JPH065493A - 位置合わせ方法 - Google Patents
位置合わせ方法Info
- Publication number
- JPH065493A JPH065493A JP4108206A JP10820692A JPH065493A JP H065493 A JPH065493 A JP H065493A JP 4108206 A JP4108206 A JP 4108206A JP 10820692 A JP10820692 A JP 10820692A JP H065493 A JPH065493 A JP H065493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main scale
- alignment mark
- scale
- vernier
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光時のマスクとウエハ間の位置合わせ方法
に関し，位置合わせマーク使用後の層間絶縁膜のエッチ
ング残の飛散を防止して，デバイスの信頼性と製造歩留
の向上を目的とする。 【構成】 ウエハ１上に形成された主尺２とマスク４上
に形成された副尺５とからなる位置合わせマークを用
い，ウエハ上に置かれたマスクの上から光を照射しなが
ら位置合わせマーク上を走査し，光の反射位置を波形の
高さとして検出する位置合わせ方法において，該位置合
わせマークの形状は，該副尺を該主尺に重ね合わせたと
きに該副尺が該主尺の周縁を覆うように形成され，該副
尺上と該主尺上の該波形の高さの差を検出して行うよう
に構成する。
に関し，位置合わせマーク使用後の層間絶縁膜のエッチ
ング残の飛散を防止して，デバイスの信頼性と製造歩留
の向上を目的とする。 【構成】 ウエハ１上に形成された主尺２とマスク４上
に形成された副尺５とからなる位置合わせマークを用
い，ウエハ上に置かれたマスクの上から光を照射しなが
ら位置合わせマーク上を走査し，光の反射位置を波形の
高さとして検出する位置合わせ方法において，該位置合
わせマークの形状は，該副尺を該主尺に重ね合わせたと
きに該副尺が該主尺の周縁を覆うように形成され，該副
尺上と該主尺上の該波形の高さの差を検出して行うよう
に構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造工程
における露光時のマスクとウエハ間の位置合わせ方法に
関する。
における露光時のマスクとウエハ間の位置合わせ方法に
関する。
【０００２】近年，投影露光等においてミラープロジェ
クションアライナ等を使用して自動位置合わせが行われ
ている。この際，露光後に位置合わせマーク近傍に残る
層間絶縁膜のエッチング残の半導体チップ上への飛散に
よる障害発生を防止することが必要である。
クションアライナ等を使用して自動位置合わせが行われ
ている。この際，露光後に位置合わせマーク近傍に残る
層間絶縁膜のエッチング残の半導体チップ上への飛散に
よる障害発生を防止することが必要である。
【０００３】
【従来の技術】図４(A),(B) は従来例を説明する断面図
で，従来の位置合わせマークを用いた位置合わせ方法を
説明する図である。
で，従来の位置合わせマークを用いた位置合わせ方法を
説明する図である。
【０００４】図４(A) は露光前の位置合わせ時の断面図
で，１はウエハ，２は主尺でウエハ上の位置合わせマー
ク，３は層間絶縁膜で，例えば気相成長(CVD) による二
酸化シリコン(SiO2)膜，４はマスク基板，５は副尺でマ
スク基板上の位置合わせマークである。なお，露光前は
層間絶縁膜上には当然レジスト膜が塗布されているが図
では省略する。
で，１はウエハ，２は主尺でウエハ上の位置合わせマー
ク，３は層間絶縁膜で，例えば気相成長(CVD) による二
酸化シリコン(SiO2)膜，４はマスク基板，５は副尺でマ
スク基板上の位置合わせマークである。なお，露光前は
層間絶縁膜上には当然レジスト膜が塗布されているが図
では省略する。
【０００５】位置合わせは，マスクの上から光を照射し
ながら位置合わせマーク上を走査し，光の反射位置を波
形の高さとして検出し，主尺と副尺の間隔α１とα２が
等しくなるようにして行う。
ながら位置合わせマーク上を走査し，光の反射位置を波
形の高さとして検出し，主尺と副尺の間隔α１とα２が
等しくなるようにして行う。
【０００６】図４(B) において，露光後レジスト膜をマ
スクにして層間絶縁膜３をエッチングすると，副尺５で
遮光された領域の層間絶縁膜3Aが残る。図５(A) 〜(C)
は従来の位置合わせマークの平面図である。
スクにして層間絶縁膜３をエッチングすると，副尺５で
遮光された領域の層間絶縁膜3Aが残る。図５(A) 〜(C)
は従来の位置合わせマークの平面図である。
【０００７】図５(A) は主尺（親マーク），図５(B) は
副尺（子マーク），図５(C) は重ね合わせたマークであ
る。
副尺（子マーク），図５(C) は重ね合わせたマークであ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の位置合わせマー
クをを用いると，層間絶縁膜３をエッチングする際主尺
