JPH065972A - 位相シフト型回折格子の製造方法 - Google Patents
位相シフト型回折格子の製造方法Info
- Publication number
- JPH065972A JPH065972A JP15950692A JP15950692A JPH065972A JP H065972 A JPH065972 A JP H065972A JP 15950692 A JP15950692 A JP 15950692A JP 15950692 A JP15950692 A JP 15950692A JP H065972 A JPH065972 A JP H065972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- resist
- insulating film
- diffraction grating
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、精度が高く、且つ工程が簡略化さ
れた位相シフト型回折格子の製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 まず、第２の領域（６）との境界（４）に接
するようにレチクルの位置合せを行った上で、第１の領
域（５）を覆う第２のレジストのパターン（７）が形成
される。次に、この第１の領域（５）に形成された第２
のレジストのパターン（７）をマスクとして、セルフア
ライン手法で第２の領域（６）を覆う絶縁膜のパターン
（８）が形成される。したがって、絶縁膜のパターン
（８）はレチクルの位置合せを行うことなく形成でき
る。
れた位相シフト型回折格子の製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 まず、第２の領域（６）との境界（４）に接
するようにレチクルの位置合せを行った上で、第１の領
域（５）を覆う第２のレジストのパターン（７）が形成
される。次に、この第１の領域（５）に形成された第２
のレジストのパターン（７）をマスクとして、セルフア
ライン手法で第２の領域（６）を覆う絶縁膜のパターン
（８）が形成される。したがって、絶縁膜のパターン
（８）はレチクルの位置合せを行うことなく形成でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回折格子の製造方法に
関し、特に、半導体レーザの単一モード発振に利用でき
る位相シフト型回折格子の製造方法に関する。
関し、特に、半導体レーザの単一モード発振に利用でき
る位相シフト型回折格子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の位相シフト型回折格子の製造方法
（特開平２−２２４３８６号公報）を、図４の工程図を
用いて説明する。まず、基板１１上に絶縁膜１２を堆積
させて、一般的な干渉露光法を用いて回折格子のパター
ンを形成する。次に、このパターン上にレジスト１３を
塗布し、絶縁膜１２の表面の一部が露出するようにレジ
スト１３をスライトエッチする（図４（ａ））。そし
て、格子形状の絶縁膜１２およびレジスト１３の上にレ
ジスト１４を塗布し、レチクルの位置合せを行った後に
露光して、基板１１の共振器長方向の左半分のレジスト
１４を除去する。さらに、基板１１の左半分の絶縁膜１
２を除去して、レジスト１３、１４をマスクとして、基
板１１をエッチングする（図４（ｂ））。その後すべて
のレジストを除去して、基板１１上にレジスト１５を塗
布する。そして、再びレチクルの位置合せを行った後に
露光して、基板１１の右半分のレジスト１５を除去す
る。さらに、絶縁膜１２とレジスト１５をマスクとし
て、基板１１をエッチングする（図４ （ｃ））。従来
は、このような工程で位相シフト型の回折格子（図４
（ｄ））を製造していた。
（特開平２−２２４３８６号公報）を、図４の工程図を
用いて説明する。まず、基板１１上に絶縁膜１２を堆積
させて、一般的な干渉露光法を用いて回折格子のパター
ンを形成する。次に、このパターン上にレジスト１３を
塗布し、絶縁膜１２の表面の一部が露出するようにレジ
スト１３をスライトエッチする（図４（ａ））。そし
て、格子形状の絶縁膜１２およびレジスト１３の上にレ
ジスト１４を塗布し、レチクルの位置合せを行った後に
露光して、基板１１の共振器長方向の左半分のレジスト
１４を除去する。さらに、基板１１の左半分の絶縁膜１
２を除去して、レジスト１３、１４をマスクとして、基
板１１をエッチングする（図４（ｂ））。その後すべて
のレジストを除去して、基板１１上にレジスト１５を塗
布する。そして、再びレチクルの位置合せを行った後に
露光して、基板１１の右半分のレジスト１５を除去す
る。さらに、絶縁膜１２とレジスト１５をマスクとし
