JPH065751A - 金属フォーム放熱器 - Google Patents
金属フォーム放熱器Info
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- JPH065751A JPH065751A JP5027815A JP2781593A JPH065751A JP H065751 A JPH065751 A JP H065751A JP 5027815 A JP5027815 A JP 5027815A JP 2781593 A JP2781593 A JP 2781593A JP H065751 A JPH065751 A JP H065751A
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- heat
- plate
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- foam
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- F28F13/003—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by using permeable mass, perforated or porous materials
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、多孔質金属フォームを半導
体装置のための放熱器として使用することである。 【構成】 半導体装置の表面に取付けられている熱伝導
体と、この熱伝導体に取付けられている金属フォームと
を具備する。
体装置のための放熱器として使用することである。 【構成】 半導体装置の表面に取付けられている熱伝導
体と、この熱伝導体に取付けられている金属フォームと
を具備する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、具体
的には半導体装置のための金属フォーム放熱器に関す
る。
的には半導体装置のための金属フォーム放熱器に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体装置及び集積回路から放熱するた
めの従来の方法は、パッケージの裏側のピンフィンまた
は積層板放熱器の使用を含んでいた。積層板及びピン放
熱器は有効ではあるが、放熱するためには等価フォーム
(または泡沫)放熱器よりかさばる。これらの放熱器の
性能は、装置及び放熱器の表面積及び熱伝導率、並びに
周囲温度及び装置周囲の空気流量に依存する。
めの従来の方法は、パッケージの裏側のピンフィンまた
は積層板放熱器の使用を含んでいた。積層板及びピン放
熱器は有効ではあるが、放熱するためには等価フォーム
(または泡沫)放熱器よりかさばる。これらの放熱器の
性能は、装置及び放熱器の表面積及び熱伝導率、並びに
周囲温度及び装置周囲の空気流量に依存する。
【0003】
【発明の概要】本発明は、放熱器として金属フォームを
使用する半導体装置に関する。熱移動特性はフォームの
実効放散面積に依存する。フォームの放散面積はフォー
ムの毎平方インチ当たりの気孔の数に依存する。 20 気
孔/インチのフォーム放熱器は殆どの装置に対して充分
な表面積を提供し、放熱器を通して充分な空気流を供給
する。
使用する半導体装置に関する。熱移動特性はフォームの
実効放散面積に依存する。フォームの放散面積はフォー
ムの毎平方インチ当たりの気孔の数に依存する。 20 気
孔/インチのフォーム放熱器は殆どの装置に対して充分
な表面積を提供し、放熱器を通して充分な空気流を供給
する。
【0004】金属フォームは、半導体装置に取付けられ
ている熱伝導体に、熱伝導性接着剤によって固定されて
いる。本発明によって提供される技術的な進歩、及び本
発明の諸目的は、添付図面に基づく好ましい実施例の以
下の説明及び特許請求の範囲に記載されている新規なる
特色から明白になるであろう。
ている熱伝導体に、熱伝導性接着剤によって固定されて
いる。本発明によって提供される技術的な進歩、及び本
発明の諸目的は、添付図面に基づく好ましい実施例の以
下の説明及び特許請求の範囲に記載されている新規なる
特色から明白になるであろう。
【0005】
【実施例】図1にピンフィンヒートシンクを示す。半導
体装置10は、その上面に取付けられている熱伝導板1
1を有している。ピンフィンヒートシンク12は、放熱
器の主ボディから垂直上方に伸びる複数のフィン13を
有している。図2に積層板放熱器を示す。半導体装置2
0はその上面に取付けられている熱伝導板21を有して
いる。積層板放熱器22は、積み重ねられた複数の板2
3及び24を有している。板24は板23より小さい板
である。これによってより大きい放熱面積が得られる。
体装置10は、その上面に取付けられている熱伝導板1
1を有している。ピンフィンヒートシンク12は、放熱
器の主ボディから垂直上方に伸びる複数のフィン13を
有している。図2に積層板放熱器を示す。半導体装置2
0はその上面に取付けられている熱伝導板21を有して
いる。積層板放熱器22は、積み重ねられた複数の板2
3及び24を有している。板24は板23より小さい板
である。これによってより大きい放熱面積が得られる。
