JPH0653292A - 半導体装置及びその検査方法 - Google Patents

半導体装置及びその検査方法

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JPH0653292A
JPH0653292A JP4205277A JP20527792A JPH0653292A JP H0653292 A JPH0653292 A JP H0653292A JP 4205277 A JP4205277 A JP 4205277A JP 20527792 A JP20527792 A JP 20527792A JP H0653292 A JPH0653292 A JP H0653292A
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JP
Japan
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semiconductor device
terminal
semiconductor
power supply
defective
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JP4205277A
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Inventor
Kazunori Ide
和憲 井手
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Sony Corp
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】半導体装置の良否を、インク剤によらず、目
視、または光学的手段で判別できるようにする。 【構成】半導体集積回路(IC)4の1単位毎の入出力
端子に、そのIC4の動作チェック用回路3Aを設け、
この動作チェック用回路3Aの電源端子5及び入出力端
子7aのそれぞれに、前記本来のIC4の動作電圧及び
テスト信号を印加し、前記IC4が異常である場合に、
前記動作チェック用回路3Aの電源端子5に過大な電圧
を印加して、破壊する。 【効果】前記過大な電圧を印加することにより、その動
作チェック用回路3Aに変化を与え、半導体装置1の表
面が焼損して変色するので、不良の半導体装置1を目
視、光学的手段或いは電気的手段で検出することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、本来の半導体集積回
路(以下、単に「IC」と記す)が正常に動作するか否
かを電気的にチェックし、異常である場合には、その本
来の半導体集積回路部を備えた半導体装置の一部を電気
的に処理し、外観を変色させて、良否を判別するように
した半導体装置及びその検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来技術のICチップの良品、不良品の
検査方法は、次のような方法で行われている。即ち、
【0003】1.半導体ウエハの表面に所定の配列で形
成されたICチップをプローバなどで測定後、不良品の
ICチップにはその表面にインク剤などを塗布して、そ
の後の工程で、ICチップの表面にインク剤が存在する
か否かで良品、不良品を選別する方法
【0004】2.半導体ウエハの表面に所定の配列で形
成されたICチップをプローバなどで測定後、それらの
ICチップの良否の情報を、例えば、フロッピーディス
クやハードディスクなどの通信メディアに記録し、その
後工程で、前記通信メディアを基に良品のみを選別、取
り出して半導体装置を組み立てる方法
【0005】3.組立後の測定で、測定装置とそのプロ
グラムにより、人手またはオートハンドラーなど選別機
能を備えた装置でICチップを選別する方法
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の各検査
方法には、それぞれ次のような欠点がある。即ち、 1.前記1項に記載の方法では、インク剤などが隣接の
良品であるICチップに付着する場合があり、そのよう
なICチップもやはり不良品として選別されてしまうこ
とや、例えば、CCDやリニアセンサーのような半導体
装置の場合には、微小なインク剤のダストが飛び散っ
て、近辺のICチップの表面に付着すると、そのダスト
が組立後の測定で検出され、その組立品が不良となるこ
とがある。
【0007】2.前記2項に記載の方法では、通信メデ
ィアにエラーが発生する場合があり、そのような通信メ
ディアにより自動組立を行う場合や、入手した通信メデ
ィアを基に人手で組立を行う場合に、選別のミスが生じ
ることがあること
【0008】3.前記3項に記載の方法では、選別の時
か選別後、良品、不良品を誤って逆にすることがあるこ
と、また半導体ウエハの表面での測定で不良品と判別さ
れたICチップを組み立てても、組立後の検査では半導
体ウエハの表面での不良項目まで測定しないと、良不良
が選別できないこと従って、この発明は前記諸問題を解
決することを課題とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】そのため、この発明で
は、ICの1単位毎の入出力端子に、そのICの動作チ
ェック用回路を設け、この動作チェック用回路の電源端
子及び入出力端子のそれぞれに、前記本来のICの動作
電圧及びテスト信号を印加し、前記ICが異常である場
合に、前記動作チェック用回路の電源端子に過大な電圧
を印加して、前記動作チェック用回路部を破壊するよう
にした。
【0010】
【作用】従って、この発明によれば、前記動作チェック
用回路部は前記ICに何ら電気的悪影響を与えず、しか
も前記過大な電圧を印加すると、その半導体装置の動作
チェック用回路部に変化を与え、その表面が焼損して変
色するので、不良の半導体装置を目視や光学的手段、或
