の和信号を取るこ
とにより、グレーティングカップラ２７に入射する光の
ＴＥモード成分を知ることができる。導波路３５にはグ
レーティングカップラ２７に入射した光のＴＭモードの
成分が伝播するため、光検出器３９、４０の和信号を取
ることにより、グレーティングカップラ２７に入射する
光のＴＭモード成分を知ることができる。よって、光検
出器３７、３８、３９、４０、４１、４２の出力をぞれ
ぞれａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆとして、（ａ＋ｂ＋ｅ＋
ｆ）−（ｃ＋ｄ）、なる信号を取ることにより、グレー
ティングカップラ２７に入射する光の偏光方向を知るこ
とができる。即ち、レーザー光源２１から直線偏光の光
が放射されている場合、光磁気信号を得ることができ
る。
【００３９】光磁気ディスク２４が対物レンズ２３によ
る焦点からずれた場合、光検出器３７、３８の境界近傍
の焦点と、光検出器４１、４２の境界近傍の焦点が図６
で上下に移動する。例えば光磁気ディスク２４が対物レ
ンズ２３に対し、焦点の位置から遠ざかった場合、光検
出器３７、３８近傍の焦点は図６で上の方に動き、光検
出器４１、４２近傍の焦点は図６で下の方に動く。即
ち、光検出器３８、４１の出力は大きくなり、光検出器
３７、４２の出力は小さくなる。光磁気ディスク２４が
焦点の位置から対物レンズに近づいた場合、反対のこと
が起きる。つまり、（ａ＋ｆ）−（ｂ＋ｅ）なる信号を
取ることにより、焦点ズレの信号、フォーカスエラー信
号を得ることができる。
る焦点からずれた場合、光検出器３７、３８の境界近傍
の焦点と、光検出器４１、４２の境界近傍の焦点が図６
で上下に移動する。例えば光磁気ディスク２４が対物レ
ンズ２３に対し、焦点の位置から遠ざかった場合、光検
出器３７、３８近傍の焦点は図６で上の方に動き、光検
出器４１、４２近傍の焦点は図６で下の方に動く。即
ち、光検出器３８、４１の出力は大きくなり、光検出器
３７、４２の出力は小さくなる。光磁気ディスク２４が
焦点の位置から対物レンズに近づいた場合、反対のこと
が起きる。つまり、（ａ＋ｆ）−（ｂ＋ｅ）なる信号を
取ることにより、焦点ズレの信号、フォーカスエラー信
号を得ることができる。
【００４０】対物レンズによる焦点が光磁気ディスク２
４の記録トラックからずれた場合、光導波路３４と３６
とに設けられたグレーティングカップラ２７に入射する
光の光量が変化する。即ち、光検出器３７、３８の和信
号と光検出器４１、４２の和信号が相対的に変化する。
つまり、（ａ＋ｂ）−（ｅ＋ｆ）なる信号を取ることに
より、記録トラックからのズレの信号、トラックエラー
信号が得られる。
４の記録トラックからずれた場合、光導波路３４と３６
とに設けられたグレーティングカップラ２７に入射する
光の光量が変化する。即ち、光検出器３７、３８の和信
号と光検出器４１、４２の和信号が相対的に変化する。
つまり、（ａ＋ｂ）−（ｅ＋ｆ）なる信号を取ることに
より、記録トラックからのズレの信号、トラックエラー
信号が得られる。
【００４１】図７に示すように、レーザー光源２１には
再生用発光部４５と記録用発光部４６が設けられてい
る。再生用発光部４５は開口が楕円形をしており、記録
用発光部４６は開口が円形をしている。
再生用発光部４５と記録用発光部４６が設けられてい
る。再生用発光部４５は開口が楕円形をしており、記録
用発光部４６は開口が円形をしている。
【００４２】図８はレーザー光源２１の断面図である。
情報再生時には電極５６と電極５８から基板４９、半導
体多層膜からなるブラッグ反射器５２、５３を介して活
性層５１に電流が供給される。このとき絶縁層５５によ
り電流は活性層５１のブラッグ反射器５３の近傍に集め
られる。再生用発光部４５は楕円形をしているため、再
生用発光部４５からは直線偏光の光が放射される。情報
記録時には電極５７と電極５８から基板４９、半導体多
層膜からなるブラッグ反射器５２、５４を介して活性層
５１に電流が供給される。このとき絶縁層５５により電
流は活性層５１のブラッグ反射器５４の近傍に集められ
る。同時にコイル５９、６０にも電流が供給され、活性
層５１に光軸方向の磁場が印加される。この磁場の影響
と、記録用発光部４６が円形をしているため、記録用発
光部４６からは円偏光の光が放射される。この光の偏光
方向は活性層５１に印加される磁場の向きを変えること
により、変えることが可能である。
情報再生時には電極５６と電極５８から基板４９、半導
体多層膜からなるブラッグ反射器５２、５３を介して活
性層５１に電流が供給される。このとき絶縁層５５によ
り電流は活性層５１のブラッグ反射器５３の近傍に集め
られる。再生用発光部４５は楕円形をしているため、再
生用発光部４５からは直線偏光の光が放射される。情報
記録時には電極５７と電極５８から基板４９、半導体多
層膜からなるブラッグ反射器５２、５４を介して活性層
５１に電流が供給される。このとき絶縁層５５により電
流は活性層５１のブラッグ反射器５４の近傍に集められ
る。同時にコイル５９、６０にも電流が供給され、活性
層５１に光軸方向の磁場が印加される。この磁場の影響
と、記録用発光部４６が円形をしているため、記録用発