【0006】図3は、放熱器として金属フォームを使用
する本発明の実施例を示す。金属フォームは幾つかの供
給源から入手可能である。半導体装置30はその上面に
取付けられている熱伝導板31を有している。熱伝導板
31は例えばアルミニウム板または銅板でよく、この熱
伝導板31の上面に金属フォーム放熱器32が取付けら
れている。フォーム放熱器32は表面に多数の気孔33
を有し、これらの気孔は放熱器のボディ内に伸びてい
る。フォーム放熱器は気孔がフォーム放熱器のボディを
通って伸びていることがスポンジに類似している。放熱
器の表面及び内部の気孔は金属フォームの単位体積当た
り極めて大きい表面積を提供する。
する本発明の実施例を示す。金属フォームは幾つかの供
給源から入手可能である。半導体装置30はその上面に
取付けられている熱伝導板31を有している。熱伝導板
31は例えばアルミニウム板または銅板でよく、この熱
伝導板31の上面に金属フォーム放熱器32が取付けら
れている。フォーム放熱器32は表面に多数の気孔33
を有し、これらの気孔は放熱器のボディ内に伸びてい
る。フォーム放熱器は気孔がフォーム放熱器のボディを
通って伸びていることがスポンジに類似している。放熱
器の表面及び内部の気孔は金属フォームの単位体積当た
り極めて大きい表面積を提供する。
【0007】熱伝導板31の一例は約 50 ミル厚のアル
ミニウムであり、またフォームは約250 ミル厚であっ
た。図4は板ヒートシンクと金属フォームヒートシンク
との比較を示す表である。フォームヒートシンクは 1.
8" 平方× 0.30"高であった。板は 2" 平方× 0.32"高
であった。横方向からの空気流を使用し、ヒートシンク
を横切る空気の流量を変化させた。0 、100 、300 、50
0 フィート/分( FPM ) の空気流を用いて測定を行っ
た。金属フォームヒートシンクは10、20、及び 40 気孔
/インチ( PPI )のものを使用した。測定された数値
は、半導体装置の放熱を°C/ワットで表している。
ミニウムであり、またフォームは約250 ミル厚であっ
た。図4は板ヒートシンクと金属フォームヒートシンク
との比較を示す表である。フォームヒートシンクは 1.
8" 平方× 0.30"高であった。板は 2" 平方× 0.32"高
であった。横方向からの空気流を使用し、ヒートシンク
を横切る空気の流量を変化させた。0 、100 、300 、50
0 フィート/分( FPM ) の空気流を用いて測定を行っ
た。金属フォームヒートシンクは10、20、及び 40 気孔
/インチ( PPI )のものを使用した。測定された数値
は、半導体装置の放熱を°C/ワットで表している。
【0008】例えば、4ワットの半導体装置に板ヒート
シンク/放熱器を使用した時には周囲温度から 9.9×4
= 39.6 °Cの温度上昇であった。 20 PPI フォーム放
熱器の場合、周囲温度からの半導体装置の温度上昇は、
8.7×4 = 34.8 °Cであった。これは半導体装置を横
切る空気流がない場合であった。300 FPM の空気流を使
用した場合、板放熱器を使用した半導体装置の周囲温度
からの温度上昇は 14.4 °Cであった。金属フォーム放
熱器を使用した半導体装置の周囲温度からの温度上昇は
10.4°Cであった。これは、金属フォーム放熱器を使用
した場合4°Cの改善がもたらされることを示してい
る。
シンク/放熱器を使用した時には周囲温度から 9.9×4
= 39.6 °Cの温度上昇であった。 20 PPI フォーム放
熱器の場合、周囲温度からの半導体装置の温度上昇は、
8.7×4 = 34.8 °Cであった。これは半導体装置を横
切る空気流がない場合であった。300 FPM の空気流を使
用した場合、板放熱器を使用した半導体装置の周囲温度
からの温度上昇は 14.4 °Cであった。金属フォーム放
熱器を使用した半導体装置の周囲温度からの温度上昇は
10.4°Cであった。これは、金属フォーム放熱器を使用
した場合4°Cの改善がもたらされることを示してい
る。
【0009】以上の記載に関連して、以下の各項を開示
する。 1. 半導体装置の表面に取付けられている熱伝導体
と、この熱伝導体に取付けられている金属フォームと、
を具備することを特徴とする半導体装置用放熱器。 2. 上記金属フォームが熱伝導性材料である1項に記
載の放熱器。 3. 上記熱伝導体が熱伝導性材料である1項に記載の
放熱器。 4. 上記金属フォームが熱伝導性接着剤によって上記
熱伝導体に取付けられている1項に記載の放熱器。 5. 上記金属フォームが上記熱伝導体にろう付けされ
ている1項に記載の放熱器。 6. 上記金属結合が上記熱伝導体にろう付けされてい
る1項に記載の放熱器。 7. 上記金属フォームが 5乃至 50 気孔/インチの範
囲の気孔率を有する1項に記載の放熱器。 8. 半導体装置の表面に取付けられている熱伝導体
と、この熱伝導体に取付けられている多孔質アルミニウ
ムフォームと、を具備することを特徴とする半導体装置
用放熱器。 9. 多孔質金属フォーム(32)を熱伝導体(31)
と組合せて半導体装置(30)のためのヒートシンク/
放熱器として使用する。
する。 1. 半導体装置の表面に取付けられている熱伝導体
と、この熱伝導体に取付けられている金属フォームと、
を具備することを特徴とする半導体装置用放熱器。 2. 上記金属フォームが熱伝導性材料である1項に記
