JPH06511567A - 薄膜光変調装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 薄膜光変調装置 発明の背景 空間光変調器（Ｓ　Ｌ　Ｍ　ｓ　）は、数多（の潜在的な技術的用途、たとえば 、多重スペクトル赤外線標的シミュレーション、映写テレビジョン装置、光学コ ンビコータ装置などの用途を持つ。１９８６年に最初にＰｒｅｓｔｏｎによって 導入されたの１よ変形可能薄膜ミラ一式光変調器（ＭＬＭｓ）であり、これ＋１ 光変調要素として反射率の高い薄膜を包含しており、適応制御光学用途、映写型 ディスプレイ用途の両方のための良好な候補として応用光学の分野で関心が高ま っている。二次元変形可能薄膜ミラーをアドレス指定する手段は、電子ビーム式 アドレス指定、光学アドレス指定、集積回路を経ての電気式アドレス指定など種 々のものが提示されてきた。これらの装置（ま開発状部を超えて向上することが なかった。それ故、販売市場に出回ったＭ　Ｌ　Ｍ　ｓはない。直接的なビデオ ・アドレス指定の先触像度および便宜性によるディスプレイ用途にとっては電子 ビーム・アドレス法が好ましい。しかしな力（ら、反射ミラーから電子ビーム干 渉領域をデカップルする適当な基板の開発が欠けていた。この問題を解決する１ つの方法（よ、構造の一体性およびミラー要素への電気信号移動を得る手段とし て電荷移動プレート（ＣＴＰ）を導入することである。この方法は多数の分解能 領域、高コントラストおよび低電圧動作を備えた装置を提供することによって技 術現状を向上させた（米国特許第４．７９４．２９６号参照）。

このような装置は上記米国特許第４．７９４．２９６号の第１８図に示されてお り、その第１５１１１１第２１〜３８行により詳しく記載されている。電荷移動 プレートは二次元の電場を発生し、この電場が金属化反射薄膜の局所的な変位を 生じさせてミラーから反射してきた二次元光信号の位相出力の局所的な変調を行 う。これらＳＬＭｓは非常に短い応答時間を有し、高い光学効率で読み出され得 、原則として、かなり多数の分解能要素を包含し得る。変形可能ミラーＳＬＭは 本質的に大きな位相ダイナミックレンジを備えた二次元位相変調要素であるから 、波面補正、レーザビーム舵取り、位相専用空間フィルタリングのような適応光 学用途には最適である。薄膜面の適切な画素化により、Ｅｉｄｏｐｈｏｒ　（Ｇ 、Ｅ、）や７−Ｒｕｔｉｃｏｎ　（Ｘｅｒｏｘ）のような映写型ディスプレイ装 置で用いられるシュリーレン読み出し機構によって輝度変調を達成し得る。

ＭＬＭおよび電荷を変調する装置での最近の改良では、成る配列のくぼみを覆っ て薄膜を配置し、各くぼみの底にアドレス指定可能な電極を設けている。こうし て、くぼみとその電極が個々の画素を構成する。薄膜は静電位に保持された薄い 光反射性電極材料で被覆しである。１つの画素は、くぼみ電極と薄膜電極の電位 差を生じさせることによって付勢され、静電力に応答して薄膜をくぼみ領域内へ 変形させる。それ故、画素駆動電圧は薄膜ミラー面によって反射した続出波面に 局部的な位相変調を生じさせる。このような装置は、１９９０年９月に０ｐｔｉ ｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ａ＋＋ｅｒｉｃａ発行の５ｐａｔｉａｌ　Ｌｉ ｇｈｔＭｏｄｕｌａｔｏｒｓ　ａｎｄ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ、１９９０　 Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｇｅｓｔ５ｅｒｉｅｓ、第１４巻のｒＥｌｅｃｔｒｏ ｎ　Ｂｅａｍ＾ｄｄｒｅｓｓｅｄ　ＭｅｍｂｒａｎｅＬｉｇｈｔ　Ｍｏｄｕｌａ ｔｏｒＪに記載されている。

発明の概要 本発明の成る好ましい形態では、薄膜光変調器は電荷移動プレート薄膜アノード 組立体を利用する。電荷移動プレートはその背面から前面まで延びる多数の導体 を有する。これらの導体は絶縁マトリックス内に支持されており、電荷移動プレ ートの前面は絶縁壁によって構成された複数の（ぼみを有し、各くぼみが１つの 画素を構成する。好ましくは、各画素に対して複数の導体を設け、また、各（ぼ みの底内の金属製電極が複数の導体にまたがって設ける。プレートの背面は二次 電子強化コーティングを包含すると好ましい。変形可能な反射性金属面がくぼみ をまたいでいる。この金属面は薄い独立金属シートであってもよいが、薄い絶縁 （たとえば、プラスチック）支持体上に金属化コーティングを形成したものであ ると好ましい。

本発明の別の形態では、アノード組立体は、ミラー薄膜の支持体がなお電位くぼ みを構成する複数の絶縁壁であり、各電位くぼみの底に電極を設けたものである 。しかしながら、電位くぼみは電荷移動プレートの部分ではなく、電子ビームは ミラー薄膜を直接にアドレス指定し、電子消耗あるいは電子付着のいずれかによ って電荷を変更する。

陰極線管を備えたこれらアノード組立体の電子ビーム・アドレス指定に加えて、 ここに引用したアノード構造のそれぞれについて、光電陰極・マイクロチャンネ ルプレート組立体による光学アドレス指定、フィールド放射アレイあるいはハー ドワイヤ・アドレス指定も可能である。

発明の詳述 発明をより充分に理解するには、添付図面に関連しての本発明のい（っかの好ま しい形態についての以下の詳しい説明を参照されたい。

第１図は、像投影装置において電子アドレス指定式薄膜光変調器を用いるシステ ム全体の概略図である。

第２図は、先に引用した１９９０　ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　ｄｉｇｅｓｔに示され ている従来のＣＴＰ以上の改良である電荷移動プレート、金属化薄膜およびそれ に組み合わせた電子、光学素子を示す概略断面図である。