光部４６からは円偏光の光が放射される。この光の偏光
方向は活性層５１に印加される磁場の向きを変えること
により、変えることが可能である。
【００４３】光磁気ディスク２４は図２、図３で説明し
た光磁気ディスク３と同じ構造をしており、円偏光の光
を入射させることにより、光磁気記録の書き込みが可能
である。情報再生時には再生用発光部４５から放射され
る直線偏光の光を用い、カー効果による偏光方向の変化
により情報の再生を行う。直線偏光の光では磁化は生じ
ないので情報が破壊されることはない。
た光磁気ディスク３と同じ構造をしており、円偏光の光
を入射させることにより、光磁気記録の書き込みが可能
である。情報再生時には再生用発光部４５から放射され
る直線偏光の光を用い、カー効果による偏光方向の変化
により情報の再生を行う。直線偏光の光では磁化は生じ
ないので情報が破壊されることはない。
【００４４】図４において、端子６９を介し、装置外部
から情報記録、情報再生の命令がシステムコントローラ
６８に入力される。命令が情報記録、情報再生のどちら
であろうとも、システムコントローラ６８は光検出器３
７、３８、３９、４０、４１、４２の出力に対して所定
の演算を行い、フォーカスエラー信号、トラックエラー
信号を検出する。これらの信号と、装置外部からの命令
により、コースアクチュエータ６３とファインアクチュ
エータ６４に電流を供給し、対物レンズ２３による焦点
を光磁気ディスク２４上の所定の位置に移動させる。同
時にスピンドルモータ６２に電流を供給し、光磁気ディ
スク２４を回転させる。
から情報記録、情報再生の命令がシステムコントローラ
６８に入力される。命令が情報記録、情報再生のどちら
であろうとも、システムコントローラ６８は光検出器３
７、３８、３９、４０、４１、４２の出力に対して所定
の演算を行い、フォーカスエラー信号、トラックエラー
信号を検出する。これらの信号と、装置外部からの命令
により、コースアクチュエータ６３とファインアクチュ
エータ６４に電流を供給し、対物レンズ２３による焦点
を光磁気ディスク２４上の所定の位置に移動させる。同
時にスピンドルモータ６２に電流を供給し、光磁気ディ
スク２４を回転させる。
【００４５】命令が情報記録であった場合、システムコ
ントローラ６８は記録すべき情報に対応して、ケーブル
６７を介してレーザー光源２１の電極５７、コイル５
９、６０に電流を供給し、書き込みを行う。命令が情報
再生であった場合、システムコントローラ６８はケーブ
ル６７を介してレーザー光源２１の電極５６に電力を供
給する。さらに光検出器３７、３８、３９、４０、４
１、４２からの出力に所定の演算を施し、光磁気信号を
検出し、装置外部へ出力する。光磁気ディスク２４はマ
グネットチャック６１により固定されており、容易に脱
着が可能である。
ントローラ６８は記録すべき情報に対応して、ケーブル
６７を介してレーザー光源２１の電極５７、コイル５
９、６０に電流を供給し、書き込みを行う。命令が情報
再生であった場合、システムコントローラ６８はケーブ
ル６７を介してレーザー光源２１の電極５６に電力を供
給する。さらに光検出器３７、３８、３９、４０、４
１、４２からの出力に所定の演算を施し、光磁気信号を
検出し、装置外部へ出力する。光磁気ディスク２４はマ
グネットチャック６１により固定されており、容易に脱
着が可能である。
【００４６】
【本発明の効果】上述のとおり本発明によれば、光磁気
ディスク装置の高速書き込みが実現できるとともに、磁
気ヘッドを無くし、部品点数の低減を図ることができ
る。
ディスク装置の高速書き込みが実現できるとともに、磁
気ヘッドを無くし、部品点数の低減を図ることができ
る。
【図１】図１は本発明の一実施例を示す光学系の概略図
である。
である。
【図２】図２は本発明の一実施例を示す光磁気ディスク
の断面図とバンド図である。
の断面図とバンド図である。
【図３】図３は図２のバンド図の部分拡大図
【図４】図４は本発明の一実施例を示す光磁気ディスク
装置の斜視図である。
装置の斜視図である。
【図５】図５は本発明の一実施例を示す光ピックアップ
光学系の概略図である。
光学系の概略図である。
【図６】図６は本発明の一実施例を示す光ピックアップ
光学系の光集積回路の平面図である。
光学系の光集積回路の平面図である。
【図７】図７は本発明の一実施例を示すレーザー光源の
斜視図である。
斜視図である。
【図８】図８は本発明の一実施例を示すレーザー光源の
断面図である。
断面図である。
１ レーザー光源 ２ 対物レンズ ３ 光磁気ディスク ４ 活性層 ５、６ ブラッグ反射器 ７ 絶縁層 ８、９ 電極 １０、１１ コイル １２ 基板 １３ 透明基板 １４ 半導体薄膜 １５ 誘電体薄膜 １６ 磁性膜 １７ 保護膜 １８、１９ 電子 ２０ 光 ２１ レーザー光源 ２２ プリズム ２３ 対物レンズ ２４ 光磁気ディスク ２５ 光集積回路 ２６ 回折格子 ２７ グレーティングカップラ ２８ シリコン基板 ２９ 高屈折率の誘電体膜 ３０、３１ 低屈折率の誘電体膜 ３２ 直線導波路ミラー ３３ 放物線導波路ミラー ３４、３５、３６ 光導波路 ３７、３８、３９、４０、４１、４２ 光検出器 ４５ 再生用発光部 ４６ 記録用発光部 ４９ 基板 ５１ 活性層 ５２、５３、５４ ブラッグ反射器 ５５ 絶縁層 ５６、５７、５８ 電極 ５９、６０ コイル ６１ マグネットチャック ６２ スピンドルモータ ６３ コースアクチュエータ ６４ ファインアクチュエータ ６７ ケーブル ６８ システムコントローラ ６９ 端子
