JPH0656492B2 - ポジティブ・フォトレジスト - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ．産業上の利用分野 本発明は、化学作用のある放射線に露出して作像するこ
とのできる組成物に関するものである。本発明の組成物
はまた、酸素を含有するプラズマに耐える。さらに、本
発明は、リソグラフィでのこれらの組成物の使用に関す
るものである。たとえば、本発明の組成物は、すべての
光学的リソグラフィ装置での作像と、多層セラミック・
パッケージング・デバイス等のパッケージング用途に適
している。

Ｂ．従来の技術 半導体チップやチップ・キャリア等、パターンを付けた
デバイスの製造で、最終製品を構成する種々の層をエッ
チングする工程は、関係する最も重要なステップの一部
である。エッチング工程で広く使用される方法の１つ
は、適当なマスクでエッテングされる表面を被覆し、基
板とマスクを、基板は侵食してエッチングするが、マス
クは元のまま残すような薬品の溶液に浸漬するものであ
る。このような湿式法では、エッチングした表面で正確
に画定された縁部を得ることが困難である。

これは、薬品がマスクをアンダーカットすることと、等
方性の像が形成することのためである。換言すれば、従
来の化学湿式法では、現在の処理要件に合った最適の寸
法適合性を得るのに必要と考えられる方向選択性（異方
性）が得られない。

さらに、上記の湿式エッチング法は、これに伴う環境保
全及び安全上の問題から好ましくない。

したがって、環境保全の見地から、方法を改良し、エッ
チングのコストを湿式法に比較して低下させるため、各
種のいわゆる「乾式法」が提案されてきた。さらに、こ
れらの「乾式法」は、工程管理が容易になり、アスペク
ト比の高い像が得られるという潜在的な利点もある。

このような「乾式法」は、容器にガスを通し、このガス
中にプラズマを形成させるもので、このガス中の化学種
を使って、チェンバまたは容器中に置いた基板をエッチ
ングする。このような「乾式法」の代表的な例に、プラ
ズマ・エッチング、スパッタ・エッチング、反応性イオ
ン・エッチングがある。

反応性イオン・エッチングにより、正しく画定され垂直
にエッチングされた側壁が得られる。特定の反応性イオ
ン・エッチングは、たとえば米国特許第４２８３２４９
号明細書に開示されている。

「乾式法」技術に伴う問題の一つは、作像放射線に対す
る感受性を有し、同時に乾式エッチング環境に十分耐え
るパターン化可能な材料を得ることである。多くの例で
は、プラズマ・エッチングの活性化学種など、乾式エッ
チングに耐性があると、マスク材料が侵食され、リソグ
ラフィで作像放射線に露出する際に、マスクを作製する
のに用いた材料の解像度が低下する。

このことは、ポジティブ有機レジスト材料にもネガティ
ブ有機レジスト材料にも当てはまる。ポジティブ・レジ
スト材料とは、作像放射線に露出する溶剤に可溶とな
り、露出しない部分は不溶性である材料を言う。ネガテ
ィブ・レジスト材料とは、作像放射線に露出すると重合
または不溶化あるいはその両方が起こる材料を言う。

ポジティブ感光材料の一つのタイプは、フェノール・ホ
ルムアルデヒド・ノボラック重合体を主体にしたもので
ある。このような材料の例に、ｍ−クレゾール・ホルム
アルデヒド・ノボラック重合体組成物であるシップレイ
（Shipley）ＡＺ１３５０がある。これはポジティブ・
レジスト組成物で、２−ジアゾ−１−ナフトール−５−
スルホン酸エステル等のジアゾケトンを含む。このよう
な組成物では、ジアゾケトンが光化学反応中にカルボン
酸に変換する。これにより、組成物が容易に弱アルカリ
性の現像剤水溶液に可溶性になる。この組成物は、通常
約１５重量％のジアゾケトン化合物を含有する。

たとえば米国特許第４１２５６５０号明細書には、フェ
ノール・ホルムアルデヒドを含む重合体レジスト用の硬
化剤としてキノン・ジアジドを使用することを開示して
いる。

各種のフォトレジスト材料については、たとえばデッカ
ート他（Deckered,et al.）「マイクロリソグラフィ：
ソリッドステート製作への鍵（Microlithography-Key t
o Solid-State Fabrication）」、ジャーナル・オブ・
エレクトロケミカル・ソサエティ（Journal of the Ele
ctrochemical Society）、Ｖｏｌ．１２５、Ｎｏ．３、
１９８０年３月、ｐｐ．４５Ｃ−５６Ｃに記載されてい
る。

感光性の用途にキノンジアジドを使用することについて
は、アーショフ他（Erschov,et al.）、「キノンジアジ
ド（Quinone Diazides）」、アムステルダム、エスセビ
ア・サイエンティフィック・パブリケーションズ（Else
vier Scientific Publications）社、１９８１年刊、第
８章、ｐｐ．２８２−２９７に記載されている。さらに
この書物には、１，２−ナフトキノン−５−クロロスル
ホン酸と、ある種のシリコン誘導体の縮合生成物を使用
して、この縮合生成物を基板の感光性バッキングとして
使って各種被膜の基板への接着特性を改善することが示
唆されている。

さらに、ある種のシロキサン類が、反応性イオン・エッ
チングのバリアとして提案されている。たとえば、フリ
ード他（Fried,et al.）、ＩＢＭジャーナル・リサーチ
・ディベロップメント（IBM Journal Research Develop
ment）、Ｖｏｌ．２６、Ｎｏ．８、ｐｐ．３６２−３７
１を参照のこと。また、ある種のシロキサン類が、電子
線に感受性のあるレジストとして提案されている。たと
えば、ロバーツ（Roberts）、ジャーナル・オブ・エレ
クトロケミカル・ソサエティ（Journal of Chemical So
ciety）、Ｖｏｌ．１２０、１９７３年、ｐ．１７１
６、及びロバーツ、フィリップス・テクニカル・レビュ
ー（Phillips Technical Review）、Ｖｏｌ．３５、１
９７５年、ｐｐ．４１−５２、及びガザード他（Gazar
d,et al.）、応用ポリマー・シンポジウム（Applied Po
lymer Symposium）、ＮＯ．２３、１９７４年、ｐｐ．
１０６−１０７を参照のこと。

さらに、ある種のシロキサン類は、電子線（ハッツァキ
ス他（Hatzakis,et al.）、「超小型回路加工技術（Pro
cessing Microcircuit Engineering）」、ローザンヌ、
１９８１年９月、ｐ．３９６参照）、及び波長が約２５
３７Åの遠紫外線（ショー他（Shaw,et al.）、ＳＰＥ
国際フォトポリマー会議（SPE Photopolymer Conferenc
e）、１９８２年１１月参照）で作像するとき、酸素プ
ラズマ中で下層の重合体層に対するエッチ・マスクとし
て機能することが示唆されている。しかし、提案された
これらのシロキサン材料は、作像にきわめて限られた方
法（たとえば電子線や遠紫外線）を必要とし、大部分の
リソグラフィ作像装置や、密着焼付装置及び映写焼付装
置で用いるより波長の長い放射線（たとえば２７００Å
より長い波長）では作像できない。

米国特許第４６０３１９５号明細書には、乾式法、特に
酸素プラズマによる反応性イオン・エッチングに耐え、
同時に高解像度の像を形成することのできる材料が開示
されている。

上記明細書に開示された組成物は、キノンジアジド化合
物と有機シリコン化合物の相互作用によって得られ、ネ
ガティブ・レジスト材料として機能する。

さらに、乾式現像可能なレジストの例が、米国特許第４
４２６２４７号、第４４３３０４４号、第４３５７３６
９号、第４４３０１５３号、第４３０７１７８号、第４
３８９４８２号、第４３９６７０４号明細書に開示され
ている。また、ドイツ特許出願第ＯＳ ３２ １５０８
５号（英語版は英国特許出願第２０９７２４３号）明細
書には、ネガティブ・トーンのプラズマ・レジスト像を
得る方法が提案されている。これは、放射線に露出する
ときに、シリコンを含有するモノマーをホスト皮膜に封
じ込める方法であるが、リリーフ像をプラズマ現像する
前に、取り込まれなかったシリコン含有モノマーを皮膜
から除去する必要がある。

プラズマ現像可能なレジストの最近の例として、米国特
許第４５５２８３３号明細書に、放射線に対する感受性
を有し、酸素プラズマで現像可能なレジストを得る方法
が開示されている。この方法は、マスクされた反応性官
能基を有する重合体皮膜で基板をコーティングし、この
皮膜を、皮膜の露出した領域から反応性官能基のマスク
を除去するような条件で、放射線にイメージ通りに露出
し、露出した皮膜を反応性有機金属試薬で処理した後、
酸素プラズマで処理してリリーフ像を現像するものであ
る。上記の明細書に記載された特定の有機金属試薬は、
トリメチルクロロスタナン、ヘキサメチルジシラザン、
及びトリメチルクロロシランである。