第３図は、成るタイプの電荷移動プレートの概略部分断面図である。

第４ａ図は、電荷移動プレートの上に位置する金属化薄膜の顕微鏡写真である。

第４ｂ図は、第４ａ図の薄膜ミラーのフーリエ変換の６倍対称度を示す光分右図 である。

第５図は、本発明の好ましい形態の概略断面図である。

第６図は、ｅ　−Ｍ　Ｌ　Ｍのグリッド安定化動作とフレームド・ビデオ動作の 比較を示すブロック図である。

第７図は、光電陰極、電子増倍管組立体、−組のマイクロチャンネルプレートを 利用してＭＬＭアノード組立体への入力として必要な電荷像を発生する本発明の 光学アドレス指定式形態の図である。

第８図は、第５図と同様の図であるが、この形態では、ＣＴＰの電子ビーム・ア ドレス指定側がパターン化され、続出側と一致する集積グリッドを実現して画素 電極の荷電効率を改良すると共に画素間の漏話を減らすようにしたことを示す図 である。

第９図は、システムの極低温冷却を必要とする長波長ＩＲ投影に合わせて変更し た第１図の変形例である。

第１０図は、ＣＴＰの代わりに絶縁基板（面板）を用いている本発明の形態であ る。この形態では、電子ビーム・アドレス指定、光学読み出しを装置の同じ面で 達成する。

第１１図は、第１０図のものと同様の本発明の形態であるが、ここでは薄膜上の 不連続金属ミラー・コーティングよりもむしろ、均一な誘電性ミラーが薄膜上に コートしである。

第１２図は、第１１図のものと同様の本発明の形態であるが、ここでは装置は基 板の両側でアドレス指定され、読み出される。これは絶縁くぼみ構造内に埋め込 まれたミラ一層を用いることによって達成される。

第１３図は、電子ビームおよび光学読み取りがくぼみ構造の同じ面で生じ得る第 １０．１１．１２図の装置アノード・アーキテクチャと一緒に用いられる電子ガ ン・チューブ囲いおよび読み取り光学素子を示す。

第１４図は、フィールド・エミッタ・アレイを利用して電荷移動プレートに必要 な電荷像を発生する本発明の形態を示す。

第１５図は、電荷移動プレート画素が電子コントローラに配線しである本発明の 形態を示す。

第１６図は、３色映写ビデオを達成するのに電子アドレス指定式薄膜光変調器（ ｅ　−Ｍ　Ｌ　Ｍ　）の使用を示す。

本発明の薄膜光変調器は数多くの用途で用い得る。用途としては、種々のタイプ の高解像度ディスプレイ技術、たとえば、高解像度テレビジョン映写、赤外線標 的シミュレーションその他の光変調装置があり、ここでは、空間的に変調された 光１１を別の装置、たとえば、光学コンピュータへ入力する。簡略化のために、 本発明は紫外線像、可視像あるいはＩＲ像プロジェクタとして用いる好ましい形 態で最初説明する。この最初の説明は本発明の範囲をなんら限定するものではな い。

このプロジェクタの概略が第１図に示しである。特に、このプロジェクタは、適 当な波長の読み出し光源１ｏからなり、これは、たとえば、レーザ、アークラン プあるいはグローバーであり得る。プロジェクタは、また、全体的に１２で示す ＴＲコリメーティング光学素子と、薄膜光変調器アノード１８をアドレス指定す る電子ビーム源１６を制御するコンピュータ１４とを包含する。フーリエ変換（ ＦＴ）空間フィルタ２０および出力装置ｉ！（高利得スクリーン、検出器あるい はビデオカメラ２４であり得る）が出力像を観察するために設けである。後によ り充分に説明するように、像は走査電子ビーム１６のビデオ信号によってｅ　− Ｍ　Ｌ　Ｍのミラー状薄膜面３４上に記入され、位相変調として反射光によって 読み出される。位相変調されたビームは、次に、ＦＴ空間フィルタ２０によって 高コントラストのコリメーテッド像に変換される。

従来の薄膜光変調器（ＭＬＭ）アノード１８の構造（本発明の１つの好ましい形 態に従って改良されている）が第２図に示しである。薄膜は電荷移動プレート３ ０の前面１９を覆って配置してあり、この前面は絶縁壁１５によって構成された 成る配列のくぼみでパターン化されている。各くぼみ３２は、底にアドレス指定 可能な電極３５を有し、画素を構成している。こうして、くぼみ３２とその電極 は、１９９０　ｔｅｃｈｎｉｃａｌｄｉｇｅｓｔ　に記載されているように個々 の画素あるいは分解能素子を構成している。さらに、二次電子エミッタ・エンノ ）フサ。コーティング１３が電荷移動プレート３０の背面５２に積層してあり、 この背面が電子信号を受信する。このコーティングの目的は表面からの電荷の消 耗を高め、正または負の電荷の像を効率よく書き込めるようにすることにある。

薄膜３４は静電位に保持された薄い電極材料３６で被覆しである。

この電極材料は反射率が高く、ミラーとしても作用する。画素を付勢するために は、くぼみ電極３５と薄膜電極３６の間に電位差を発生させ、ビン３５上の電荷 によって生じた静電力に応答して薄膜３４をくぼみ領域３２内へ変形させる。そ れ故、画素駆動電圧が薄膜ミラー面３６で反射された読み出し波面１３に局部的 な位相変調を誘発する。画素くぼみ３２が高い空間均一性をもって密閉バックさ れているので、薄膜３６はくぼみ３２内へ変形したときに効率よく光を回折する 。

ノユリーレン読み出し機構２１（たとえば、ゼロ次光のみを通す低域空間フィル タあるいは１次光のみを通す帯域フィルタ）を用いることによって、変形した薄 膜面３４での位相対象はスクリーン２４のところで輝度像に変換され得る。

ｅ　−Ｍ　Ｌ　Ｍは、第２図に示すように、アドレス指定用電子ビーム１６と全 体的に１８で示すＭＬＭアノード組立体とからなる。このアノードはくぼみ３２ の画素化マトリックスの前にあるメタルメツシュ・グリッド４４からなり、これ を覆ってポリマーの金属化薄膜３４が積層しである。薄膜３４は、密封したＩＲ 透過性エンド・ウィンドウ４０によって環境から保護されている。赤外線波長を 用いる場合には、ウィンドウ材料はセレン化亜鉛（Ｚ’ｎ５ｅ）かゲルマニウム であると好ましいが、可視光の場合にはガラスのような材料を、紫外線の場合に は石英を用い得る。ウィンドウ４０の両側面は反射防止（ＡＲ）被覆してあって ウィンドウによって反射される望ましくない光を排除している。

