JPH0648874Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0648874Y2 JPH0648874Y2 JP1988139711U JP13971188U JPH0648874Y2 JP H0648874 Y2 JPH0648874 Y2 JP H0648874Y2 JP 1988139711 U JP1988139711 U JP 1988139711U JP 13971188 U JP13971188 U JP 13971188U JP H0648874 Y2 JPH0648874 Y2 JP H0648874Y2
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- terminal conductor
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- semiconductor
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- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
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- Power Engineering (AREA)
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- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、電圧駆動型パワー素子、例えばMOSFET,IGBT
あるいはBi−MOSICの主端子導体と補助端子導体との間
に回路部品を接続して一つの容器内に収容し、パワーモ
ジュールとした半導体装置に関する。
あるいはBi−MOSICの主端子導体と補助端子導体との間
に回路部品を接続して一つの容器内に収容し、パワーモ
ジュールとした半導体装置に関する。
パワー素子の主電極と、例えば駆動電極のような補助電
極の間に、例えば補助端子に静電気等による過電圧が印
加された場合の素子の破壊から守るためのツエナダイオ
ードあるいは電流制限のための抵抗等の回路部品を接続
しようとして直接主電極と補助電極とに接続できないと
きは、主電極に接続される主端子導体と補助電極に接続
される補助端子導体との間に前記回路部品を接続する。
極の間に、例えば補助端子に静電気等による過電圧が印
加された場合の素子の破壊から守るためのツエナダイオ
ードあるいは電流制限のための抵抗等の回路部品を接続
しようとして直接主電極と補助電極とに接続できないと
きは、主電極に接続される主端子導体と補助電極に接続
される補助端子導体との間に前記回路部品を接続する。
パワー素子においては通常、主端子導体と補助端子導体
は素子半導体片をはさんで両側に配置されているので、
これらに接続する回路部品には長いリード線を持つもの
を必要としていた。第２図（ａ），（ｂ）はそのような
例を示し、絶縁板21を介して放熱体11の上に固定された
導電性基板12の上に、例えばIGBT（絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタ）半導体片１が固着されている。導電
性基板上には絶縁板22,23を介してそれぞれエミッタ電
極，ゲート電極とAl線７の超音波ボンディングで接続さ
れるエミッタ端子導体２、ゲート端子導体３が固着され
ている。両端子導体2,3には何れもエミッタ引出し部51,
ゲート引出し部52が設けられ、第２図（ｂ）に鎖線４で
示された樹脂容器４から外に突出している。そのほかに
導電性基板の端にもコレクタ引出し部53が設けられてい
る。端子導体2,3の引出し部と逆の端に立上り部54,55が
設けられ、その間にツエナダイオードの個別素子５がリ
ード線61を介して接続されている。長いリード線を持つ
個別素子は、耐熱温度約150〜160℃の樹脂と約300℃の
融点のはんだによって構成されている。このような素子
６のリード線61を接続するために、素子に用いられてい
る樹脂の耐熱温度より高温にすると素子の特性劣化を招
くおそれがある。また、半導体片１と導電性基板12とを
固着する際に用いるはんだを素子６の接続の際に再溶融
させてはならない。そのため、リード線61と立上り部5
4,55と接続する際にはできるだけ融点の低いはんだ、一
般にPb/Sn比が4/6のはんだが用いられる。
は素子半導体片をはさんで両側に配置されているので、
これらに接続する回路部品には長いリード線を持つもの
を必要としていた。第２図（ａ），（ｂ）はそのような
例を示し、絶縁板21を介して放熱体11の上に固定された
導電性基板12の上に、例えばIGBT（絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタ）半導体片１が固着されている。導電
性基板上には絶縁板22,23を介してそれぞれエミッタ電
極，ゲート電極とAl線７の超音波ボンディングで接続さ