さらに、単一層レジストの上面に作像して２層レジスト
を得る方法が、米国特許出願第６７９５２７号明細書に
記載されており、この方法では、一官能性の有機金属試
薬を使用する。

さらに、米国特許出願第７１３５０９号明細書には、重
合体材料を多官能性有機金属材料と反応させて得た、酸
素プラズマに耐える材料について記載している。この有
機金属材料は、少なくとも２個の官能基を有し、それが
重合体材料の反応基と反応する、重合体材料は、反応性
の水素官能基または反応性の水素官能基前躯体あるいは
その両方を含有する。

有機シリコン化合物を含有する感光性組成物は、米国特
許第４６９３９６０号明細書にも開示されている。

Ｃ．発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、乾式法、特に酸素プラズマによる反応
性イオン・エッチングに耐え、同時に解像度の高い像を
形成することのできる材料を提供することにある。

Ｄ．課題を解決するための手段 本発明の材料は、ポジティブ・レジスト材料であり、ア
ルカリ性溶液を用いて現像することができる。さらに、
本発明の材料は、電子線または遠紫外線（＜３３００
Å）に高感度であるだけでなく、近紫外線（約３３００
ないし約４４００Å）、イオン・ビーム、Ｘ線、中性子
線等、すべての形の作像放射線に対して高感度を有す
る。本発明の組成物はまた、熱に安定である。さらに、
本発明の成分は互いに相溶性であるため、成分の分離が
防止され、均一な組成の皮膜が得られる。

本発明は、下記の成分を含有する組成物に関するもので
ある。

ａ）末端基としてキノンジアゾ基を有する有機シリコン
化合物。

ｂ）フェノール・ノボラック重合体。有機シリコン化合
物とフェノール・ノボラック重合体の合計重量に対し
て、有機シリコン化合物の相対量は約５ないし約５０重
量％であり、フェノール重合体の相対量は約９５ないし
約５０重量％である。

本発明はまた、基板上に上記有機シリコン及びフェノー
ル組成物の層を形成し、この層を所定のパターンで作像
放射線に露出し、露出した層を現像して、基板上に所定
のパターンを残す工程を含む作像方法に関するものであ
る。

Ｅ．実施例 本発明の組成物に使用する有機シリコン化合物は、末端
基としてキノンジアゾ基を含有するものでなければなら
ない。有機シリコン化合物の例には、下記構造式で表さ
れるようなものがある。

式中φはそれぞれキノンジアゾ基を示す。

上式で、Ｒ及びＲ¹は、それぞれ通常シリコンが結合し
た有機基及びシリコンが結合した水素基に関連する基に
よって代表される周知の基である。Ｒ及びＲ¹は、それ
ぞれ水素、一価炭化水素基、ハロゲン化一価炭化水素
基、エポキシ基、メルカプト基、シアノアルキル基から
なる群から選択する。したがって、Ｒ及びＲ¹基は、メ
チル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル等のアルキ
ル基、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル等のアリ
ール基、ベンジル、フェニルエチル等のアラルキル基、
ビニル、アリル、シクロヘキセニル等のオレフィン系不
飽和一価炭化水素基、シクロヘキシル、シクロヘプチル
等のシクロアルキル基、ジクロロプロピル、１，１，１
−トリフルオロプロピル、クロロフェニル、ジブロモフ
ェニル、クロロメチル等のハロゲン化一価炭化水素基、
シアノエチル、シアノプロピル等のシアノアルキル基の
いずれでもよい。Ｒ及びＲ¹で表される基は、炭素原子
が８個未満であることが好ましく、特にメチル基、エチ
ル基、またはフェニル基であることが好ましい。

ｍは、それぞれ１ないし１２の整数で、１ないし３が好
ましく、ｎは、１ないし１０００の整数で、１ないし２
０が好ましい。Ｘは、それぞれ１ないし１００の整数
で、約１０ないし約２０が好ましい。ｂは、１ないし４
の整数、ａは、４−ｂの整数である。

適当なキノンジアゾ基の例には、キノン−１，２−ジア
ゾ基があり、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン系
のものが含まれる。キノンジアゾ基のいくつかの例を以
下に示す。

上式で、ｋは、１ないし３の整数、好ましくは１または
２であり、ｌは０ないし２の整数、好ましくは１または
２である。

Ｒ²は、それぞれ水素または１価の炭化水素基である。

したがって、Ｒ²基は、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、オクチル等のアルキル基、フェニル、トリル、キ
シリル、ナフチル等のアリール基、ベンジル、フェニル
エチル等のアラルキル基、シクロヘキシル、シクロヘプ
チル等のシクロアルキル基のいずれであってもよい。Ｒ
²で表される基は、炭素原子が８個未満のものが好まし
く、特に水素、メチル、エチルまたはフェニル基が好ま
しい。

本発明に使用する適当な有機シリコン化合物の例には、
下記の式で表されるものがある。

他の有機シリコン化合物は、後述の例に示す。

本発明に使用する有機シリコン化合物は周知のものであ
る。さらに、本発明に使用する有機シリコン化合物は、
米国特許第４６０３１９３号明細書に開示された方法で
作成するこができる。たとえば、同明細書の例８を参照
されたい。

本発明に使用するフェノール・ノボラックは、次式で示
される。

上式で、ｎは、０ないし１０００で、好ましくは約２０
ないし約３００、ｘ及びｙは、それぞれ水素、塩素、ア
ルキル基、または水酸基であり、Ｒ²はそれぞれ水素、
塩素、またはアルキル、アリール、アラルキル、アルカ
リール、シクロアルキル等の炭化水素基である。

このフェノールとアルデヒドの重合体は、下記の式を有
するフェノールから生成する。

式中、Ｘ、Ｙ及びＲ²は、上に定義したものと同じであ
る。

エポキシ・ノボラックの生成に適した重合体を生成する
ため、アルデヒド縮合に利用できる、フェノール性水酸
基に対してオルトまたはパラの２つの位置を持つ炭化水
素基置換フェノールには、ｏ−及びｐ−クレゾール、ｏ
−及びｐ−エチルフェノール、ｏ−及びｐ−イソプロピ
ルフェノール、ｏ−及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、ｏ−及びｐ−ｓｅｃ−ブチルフェノール、ｏ−及び
ｐ−アミルフェノール、ｏ−及びｐ−オクチルフェノー
ル、ｏ−及びｐ−ノニルフェノール、２，５−キシレノ
ール、３，４−キシレノール、２，５−ジエチルフェノ
ール、３，４−ジエチルフェノール、２，５−ジイソプ
ロピルフェノール、４−メチルレゾルシン、４−エチル
レゾルシン、４−イソプロピルレゾルシン、４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルレゾルシン、ｏ−及びｐ−ベンジルフェノー
ル、ｏ−及びｐ−フェネチルフェノール、ｏ−及びｐ−
フェニルフェノール、ｏ−及びｐ−トリルフェノール、
ｏ−及びｐ−シクロペンチルフェノール、４−フェネチ
ルレゾルシン、４−トリルレゾルシン、４−シクロヘキ
シルレゾルシンがある。

やはりエポキシ・ノボラックの生成に適したフェノール
・アルデヒド樹脂の製造に使用できる各種の塩素置換フ
ェノール類には、ｏ−及びｐ−クロロフェノール、２，
５−ジクロロフェノール、２，３−ジクロロフェノー
ル、３，４−ジクロロフェノール、２−クロロ−３−メ
チルフェノール、２−クロロ−５−メチルフェノール、
３−クロロ−２−メチルフェノール、５−クロロ−２−
メチルフェノール、３−クロロ−４−メチルフェノー
ル、４−クロロ−３−メチルフェノール、４−クロロ−
３−エチルフェノール、４−クロロ−３−イソプロピル
フェノール、３−クロロ−４−フェニルフェノール、３
−クロロ−４′−クロロフェニルフェノール、３，５−
ジクロロ−４−メチルフェノール、３，５−ジクロロ−
２−メチルフェノール、２，３−ジクロロ−５−メチル
フェノール、２，５−ジクロロ−３−メチルフェノー
ル、３−クロロ−４，５−ジメチルフェノール、４−ク
ロロ−３，５−ジメチルフェノール、２−クロロ−３，
５−ジメチルフェノール、５−クロロ−２，３−ジメチ
ルフェノール、５−クロロ−３，４−ジメチルフェノー
ル、２，３，５−トリクロロフェノール、３，４，５−
トリクロロフェノール、４−クロロレゾルシン、４，５
−ジクロロレゾルシン、４−クロロ−５−メチルレゾル
シン、５−クロロ−４−メチルレゾルシンがある。