なお第２図を参照して、電子ビーム１６はＣＴＰ３０のアドレス指定側に電荷パ ターンを書き込む。これは二次元電圧パターンとして電極３５によってくぼみ３ ２の底に伝えられる。こうしてできた変形したミラー薄膜３４．３６は反射して きたＩＲ読み出し光１３を位相変調し、これが２１で全体的に示す下手側ノユリ ーレン光学素子（第１図参照）によって投影高コントラスト像に変換される。

アノード組立体１８の心臓部は、電荷移動プレートＣＴＰ３０と呼ぶ画素化構造 である。この名称は、高密度フィードスルー真空インタフェースとして機能し、 真空から空気中へ二次元電荷分布を伝達できる能力からきている。ＣＴＰ３０（ 第３図に示しである）は、電気的な絶縁材料のウェーハであり、その中に数千水 から数百万本の長手方向に向いた導電性びん３５の規則正しいマトリックスが埋 め込んである。ビン全体の横断面積対ＣＴＰの比率は約５０％である。電荷移動 プレート３０では、１４μｍ中心距離の場合には１０μｍ直径のビンであり、７ ０μｍ中心距離の場合には５０μｍ直径のビンが代表的である。プレート３０の 片側でピン３５から材料を除去して規則正しい配列のくぼみ３２を数ミクロンの 深さに形成する。この面を活性直径を横切って２λの光学平坦度まで高度に研磨 する。その後、エンハンサ・コーティング３１を薄膜蒸着技術によって電荷移動 プレート３０の背面５２に塗布する。

ポリマー薄膜３４はくぼみ３２を含むＣＴＰ面に積層され、これら２つの絶縁面 をファンデルワールス力により確実に結合する。こうしてできた薄膜画素はくぼ み３２の対称性を採り、これは、たとえば、六角形の密接に詰まった（ＨＣＰ） 中心距離にある円形画素でもよいし、正方形中心距離にある円形画素であっても よい。薄膜３４の光学読み出しの際、この対称性（正方形または六角形）は回折 パターンとしてフーリエ・プレートとして保持される。ＨＣＰ対称性およびその 光学的フーリエ変換を備えた画素化薄膜面の高倍率の写真がそれぞれ第４（ａ） 図、第４（ｂ）に示しである。

再び第２図を参照して、ここには、ＭＬＭアノード１８をアドレス指定する１つ の手段を達成するのに走査用電子ビーム１６で（ＣＴＰ３０）を直接アドレス指 定することが示しである。この方法は以下の利点を与える。

（１）適切な電子ガン駆動電子素子および高解像度（たとえば、ビデコン式）電 子ガンの場合、ＣＴＰアノードの各画素（ピン３５）を個別にアドレス指定する ことができる。

（２）普通の給電装置の電子ビーム電流を、数十ナノアンペアから数百マイクロ アンペアまで大きくすることができる。

（３）陰極線管およびビデオベース通信（たとえば、テレビジョン）の大規模な 開発の結果として、走査電子ビーム結像装置には熟成した技術基準が存在する。

電子的には、ｅ−ＭＬＭは、第２図に示すように、二極管構造と見ることができ る。熱電子陰極１７が、Ｖｈ　＜０で、−次電子ビーム１６を放出し、これをＣ ＴＰ３０のピン３５（単数または複数）に衝突するビデオグリッド（図示せず） によって輝度変調してもよい。ビン３５上に位置するエンハンサ・コーティング ３１から二次電子が放出され、グリッド４４によって集められ、二次電子がグリ ッド４４によって集められた場合にビン３５上に正電荷が蓄積することになる。

ＣＴＰ３Ｑの局部的電位（−次電子ビームのランディング・エネルギに影響する ）はｖｌの薄膜電位によって決まる。−次電子ビームのランディング・エネルギ Ｅ、は二次電子ビーム対−次電子ビームの比、すなわちδはＥ。

の特定の値で示される。消去サイクルのなＬ）とき、ｅ−ＭＩＪのスルーブツト （Ｔ　Ｐ）は ＴＰ（画素７秒）＝ｔｓ／ＣＶ で与えられる。ここで、ＩＳは二次電流であり、Ｃは画素キヤパシタンス、■は 薄膜３４を完全コントラスト変調へ偏向させるに必要な電位差である。

スルーブツトは情報処理のためのｅ　−Ｍ　Ｌ　Ｍの信号率を表わしている。例 えば、１００　Ｈｚでフレーミングしｔこ２５０×２５０画素像を望む場合、こ のフレーム率（こ組み合つｔこＴＰは、ＴＰ＝２５０Ｘ２５０Ｘ１．００＝６． ２５Ｘ１０＠画素／秒である。それ故、ここで必要な二次電子流（ま、０．５ｐ Ｆの画素キヤパシタンス、７０Ｖの完全変調電圧を与えられた場合、 ｉ　ｓ　＝ＴＰ　ＣＶ＝（６，２５Ｘ　１０’画素／秒）　（５Ｘ　１Ｏ−１３ Ｆ／画素）（７０Ｖ）　＝　２２［ｉμ八 である。この−次電子流レベルは、普通のＣＲＴタイプ電子ガンで容易に達成で きる。

フレームド・モードでは、グリ・ソド４４ζま接地され、ＣＴＰピン３５とグリ ッド４４の間に、薄膜金属イヒ層３６に負のＤＣ電位を印加することによって電 位差力曵生じる。これ力曵ＣＴＰピン３５を容量分圧によってその電位へ駆動す る。電子ビーム１６がＣＴＰ３０の導電性ピン３５を横切って走査するにつれて 、そのビン（３５）を覆って（為るエンノ１ンサ・コーティング３１から二次電 子が放出され、ＣＴＰ面に近接して保持された接地されている平坦な微細メツシ ュ・グ１）・ソド４４によって集められる。流入−次電子毎に放出される二次電 子の数、すなわち、δが一単位を超えるので、正味正電荷がピン３５上に蓄積す る。エン／ｈンサ・コーティング３１がＣＴＰ３０に加えられている場合には、 これがエンハンサ材料のδの増大に従って荷電電流ｌ、を増大させる。すなわち 、 ここで、δ２、δ、はエンハンサ・コーティング３１の有無を問わない二次電子 放出係数である。もし電子ビーム１−６がそのビン３５をアドレス指定し続けて いるならば、電荷はピン電位がグリッド電位（すなわち、この場合はアース）へ 安定化するまで蓄積する。フレームド動作中、ビーム電流１６は、いかなる画素 ３２もグリッド電位まで飽和させることがないように拘束し得る。こうして、各 画素位置３２のところで電子ビーム電流１６を動的に変化させることによって、 連続的に変化する二次元電荷像を導体３５上に書き込むことができる。これは、 薄膜３４とビン３５の間に電圧低下を生じさせ、それに対応した静電力が薄膜３ ４をくぼみ３２内へ引っ張る。画素キヤパシタンスがビコファラ・ソドのオーダ ーにあるかも知れないので、電荷蓄積時間は長くなる可能性がある（＞１００ｓ ）。これは各書き込みサイクルに続いて消去サイクルを必要とする。消去は電子 ビームアドレス指定中に薄膜電極３６を接地させることによって容易に行われる 。