Claims (17)
- 【請求項１】 電流を流すことにより光を放射する活性
層と、前記活性層に電流を供給する電極と、前記活性層
から放射された光を反射する反射手段を該活性層を中心
として向かい合わせて構成した共振器とを有し、前記活
性層および前記共振器が、前記共振器で共振を起こす光
の光軸に対して軸対称構造をなしているレーザー光源に
おいて、 前記活性層に磁場を作用させるコイルが設けられ、かつ
前記コイルにより前記活性層部分に作用する磁場の方向
が、前記活性層内を伝播する光の方向と一致しているこ
とを特徴とするレーザー光源。 - 【請求項２】 基板上に磁性薄膜を含む多層薄膜を有
し、前記磁性薄膜上に光学的手段により情報を記録また
は再生する光磁気ディスクにおいて、 前記多層薄膜の構造が、記録の際に前記光磁気ディスク
に照射される波長の光に対し、共鳴を起こす量子井戸構
造となっていることを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項３】 基板上に磁性薄膜を含む多層薄膜を有
し、前記磁性薄膜上に光学的手段により情報を記録また
は再生する光磁気ディスクにおいて、 前記多層薄膜が周期構造を有し、その１周期の光路長が
記録の際に前記光磁気ディスクに照射される光の波長の
４分の１になっていることを特徴とする光磁気ディス
ク。 - 【請求項４】 基板上に磁性薄膜を含む多層薄膜を有
し、前記磁性薄膜上に光学的手段により情報を記録また
は再生する光磁気ディスクにおいて、 前記多層薄膜が周期構造を有し、その１周期の光路長が
記録の際に前記光磁気ディスクに照射される光の波長の
４分の１になっているとともに、該光磁気ディスクに照
射される波長の光に対し、共鳴を起こす量子井戸構造と
なっていることを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項５】 レーザー光源と、前記レーザー光源から
放射された光を光情報媒体に照射する第１の光学系と、
光を電気信号に変換する光検出器と、前記光情報媒体か
らの透過光もしくは反射光を前記光検出器に導く第２の
光学系とを有する光ピックアップにおいて、 前記レーザー光源が、電流を流すことにより光を放射す
る活性層と、前記活性層に電流を供給する電極と、前記
活性層から放射された光を反射する反射手段を該活性層
を中心として向かい合わせて構成した共振器とを有し、
前記活性層および前記共振器が、前記共振器で共振を起
こす光の光軸に対して軸対称構造をなしているレーザー
光源であり、かつ前記活性層に磁場を作用させるコイル
が設けられているとともに、前記コイルにより該活性層
部分に作用する磁場の方向が、該活性層内を伝播する光
の方向と一致しているレーザー光源であることを特徴と
する光ピックアップ。 - 【請求項６】 レーザー光源と、前記レーザー光源から
放射された光を光情報媒体に照射する第１の光学系と、
光を電気信号に変換する光検出器と、前記光情報媒体か
らの透過光もしくは反射光を前記光検出器に導く第２の
光学系とを有し、前記光情報媒体に光を照射することに
よって情報を記録し、前記光情報媒体からの透過光もし
くは反射光から情報の再生を行う光ピックアップにおい
て、 前記光情報媒体に円偏光の光を照射し、右円偏光と左円
偏光とを切り換えることにより前記情報の記録を行うこ
とを特徴とする光ピックアップ。 - 【請求項７】 レーザー光源からの光学的手段により光
磁気ディスクに対して情報を読み書きする光磁気ディス
ク装置において、 前記レーザー光源の活性層に磁場を作用させるコイルを
設けたことを特徴とする光磁気ディスク装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の光磁気ディスク装置にお
いて、 前記光磁気ディスクは、記録時に入射される光に対して
共鳴を起こす量子井戸構造であることを特徴とする光磁
気ディスク装置。 - 【請求項９】 請求項７記載の光磁気ディスク装置にお
いて、 前記磁気ディスクは、基盤上の磁性薄膜を含む多層薄膜
を周期的な多層構造とし、その周期を１周期の光路長が
記録時に入射する光の波長の４分の１になるようにした
ことを特徴とする光磁気ディスク装置。 - 【請求項１０】 光磁気ディスクと、前記光磁気ディス
クを回転させるスピンドルモータと、前記光磁気ディス
クに光を照射して情報の記録を行うとともに、前記光磁
気ディスクからの反射光もしくは透過光から情報の再生
およびサーボ信号の検出を行う光ピックアップと、前記
光ピックアップから放射された光を前記光磁気ディスク
上の所定の位置に照射すべく、前記光ピックアップもし
くは前記光ピックアップを構成する光学部品の一部を移
動させるアクチュエータと、前記光ピックアップからの
サーボ信号および外部からの信号に基づいて前記スピン
ドルモータおよび前記アクチュエータに電流を供給して