アルデヒド縮合に利用できる、フェノール性水酸基に対
してオルト及びパラの２つの位置より多くの位置を有
し、制御された縮合によって使用できるフェノールの例
には、フェノール、ｍ−クレゾール、３，５−キシレノ
ール、ｍ−エチルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノ
ール、ｍ，ｍ′−ジエチルフェノール、ｍ，ｍ′−ジイ
ソプロピルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｍ−ア
ミルフェノール、ｍ−オクチルフェノール、ｍ−ノニル
フェノール、レゾルシン、５−メチルレゾルシン、５−
エチルレゾルシンがある。

縮合剤としては、使用するフェノールと縮合するもので
あればどんなアルデヒドでもよく、ホルムアルデヒド、
アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアル
デヒド、ヘプトアルデヒド、シクロヘキサノン、メチル
シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ベンズアルデヒ
ド、及びトルアルデヒド、ナフトアルデヒド、フルフラ
ール、グリオキサール、アクロレイン等の核アルキル置
換ベンズアルデヒド類、または、パラホルムアルデヒ
ド、ヘキサメチレンテトラミン等のアルデヒドを生成す
る化合物が含まれる。これらのアルデヒド類は、市販の
ホルマリンなど、溶液の形でも使用することができる。

組成物のノボラック成分は、市販のノボラック・ポジテ
ィブ・レジストに使用されるジアゾケトン等の感光剤と
することができる。たとえば、シップレイＡＺ−１３５
０は、約１５％の２−ジアゾ−１−ナフトール−５−ス
ルホン酸エステルを含むｍ−クレゾール・ホルムアルデ
ヒド・ノボラック重合体である。

有機シリコン化合物の相対量は、通常約５ないし約５０
重量％、好ましくは約１０ないし約３０重量％であり、
フェノール・ノボラック重合体の相対量は、約９５ない
し約５０重量％、好ましくは約９０ないし約７０重量％
である。これらの相対量は、組成物中の有機シリコン化
合物とフェノール・ノボラックとの合計重量に対するも
のである。

さらに、本発明の化合物は、溶剤、充填剤、可塑剤等の
従来の添加剤と混合することができる。

本発明の組成物に適した溶剤には、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、エチレングリコール
やプロピレングリコールなどのエステル類及びその誘導
体、たとえば酢酸セロソルブ（エチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート）を含むセロソルブ溶剤、テ
トロヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリジノン、酢酸アミ
ル等がある。

溶剤を使用する場合は、一般に組成物の固形分１００重
量部に対して、約１００ないし約５００重量部とする。

本発明の組成物をリソグラフィ材料として使用する際に
は、所要の基板に、スプレイ・コーティング、スピン・
コーティング、ディップ・コーティングその他周知のコ
ーティング方法により、約１５００Åないし約２５μの
厚みの皮膜を形成する。適当な基板には、半導体デバイ
スや集積回路の製造に使用されるもの、たとえば、酸化
物及び窒化物（拡散マスク及びパッシベーション用の酸
化シリコンまたは窒化シリコン）、または半導体チップ
上に接点及び導体パターンを形成するメタライゼーショ
ン・ステップで通常使用する金属をコーティングしたウ
ェハやチップが含まれる。

さらに、本発明の材料は、セラミック基板などチップ・
キャリアとして使用される基板、特に多層セラミック・
デバイスとともに使用することができる。また、熱可塑
性または熱硬化性重合体の誘電体基板も含まれる。代表
的な熱硬化性重合体材料には、エポキシ樹脂、フェノー
ル系樹脂、ポリアミド、ポリイミドがある。誘電体材料
は、ガラス充填エポキシ、またはフェノール系樹脂等、
充填剤または強化剤を含む重合体の成型品とすることが
できる。フェノール系樹脂には、フェノール、レゾルシ
ン、及びクレゾールの共重合体が含まれる。適当な熱可
塑性重合体の例には、ポリプロピレン等のポリオレフィ
ン類、ポリスルホン、ポリカーボネート、ニトリル・ゴ
ム、ＡＢＳ重合体がある。

本発明の組成物は、基板上に所要の厚さにコーティング
した後、近紫外線、中紫外線、遠紫外線を含む紫外線、
Ｘ線、中性子線、電子線等の作像放射線に露出する。

本発明の組成物は、水酸化カリウム、または水酸化テト
ラメチルアンモニウムのアルコール溶液等のアルカリ性
水溶液に、露出部分を接触させることによって現像する
ことがきる。