装置は、次に、第１図に示すように、浅い入射角（−１０°）で変形薄膜３４か らコリノーテッド光１３を反射させることによって読み出され得る。あるいは、 ビームスジ１ノ、ツタを用いて通常の入射で読み出すこともできる。反射しｔこ 波面１こ符号化された位相情報は、第１図に全体的に２１で示すシュ１ノーレン 光学素子によって処理される。ツユリーレン装置２１は、第１図に示すように、 収束レンズ２３、視野絞り２５、空間フィルタ２０および再結像レンズ２２とか らなる。収束レンズ２３は位相対象（すなわち、変形した薄膜面）のフーリエ変 換（ＦＴ）をレンズのｉ＆１焦点距離のところ（こ生しさせる。このＦＴは、Ｈ ＣＰ対称について第４（ｂ）図（こ示すようにＣＴＰ３０の対称を処理する光の 輝点からなる回折）々ターンである。充分に変形していない薄膜面の場合、ゼロ 次すなわち鏡面次数のみがＦＴ面に存在する。画素３２力（変形したとき、回折 効率はより高い次数へ増大する。好ましく為ゼロ次読み出し機構においては、第 ２レンズ２２で再結像する前にＦＴのゼロ次のみを空間フィルタ２０に通すこと １こよって位相対象の輝度変調像が得られる。この出力像（まコ１ノメートされ ると共に同惧点てあり、後のプロジェクタ・レンズ；こよって種々の倍率でスク リーン２４上に表示できる。予想した通り、ゼロ次読み出しはコントラストの逆 転しｔこ像、すなわち、白のフィイルドに黒の画素がある像を生じさせる。

ｅ　−ｋｉ　Ｌ　Ｍを製造するのに最も重要な局面は、ＭＬＭアノード１８の読 み出し側に画素構造３２を作ることである。第２図に示すように、画素構造３２ を形成する１つの方法１ま、ＣＴＰピン３５の一部をエツチング除去し、反射性 薄膜３４の支持構造として多孔性絶縁基板３７を残すことである。この「ミラー 」画素を製造する従来方法は満足できるものであることが証明されているが、な お改善の余地がある。電子衝突面の二次放出量がエンハンサ・コーティング３１ の使用によって増大したときの１つの方法を上述した。別の問題としては、ＣＴ Ｐ３５の周期性が完全でないということである。

したがって、薄膜画素３２の周期性が完全な周期とならない。

この規則性の欠落は再構築された像に高い空間周波数の静的「ノイズ」を生じさ せる原因となる。別の関連した問題としては像コントラストの問題がある。シュ リーレン結像装置２１における像コントラストは結像面のところで干渉によって 得られるので、見掛は上の画素フィルファクタが極めて重要となる。たとえば、 画素のＨＣＰパターンを持つアノード１８において完全な輝度ゼロを達成するに は約５０％画素フィルファクタが必要である。

別の問題はダイナミックレンジの問題である。長波長光を変調するためには、数 ミクロンの薄膜変位が必要である。速度を増大させるためには、低電圧走査が好 ましい。これらの要件を満たすために、画素直径対画素くぼみ深さの比は大きく なければならない。たとえば、薄膜変位は次の式で表わし得る。

δ＝　（εＯ／’３２）　Ｔ　Ｖ　２（ａ／　Ｄ）２ここで、δは薄膜変位量で あり、ε０はフリースペースの誘電率であり、Ｔは薄膜表面張力であり、■は印 加電圧であり、ａは画素直径でり、Ｄは画素（ぼみ深さである。したがって、画 素幾何学形状のａ／Ｄ比を高めることによってより大きな変位またはより低い動 作電圧あるいはこれら両方を得ることができる。加えて、変位した薄膜の放物線 形状を維持するための装置作動に必要な最大変位量は全くぼみ深さの数分の−（ く２０％）でなければならない。これは薄膜画素の変位レンジの約半分を示して いる。変位が大きければそれだけくぼみが深くなり、低電圧動作はより浅いくぼ みを意味するので、画素くぼみ深さくすなわち、ａ　／　Ｄ比）の最適化は経験 的に決めることができる。これは画素アレイの幾何学形状を連続的に変える能力 を与え、装置性能の最適化を達成する。

上述したように、ｅ−ＭＬＭを製造するのに最も重要な局面は、Ｍ　Ｌ　Ｍアノ ード１８の画素構造３２の製作である。第２．５．８．１０．１１．１２図は、 種々のアノード画素他案を示している。第２図において、たとえば、従来構造の 画素化は、ＣＴＰ３０のアドレス指定側と読み出し側の両方に行う。画素（ぼみ 構造３２は、ＣＴＰピン３５の数ミクロンをエンチングで除去し、薄膜３４の支 持構造として多孔性絶縁基板３７を残すことによって形成される。したがって、 薄膜画素３２の構造は、画素直径、画素ピッチ、周期性、バッキング密度などて ＣＴＰ３０のそれと同様である。前述したように、本発明のこの形態は改良した エンハンサ・コーティング３１を包含する。

ＣＴＰピン間ピッチから画素アレイをデカップルするいくつかの優れたアーキテ クチャを使用し得る。そのような改良されたアーキテクチャの１つが、たとえば 、第５図に示しである。この場合、薄膜画素３２はその像を写真印刷技術によっ てＣＴＰ３０の面を被覆している薄い誘電体フィルム５８にパターン化すること によって作られる。このプロセスにおいて、誘電体フィルム５８は普通のスピン コーティング技術あるいは真空蒸着技術によってＣＴＰ３０の面に積層される。

均一厚さの２−１０μｍコーティングをフォトレジストで上塗りし、次いで、そ れをマスクを通して紫外線光に露出させる。フォトレジストとを現像した後、プ ラズマ・エツチングあるいはウェット・エツチングによって望まない誘電体材料 を除去し、たとえば、７０μｍピンピッチを採る１３８μｍピッチで１００μｍ 直径の円形画素の規則正しいアレイ（たとえば、矩形あるいは六角形）を作る。

１０００オングストロームの金属層５６を残りの面に積層する。フォトレジスト とを金属剥離技術によって剥離したとき、残りの金属パターン５６が各画素３２ の底に円形のパッドを構成する。

誘電体層５８は、良好な機械的性質を有し、薄膜取り付けのための滑らかな面を 提供する。このプロセスの直接的な利点は２つある。まず、画素周期性と格子幾 何学形状が確立したマスク製造技術およびアラインメント作業により最高の品質 である。これはシュリーレン光学素子結像面から一定パターンのノイズを除去す る。次に、画素フィルファクタ、画素ピッチおよびくぼみ深さを成る定まった方 法で調節することができ、特定の光学波長バンドおよび種々の用途に合わせて構 造を最適化できるという利点がある。

実施例Ｉ 第６図の本発明の好ましい形態において、電荷移動プレート３０は米国特許第４ ．８６３．７５９号に記載されている方法に従って作られている。このプレート を次に光学仕上げまで研磨してポリマー（たとえば、ポリエチレン−イミド）を 被覆し、たとえば、３７１ｍの誘電体層を得る。次に、ポリマーに、たとえば、 正フォトレジストとの２μｍ層を上塗りする。フォトレジストとはソフトベーク し、高コントラスト・マスクを通してコリメーテッド紫外線ビームに露出させる 。露光後、フォトレジストを現像し、ＣＴＰ３０をプラズマ室に置く。

ポリマー材料の除去によって画素くぼみ３２が形成され、そこには、フォトレジ ストとはなんら残っていない。プラズマ−エッチ室から取り出した後、ＣＴＰ構 造を真空コーター内に起き、ｅビームまたは熱蒸発によって金属層５６を積層す る。代表的には、１０００オングストロームのアルミを積層できる。真空コータ ーから取り出した際、残っているフォトレジストとを剥ぎ取り、金属パターン５ ６を画素くぼみ３２の底にのみ残す。

金属化薄膜３４（好ましくは、Ｌｅｂｏｗ　Ｃｏ　によるプラズマ重合によって 成長したパリレン）を金属３６で被覆した後に、支持基板に取り付ける。反射性 金属として通常は銀が用いられるが、他の環境に耐える金属も使用し得る。薄膜 ３４は、「先端／傾斜」制御の下にゆっくりと基板と接触させることによって取 り付けられる。接着は基板、薄膜３４の両方の材料パラメータに依存するファン デルワールス力による。

非変位状態におけるゼロ次反射エネルギ内容を含む薄膜ミラー３４．３６の特性 を最適化するために、薄膜３４あるいはその下に位置する基板は、薄膜３４にお ける張力を低減するか、あるいは、引張ヤング率のような材料パラメータを介し て薄膜３４の静止状態変位を低減する材料で作るとよい。

別の薄膜材料、たとえば、ニトロセルロース、ポリエーテル−イミド、ポリプロ ピレン、ＰＴＦＥＰ、（ポリ　［ビス（トリフルオロエトキシ）−ポリホスファ ゼン］）、ポリイミド、ポリイミドシロキサンまたはＰＥＴ　（ポリエチレンテ レフタレート）が実際の装置性能を最適化することができ、これはここに説明し たプロセスと両立する。

いくつかの基板材料、たとえば、ポリイミド、ノボラック樹脂、ＰＴＦＥＰも同 様にこのプロセスと両立する。

別のプロセスとしては、感光性ポリマー（紫外線硬化接着剤、感光性ポリイミド 、フォトレジストと）の直接パターン化、真空蒸着したく蒸発またはスパッタし た）誘電体フィルム（たとえば、ＺｎＳ、ＭｇＦ、　、Ｓ　ｉｏｘ　、Ｙ２Ｏ２ 、クリオライト）の同様のパターン化がある。

要約すると、ＭＬＭアノードに画素構造を作るこの改良方法は次の利点を持つ。

静止状態薄膜プルパック量の低減によるコントラストの改良。

画素幾何学形状の均一性を改良することによる画素毎の応答性の均一性の増大。

画素アレイにおける高度の周期性を達成することによる像からの一定パターン・ ノイズの低減または排除。

画素フィルファクタを「チューニング」することによる少なくとも２００　：　 １までの像コントラストの改良。

画素直径対画素くぼみ深さの比を制御することによる特定の波長バンドに合わせ た位相ダイナミックレンジ。

ＣＴＰ３０の効率のよい電荷蓄積特性により、ｅ　−Ｍ　Ｌ　Ｍではかなりの像 保存時間（＞１０’秒）が観察された。したがって、普通のビデオ操作は各ビデ オ・フィールド後のフレーム消去を意味することになる。これは電荷の無駄であ り、また、無視できない像フリッカを生じさせるので、フリッカ無し操作モード が好ましい。上述した従来のビデオアドレス指定法はビデオ信号を電子ガン制御 グリッドに付与して供給されたビーム電流を変調するが、代わりに薄膜へ直接ビ デオ信号を付与することもできる。こうすれば、電子ビーム電流が固定し、ビデ オ速度でＭＬＭアノード１８を横切って簡単に操作されることになる。各画素く ぼみ３２前後の電位差は、したがって、電子ビーム１６がその画素３２上に衝突 しているときに薄膜３４へ印加される瞬間電位によって決まることになる。これ は、画素ビン電極３５が二次放出プロセスによってグリッド電位に安定するから である。このプロセスはグリッド安定化動作と呼ぶ。同様の案が５ｏｄｅｒｎ光 弁の作動の際に用いられてディスプレイからフリッカを排除するのに成功してい る。フレーム消去作とグリッド安定化動作の際は第６図に示しである。