その動作を制御するとともに、前記情報の記録時には前
記外部からの信号に対応して前記光磁気ディスクに照射
される光を変調し、前記情報の再生時には前記光ピック
アップにより再生された情報を外部に出力するシステム
コントローラーとを有する光磁気ディスク装置におい
て、 前記光磁気ディスクは基板上に磁性薄膜を含む多層薄膜
を有し、前記多層薄膜の構造が記録の際に該光磁気ディ
スクに照射される波長の光に対し、共鳴を起こす量子井
戸構造となっているとともに、 前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レーザー
光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照射する
第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、
前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記
光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記レーザー
光源が、電流を流すことにより光を放射する活性層と、
前記活性層に電流を供給する電極と、前記活性層から放
射された光を反射する反射手段を該活性層を中心として
向かい合わせて構成した共振器とを有し、前記活性層お
よび前記共振器が、前記共振器で共振を起こす光の光軸
に対し軸対称構造をなしており、かつ前記活性層に磁場
を作用させるコイルが設けられているとともに、前記コ
イルにより該活性層部分に作用する磁場の方向が、該活
性層内を伝播する光の方向と一致していることを特徴と
する光磁気ディスク装置。 - 【請求項１１】 光磁気ディスクと、前記光磁気ディス
クを回転させるスピンドルモータと、前記光磁気ディス
クに光を照射して情報の記録を行うとともに、前記光磁
気ディスクからの反射光もしくは透過光から情報の再生
およびサーボ信号の検出を行う光ピックアップと、前記
光ピックアップから放射された光を前記光磁気ディスク
上の所定の位置に照射すべく、前記光ピックアップもし
くは前記光ピックアップを構成する光学部品の一部を移
動させるアクチュエータと、前記光ピックアップからの
サーボ信号および外部からの信号に基づいて前記スピン
ドルモータおよび前記アクチュエータに電流を供給して
その動作を制御するとともに、前記情報の記録時には前
記外部からの信号に対応して前記光磁気ディスクに照射
される光を変調し、前記情報の再生時には前記光ピック
アップにより再生された情報を外部に出力するシステム
コントローラーとを有する光磁気ディスク装置におい
て、 前記光磁気ディスクは基板上に磁性薄膜を含む多層薄膜
を有し、前記多層薄膜の構造が記録の際に該光磁気ディ
スクに照射される波長の光に対し、共鳴を起こす量子井
戸構造となっているとともに、 前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レーザー
光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照射する
第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、
前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記
光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記光磁気デ
ィスクに円偏光の光を照射し、右円偏光と左円偏光を切
り換えることにより情報の記録を行うことを特徴とする
光磁気ディスク装置。 - 【請求項１２】 光磁気ディスクと、前記光磁気ディス
クを回転させるスピンドルモータと、前記光磁気ディス
クに光を照射して情報の記録を行うとともに、前記光磁
気ディスクからの反射光もしくは透過光から情報の再生
およびサーボ信号の検出を行う光ピックアップと、前記
光ピックアップから放射された光を前記光磁気ディスク
上の所定の位置に照射すべく、前記光ピックアップもし
くは前記光ピックアップを構成する光学部品の一部を移
動させるアクチュエータと、前記光ピックアップからの
サーボ信号および外部からの信号に基づいて前記スピン
ドルモータおよび前記アクチュエータに電流を供給して
その動作を制御するとともに、前記情報の記録時には前
記外部からの信号に対応して前記光磁気ディスクに照射
される光を変調し、前記情報の再生時には前記光ピック
アップにより再生された情報を外部に出力するシステム
コントローラーとを有する光磁気ディスク装置におい
て、 前記光磁気ディスクは基板上に磁性薄膜を含む多層薄膜
を有し、前記多層薄膜が周期構造を有して、その１周期
の光路長が記録の際に該光磁気ディスクに照射される光
の波長の４分の１になっているとともに、 前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レーザー
光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照射する