いは電気的手段で検出することができる。
【0011】
【実施例】先ず、この発明の半導体装置を図1を用いて
説明する。図1はこの発明の半導体装置の概念的平面図
である。符号1はこの発明の半導体装置を示している。
この半導体装置1は、IC(本来の半導体集積回路)部
2とこの半導体装置1の特徴とする動作チェック用回路
部3とから構成されている。この半導体装置1は、複数
の、このような半導体装置1が所定の配列で形成された
半導体ウエハ(図示していない)の、その単一の半導体
装置1を、その半導体ウエハから取り出して示したもの
である。
【0012】このIC4は、共通の電源端子5と共通の
アース端子6と複数の信号入出力端子7a、7b・・・
7nとを備えている。これらの各端子は説明の便宜上図
示したのであって、実際には半導体装置1の表面には現
れているものではないことは言うまでもない。
【0013】この発明では、前記共通の電源端子5と前
記共通のアース端子6に、前記動作チェック用回路部3
の主要構成要素であるNPN型トランジスタ(以下、単
に「トランジスタ」と記す)8をIC4に対して並列に
接続した。即ち、このトランジスタ8のコレクター8c
を前記電源端子5に、エミッター8eを前記アース端子
6に接続し、そして、ベース8bを信号入出力端子7a
に接続した。そして更に、そのトランジスタ8のコレク
ター8cと前記電源端子5との間に、その電源端子5に
対して逆極性でダイオード9を接続し、ベース8bに対
しては、そのベース8bと信号入出力端子7aとの間に
順極性でダイオード10を接続した。
【0014】前記共通の電源端子5と、前記共通のアー
ス端子6と、複数の信号入出力端子7a、7b、7nは
それぞれ共通の電源電極5Aと、共通のアース電極6A
と、複数の信号入出力端子7aA、7bA・・・7nA
に接続されていて、これらの各電極は、この半導体装置
1の基板の表面に露出するようにして形成したものであ
る。
【0015】以上の例示では、1個の信号入出力端子7
aについて、1個のトランジスタ8が接続されている所
だけ示したが、このようなトランジスタ8からなる動作
チェック用回路3Aが、同様の接続で他の各信号入出力
端子7b・・・7nにも形成されている。即ち、その各
コレクター8cはダイオード9を介して前記共通の電源
端子5に、各エミッター8eは前記アース端子6に、そ
して各ベース8bはダイオード10を介して各信号入出
力端子7b・・・7nに接続する。
【0016】前記のように、このような1単位の半導体
装置1が複数個、所定の配列で一枚の半導体ウエハに形
成される。そのような状態にある各半導体装置1が正常
に動作するか否かを検査する方法を次に説明する。
【0017】先ず、所定のプログラムに基づき、プロー
バ(図示していない)を或る半導体装置1の表面に持ち
来し、電源電極5Aに、例えば、5Vの直流電圧を印加
し、アース電極6Aを0Vとして、IC部2を動作させ
る。そして、信号入出力電極7aAにテスト信号を印加
する。このような作動を半導体装置1の他の全ての信号
入出力電極7bA・・・7nAで構成されたIC4につ
いて行う。
【0018】そして、或る信号入出力電極のIC4が正
常に動作しなかった場合には、前記電源電極5Aに、過
大な電圧、例えば、20Vの直流電圧を印加して、その
トランジスタ8を焼損させ、オープンにする。このよう
な動作チェックの作業をその半導体ウエハに形成された
全半導体装置1に付いて行う。正常に動作するIC4に
ついては、前記動作チェック用回路3Aはそのままにし
ておく。それはその動作チェック用回路3AがそのIC
4の信号入出力端子7aに対して逆極性に接続されてい
るので、IC4に電気的悪影響を及ぼすことがないから
である。
【0019】全数検査が終了すると、このように焼損し
たトランジスタ8の部分の半導体装置の表面が変色する
ので、不良の半導体装置を目視或いは光学的手段で検出
することができる。従って、その半導体ウエハから良品
の半導体装置1だけを取り出して、次の組立工程に搬送
することができる。
【0020】次に、本来ならば前記半導体ウエハから取
り出されてはならない不良品の半導体装置1が誤って次
工程に取り出されて、リードフレーム(図示していな
い)に搭載され、パッケージされて組み立てられる場合
が考えられる。このように組み立てられた半導体装置1
を半導体装置1Aとし、図2を用いて、その検査方法を
説明する。図1に示した半導体装置1と同一の部分には
同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【0021】図2において、符号11a、11b、11
c・・・11nはリードフレームのアウターリードを指
す。前記電源電極5Aはアウターリード11aに、前記
信号入出力端子7aはアウターリード11bに、そして
前記アース電極6Aはアウターリード11nにそれぞれ
ワイヤ12で接続されている。そして、図示していない
が、これらIC部2や動作チェック用回路部3は、例え
ば、エポキシ樹脂などでモールドされているものであ
る。
【0022】符号20は全体としてテスターを示す。図
では簡略化して描いてあるが、このテスター20は所定
の電圧、前記実施例では5Vの電圧を供給する電源供給
端子21と、テスト信号を供給するテスト信号供給端子
22と、そしてアース端子23を有し、このアース端子
23にはリレー24と、例えば、100KΩの抵抗25
との直列回路が接続されていて、前記抵抗25の他端が
アースされている。また、前記リレー24と抵抗25と
の接続点とアース間には、ボルトメータ26が接続され
て構成されている。
【0023】このようなテスター20を図2に示したよ
うに、その電源供給端子21を半導体装置1Aのアウタ
ーリード11aに、テスト信号供給端子22をアウター
リード11bに、そしてアース端子23をアウターリー
ド11nに接続する。