像フリッカの無いことの他に、グリッド安定化動作モードは標準のビデオ動作よ りも２倍も電荷効率がよい。

ＩＲＩＩ的シミュレーションおよび画面生成の分野に加えて、このクラスの装置 のさらなる発達は軍事用に関心の集まる多（の領域、システムに得意な利点を与 える。本装置の重要な用途領域としては、高解像度フライトシミュレータ・ディ スプレイ、赤外線画面映写、光通信におけるレーザビーム舵取り、波面補正、乱 流を通しての像形成、Ｃ３１および通信会議用の高輝度大型フォーマント・ディ スプレイ、独立車輛ガイダンス、パターン認識、大型知識情報ベースの並列処理 、多重スペクトル・イメージ・フュージョン、ニューラルネットワークベース処 理および工業点検がある。光信号処理その他の特殊化した光学システム（たとえ ば、ジヨイント相関器や工業点検システムのすべての領域の発達を妨げているの は低コスト、高解像度、高輝度を利用できないことにある。数十億ドルのディス プレイ市場を考えると、このテクノロジーはテレビジョン会議室、講堂、家庭用 の高解像度大型フォーマット映写ディスプレイに利益をもたらし得る。

本発明の一興体例を電子ビーム１６を電荷移動プレート３０の背面を横切って走 査させて光変調薄膜３４上に像修正空間電荷を発生させるものを説明してきたが 、空間電荷像を生成する他の方法も第７図に示すように利用できる。この場合、 書き込み信号６３は入力ウィンドウ６１上に支持された光電子放出層６０上に入 射した像である。この光電子放出層６０は１セツトのマイクロチャンネルプレー ト（ＭＣＰ）６２としてここに図示した電子増倍管組立体を通して像修正電子流 を放出する。この電子増倍管組立体は増幅した電子流をグリッド４４の影響の下 で作動している電荷移動プレート３０の背面に移動させる。このアノード構造は 本発明に従って作ると好ましい。電荷はその前面へ伝達され、その結果生じた静 電力が薄膜３４を変形させ、その像変更変位が適当な読み出しビーム１３によっ て出力ウィンドウ４０を通して読み取られる。この全体的な素子配置は、本願の 譲渡人の所有する上記の米国特許第４．７９４．２９６号の第１８図と同様であ る。

本発明の別の具体例は、電荷移動プレート３０の背面にある修正したグリッド配 置である。第８図に示すように、電子ビーム１６は電荷移動プレート３０の背面 にある二次放出部分７０に衝突する。衝突した電子は大量の二次電子を放出させ 、これらの電子が変形例のグリッド４４によって集められる。このグリッドは、 第５図において前面絶縁スペーサ壁５８を形成するための上述した光印刷マスキ ング技術に類似したマスキング技術によって作った絶縁ペデスタル７２上に形成 される。

次に第９図を参照して、変調すべき光が非常に長い波長（たとえば、８〜１４μ ｍ）を持つ状況では、システム全体を取り囲むように液体窒素冷却式ジャケット ５０を設けて本システムによって処理されつつあるＩＲ像と干渉し、それにマス クをかける可能性のある背景赤外線を抑制する必要がある。ジャケット５０は熱 シールド７１で取り囲まれており、この熱シールドはジャケットに液体窒素を充 填するためのポート８５と、囲い８６を真空システム（図示せず）に接続するポ ート７９とを有する。ＩＲ光＃８１からの平行ビームは１セツトのそらせ板７８ を介して赤外線薄膜光変調器（ＩＲＭＬＭ）　７６に送られる。変調されたＩＲ 光は２つのフーリエ変換ミラー８３と１つの磁気制御式空間フィルタ・ミラー７ ５の組み合わせに以下のように反射する。まず、変調ＩＲ光は一方のフーリエ変 換ミラー８３に反射し、次に空間フィルタ・ミラーへ反射し、第２のフーリエ変 換ミラーへ戻り、そこからテスト中のシステム７４へ送られる。ＩＲＭＬＭはコ ントローラ７７によって送られる。

本発明の好ましい形態についての上記の説明では、電子流または電子ビーム１６ は電荷移動プレート３ｏの背面５２をアドレス指定する。電荷移動プレート３ｏ の前面は金属化薄膜ミラー３４を支持しており、このミラーはプレートを通して 送られる電荷によって選択的に偏向される。

本発明のさらなる変形例では、電子ビーム１６はアノード構造１８の金属化薄膜 ３４に直接衝突する。このアノード構造１８は必ずしも電荷移動プレートを使用 しない。この場合、独立した画素３２を構成しているミラーの各部分は各地の画 素から隔離され、各画素に独立した電荷を発生させ得る。この変形例は第１０図 に示してあり、そこでは、電子ビーム１６が画素電位くぼみ３２の上に位置する 金属化された独立ミラー３６に衝突する。ミラー３６の隔離はコーティング３６ にあるギャップ３６ａによって行われる。二次電子放出は電子ビーム１６の強さ 、えねるぎに従って独立ミラー３６上に静電荷を発生させる。この静電荷は、第 ２．５図に関連して説明したような薄膜３４の変形と同様にして運ばれる電荷に 直接従って薄膜３４を変形させることになる。この場合、構造は第５図のものと ほぼ同じであるが、ただし、金属化ミラー３６が個別の画素３２の上に位置する 金属化ミラー３６の各部分を電気的に隔離するギャップ３６ａを有するという点 で異なる。

第１０図において、読み出し光１３は電子ビーム１６の源を取り囲む囲いを通し てミラー面３６に直接衝突する。

第１１図には、本発明の同様の具体例が示してあり、ここでは、個々の金属ミラ ー・コーティング３６を持つ代わりに、反射面が５１０２／ＴｉＯ！の多重交互 積層のような誘電体ミラー９０によって作られている。この場合、電子ビーム１ ６の衝突は誘電体ミラー９０を負あるいは正に荷電し、電子ビーム１６の衝突点 のところに電荷を集中させる。したがって、画素３２はビーム電流、電子ビーム １６の滞留時間および正荷電の場合における二次電子放出係数に依存した量の電 荷を蓄積する。こうして、薄膜３４がそこに運ばれた電荷に従って電位くぼみ３ ２内へ偏向されることになる。

第１２図にも同様のシステムが示しであるが、このシステムでは、読み出し光１ ３は支持ウィンドウ４０を通してミラー８４へ送られる。ここで、薄膜基板が透 明でなければならないので、電荷移動プレート３０が薄膜支持体として用いられ 得ないということに注目されたい。第１２図において、電位くぼみ３２を構成す る２つの透明な絶縁体８０のスタックが、透明な電極８２、たとえば、インジウ ム・酸化錫層上に取り付けてあり、ミラー面８４がこれらの絶縁体８０の間に設 けである。独立したミラー画素３６はミラー面８４の情報に設けた第２絶縁体ス タック８ｏの頂面に支持される。この場合、読み出し光１３は電位（ぼみ３２内 への個別のミラー画素３６の変形度に従って変調される。変調のコントラスト比 は絶縁体８０内のミラー面８４に対する薄膜ミラー画素３６の相対位置に依存す る。