て、基板１１をエッチングする（図４ （ｃ））。従来
は、このような工程で位相シフト型の回折格子（図４
（ｄ））を製造していた。
【０００３】また、他の製造方法として、レジストの屈
折率を利用し、かつ基板を傾けることによって位相シフ
ト部を形成する方法もあった（特開平２−１３９４５号
公報）。
折率を利用し、かつ基板を傾けることによって位相シフ
ト部を形成する方法もあった（特開平２−１３９４５号
公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の回折
格子の製造方法では、基板の共振器長方向の右半分を覆
うレジストと左半分を覆うレジストとをそれぞれ個別の
レチクルで形成していた。これらのレチクルの位置合せ
は、それぞれ独自に行っていたので、レジストパターン
にずれが生じることが多かった。このため、半導体レー
ザの歩留まりが低下するといった問題があった。
格子の製造方法では、基板の共振器長方向の右半分を覆
うレジストと左半分を覆うレジストとをそれぞれ個別の
レチクルで形成していた。これらのレチクルの位置合せ
は、それぞれ独自に行っていたので、レジストパターン
にずれが生じることが多かった。このため、半導体レー
ザの歩留まりが低下するといった問題があった。
【０００５】本発明は、このような問題を解決すること
を目的とする。
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記、課題を解決するた
めに、本発明の位相シフト型回折格子の製造方法は、第
１の絶縁膜で基板上に回折格子形状のパターンを形成し
た後に、このパターンの間に第１のレジストを埋め込む
第１の工程と、第１の絶縁膜と第１のレジストの所定の
境界で基板表面を２つの領域に分け、第１の絶縁膜がこ
の所定の境界に接している領域を第１の領域とし、他方
の領域を第２の領域としたときの、第１の領域を覆う第
２のレジストを形成する第２の工程と、第２の領域の第
１の絶縁膜を選択的に除去し、第１および第２のレジス
トをマスクに基板をエッチングする第３の工程と、基板
上に第２の絶縁膜を堆積させ、第１の領域の第１および
第２のレジストを除去する第４の工程と、第１および第
２の絶縁膜をマスクに基板をエッチングする第５の工程
とを備える。
めに、本発明の位相シフト型回折格子の製造方法は、第
１の絶縁膜で基板上に回折格子形状のパターンを形成し
た後に、このパターンの間に第１のレジストを埋め込む
第１の工程と、第１の絶縁膜と第１のレジストの所定の
境界で基板表面を２つの領域に分け、第１の絶縁膜がこ
の所定の境界に接している領域を第１の領域とし、他方
の領域を第２の領域としたときの、第１の領域を覆う第
２のレジストを形成する第２の工程と、第２の領域の第
１の絶縁膜を選択的に除去し、第１および第２のレジス
トをマスクに基板をエッチングする第３の工程と、基板
上に第２の絶縁膜を堆積させ、第１の領域の第１および
第２のレジストを除去する第４の工程と、第１および第
２の絶縁膜をマスクに基板をエッチングする第５の工程
とを備える。
【０００７】
【作用】本発明の位相シフト型回折格子の製造方法によ
れば、まず第２の工程で、第２の領域との境界に接する
ようにレチクルの位置合せを行った上で、第１の領域を
覆う第２のレジストのパターンが形成される。次に第４
の工程で、この第１の領域に形成された第２のレジスト
のパターンをマスクとして、セルフアライン手法で第２
の領域を覆う絶縁膜のパターンが形成される。したがっ
て、絶縁膜のパターンはレチクルの位置合せを行うこと
なく形成できる。
れば、まず第２の工程で、第２の領域との境界に接する
ようにレチクルの位置合せを行った上で、第１の領域を
覆う第２のレジストのパターンが形成される。次に第４
の工程で、この第１の領域に形成された第２のレジスト
のパターンをマスクとして、セルフアライン手法で第２
の領域を覆う絶縁膜のパターンが形成される。したがっ
て、絶縁膜のパターンはレチクルの位置合せを行うこと
なく形成できる。
【０００８】また、第３の工程では第１および第２のレ
ジストに対して第１の絶縁膜が選択的に除去される。さ
らに、第５の工程では第１および第２の絶縁膜に対して
第１のレジストが選択的に除去される。
ジストに対して第１の絶縁膜が選択的に除去される。さ
らに、第５の工程では第１および第２の絶縁膜に対して
第１のレジストが選択的に除去される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明である位相シフト型回折格子の
製造方法の一実施例について、図１〜図３の工程図を用
いて説明する。
製造方法の一実施例について、図１〜図３の工程図を用
いて説明する。
【００１０】まず、ＩｎＰ基板１上に絶縁膜２を約１０