【0024】そして、前記電源供給端子21の入力端2
1aから、例えば、5Vの電圧をIC4の電源回路に、
前記テスト信号供給端子22の入力端子22bから、例
えば、5Vのテスト信号をIC4の信号入出力端子7a
に供給する。そしてリレー24をオンの状態にする。
【0025】この状態で、前記ボルトメータ26が所定
の値、例えば、前記の電圧値では2V以上を指示する
と、この信号入出力端子7aに続くIC4は正常である
ことが判り、もし、ボルトメータ26が指す電圧値が低
い場合、例えば、前記の電圧値では2V以下の場合は、
そのIC4が異常であることが判る。
【0026】従って、前者の場合には、前記テスト信号
供給端子22を半導体装置1Aの次のアウターリード1
1c・・・11n-1 、即ち、次の信号入出力端子7b
・・・7nに順次接続してIC4を検査する。そして、
もし、前記後者の場合のように、ボルトメータ26が異
常値を示せば、その半導体装置1Aを不良品としてはね
る。このような検査を各半導体装置1Aについて行え
ば、不良品が誤って出荷されることがない。
【0027】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明によれ
ば、次のような優れた効果がある。 1.半導体ウエハの状態にある半導体装置1を検査する
場合 1)目視、或いは光学的に良品、不良品の判定ができ
る。 2)インク剤による良品、不良品の判定ではないため、
隣接の半導体装置1に誤ってインク剤を付着して不良品
を作ることがない。 3)通信メディアによるミスも実物の半導体ウエハと照
合した時点で防ぐことができる。 4)前記1)の効果により、人手による組立の際、半導
体装置の表面の外観チェックで、良品のみを組み立てる
ことが可能で、ミスの防止と工数の削減ができる。 2.パッケージ後の半導体装置1Aを検査する場合 1)組立後の測定開始直後に半導体装置1の状態で不良
であったか否かをチェックできるので、時間のロスを削
減できる。 2)CCDやリニアセンサなど、表面が確認できる半導
体装置の場合、良品、不良品の分類ミスがあっても、直
ちに確認できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の半導体装置の概念的平面図である。
【図2】この発明の半導体装置の組立後のテスターによ
る検査方法を説明するための概念的平面図である。
【符号の説明】
1 半導体装置 1A 半導体装置 2 半導体集積回路(IC)部 3 動作チェック用回路部 3A 動作チェック用回路 4 半導体集積回路(IC) 5 電源端子 5A 電源電極 6 アース端子 6A アース電極 7a 信号入出力端子 7b 信号入出力端子 7n 信号入出力端子 7aA 信号入出力電極 7bA 信号入出力電極 7nA 信号入出力電極 8 NPN型トランジスタ 9 ダイオード 10 ダイオード 11a アウターリード 11b アウターリード 11c アウターリード 11n アウターリード 12 ワイヤ 20 テスター 21 電源供給端子 22 テスト信号供給端子 23 アース端子 24 リレー 25 抵抗 26 ボルトメータ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】1単位の本来の半導体集積回路部の入出力
    端子に動作チェック用回路部を設けたことを特徴とする
    半導体装置。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の動作チェック用回路部の
    電源端子及び入出力端子のそれぞれに、前記本来の半導
    体集積回路部の動作電圧及びテスト信号を印加し、前記
    本来の半導体集積回路部が異常である場合に、前記動作
    チェック用回路部の電源端子に過大の電圧を印加して、
    前記動作チェック用回路部を破壊することを特徴とする
    半導体装置の検査方法。
  3. 【請求項3】請求項1に記載の半導体装置が所定の配列
    で形成された半導体ウエハの表面で、プローバーを用
    い、請求項2に記載の検査方法により自動的に順次前記
    動作チェックを行うことを特徴とする半導体装置の検査
    方法。
  4. 【請求項4】請求項3に記載の半導体ウエハから取り出
    した個々の半導体装置を、テスターを用い、請求項2に
    記載の検査方法により前記動作チェックを行うことを特
    徴とする半導体装置の検査方法。
JP4205277A 1992-07-31 1992-07-31 半導体装置及びその検査方法 Pending JPH0653292A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5994715A (en) * 1995-01-25 1999-11-30 Sony Corporation Semiconductor device and method for discriminating bad semiconductor devices from good ones
US6211689B1 (en) 1998-01-14 2001-04-03 Nec Corporation Method for testing semiconductor device and semiconductor device with transistor circuit for marking
US7233161B2 (en) 2002-12-14 2007-06-19 Infineon Technologies Ag Integrated circuit and associated packaged integrated circuit having an integrated marking apparatus

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