第１３図において、ここには読み出し光学系と修正した電子ビーム・アドレス指 定式薄膜空間光変調器の概略的な組立体が示しである。この光変調器は第１０図 または第１１図に示されるようにミラー薄膜アノード３６に像修正電子ビームを 直接送る。

本発明のいくつかの変形例を電子ビーム陰極線管が電荷移動プレート３０または ミラー薄膜３６を直接走査するものとして説明してきたが、電子的にアドレス指 定できるフィールド・エミッタ・アレイ６４からの電子源を利用することも可能 である。このようなフィールド・エミッタ・アレイ６４は、本発明の発明者の所 有する、１９９１年１月４日に出願された出願番号第０７／６３８．３１７号に 示されている。同様に、電荷移動プレート３０はアドレス指定ワイヤ６６を有す る適当な電子コントローラ６５によって直接配線してもよい。これらアドレス指 定ワイヤ６６は電荷移動プレート３ｏの背面５２に直結している。これら２つの システムの例が第１４．１５図に示しである。

第１４図は本発明の第２．５．８．１２図のいずれかに示すアノード構造に衝突 する電子のフィールド放出源６４を示している。

第１５図に示す直接配線構造では、電子コントローラ６５が電荷移動プレート３ ０の背面５２に設けた個別の金属電極５４によって各画素３２を駆動する。電荷 移動プレート３０の反対側（ミラー側）が本発明に従って作られる。

第１５図においては、電荷移動プレート・アノード５６は第５図に示すように作 られると好ましい。

上述した説明から明らかなように、本発明の新規な電荷移動プレート３０は空間 光変調を望む広範囲にわたる用途で使用できる。薄膜アノード構造電荷移動プレ ートへの入力は種々のタイプの電子源から導かれ得、走査は上述したように数多 くの方法で達成され得る。

改良した高解像度電子ビーム・アドレス指定式薄膜映写ディスプレイ（ＭＰＤ） が第１６図に３色映写テレビジョン・システムとして示しである。これは３つの サブシステムからなる。すなわち、（ａ）共通の読み出し光源１０および二色ビ ームスプリッタ５５を備える３電子ビ一ムアドレス指定式薄膜光変調器（ｅ−Ｍ ＬＭｓ）４１と、（ｂ）空間フィルタ２０および映写光学系４３と、（Ｃ）必要 な映像フォーマット変換を果たし、マイクロプロセッサでの光弁の制御を可能と する制御機能を備える電子制御・コンピュータ・インタフェース・サブシステム ４５とからなる。

作動にあたって、アークランプからの白色光が３つの二色ビームスプリッタ（Ｂ ＳＩ、ＢＳ２、Ｂ５３）からなる光学系に送られ、これらのビームスプリッタが 、第１６図に示すように、３つのｅ−ＭＬＭｓ４１の読み出しのためにそれぞれ 青色光成分４７、緑色光成分４８、赤色光成分４９を抽出する。こうして、たと えば、ｅ−ＭＬＭ１４６は、電子ビデオ信号の青色成分４７によって駆動され、 ｅ　−Ｍ　Ｌ　Ｍ　１４６の変形可能な薄膜ミラー面３６から反射したときに映 像の青色成分４７のみを位相変調する。同様に、変調器ｅ　−ＭＬＭ２　５１お よびｅ−ＭＬＭ３５３は読み出しビーム１３の緑成分４８、赤成分４９を変調す る。青色光、緑色光、赤色光の変調されたゼロ次成分は第２セツトの二色ビーム スプリッタ５５（第１６図参照）によって再結合され、位相変調された三色信号 ビーム５７を発生する。