第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、
前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記
光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記レーザー
光源が、電流を流すことにより光を放射する活性層と、
前記活性層に電流を供給する電極と、前記活性層から放
射された光を反射する反射手段を該活性層を中心として
向かい合わせて構成した共振器とを有し、前記活性層お
よび前記共振器が、前記共振器で共振を起こす光の光軸
に対し軸対称構造をなしており、かつ前記活性層に磁場
を作用させるコイルが設けられているとともに、前記コ
イルにより該活性層部分に作用する磁場の方向が、該活
性層内を伝播する光の方向と一致していることを特徴と
する光磁気ディスク装置。 - 【請求項１３】 光磁気ディスクと、前記光磁気ディス
クを回転させるスピンドルモータと、前記光磁気ディス
クに光を照射して情報の記録を行うとともに、前記光磁
気ディスクからの反射光もしくは透過光から情報の再生
およびサーボ信号の検出を行う光ピックアップと、前記
光ピックアップから放射された光を前記光磁気ディスク
上の所定の位置に照射すべく、前記光ピックアップもし
くは前記光ピックアップを構成する光学部品の一部を移
動させるアクチュエータと、前記光ピックアップからの
サーボ信号および外部からの信号に基づいて前記スピン
ドルモータおよび前記アクチュエータに電流を供給して
その動作を制御するとともに、前記情報の記録時には前
記外部からの信号に対応して前記光磁気ディスクに照射
される光を変調し、前記情報の再生時には前記光ピック
アップにより再生された情報を外部に出力するシステム
コントローラーとを有する光磁気ディスク装置におい
て、 前記光磁気ディスクは基板上に磁性薄膜を含む多層薄膜
を有し、前記多層薄膜が周期構造を有して、その１周期
の光路長が記録の際に該光磁気ディスクに照射される光
の波長の４分の１になっているとともに、 前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レーザー
光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照射する
第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、
前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記
光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記光磁気デ
ィスクに円偏光の光を照射し、右円偏光と左円偏光を切
り換えることにより情報の記録を行うことを特徴とする
光磁気ディスク装置。 - 【請求項１４】 光磁気ディスクと、前記光磁気ディス
クを回転させるスピンドルモータと、前記光磁気ディス
クに光を照射して情報の記録を行うとともに、前記光磁
気ディスクからの反射光もしくは透過光から情報の再生
およびサーボ信号の検出を行う光ピックアップと、前記
光ピックアップから放射された光を前記光磁気ディスク
上の所定の位置に照射すべく、前記光ピックアップもし
くは前記光ピックアップを構成する光学部品の一部を移
動させるアクチュエータと、前記光ピックアップからの
サーボ信号および外部からの信号に基づいて前記スピン
ドルモータおよび前記アクチュエータに電流を供給して
その動作を制御するとともに、前記情報の記録時には前
記外部からの信号に対応して前記光磁気ディスクに照射
される光を変調し、前記情報の再生時には前記光ピック
アップにより再生された情報を外部に出力するシステム
コントローラーとを有する光磁気ディスク装置におい
て、 前記光磁気ディスクは基板上に磁性薄膜を含む多層薄膜
を有し、前記多層薄膜が周期構造を有して、その１周期
の光路長が記録の際に該光磁気ディスクに照射される光
の波長の４分の１になっており、記録の際に該光磁気デ
ィスクに照射される波長の光に対して共鳴を起こす量子
井戸構造であるとともに、 前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レーザー
光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照射する
第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、
前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記
光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記レーザー
光源が、電流を流すことにより光を放射する活性層と、
前記活性層に電流を供給する電極と、前記活性層から放
射された光を反射する反射手段を該活性層を中心として
向かい合わせて構成した共振器とを有し、前記活性層お
よび前記共振器が、前記共振器で共振を起こす光の光軸
に対し軸対称構造をなしており、かつ前記活性層に磁場