上記のように使用すると、この組成物は、プラズマ・エ
ッチングの条件に耐えるため、下層の基板のプラズマ・
エッチングに使用することができる。たとえば、本発明
の組成物は、酸素プラズマ中の反応性イオン・エッチン
グに耐え、毎分約１０ないし約３０Å程度しかエッチン
グされない。これは、下層のポリイミド等の基板が毎分
約５００ないし約１０００Åの速度でエッチングされる
のに比べてきわめて少ない。

下記の例は、非限定的なもので、本発明をさらに詳細に
説明するためのものである。

例１ 基板上に、下記の式のオリゴマー約２０重量部と、 シップレイＡＺ１３５０約２０重量部を、酢酸セロソル
ブとキシレンの４：１の混合物約１２０重量部に溶解し
たものを含有する組成物をコーティングする。乾燥後の
コーティングの厚さは約３０００Åである。この材料を
波長約４０４７Åの近紫外線に露出する。露出した材料
は、１０％ＫＯＨ水溶液または水酸化テトラメチルアン
モニウムの１０％アルコール溶液等の塩基性溶液で現像
して除去する。

この材料は酸素プラズマ中でのエッチ速度は、圧力１０
トルで、毎分約２５Åである。

例２ 有機シリコン化合物が下記の式で表されるものであり、 フェノール樹脂がバーカム・レジン（Varcum Resin）の
商品名で市販されている、分子量が約９０００のクレゾ
ール・ホルムアルデヒド・ノボラックである以外は、例
１と同様にしてコーティングを行なう。

例３ 有機シリコン化合物が下記の式で表されるものであり、 フェノール樹脂がバーカム・レジンの商品名で市販され
ている、分子量が約９０００のクレゾール・ホルムアル
デヒド・ノボラックである以外は、例１と同様にしてコ
ーティングを行なう。

例４ 有機シリコン化合物が下記の式で表されるものであり、 フェノール樹脂がバーカム・レジンの商品名で市販され
ている、分子量が約９０００のクレゾール・ホルムアル
デヒド・ノボラックである以外は、例１と同様にしてコ
ーティングを行なう。

例５ 有機シリコン化合物が下記の式で表されるものであり、 フェノール樹脂がバーカム・レジンの商品名で市販され
ている、分子量が約９０００のクレゾール・ホルムアル
デヒド・ノボラックである以外は、例１と同様にしてコ
ーティングを行なう。

例６ 有機シリコン化合物が下記の式で表されるものであり、 フェノール樹脂がバーカム・レジンの商品名で市販され
ている、分子量が約９０００のクレゾール・ホルムアル
デヒド・ノボラックである以外は、例１と同様にしてコ
ーティングを行なう。

例７ 有機シリコン化合物が下記の式で表されるものであり、 フェノール樹脂がバーカム・レジンの商品名で市販され
ている、分子量が約９０００のクレゾール・ホルムアル
デヒド・ノボラックである以外は、例１と同様にしてコ
ーティングを行なう。

Ｆ．発明の効果 以上述べたように、本発明によれば、乾式処理方法、特
に酸素プラズマ中での反応性イオン・エッチングに耐
え、同時に、高解像度の像を得ることのできる材料が得
られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジユリー・ロストイスラブ・パラツザツク アメリカ合衆国ニユーヨーク州プレゼント ヴイレ、マツプル・ヒル45番地 (72)発明者 ジエーン・マーガレツト・シヤー アメリカ合衆国コネチカツト州リツヂフイ ールド、ウイルトン・ロード・ウエスト 336番地 (72)発明者 デヴイド・フランク・ウイツトマン アメリカ合衆国ニユーヨーク州プレゼント ヴイレ、サンミツト75番地 (56)参考文献 特開 昭62−269947（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−161336（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−222254（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】耐酸素含有プラズマでアルカリ現像可能な
   ポジティブ・フォトレジストであって、 (A)末端基としてキノン・ジアゾ基を有する放射線感応
   性有機シリコン化合物で、構造式 （ここで、φはキノンジアゾ基、ｍは１乃至１２の整
   数、ｎは１乃至１０００の整数、ｘは１乃至１００の整
   数、ｂは１乃至４の整数、ａは４−ｂの整数、Ｒ及びＲ
   ¹はそれぞれ水素、一価炭化水素基、ハロゲン化一価炭
   化水素基、エポキシ基、メルカプト基、シアノアルキル
   基からなる群から選択される）によって表される化合物
   の群から選択される化合物と、 (B)フェノール・ノボラック重合体と、 を含み、 ＡとＢとの合計重量に対して、Ａの相対量が約５％乃至
   約５０％であり、Ｂの相対量が約９５％乃至約５０％で
   ある、前記ポジティブ・フォトレジスト。