００Ａの厚さで堆積させて、この絶縁膜２上にフォトレ
ジスト材料を塗布する。これを例えばＡｒレーザの干渉
パターンで露光し、格子形状のレジストパターン３を作
製する（図１（ａ））。次に、このレジストパターン３
をマスクとして絶縁膜２をエッチングし、ＩｎＰ基板１
上に回折格子を形成する（図１（ｂ））。そして、絶縁
膜２上にレジスト４を塗布した後（図１（ｃ））、レジ
スト４の上面部を例えばＲＩＥ（Reactive IonEtchin
g）法によるエッチングで除去して、絶縁膜２の膜厚に
揃える（図１（ｄ））。この結果、ＩｎＰ基板１上に
は、絶縁膜２とレジスト４の縞状の層が形成される。ま
た、この絶縁膜２とレジスト４の縞模様によって、Ｉｎ
Ｐ基板１表面には、何本もの平行な境界線ができるが、
これらの境界線の中のひとつの境界線５においてＩｎＰ
基板１表面を２つの領域に分割するものとする。ここ
で、絶縁膜２が境界線５に接している側の領域を領域６
と、レジスト４が境界線５に接している側の領域を領域
７とする。
００Ａの厚さで堆積させて、この絶縁膜２上にフォトレ
ジスト材料を塗布する。これを例えばＡｒレーザの干渉
パターンで露光し、格子形状のレジストパターン３を作
製する（図１（ａ））。次に、このレジストパターン３
をマスクとして絶縁膜２をエッチングし、ＩｎＰ基板１
上に回折格子を形成する（図１（ｂ））。そして、絶縁
膜２上にレジスト４を塗布した後（図１（ｃ））、レジ
スト４の上面部を例えばＲＩＥ（Reactive IonEtchin
g）法によるエッチングで除去して、絶縁膜２の膜厚に
揃える（図１（ｄ））。この結果、ＩｎＰ基板１上に
は、絶縁膜２とレジスト４の縞状の層が形成される。ま
た、この絶縁膜２とレジスト４の縞模様によって、Ｉｎ
Ｐ基板１表面には、何本もの平行な境界線ができるが、
これらの境界線の中のひとつの境界線５においてＩｎＰ
基板１表面を２つの領域に分割するものとする。ここ
で、絶縁膜２が境界線５に接している側の領域を領域６
と、レジスト４が境界線５に接している側の領域を領域
７とする。
【００１１】次に、このレジスト４上にフォトレジスト
材を塗布して、リソグラフィ技術を用いて、領域６を覆
うレジストパターン８を形成する（図２（ｅ））。この
パターン形成では、境界線５に接するようにレチクルの
位置合せ（マスクアライメント）が行われる。その後、
領域７の絶縁膜２を、例えばフッ酸系のエッチャントを
用いたウェットエッチングで選択的に除去し（図２
（ｆ））、残ったレジスト４をマスクとして例えばＲＩ
Ｅ法によりＩｎＰ基板１をエッチングする（図２
（ｇ））。この際、レジストパターン８に覆われた領域
６はエッチングされることはない。
材を塗布して、リソグラフィ技術を用いて、領域６を覆
うレジストパターン８を形成する（図２（ｅ））。この
パターン形成では、境界線５に接するようにレチクルの
位置合せ（マスクアライメント）が行われる。その後、
領域７の絶縁膜２を、例えばフッ酸系のエッチャントを
用いたウェットエッチングで選択的に除去し（図２
（ｆ））、残ったレジスト４をマスクとして例えばＲＩ
Ｅ法によりＩｎＰ基板１をエッチングする（図２
（ｇ））。この際、レジストパターン８に覆われた領域
６はエッチングされることはない。
【００１２】次に、レジストパターン８、レジスト４お
よびＩｎＰ基板１上に例えばＳｉＮ膜を１０００Ａより
厚く且つレジストパターン８の膜厚より薄い厚さで堆積
させる（図２（ｈ））。そして、レジストパターン８を
溶解して上層のＳｉＮ膜をリフトオフする。その結果、
領域７を覆うＳｉＮ膜のパターン９が形成される。この
際、領域６との境界線での位置合せを行うことなく、Ｓ
ｉＮ膜のパターン９の外縁を境界線と一致させることが
できる。さらに、領域６のレジスト４をエッチングで選
択的に除去し（図３（ｉ））、残った絶縁膜２をマスク
として、例えばウェットエッチングによりＩｎＰ基板１
をエッチングする（図２（ｊ））。この際、ＳｉＮ膜の
パターン９に覆われた領域７はエッチングされることは
ない。
よびＩｎＰ基板１上に例えばＳｉＮ膜を１０００Ａより
厚く且つレジストパターン８の膜厚より薄い厚さで堆積
させる（図２（ｈ））。そして、レジストパターン８を
溶解して上層のＳｉＮ膜をリフトオフする。その結果、
領域７を覆うＳｉＮ膜のパターン９が形成される。この
際、領域６との境界線での位置合せを行うことなく、Ｓ
ｉＮ膜のパターン９の外縁を境界線と一致させることが
できる。さらに、領域６のレジスト４をエッチングで選
択的に除去し（図３（ｉ））、残った絶縁膜２をマスク
として、例えばウェットエッチングによりＩｎＰ基板１
をエッチングする（図２（ｊ））。この際、ＳｉＮ膜の
パターン９に覆われた領域７はエッチングされることは
ない。
【００１３】そして、最後に、ＳｉＮ膜のパターン９と