を作用させるコイルが設けられているとともに、前記コ
イルにより該活性層部分に作用する磁場の方向が、該活
性層内を伝播する光の方向と一致していることを特徴と
する光磁気ディスク装置。 - 【請求項１５】 光磁気ディスクと、前記光磁気ディス
クを回転させるスピンドルモータと、前記光磁気ディス
クに光を照射して情報の記録を行うとともに、前記光磁
気ディスクからの反射光もしくは透過光から情報の再生
およびサーボ信号の検出を行う光ピックアップと、前記
光ピックアップから放射された光を前記光磁気ディスク
上の所定の位置に照射すべく、前記光ピックアップもし
くは前記光ピックアップを構成する光学部品の一部を移
動させるアクチュエータと、前記光ピックアップからの
サーボ信号および外部からの信号に基づいて前記スピン
ドルモータおよび前記アクチュエータに電流を供給して
その動作を制御するとともに、前記情報の記録時には前
記外部からの信号に対応して前記光磁気ディスクに照射
される光を変調し、前記情報の再生時には前記光ピック
アップにより再生された情報を外部に出力するシステム
コントローラーとを有する光磁気ディスク装置におい
て、 前記光磁気ディスクは基板上に磁性薄膜を含む多層薄膜
を有し、前記多層薄膜が周期構造を有して、その１周期
の光路長が記録の際に該光磁気ディスクに照射される光
の波長の４分の１になっており、記録の際に該光磁気デ
ィスクに照射される波長の光に対して共鳴を起こす量子
井戸構造であるとともに、 前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レーザー
光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照射する
第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、
前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記
光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記光磁気デ
ィスクに円偏光の光を照射し、右円偏光と左円偏光を切
り換えることにより情報の記録を行うことを特徴とする
光磁気ディスク装置。 - 【請求項１６】 光磁気ディスクと、前記光磁気ディス
クを回転させるスピンドルモータと、前記光磁気ディス
クに光を照射して情報の記録を行うとともに、前記光磁
気ディスクからの反射光もしくは透過光から情報の再生
およびサーボ信号の検出を行う光ピックアップと、前記
光ピックアップから放射された光を前記光磁気ディスク
上の所定の位置に照射すべく、前記光ピックアップもし
くは前記光ピックアップを構成する光学部品の一部を移
動させるアクチュエータと、前記光ピックアップからの
サーボ信号および外部からの信号に基づいて前記スピン
ドルモータおよび前記アクチュエータに電流を供給して
その動作を制御するとともに、前記情報の記録時には前
記外部からの信号に対応して前記光磁気ディスクに照射
される光を変調し、前記情報の再生時には前記光ピック
アップにより再生された情報を外部に出力するシステム
コントローラーとを有する光磁気ディスク装置におい
て、 前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レーザー
光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照射する
第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、
前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記
光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記レーザー
光源が、電流を流すことにより光を放射する活性層と、
前記活性層に電流を供給する電極と、前記活性層から放
射された光を反射する反射手段を該活性層を中心として
向かい合わせて構成した共振器とを有し、前記活性層お
よび前記共振器が、前記共振器で共振を起こす光の光軸
に対し軸対称構造をなしており、かつ前記活性層に磁場
を作用させるコイルが設けられているとともに、前記コ
イルにより該活性層部分に作用する磁場の方向が、該活
性層内を伝播する光の方向と一致していることを特徴と
する光磁気ディスク装置。 - 【請求項１７】 光磁気ディスクと、前記光磁気ディス
クを回転させるスピンドルモータと、前記光磁気ディス
クに光を照射して情報の記録を行うとともに、前記光磁
気ディスクからの反射光もしくは透過光から情報の再生
およびサーボ信号の検出を行う光ピックアップと、前記
光ピックアップから放射された光を前記光磁気ディスク
上の所定の位置に照射すべく、前記光ピックアップもし
くは前記光ピックアップを構成する光学部品の一部を移
動させるアクチュエータと、前記光ピックアップからの
サーボ信号および外部からの信号に基づいて前記スピン
ドルモータおよび前記アクチュエータに電流を供給して
その動作を制御するとともに、前記情報の記録時には前