載の放熱器。 3. 上記熱伝導体が熱伝導性材料である1項に記載の
放熱器。 4. 上記金属フォームが熱伝導性接着剤によって上記
熱伝導体に取付けられている1項に記載の放熱器。 5. 上記金属フォームが上記熱伝導体にろう付けされ
ている1項に記載の放熱器。 6. 上記金属結合が上記熱伝導体にろう付けされてい
る1項に記載の放熱器。 7. 上記金属フォームが 5乃至 50 気孔/インチの範
囲の気孔率を有する1項に記載の放熱器。 8. 半導体装置の表面に取付けられている熱伝導体
と、この熱伝導体に取付けられている多孔質アルミニウ
ムフォームと、を具備することを特徴とする半導体装置
用放熱器。 9. 多孔質金属フォーム(32)を熱伝導体(31)
と組合せて半導体装置(30)のためのヒートシンク/
放熱器として使用する。
【図1】従来技術のピンフィンヒートシンクを示す図。
【図2】従来技術の積層板ヒートシンクを示す図。
【図3】金属フォームヒートシンクを示す図。
【図4】金属フォームヒートシンク及び板ヒートシンク
に関する毎C/ワット当たりの実効温度対空気流を示す
表。
に関する毎C/ワット当たりの実効温度対空気流を示す
表。
10 半導体装置 11 熱伝導板 12 ピンフィンヒートシンク 13 フィン 20 半導体装置 21 熱伝導板 22 積層板放熱器 23、24 板 30 半導体装置 31 熱伝導板 32 金属フォーム放熱器 33 気孔
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体装置の表面に取付けられている熱
伝導体と、 この熱伝導体に取付けられている金属フォームと、 を具備することを特徴とする半導体装置用放熱器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US84665092A | 1992-03-05 | 1992-03-05 | |
US07/846650 | 1992-03-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH065751A true JPH065751A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=25298541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5027815A Pending JPH065751A (ja) | 1992-03-05 | 1993-02-17 | 金属フォーム放熱器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0559092A1 (ja) |
JP (1) | JPH065751A (ja) |
KR (1) | KR930020647A (ja) |
TW (1) | TW255986B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008544489A (ja) * | 2005-06-10 | 2008-12-04 | クリー インコーポレイテッド | 光デバイス及びランプ |
JP2016503455A (ja) * | 2012-09-28 | 2016-02-04 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 無線通信タワー用の低密度金属系コンポーネント |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR2775866B1 (fr) * | 1998-03-03 | 2000-04-07 | Telecommunications Sa | Organe dissipateur de chaleur |
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-
1993
- 1993-02-17 JP JP5027815A patent/JPH065751A/ja active Pending
- 1993-02-26 EP EP93103059A patent/EP0559092A1/en not_active Withdrawn
- 1993-03-04 KR KR1019930003158A patent/KR930020647A/ko not_active Application Discontinuation
- 1993-08-02 TW TW082106149A patent/TW255986B/zh active
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Also Published As
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---|---|
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TW255986B (ja) | 1995-09-01 |
EP0559092A1 (en) | 1993-09-08 |
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