本発明の種々の変形例を説明してきたが、当業者にとっては多くの別の形態が明 らかであろう。本発明は図示した特定の形態に限られるものではない。

ポ ＦＩＧ、７ ＦＩＧ、１０ 団ンｌ ｌＧ１５ １１．−１＝１．。

旦釘ｍ 補正書の翻訳文提出書 （特許法第１８４条の８） 平成６年１月１４日

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. １．電荷移動プレート３０と、このプレート３０の背面５２から前面１９まで延 びる複数の導体３５とを包含し、これらの導体３５が絶縁マトリックス３７内に 支持されており、前記電荷移動プレート３０の前側１９が絶縁壁１５によって構 成された複数の電位くぼみ３２を有し、各電位くぼみ３２が１つの画素を構成し ており、各画素毎に複数の導体３５が設けてあり、また、前記電位くぼみ３２を またいでいる金属層３６を包含する変形可能な反射薄膜３４、３６と、前記金属 層３６上に電位を与える手段と、前記電荷移動プレート３０の背面５２に衝突す る電子１６の源を提供する手段１７と、前記最後の２つの手段の一方に像構成電 荷分布を与えて各画素のところで前記金属層３６に像構成変形を行わせる手段と を包含することを特徴とする薄膜光変調器。
2. ２．請求の範囲第１項の薄膜光変調器において、金属層３６が薄くて可撓性のあ る金属シートであることを特徴とする薄膜光変調器。
3. ３．請求の範囲第２項の薄膜光変調器において、金属層３６が可撓性絶縁基板３ ４上の金属コーティング、好ましくは、金属化プラスチックであることを特徴と する薄膜光変調器。
4. ４．請求の範囲第１項の薄膜光変調器において、前記絶縁壁１５が絶縁層７２で 形成してあり、前記絶縁壁１５が上層フォトレジストによって保護されていない 絶縁層７２の部分をエッチングすることによって作り出されることを特徴とする 薄膜光変調器。
5. ５．請求の範囲第１項の薄膜光変調器１８において、電子１６の源を提供する前 記手段が電極面５４へハードワイヤード６６した電子コントローラ６５またはフ ォトカソード・マイクロチャンネルプレート組立体６２またはフィールド・エミ ッタ・アレイ６４または陰極線管１７からなることを特徴とする薄膜光変調器。
6. ６．電荷移動プレート３０と、このプレート３０の背面５２から前面１９まで延 びる複数の導体３５とを包含し、これらの導体３５が絶縁マトリックス３７内に 支持されており、前記電荷移動プレート３０の前側１９が絶縁壁１５によって構 成された複数の電位くぼみ３２を有し、各電位くぼみ３２が１つの画素を構成し ており、各画素毎に複数の導体３５が設けてあり、また、複数の前記導体３５を またいでいる各電位くぼみ３２の底に設けた金属電極５６と、前記電位くぼみ３ をまたいでいる変形可能な反射薄膜３４、３６を包含し、前記膜３４が金属層３ ６を包含し、さらに、前記金属層３６上に電位を与える手段と、前記電荷移動プ レート３０の背面５２に衝突する電子１７の源を提供する手段と、前記電子１７ の源に像構成電荷分布を与えて各画素のところで前記金属層３６に像構成変形を 行わせる手段とを包含することを特徴とする薄膜光変調器。
7. ７．電荷移動プレート３０と、このプレート３０の背面５２から前面１９まで延 びる複数の導体３５とを包含し、これらの導体３５が絶縁マトリックス３７内に 支持されており、前記電荷移動プレート３０の前側１９が地縁壁１５によって構 成された複数の電位くぼみ３２を有し、各電位くぼみ３２が１つの画素を構成し ており、各画素毎に複数の導体３５が設けてあり、また、複数の前記導体３５を またいでいる各電位くぼみ３２の底に設けた金属電極５６と、前記電位くぼみ３ をまたいでいる変形可能な反射プラスチック・シート３４と、前記電位くぼみ３ ２から絶縁して前記プラスチック・シート３４上に設けた金属コーティング３６ と、前記電荷移動プレート３０の背面５２へ変調された電子１６の流れを与える 手段と、前記金属コーティング３６上に電位を与える手段と、前記最後の２つの 手段の一方へ像構成電荷分布を与えて各画素のところで前記シート３４に像構成 変形を行わせる手段と、前記反射薄膜３４、３６に衝突する所定の波長の光源で あって、前記反射薄膜３４、３６上の各画素の変形によって修正される光源とを 包含することを特徴とする薄膜光変調器。
8. ８．各々の画素部分に加わる電荷に従って変形できる薄膜ミラーに入射光を衝突 させることによってこの入射光を変調する装置であって、薄膜ミラー３４が複数 の絶縁壁７２上に支持されており、これらの絶縁壁７２が電極含有面１９上に形 成してあって電位くぼみ３２を構成しており、各電位くぼみ３２が１つの画素を 構成しており、前記くぼみ３２のそれぞれの底に前記電極面５６が設けてあり、 電極５６と各画素の上に位置する薄膜３４の部分の間に電荷差を発生させること ができ、像修正電子流１６で構造をアドレス指定することによって前記薄膜３４ を横切って像構成電荷差を生じさせる手段を設けたことを特徴とする装置。
9. ９．請求の範囲第８項の装置において、前記構造の、前記電子流１６によってア ドレス指定される側に隣接してグリッド４４を設けたことを特徴とする装置。
10. １０．請求の範囲第８項の装置において、ミラー薄膜３４、３６が各画素の上に 位置する個々のミラー・セグメント３６を包含し、前記電子流１６が前記ミラー ３６に衝突し、前記ミラー・セグメント３６からの二次電子放出によって各画素 上の電荷を修正することを特徴とする装置。
11. １１．請求の範囲第８項の装置において、薄膜３４、３６が誘電体コーティング ９０を包含し、前記電子流１６が前記誘電体コーティング９０に衝突し、そこで の電子の蓄積あるいは消耗によって各画素上の電荷を修正することを特徴とする 装置。
12. １２．請求の範囲第８項の装置において、像修正電子流１６を発生させる手段が マトリックス・アドレス指定式フィールド・エミッタ・アレイ６４またはフィト カソード・マイクロチャンネルプレート組立体６２または陰極線管１７を包含す ることを特徴とする装置。
13. １３．請求の範囲第６項の装置において、複数の光変調器４１を用い、異なった 波長の光４７、４８、４９を各光変調器に用意し、こうして変調された光線を合 体５７させて多色像を与えることを特徴とする装置。
14. １４．電荷移動プレート３０と、このプレート３０の背面５２から前面１９まで 延びる複数の導体３５とを包含し、これらの導体３５が絶縁マトリックス３７内 に支持されており、前記電荷移動プレート３０の前側１９が絶縁壁１５によって 構成された複数の電位くぼみ３２を有し、各電位くぼみ３２が１つの画素を構成 しており、各画素毎に複数の導体３５が設けてあり、また、前記電位くぼみ３２ をまたいでいる変形可能な反射薄膜３４、３６と、前記薄膜３４上の金属コーテ ィング３６と、この金属コーティング３６上に電位を与える手段と、前記電荷移 動プレート３０の背面５２に衝突する電子１７の源を提供する手段と、前記最後 の２つの手段の一方に像構成電荷分布を与えて各画素のところで前記薄膜３４に 像構成変形を行わせる手段とを包含し、各画素毎に複数の導体３５が設けてあり 、各電位くぼみ３２の底にある金属電極５６が複数の前記導体３５にまたがって いることを特徴とする薄膜光変調器。
15. １５．電荷移動プレート３０と、このプレート３０の背面５２から前面１９まで 延びる複数の導体３５とを包含し、これらの導体３５が絶縁マトリックス３７内 に支持されており、前記電荷移動プレート３０の前側１９が絶縁壁１５によって 構成された複数の電位くぼみ３２を有し、各電位くぼみ３２が１つの画素を構成 しており、各画素毎に複数の導体３５が設けてあり、また、前記電位くぼみ３２ をまたいでいる変形可能な反射薄膜３４、３６と、前記薄膜３４上の金属コーテ ィング３６と、この金属コーティング３６上に電位を与える手段と、前記電荷移 動プレート３０の背面５２に衝突する電子１７の源を提供する手段と、前記最後 の２つの手段の一方に像構成電荷分布を与えて各画素のところで前記薄膜３４に 像構成変形を行わせる手段とを包含し、前記電荷移動プレート３０の背面５２に 二次電子放出コーティング３１が塗布してあってそこからの電子の二次放出を向 上させ、前記電荷移動プレート３０の背面５２上の絶縁体構造７２によってグリ ッド電極４４ａが支持されており、このグリッド電極が電荷移動プレート３０の 前面で各画素を構成している絶縁壁１５に対応する絶縁壁１５を有することを特 徴とする薄膜光変調器。