の側面に層間絶縁膜のエッチング残3Bが残る。このた
め，エッチング残3Bが製造プロセス中に半導体チップ上
に飛び散りデバイスの信頼性と製造歩留の低下の原因と
なっていた。
クをを用いると，層間絶縁膜３をエッチングする際主尺
の側面に層間絶縁膜のエッチング残3Bが残る。このた
め，エッチング残3Bが製造プロセス中に半導体チップ上
に飛び散りデバイスの信頼性と製造歩留の低下の原因と
なっていた。
【０００９】本発明は位置合わせマーク使用後の層間絶
縁膜のエッチング残の飛散を防止して，デバイスの信頼
性と製造歩留の向上を目的とする。
縁膜のエッチング残の飛散を防止して，デバイスの信頼
性と製造歩留の向上を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，ウエ
ハ１上に形成された主尺２とマスク４上に形成された副
尺５とからなる位置合わせマークを用い，ウエハ上に置
かれたマスクの上から光を照射しながら位置合わせマー
ク上を走査し，光の反射位置を波形の高さとして検出す
る位置合わせ方法において，該位置合わせマークの形状
は，該副尺を該主尺に重ね合わせたときに該副尺が該主
尺の周縁を覆うように形成され，該副尺上と該主尺上の
該波形の高さの差を検出して行う位置合わせ方法により
達成される。
ハ１上に形成された主尺２とマスク４上に形成された副
尺５とからなる位置合わせマークを用い，ウエハ上に置
かれたマスクの上から光を照射しながら位置合わせマー
ク上を走査し，光の反射位置を波形の高さとして検出す
る位置合わせ方法において，該位置合わせマークの形状
は，該副尺を該主尺に重ね合わせたときに該副尺が該主
尺の周縁を覆うように形成され，該副尺上と該主尺上の
該波形の高さの差を検出して行う位置合わせ方法により
達成される。
【００１１】
【作用】図１(A),(B) は本発明の原理説明図である。図
１(A) は露光前の位置合わせ時の断面図で，１はウエ
ハ，２は主尺でウエハ上の位置合わせマーク，３は層間
絶縁膜，４はマスク基板，５は副尺でマスク基板上の位
置合わせマークである。なお，この図でも層間絶縁膜上
には当然レジスト膜が塗布されているが省略する。
１(A) は露光前の位置合わせ時の断面図で，１はウエ
ハ，２は主尺でウエハ上の位置合わせマーク，３は層間
絶縁膜，４はマスク基板，５は副尺でマスク基板上の位
置合わせマークである。なお，この図でも層間絶縁膜上
には当然レジスト膜が塗布されているが省略する。
【００１２】ここで，位置合わせマークの形状は副尺５
は主尺に重ね合わせたとき，主尺の周縁を覆うように形
成する。図１(B) において，露光後レジスト膜をマスク
にして層間絶縁膜３をエッチングすると，副尺５で遮光
された主尺周辺領域の層間絶縁膜がカバーパターン3Aと
して残る。
は主尺に重ね合わせたとき，主尺の周縁を覆うように形
成する。図１(B) において，露光後レジスト膜をマスク
にして層間絶縁膜３をエッチングすると，副尺５で遮光
された主尺周辺領域の層間絶縁膜がカバーパターン3Aと
して残る。
【００１３】実施例のカバーパターン3Aは従来例のエッ
チング残3Bよりも大きく且つ主尺の周辺を覆って形成さ
れているので, 剥離して飛散することはない。本発明の
位置合わせマークを用いると，図４に示される従来例の
ような位置合わせはできないが，主尺上と副尺上の波形
の高さの差βを用いて，主尺と副尺が重なり合っている
かをみる。このとき，副尺の幅を露光しようとする層の
必要精度に合わせる（図３参照）。また，副尺の幅を露
光しようとする層の必要精度ごとに変化させておけば，
副尺から主尺がはみ出さなければ必要精度内で位置合わ
せすることができる。
チング残3Bよりも大きく且つ主尺の周辺を覆って形成さ
れているので, 剥離して飛散することはない。本発明の
位置合わせマークを用いると，図４に示される従来例の
ような位置合わせはできないが，主尺上と副尺上の波形
の高さの差βを用いて，主尺と副尺が重なり合っている
かをみる。このとき，副尺の幅を露光しようとする層の
必要精度に合わせる（図３参照）。また，副尺の幅を露
光しようとする層の必要精度ごとに変化させておけば，
副尺から主尺がはみ出さなければ必要精度内で位置合わ
せすることができる。
【００１４】図２(A) 〜(C) は本発明の位置合わせマー
クの平面図である。図２(A) は主尺（親マーク），図２
(B) は副尺（子マーク），図２(C) は重ね合わせたマー
クである。
クの平面図である。図２(A) は主尺（親マーク），図２
(B) は副尺（子マーク），図２(C) は重ね合わせたマー
クである。
【００１５】
【実施例】図３(A) 〜(D) は本発明の実施例を説明する
断面図である。図３(A) は副尺５の幅を１μｍに作成し
たときに，主尺２が正確な位置にある場合の図である。
断面図である。図３(A) は副尺５の幅を１μｍに作成し
たときに，主尺２が正確な位置にある場合の図である。
【００１６】図３(B) は図３(A) の位置から主尺が右に
0.5μｍ以上ずれた場合は, 波形にγ１の部分ができる
ので, 主尺が右に0.5 μｍ以上ずれたことが分かる。図
３(C) は図３(A) の位置から主尺が左に 0.5μｍ以上ず