記外部からの信号に対応して前記光磁気ディスクに照射
される光を変調し、前記情報の再生時には前記光ピック
アップにより再生された情報を外部に出力するシステム
コントローラーとを有する光磁気ディスク装置におい
て、 前記光ピックアップは、レーザー光源と、前記レーザー
光源から放射された光を前記光磁気ディスクに照射する
第１の光学系と、光を電気信号に変換する光検出器と、
前記光磁気ディスクからの透過光もしくは反射光を前記
光検出器に導く第２の光学系とを有して、前記光磁気デ
ィスクに円偏光の光を照射し、右円偏光と左円偏光を切
り換えることにより情報の記録を行うことを特徴とする
光磁気ディスク装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15654392A JP3250111B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 光磁気ディスク装置 |
| US08/076,863 US5448536A (en) | 1992-06-16 | 1993-06-15 | Magneto-optical recording device having an optical head capable of generating a circularly polarized light beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15654392A JP3250111B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 光磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065985A true JPH065985A (ja) | 1994-01-14 |
| JP3250111B2 JP3250111B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=15630100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15654392A Expired - Fee Related JP3250111B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 光磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3250111B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11072860B2 (en) | 2014-08-22 | 2021-07-27 | Lam Research Corporation | Fill on demand ampoule refill |
| US11180850B2 (en) | 2014-08-22 | 2021-11-23 | Lam Research Corporation | Dynamic precursor dosing for atomic layer deposition |
| US11970772B2 (en) | 2014-08-22 | 2024-04-30 | Lam Research Corporation | Dynamic precursor dosing for atomic layer deposition |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP15654392A patent/JP3250111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11072860B2 (en) | 2014-08-22 | 2021-07-27 | Lam Research Corporation | Fill on demand ampoule refill |
| US11180850B2 (en) | 2014-08-22 | 2021-11-23 | Lam Research Corporation | Dynamic precursor dosing for atomic layer deposition |
| US11959175B2 (en) | 2014-08-22 | 2024-04-16 | Lam Research Corporation | Fill on demand ampoule refill |
| US11970772B2 (en) | 2014-08-22 | 2024-04-30 | Lam Research Corporation | Dynamic precursor dosing for atomic layer deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3250111B2 (ja) | 2002-01-28 |
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