絶縁膜２およびレジスト４を除去することによって、位
相シフト型回折格子が完成する。
絶縁膜２およびレジスト４を除去することによって、位
相シフト型回折格子が完成する。
【００１４】以上述べた工程により、レジストパターン
を形成する際に一回だけマスクアライメントを行うだけ
で、位相シフト型回折格子が作製できる。
を形成する際に一回だけマスクアライメントを行うだけ
で、位相シフト型回折格子が作製できる。
【００１５】また、図２（ｆ）では、基板上１にはレジ
ストパターン８と絶縁膜２およびレジスト４が形成され
ているので、レジスト４とレジストパターン８に対し
て、選択的に絶縁膜２を除去することができる。図３
（ｉ）でも同様に、絶縁膜２とＳｉＮ膜のパターン９に
対して、選択的にレジスト４を除去することができる。
ストパターン８と絶縁膜２およびレジスト４が形成され
ているので、レジスト４とレジストパターン８に対し
て、選択的に絶縁膜２を除去することができる。図３
（ｉ）でも同様に、絶縁膜２とＳｉＮ膜のパターン９に
対して、選択的にレジスト４を除去することができる。
【００１６】なお、本実施例で絶縁膜として用いたＳｉ
Ｎ膜は、これに限られることなく、その他の絶縁膜を用
いてもよい。また各層のエッチング方法についても、Ｒ
ＩＥ法に限定されることなく、同様の効果をもたらす方
法であれば、その方法を用いてもよい。
Ｎ膜は、これに限られることなく、その他の絶縁膜を用
いてもよい。また各層のエッチング方法についても、Ｒ
ＩＥ法に限定されることなく、同様の効果をもたらす方
法であれば、その方法を用いてもよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明の位相シフト型回折格子の製造方
法であれば、第１の領域に形成されたパターンがマスク
となるので、マスクアライメントを行うことなく第２の
領域にパターンが形成できる。このため、マスク合せの
余裕を取ることなく精度の高い加工が可能となる。ま
た、この製造方法は、位置合せズレによる歩留りの低下
がないため、生産性の向上が図れる。
法であれば、第１の領域に形成されたパターンがマスク
となるので、マスクアライメントを行うことなく第２の
領域にパターンが形成できる。このため、マスク合せの
余裕を取ることなく精度の高い加工が可能となる。ま
た、この製造方法は、位置合せズレによる歩留りの低下
がないため、生産性の向上が図れる。
【００１８】特に、本発明の製造方法で製造した位相シ
フト型回折格子は、半導体レーザの単一モード発振の部
材としての利用が有効である。
フト型回折格子は、半導体レーザの単一モード発振の部
材としての利用が有効である。
【図１】本実施例である位相シフト型回折格子の製造方
法を示す工程図である。
法を示す工程図である。
【図２】本実施例である位相シフト型回折格子の製造方
法を示す工程図である。
法を示す工程図である。
【図３】本実施例である位相シフト型回折格子の製造方
法を示す工程図である。
法を示す工程図である。
【図４】従来例である位相シフト型回折格子の製造方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
１…ＩｎＰ基板、２…絶縁膜、３、８…レジストパター
ン、４…レジスト、５…境界線、６、７…領域、９…Ｓ
ｉＮ膜のパターン。
ン、４…レジスト、５…境界線、６、７…領域、９…Ｓ
ｉＮ膜のパターン。
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の絶縁膜で基板上に回折格子形状の
パターンを形成した後に、このパターンの間に第１のレ
ジストを埋め込む第１の工程と、 前記第１の絶縁膜と前記第１のレジストの所定の境界で
前記基板表面を２つの領域に分け、前記第１の絶縁膜が
この所定の境界に接している領域を第１の領域とし、他
方の領域を第２の領域としたときの、前記第１の領域を
覆う第２のレジストを形成する第２の工程と、 前記第２の領域の前記第１の絶縁膜を選択的に除去し、
前記第１および第２のレジストをマスクに前記基板をエ
ッチングする第３の工程と、 前記基板上に第２の絶縁膜を堆積させ、前記第１の領域
の前記第１および第２のレジストを除去する第４の工程
と、 前記第１および第２の絶縁膜をマスクに前記基板をエッ
チングする第５の工程とを備えることを特徴とする位相
シフト型回折格子の製造方法。 - 【請求項２】 前記第２の絶縁膜にＳｉＮ膜を用いてい
ることを特徴とする請求項１記載の位相シフト型回折格
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15950692A JPH065972A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 位相シフト型回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15950692A JPH065972A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 位相シフト型回折格子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065972A true JPH065972A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15695263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15950692A Pending JPH065972A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 位相シフト型回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065972A (ja) |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP15950692A patent/JPH065972A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2291266A (en) | Submicroscopic pattern formation on semiconductors | |
| KR100271699B1 (ko) | 포토마스크 및 포토마스크를 사용하는 반도체장치의 제조방법 | |
| US5591549A (en) | Self aligning fabrication method for sub-resolution phase shift mask | |
| JP7174826B2 (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| GB2286254A (en) | Phase shift mask and method for fabricating the same | |
| JPH065972A (ja) | 位相シフト型回折格子の製造方法 | |
| US5942355A (en) | Method of fabricating a phase-shifting semiconductor photomask | |
| JP2734753B2 (ja) | 位相シフトマスクの形成方法 | |
| JPH05249649A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| KR100228765B1 (ko) | 셀 어퍼처 마스크 제조방법 | |
| JP2854545B2 (ja) | 位相反転マスク及びその製造方法 | |
| JP2745988B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| KR960010726B1 (ko) | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 | |
| KR960014962B1 (ko) | 위상반전마스크의 제조방법 | |
| JPH04291345A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS62194628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100524811B1 (ko) | 반도체장치의미세패턴형성방법 | |
| JPH03172847A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| US7662521B2 (en) | Method of mask making to prevent phase edge and overlay shift for chrome-less phase shifting mask | |
| JPS5950053B2 (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| JPH03180034A (ja) | パターン形成方法 | |
| KR100289664B1 (ko) | 노광 마스크의 제조방법 | |
| JPH07335670A (ja) | パターン形成方法およびｔ型ゲート電極のパターン形成方法 | |
| JPS63211740A (ja) | 半導体素子の配線パタ−ン形成方法 | |
| KR100353404B1 (ko) | 반도체 마스크 제조방법 |