れた場合は, 波形にγ２の部分が現れるるので, 主尺が
左に0.5 μｍ以上ずれたことが分かる。
0.5μｍ以上ずれた場合は, 波形にγ１の部分ができる
ので, 主尺が右に0.5 μｍ以上ずれたことが分かる。図
３(C) は図３(A) の位置から主尺が左に 0.5μｍ以上ず
れた場合は, 波形にγ２の部分が現れるるので, 主尺が
左に0.5 μｍ以上ずれたことが分かる。
【００１７】このようにすると, 副尺が主尺をカバーす
る位置合わせマークを用いても正常に位置合わせができ
る。しかし，図３(D) のように図３(A) の位置から主尺
が左または右にちょうど0.5μｍずれた場合は波形のく
ずれγは現れないが，主尺を左右に振ってみて波形がく
ずれてγを出現させ，その振りを漸減させていくアルゴ
リズムにより位置合わせは可能となる。
る位置合わせマークを用いても正常に位置合わせができ
る。しかし，図３(D) のように図３(A) の位置から主尺
が左または右にちょうど0.5μｍずれた場合は波形のく
ずれγは現れないが，主尺を左右に振ってみて波形がく
ずれてγを出現させ，その振りを漸減させていくアルゴ
リズムにより位置合わせは可能となる。
【００１８】実施例ではエッチング残（カバー，または
副尺）の幅を１μｍとしたが，これを必要精度に応じて
変化させることにより，所望精度の位置合わせができ
る。
副尺）の幅を１μｍとしたが，これを必要精度に応じて
変化させることにより，所望精度の位置合わせができ
る。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば，位置合わせマーク使用
後の層間絶縁膜のエッチング残の飛散を防止でき，デバ
イスの信頼性と製造歩留の向上に寄与することができ
た。
後の層間絶縁膜のエッチング残の飛散を防止でき，デバ
イスの信頼性と製造歩留の向上に寄与することができ
た。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の位置合わせマークの平面図
【図３】 本発明の実施例を説明する断面図
【図４】 従来例を説明する断面図
【図５】 従来の位置合わせマークの平面図
１ ウエハ ２ 主尺でウエハ上の位置合わせマーク ３ 層間絶縁膜 3A 層間絶縁膜のカバーパターン 3B 層間絶縁膜のエッチング残 ４ マスク基板 ５ 副尺でマスク基板上の位置合わせマーク
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハ(1) 上に形成された主尺(2) とマ
スク(4）上に形成された副尺(5) とからなる位置合わせ
マークを用い，ウエハ上に置かれたマスクの上から光を
照射しながら位置合わせマーク上を走査し，光の反射位
置を波形の高さとして検出する位置合わせ方法におい
て，該位置合わせマークの形状は，該副尺を該主尺に重
ね合わせたときに該副尺が該主尺の周縁を覆うように形
成され，該副尺上と該主尺上の該波形の高さの差を検出
して行うことを特徴とする位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4108206A JPH065493A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4108206A JPH065493A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065493A true JPH065493A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=14478713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4108206A Withdrawn JPH065493A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065493A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100587638B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2006-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 오버레이 버니어 및 그를 이용한 오버레이 측정 방법 |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP4108206A patent/JPH065493A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100587638B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2006-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 오버레이 버니어 및 그를 이용한 오버레이 측정 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |