JP3079795B2

JP3079795B2 - 光記録再生装置、光ピックアップおよびレ−ザ光源

Info

Publication number: JP3079795B2
Application number: JP04249567A
Authority: JP
Inventors: 勝村西; 英彦神藤; 守貝沼; 勝彦木村
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-09-18
Filing date: 1992-09-18
Publication date: 2000-08-21
Anticipated expiration: 2015-08-21
Also published as: JPH06103630A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光情報媒体に対し光学
的に情報を読み書きする光記録再生装置、光ピックアッ
プおよびレ−ザ光源に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光磁気記録再生装置として、種々
の方式が提案されているが、その一例として、特開平３
−１８１０４３号公報に記載されているように、光記録
媒体の記録層に、円偏光を照射して局部的な磁場を発生
させ、その円偏光の電気ベクトルの回転方向が右回りか
左回りかにより発生する磁場の方向を切り換えて、記録
媒体の記録層の磁化の向きを局部的に反転させることに
より、記録させるものがある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
ては、円偏光の左右の回転方向を切り換える手段とし
て、光ヘッドの光学系を構成する偏光子と１／４波長板
との位置関係を相互に光軸に対し相対的に回転させる構
成を用いている。このため、円偏光の左右の回転方向を
切り換える手段の構成が複雑になり、装置の小型化がで
きないと共に、円偏光の左右の回転方向切り換えのため
の時間により、情報の記録再生の高速化を図ることがで
きないという問題があった。

【０００４】本発明の目的は、上記従来の問題点を解消
することにあり、情報の記録再生の高速化を図ることが
できる光記録再生装置、光ピックアップおよびレ−ザ光
源を、それぞれ提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本願の第１番目の発明は、光ディスク面の記録膜
にレ−ザ光源よりレ−ザ光を照射し、前記記録膜に情報
の記録再生を行なう光ディスク装置において、前記光デ
ィスクを回転駆動する駆動手段と、前記光ディスク面に
対し間隔をもって前記光ディスクの半径方向に走査駆動
され、円偏光の光を放射するレ−ザ光源部と前記レ−ザ
光源部にその光軸方向に磁場を作用させる手段とを有す
る光ピックアップと、前記光ピックアップを走査駆動す
るアクチュエ−タとを備えたことを特徴とする光記録再
生装置にある。

【０００６】また、本願の第２番目の発明は、円偏光の
光を放射するレ−ザ光源部と前記レ−ザ光源部からの円
偏光を集光させる光学系とを備える光ピックアップにお
いて、前記レ−ザ光源部に、その光軸方向に磁場を作用
させる手段を設けたことを特徴とする光ピックアップに
ある。

【０００７】さらに、本願の第３番目の発明は、円偏光
の光を放射するレ−ザ光源部を備えるレ−ザ光源におい
て、前記レ−ザ光源部に、その光軸方向に磁場を作用さ
せる手段を設けたことを特徴とするレ−ザ光源にある。

【０００８】

【作用】円偏光の光を放射するレ−ザ光源部に、その光
軸方向に磁場を作用させる手段を設けることにより、こ
の磁場を作用させる手段による磁場の作用方向を変更さ
せると、前記レ−ザ光源部から放射する円偏光の回転方
向を、右回りあるいは左回りに制御することができる。
この右回りあるいは左回りの円偏光を、光ディスクの記
録層に照射することにより、記録層の磁化を反転させる
ことができる。

【０００９】このように、磁場を作用させる手段の磁場
の作用方向の変更により、円偏光の回転方向を迅速に変
えることができるので、情報の記録再生を高速化するこ
とができる。

【００１０】

【実施例】本発明の一実施例を図１ないし図１６を用い
て説明する。

【００１１】図１は本発明の光記録再生装置の一実施例
を一部断面にて示す斜視図であり、この図１において、
光磁気ディスク１（以下簡単のため単に「ディスク１」
と呼ぶ）はマグネットチャック２によりスピンドルモー
タ３に固定されており、スピンドルモータ３から容易に
脱着が可能となっている。また、ディスク１はスピンド
ルモータ３によって回転することができる。スピンドル
モータ３はベ−ス１５上に装設されている。キャリッジ
４はベアリング５を介してレール６に装設されており、
ディスク１の半径方向にはコースアクチュエータ７によ
ってディスク１の半径方向に動くことができるが、その
他の運動は拘束されている。ファインアクチュエータ８
はキャリッジ４上に装設されており、光ピックアップ
９、対物レンズ１３等を備えている。前述したファイン
アクチュエータ８は光ピックアップ９等をディスク１に
垂直な方向、この方向の軸まわりの回転、ディスク１の
半径方向の三つの自由度について、キャリッジ４に対し
て相対的に動かすことができる。

【００１２】装置外部からの命令が端子１１を介してこ
の装置のシステムコントローラ１２に入力される。装置
外部から命令があった場合、システムコントローラ１２
はスピンドルモータ３に電流を供給し、ディスク１を回
転させると共に、光ピックアップ９に電流を供給し、光
をディスク１に照射させる。この光は対物レンズ１３に
よって集光されながらディスク１に照射される。光ピッ
クアップ９はこの光の反射光から、照射された光の焦点
の、ディスク１上での焦点ボケを示すフォーカスエラー
信号と、情報を記録するビットの列であるトラックから
のズレを示すトラックエラー信号を検出する。これらの
信号はケーブル１４を介してシステムコントローラ１２
に入力される。システムコントローラ１２はこれらの信
号をもとにコースアクチュエータ７とファインアクチュ
エータ８に電流を供給し、光をディスク１の所定の位置
に照射すべく光ピックアップ９を移動させる。外部から
の命令が情報の記録であった場合、光ピックアップ９が
所定の位置に移動したところで、記録すべき情報に対応
して、光ピックアップ９から右回りの円偏光と左回りの
円偏光の光を交互にディスク１に照射し、光誘起磁化を
利用してディスク１上の磁性膜に磁気的に情報を記録す
る。外部からの命令が情報の再生であった場合、光ピッ
クアップ９は直線偏光の光をディスク１に照射し、反射
光の偏光方向の変化からディスク１上に記録されている
情報を読み出す。そしてシステムコントローラ１２、端
子１１を介して装置外部に出力される。

【００１３】図２は本発明の装置を構成するファインア
クチュエータを拡大して示す斜視図で、この図２におい
て、光ピックアップ９を３次元的に駆動するファインア
クチュエータ８はコイル２１、２２、２３、２４、２５
と、マグネット２６、２７と、ヨーク２８とからなって
いる。コイル２１、２２、２３、２４、２５にはそれぞ
れ独立に電流を供給できるようになっている。

【００１４】図３は本発明の装置を構成する光ピックア
ップの縦断面図であり、この図３において、光ピックア
ップ９はパッケージ３１とこれに取り付けられた対物レ
ンズ１３と、基板３２と、基板３２に取り付けられた検
出光学系３３と、圧電素子４８とから構成されている。
基板３２には面発光形のレーザ光源部３４、３５、３
６、３７、３８が設けられている。このレーザ光源部３
４、３５、３６、３７、３８から放射された光は各々、
対物レンズ１３によってディスク１上に焦点３９、４
０、４１、４２、４３を形成する。通常、光ディスク装
置に用いられる対物レンズには±100μｍのトレランス
がある。レーザ光源部３４、３５、３６、３７、３８の
大きさを２０μｍ程度とすると、５個のレーザ光源部を
並べてもトレランスの中に入れることができる。レーザ
光源部３５、３６、３７は情報の記録再生用であり、情
報記録時には円偏光の光を放射し、情報再生時には直線
偏光の光を放射する。さらに、情報記録時には円偏光が
右回りまたは左回りに切り替えられるようになってい
る。レーザ光源部３４と３８はサーボ信号検出用であ
り、情報の記録時、再生時に関わらず、直線偏光の光を
放射する。レーザ光源部３４から放射された光は検出光
学系３３を通り、対物レンズ１３で集光され、焦点３９
を形成する。焦点３９に集光された光はディスク１の記
録膜の部分で反射され、再び対物レンズ１３を通り、検
出光学系３３に入射する。この光の１部は検出光学系３
３に設けられた回折格子４４によって回折され、光検出
器４５に入射する。光検出器４５上の光の強度分布から
フォーカスエラー信号とトラックエラー信号を検出す
る。レーザ光源部３８から放射された光は検出光学系３
３を通り、対物レンズ１３で集光され、焦点４３を形成
する。焦点４３に集光された光はディスク１の記録膜の
部分で反射され、再び対物レンズ１３を通り、検出光学
系３３に入射する。この光の１部は検出光学系３３に設
けられた回折格子４６によって回折され、光検出器４７
に入射する。光検出器４７上の光の強度分布からフォー
カスエラー信号とトラックエラー信号を検出する。レー
ザ光源部３４、３５、３６、３７、３８は各々独立に点
滅させることができ、同時に３本のトラックに対し、情
報を記録再生できる。

【００１５】図４は本発明の装置を構成するファインア
クチュエータ及び光ピックアップの横断面図であり、こ
の図４において、コイル２１、２２、２３、２４、２５
の配置と、マグネット２６、２７による磁場Ｍを示して
いる。

【００１６】図５は本発明の装置を構成するフォーカシ
ング機構の動作を説明する斜視図であり、この図５にお
いて、コイル２１には図５に示すような電流Ａが流れ
る。磁場Ｍが図中の矢印のように作用しているので、コ
イル２１には上向きの力Ｆが作用する。電流Ａの向きを
反対にすることにより、下向きの力Ｆを作用させること
もできる。コイル２１に作用する力によって光ピックア
ップ９をディスク１の面に垂直な方向に動かし、フォー
カシングを行う。

【００１７】図６は本発明の装置を構成するトラッキン
グ機構の動作を説明する斜視図であり、この図６におい
て、コイル２２、２３にそれぞれ図６に示すような電流
Ａを流すことにより、力５１が作用する。コイル２４に
は図６に示すように電流Ａを流し、コイル２５にも、図
４のマグネット２７による磁場Ｍが作用する部分に上向
きの電流Ａを流すことにより、力５２が作用する。コイ
ル２２、２３、２４、２５に流れる電流を逆にすること
により、作用する力の向きを反対向きにすることができ
る。これらの力により、光ピックアップ９をディスク１
の半径方向に動かし、トラッキングを行う。

【００１８】図７は本発明の装置における焦点とトラッ
クの位置関係を示す説明図であり、図３に示す基板３２
の温度が変化した場合、熱膨張によってレーザ光源部３
４、３５、３６、３７、３７の間隔が変化する。これに
ともない、ディスク１上の焦点３８、３９、４０、４
１、４２の間隔が変化する。焦点の間隔が変化した場
合、例えば焦点の間隔が広がった場合、光検出器４５で
検出されるトラックエラー信号と光検出器４７で検出さ
れるトラックエラー信号に差が生ずる。光検出器４５で
検出されるトラックエラー信号と光検出器４７で検出さ
れるトラックエラー信号の平均値に対してトラックサー
ボをかけ、差に対して光ピックアップ９を回転させれば
良い。

【００１９】図８は本発明の装置を構成する光ピックア
ップ回転機構の動作を説明する斜視図であり、コイル２
２、２３にそれぞれ図８に示すように電流Ａを流すこと
により、力５３が作用する。コイル２４には図８に示す
ように電流Ａを流し、コイル２５にも、図４に示すマグ
ネット２７による磁場Ｍが作用する部分に下向きの電流
Ａを流すことにより、力５４が作用する。コイル２２、
２３、２４、２５に流れる電流を逆にすることにより、
作用する力の向きを反対向きにすることができる。これ
らの力のモーメントにより、光ピックアップ９を光軸の
周りに回転させる。

【００２０】図９は本発明の装置を構成するレーザ光源
を拡大して示す縦断面図で、情報記録時の動作を示して
いる。レーザ光源部４６、４７も全く同じ構造をしてい
る。基板３２には光検出器７０、７１が設けられてい
る。その上には反射層６５、導電層６３、活性層６１、
絶縁層６６、導電層６２、反射層６４、コイル６８が設
けられている。基板３２の反対側には圧電素子４８が設
けられている。活性層６１には電極６７、６７、導電層
６２、６３を通して電流が供給され、光を放射する。絶
縁層６６により、電流は活性層６１に集中し、キャリア
の密度が高くなるようになっている。活性層６１は多層
薄膜からなる反射層６４、６５によって挟まれており、
活性層６１から放射された光は反射層６４、６５の間を
行ったり来たりする。放射された光の内、反射層６４、
６５の間で共振を起こすモードがレーザ発振を起こす。
レーザ光源部３５は活性層６１、反射層６４、６５共に
軸対称構造をしているため、右回りの円偏光、左回りの
円偏光どちらのモードでもレーザ発振が可能である。コ
イル６８に電流を流すことにより、活性層６１と反射層
６４、６５に磁場を作用させることができる。活性層６
１と反射層６４、６５に磁場を作用させると、活性層６
１、反射層６４、６５内の電子のエネルギーレベルがそ
のスピンの向きによって変化する。このことに起因して
活性層６１の光に対する利得が、右回りの円偏光と左回
りの円偏光で異なった値となる。また、反射層６４、６
５の反射率が右回りの円偏光と左回りの円偏光で異なっ
た値となる。即ち、レーザ光源部３５の利得が右回りの
円偏光と左回りの円偏光で異なった値になる。レーザ発
振を起こす場合は様々な発振の状態の内、最も利得の大
きい状態が選択され、この状態でのみ、発振が起こる。
この場合、利得の差はどんなに小さくても最も利得の大
きい状態が選択されるため、活性層６１と反射層６４、
６５に磁場を作用させ、右回りの円偏光と左回りの円偏
光の間に利得の差を作ることにより、利得の大きい方を
選択的に放射させることができる。ここで、活性層６
１、反射層６４、６５に作用させる磁場の向きを反転さ
せることにより、右回りの円偏光と左回りの円偏光を切
り替えることができる。レーザ光源部から放射させた光
は出射角が小さく、そのままで用いた場合、光ピックア
ップ９を小型化するのが難しい。基板３２に直接接着さ
れている検出光学系３３にはイオン拡散等によってマイ
クロレンズ７２が作りつけられている。このレンズ７２
によって、レーザ光源部３５から放射された光を１度集
光させ、出射角を大きくし、光ピックアップ９の小型化
を図っている。情報の記録時には光検出器７０、７１、
圧電素子４８は使用しない。

【００２１】図１０は本発明の装置を構成するレーザ光
源を拡大して示す縦断面図で、情報再生時の動作を説明
したものである。この図１０において、活性層６１と反
射層６４、６５はいずれも軸対称構造をしているため、
右回りの円偏光、左回りの円偏光いずれのモードで発振
できると同時に図１０の面内、図１０の面に対し垂直方
向のいずれの方向の直線偏光でも発振が可能である。こ
のため、特定の方向に直線的に偏った光の利得を大きく
することによって直線偏光の光を放射させることができ
る。圧電素子４８に電荷を与えて、圧電素子４８を矢印
の方向に引っ張りの歪を生じさせる。このことにより、
圧電素子４８が張り付けられている基板３２に歪を与え
ることができる。すると、活性層６１、反射層６４，６
５にも歪が与えられる。この時にはコイル６８には電流
を流していないため、活性層６１と反射層６４、６５に
は磁場が作用していない。すると、活性層６１の利得が
歪を与えた方向と、これに垂直な方向で異なった値にな
る。この場合も利得の大きい方の振動状態が選択され、
直線偏光で発振が起こる。光の偏光方向は歪に平行な方
向かこれに垂直な方向かのどちらかであるが、この場合
はどちらの直線偏光で発振が起こっても同じように動作
する。検出光学系３３とマイクロレンズ７２の動作は図
９を用いて説明した通りである。ディスク１からの反射
光の一部は反射層６４、導電層６２、活性層６１、導電
層６３、反射層６５を通り抜けて光検出器７０と７１に
入射する。反射光の偏光方向の変化は光検出器７０、７
１によって検出される。

【００２２】前述したように、円偏光の回転方向の制御
および直線偏光制御し得る原理を以下に説明する。

【００２３】レーザ光源の活性層に磁場を作用させる
と、活性層内の電子のスピンの向きによってエネルギー
レベルに差が生ずる。レーザ光源の構造が光軸に対し概
ね軸対称である場合、このエネルギーレベルの差と角運
動量保存則により、光に対する活性層の利得が右回りの
円偏光と左回りの円偏光で異なった値となる。レーザ光
源が発振を起こすときには、僅かな利得の差によって発
振を起こすモードが決定される。このため、レーザ光源
の構造が光軸に対し軸対称である場合、活性層に磁場を
作用させることにより、円偏光の光を得ることができる
と共に、活性層に作用させる磁場の向きを反転させるこ
とにより偏光方向を反転させることができる。

【００２４】レーザ光源の活性層に、ある一方向の機械
的な歪を与えた場合（もしくは応力を作用させた場
合）、活性層内の電子の運動状態が、歪（もしくは応
力）の方向とそれに垂直な方向とで異なったものとな
り、電子の波動関数に差を生ずる。すると、光の偏光方
向が歪（もしくは応力）と平行であるか垂直であるかに
よって、光に対する活性層の利得が異なった値となる。
レーザ光源が発振を起こすときには僅かな利得の差によ
って発振を起こすモードが決定される。このため、レー
ザ光源の構造が光軸に対して軸対称である場合でも、活
性層に光軸に垂直なある一方向に歪を与える（もしくは
応力を作用させる）ことによって、ある一方向に偏った
直線偏光の光を放射されることができる。

【００２５】レーザ光源の活性層に、ある一方向に電場
を作用させた場合、活性層内の電子の運動状態が電場の
方向とそれに垂直な方向とで異なったものとなり、電子
の波動関数に差を生ずる。すると、光の偏光方向が電場
と平行であるか垂直であるかによって、光に対する活性
層の利得が異なった値となる。レーザ光源が発振を起こ
すときには僅かな利得の差によって発振を起こすモード
が決定される。このため、レーザ光源の構造が光軸に対
して軸対称である場合でも、活性層に光軸に垂直なある
一方向に電場を作用させることによって、ある一方向に
偏った直線偏光の光を放射させることができる。

【００２６】図１１は本発明の装置を構成するレーザ光
源を一部断面にて示す斜視図であり、この図中のｘ軸方
向に引っ張りの歪が与えられている。放射される光はｘ
軸方向かｙ軸方向のいずれかの方向の直線偏光となる。
どちらに偏光していたとしても同じように動作するの
で、ここではｘ軸方向に偏光しているものとして動作の
説明をする。基板３２はＮ型の半導体で、光検出器７
０、７１はＰ型の半導体からできており、ＰＮ接合が形
成されている。この部分がフォトダイオードとして動作
する。電子の運動状態はＰＮ接合に平行な方向と垂直な
方向とでは異なっており、フォトダイオードの感度も入
射する光の偏光方向がＰＮ接合に平行な場合と垂直な場
合で異なった値となる。平行な場合と垂直な場合で、ど
ちらが感度が大きくなるかという点については、半導体
の組成や逆バイアスの大きさ、入射する光の波長によっ
て変わってくるが、ここでは差があるということが重要
であり、どちらが大きいかということには余り関係がな
い。ここでは偏光方向がＰＮ接合面に垂直の場合に、平
行な場合に比較して感度が大きくなるとして説明する。
反対の場合でも全く同じように動作する。光検出器７０
はＰＮ接合面が図１２のξ軸に垂直となっており、光検
出器７１ではＰＮ接合面はη軸に垂直になっている。光
検出器７０、７１に入射する光の偏光方向がｘ軸に平行
な場合、この光の偏光方向に対する光検出器７０と７１
のＰＮ接合面の成す角は等しくなり、この光に対する感
度は光検出器７０と７１で同じになる。ディスク１で反
射した光は、ディスク１上の磁性膜の磁化の方向が上向
きであるか、下向きであるかによって、図１２のベクト
ル１０１で示した方向とベクトル１０２で示した方向に
偏光する。ベクトル１０１で示した方向と、光検出器７
１のＰＮ接合面が成す角は、光検出器７０のＰＮ接合面
が成す角よりも垂直に近い。このため、ベクトル１０１
で示した方向に偏光した光に対する感度は、光検出器７
１の方が光検出器７０よりも大きくなる。同様にベクト
ル１０２で示した方向に偏光した光に対する感度は、光
検出器７０の方が光検出器７１よりも大きくなる。この
ようにして光検出器７０の出力と光検出器７１の出力を
比較することにより、ディスク１からの反射光の偏光方
向を検出することができる。

【００２７】図１３は本発明の装置を構成するレーザ光
源部の他の部分の縦断面図であり、レーザ光源部３４、
光検出器４５、回折格子４４の断面図を示す。レーザ光
源部３８、光検出器４７、回折格子４６も全く同じ構造
をしている。レーザ光源部３４の構造は磁場を作用させ
るコイルがないこと、活性層６１と反射層６４、６５の
構造が楕円になっていることを除けば、レーザ光源部３
５と同じである。構造が軸対象でないため、放射される
光は楕円の長軸もしくは短軸の方向に偏った直線偏光と
なる。レーザ光源部３４から放射された光は、検出光学
系３３上に設けられたマイクロレンズ７２によって１回
集光され、出射角を大きくして放射される。ディスク１
からの反射光の一部は回折格子４４で回折され、光検出
器４５の位置に集光される。図１４に示すように、回折
格子４４はトラックＴの方向に対し約４５度の角度で形
成されている。光検出器４５は図１４に示すように４個
のフォトダイオード８１、８２、８３、８４から構成さ
れている。回折格子４４で回折された光は非点収差を持
っている。このため、ディスク１が対物レンズから遠く
なった場合は、図１５に示すようなスポットＰのパター
ンとなり、近くなった場合は、図１６に示すようなスポ
ットＰのパターンとなる。よって、フォトダイオード８
１、８２、８３、８４の出力を各々ａ、ｂ、ｃ、ｄとし
たとき、（ａ＋ｃ）−（ｂ＋ｄ）なる処理をすることに
よりフォーカスエラー信号が得られる。通常の光磁気デ
ィスクにはトラックの部分がグルーブとなっている。こ
のため、トラックからのズレが生ずるとグルーブの回折
の影響で、フォトダイオード８２、８３に入射する光の
光量と、フォトダイオード８１、８４に入射する光の光
量が相対的に変化する。よって、（ｂ＋ｃ）−（ａ＋
ｄ）なる処理をすることにより、トラックエラー信号が
得られる。

【００２８】図１７は本発明の装置を構成するレーザ光
源部の他の実施例を示す。この図において、活性層６
１、導電層６２、６３、反射層６４、６５、電極６７、
６９、コイル６８、絶縁層６６、圧電素子４８の構造、
動作は図９、図１０を用いて説明した実施例の場合と同
様である。光検出器７０、７１が反射層６５の下にある
のでなく、基板３２の表面に設けられていることと、デ
ィスク１からの反射光を回折させる回折格子９１が検出
光学系３３に設けられている点が異なっている。この場
合、回折格子９１によって回折させる方向はトラックの
方向と概ね一致させておくとレーザ光源部の間隔を狭く
することができる。

【００２９】図１８、１９は本発明の装置を構成するレ
ーザ光源部のさらに他の実施例を示すもので、図１８は
情報の記録時の動作を示している。この図１８におい
て、活性層６１、導電層６２、６３、反射層６４、６
５、電極６７、６９、コイル６８の構造は図９、図１０
を用いて説明した実施例の場合と同様である。圧電素子
４８がない点と、絶縁層６６の中に電極９２、９３が埋
め込まれているいる点が異なっている。情報の記録時に
は電極９２、９３には電位差を与えず、コイル６８に電
流を流し、活性層６１、反射層６４、６５に磁場を作用
させる。コイル６８に流す電流の向きを切り替えること
により、放射される光の偏光方向を右回りの円偏光と左
回りの円偏光に切り替えることができる。

【００３０】図１９は情報の再生時の動作を示してい
る。情報の再生時にはコイル６８には電流を流さず、電
極９２、９３に電位差を与え、活性層６１に電場を作用
させる。図２０に示すように、電極９２にマイナスの電
位を、電極９３にプラスの電位を与えた場合、活性層６
１ないの電子とホールはそれぞれ電極９３、９２の方へ
引き寄せられ、キャリアの分布にアンバランスを生ず
る。このことから、電子の波動関数も電場を作用させた
方向と、これに垂直な方向とでは異なったものとなる。
この場合、偏光方向が電場の方向に平行であるか垂直で
あるかによって、光に対する活性層６１の利得が異なっ
た値となり、利得の大きい方向の直線偏光の光が放射さ
れる。ディスク１からの反射光の偏光方向の検出方式は
図１０、図１１を用いて説明した実施例の場合と同じで
ある。

【００３１】以上述べたように、本発明の実施例によれ
ば、円偏光を放射するレ−ザ光源部に、その光軸方向に
磁場を加えて円偏光の回転方向を制御する手段を設け、
この手段によって、この円偏光をディスクの記録層に照
射してその磁化を反転させて、情報を書き込み、また、
レ−ザ光源部に、その光軸に直交方向の応力もしくは機
械的歪を与える手段を設け、円偏光を直線偏光としてデ
ィスクの記録層に照射して情報を読み出すことができる
ので、情報の記録再生を高速化することができる。ま
た、上述の手段をレ−ザ光源部に配置し得るので、部品
点数を大幅に削減でき、小型化も可能である。

【００３２】なお、上述の実施例においては、レ−ザ光
源部に、磁場を作用させる手段として、コイルを設けた
が、レ−ザ光源部に、永久磁石を回転可能に設け、この
永久磁石の回転により、磁場の方向を変更するようにし
ても良い。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、レ−ザ光源部からの円
偏光を、その光軸方向に磁場を加えて円偏光の回転方向
を制御し、この円偏光をディスクの記録層に照射してそ
の磁化を反転させることができるので、情報記録の高速
化を大幅に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録再生装置の一実施例を一部断面
にて示す斜視図である。

【図２】本発明の装置を構成するファインアクチュエー
タを拡大して示す斜視図である。

【図３】本発明の装置を構成する光ピックアップの縦断
面図である。

【図４】本発明の装置を構成するファインアクチュエー
タ及び光ピックアップの横断面図である。

【図５】本発明の装置を構成するフォーカシング機構の
動作を説明する斜視図である。

【図６】本発明の装置を構成するトラッキング機構の動
作を説明する斜視図である。

【図７】本発明の装置における焦点とトラックの位置関
係を示す説明図である。

【図８】本発明の装置を構成する光ピックアップ回転機
構の動作を説明する斜視図であある。

【図９】本発明の装置を構成するレーザ光源を拡大して
示す縦断面図で、情報記録時の動作を説明したものであ
る。

【図１０】本発明の装置を構成するレーザ光源を拡大し
て示す縦断面図で、情報再生時の動作を説明したもので
ある。

【図１１】本発明の装置を構成するレーザ光源を一部断
面にて示す斜視図である。

【図１２】本発明の装置を構成するレーザ光源における
反射光の偏光を検出する方法の説明図である。

【図１３】本発明の装置を構成するレーザ光源の他の部
分の縦断面図である。

【図１４】本発明の装置を構成するレーザ光源における
回折格子と光検出器の説明図である。

【図１５】本発明の装置を構成するレーザ光源における
光検出器上のスポットパターンの一例を示す説明図であ
る。

【図１６】本発明の装置を構成するレーザ光源における
光検出器上のスポットパターンの他の例を示す説明図で
ある。

【図１７】本発明の装置を構成するレーザ光源の他の実
施例を示す縦断面図である。

【図１８】本発明の装置を構成するレーザ光源のさらに
他の実施例を示す縦断面図で、情報記録時の動作を説明
したものである。

【図１９】図１８に示す本発明の装置を構成するレーザ
光源のさらに他の実施例における情報再生時の動作を説
明する縦断面図である。

【図２０】本発明の装置を構成するレーザ光源における
活性層を拡大して示す断面図である。

【符号の説明】

１・・・光磁気ディスク、２・・・マグネットチャッ
ク、３・・・スピンドルモータ、４・・・キャリッジ、
５・・・ベアリング、６・・・レール、７・・・コース
アクチュエータ、８・・・ファインアクチュエータ、９
・・・光ピックアップ、１１・・・端子、１２・・・シ
ステムコントローラ、１３・・・対物レンズ、１４・・
・ケーブル、２１、２２、２３、２４、２５・・・コイ
ル、２６、２７・・・マグネット、２８・・・ヨーク、
３１・・・パッケージ、３２・・・基板、３３・・・検
出光学系、３４、３５、３６、３７、３８・・・面発光
レーザ光源部、３９、４０、４１、４２、４３・・・焦
点、４４・・・回折格子、４５・・・光検出器、４６・
・・回折格子、４７・・・光検出器、５１、５２、５
３、５４・・・力、６１・・・活性層、６２、６３・・
・導電層、６４、６５・・・反射層、６６・・・絶縁
層、６７・・・電極、６８・・・コイル、６９・・・電
極、７０、７１・・・光検出器、７２・・・マイクロレ
ンズ、８１、８２、８３、８４・・・フォトダイオー
ド、９１・・・回折格子、９２、９３・・・電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＧ１１Ｂ 7/14 Ｇ１１Ｂ 7/14 (72)発明者木村勝彦茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (56)参考文献特開昭55−58834（ＪＰ，Ａ) 特開平２−203582（ＪＰ，Ａ) 特開平２−203581（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105 G11B 7/125 G11B 7/14 H01S 5/30

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光ディスク面の記録膜にレーザ光源よりレ
ーザ光を照射し、前記記録膜に情報の記録再生を行う光
記録再生装置において、前記光ディスクを回転駆動する
駆動手段と、前記光ディスク面に対し間隔をもって前記
光ディスクの半径方向に走査駆動され、円偏向の光を放
射するレーザ光源部と、前記レーザ光源部にその光軸方
向に磁場を作用させる手段とを有する光ピックアップ
と、前記光ピックアップを走査駆動するアクチュエータ
とを備え、前記レーザ光源部及び磁場を発生させる手段
は、基板と、前記基板上に設けられ、電流を流すことに
より光を放射する活性層と、前記活性層に電流を供給す
る電極と、前記活性層内を伝播する光の方向に磁場を作
用させる手段とを備えていることを特徴とする光記録再
生装置。
【請求項２】請求項１記載の光記録再生装置において、
前記磁場を作用させる手段は、コイルであることを特徴
とする光記録再生装置。
【請求項３】円偏向の光を放射するレーザ光源部と、前
記レーザ光源部からの円偏向を集光させる光学系とを備
えた光ピックアップにおいて、前記レーザ光源部にその
光軸方向に磁場を作用させる手段を設け、前記レーザ光
源部および前記磁場を作用させる手段は、基板と、前記
基板上に設けられ、電流を流すことにより、円偏光を放
射する活性層と、前記活性層に電流を供給する電源と、
前記活性層内を伝播する光の方向に磁場を作用させる手
段とを備えたことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項４】請求項３記載の光ピックアップにおいて、
前記磁場を作用させる手段は、コイルであることを特徴
とする光ピックアップ。
【請求項５】円偏光の光を放射するレーザ光源部を備え
るレーザ光源において、前記レーザ光源部に、その光軸
方向に磁場を作用させる手段を設け、前記レーザ光源部
および前記磁場を作用させる手段は、基板と、前記基板
上に設けられ、電流を流すことにより、円偏光を放射す
る活性層と、前記活性層に電流を供給する電源と、前記
活性層内を伝播する光の方向に磁場を作用させる手段と
を備えたことを特徴とするレーザ光源。
【請求項６】請求項５記載のレーザ光源において、前記
前記磁場を作用させる手段は、コイルであることを特徴
とするレーザ光源。