れるエミッタ端子導体２、ゲート端子導体３が固着され
ている。両端子導体2,3には何れもエミッタ引出し部51,
ゲート引出し部52が設けられ、第２図（ｂ）に鎖線４で
示された樹脂容器４から外に突出している。そのほかに
導電性基板の端にもコレクタ引出し部53が設けられてい
る。端子導体2,3の引出し部と逆の端に立上り部54,55が
設けられ、その間にツエナダイオードの個別素子５がリ
ード線61を介して接続されている。長いリード線を持つ
個別素子は、耐熱温度約150〜160℃の樹脂と約300℃の
融点のはんだによって構成されている。このような素子
６のリード線61を接続するために、素子に用いられてい
る樹脂の耐熱温度より高温にすると素子の特性劣化を招
くおそれがある。また、半導体片１と導電性基板12とを
固着する際に用いるはんだを素子６の接続の際に再溶融
させてはならない。そのため、リード線61と立上り部5
4,55と接続する際にはできるだけ融点の低いはんだ、一
般にPb/Sn比が4/6のはんだが用いられる。
本考案の課題は、上記のように主電極端子導体と補助端
子導体との間に回路部品を接続するのに別の工程で別の
固着手段を用いる必要がなく、組立工数の少ない半導体
装置を提供することにある。
子導体との間に回路部品を接続するのに別の工程で別の
固着手段を用いる必要がなく、組立工数の少ない半導体
装置を提供することにある。
上記の課題の解決のために、本考案は導電性基板上に半
導体片がろう付けされ、それぞれ半導体片の電極と導線
を介して接続される主端子導体と補助端子導体が導電性
基板に絶縁板を介して固着される半導体装置において、
主端子導体および補助端子導体に互いに近接した個所が
設けられ、両近接個所の双方に回路部品が、半導体片を
導電性基板にろう付けするためのろう材と同種のろう材
を用いてろう付けされ、その回路部品が他の端子導体上
の回路部品と、半導体片の電極と端子導体とを接続する
ための導線と同種の導線によって接続されたものとす
る。
導体片がろう付けされ、それぞれ半導体片の電極と導線
を介して接続される主端子導体と補助端子導体が導電性
基板に絶縁板を介して固着される半導体装置において、
主端子導体および補助端子導体に互いに近接した個所が
設けられ、両近接個所の双方に回路部品が、半導体片を
導電性基板にろう付けするためのろう材と同種のろう材
を用いてろう付けされ、その回路部品が他の端子導体上
の回路部品と、半導体片の電極と端子導体とを接続する
ための導線と同種の導線によって接続されたものとす
る。
あるいは、主端子導体および補助端子導体に互いに近接
した個所が設けられ、一方の端子導体の近接個所に回路
部品が、半導体片を導電性基板にろう付けするためのろ
う材と同種のろう材を用いてろう付けされ、その回路部
品が他の端子導体と、半導体片の電極と端子導体とを接
着するための導線と同種の導線によって接続されたもの
とする。
した個所が設けられ、一方の端子導体の近接個所に回路
部品が、半導体片を導電性基板にろう付けするためのろ
う材と同種のろう材を用いてろう付けされ、その回路部
品が他の端子導体と、半導体片の電極と端子導体とを接
着するための導線と同種の導線によって接続されたもの
とする。
あるいはまた、主端子導体および補助端子導体のほかに
中継導体が両端子導体の一部にそれぞれ近接して導電性
基板に絶縁して固着され、中継導体には少なくとも一つ
の回路部品が、半導体片を導電性基板にろう付けするた
めのろう材と同種のろう材を用いてろう付けされ、その
回路部品が端子導体と、半導体片の電極と端子導体とを
接続するための導線と同種の導線によって接続されたも
のとする。
中継導体が両端子導体の一部にそれぞれ近接して導電性
基板に絶縁して固着され、中継導体には少なくとも一つ
の回路部品が、半導体片を導電性基板にろう付けするた
めのろう材と同種のろう材を用いてろう付けされ、その
回路部品が端子導体と、半導体片の電極と端子導体とを
接続するための導線と同種の導線によって接続されたも
のとする。
主端子導体と補助端子導体との間に接続される回路部品
にリード付き個別素子を用いないで部品自体を、半導体
片を導電基板にろう付けする際に用いるろう材（はん
だ）と同種のろう材を用いて端子導体あるいは中継導体
にろう付けするため、この工程は半導体片のろう付け工
程と同時に実施できる。また、回路部品と端子導体との
接続を半導体片の電極と端子導体との接続と同様の導線
を用いて行うため、超音波溶接など同じ手法で引きつづ
く工程で行うことができる。このため組立工程は著しく
簡素化される。さらに端子導体と補助端子導体との間あ
るいは両端子導体と中継導体の間に近接した個所が設け
られ、その個所で回路部品の接続を行うため、接続導線
が裸線であっても半導体片あるいは導電性基板と接触し
て障害を生ずることがない。
にリード付き個別素子を用いないで部品自体を、半導体
片を導電基板にろう付けする際に用いるろう材（はん
だ）と同種のろう材を用いて端子導体あるいは中継導体
にろう付けするため、この工程は半導体片のろう付け工
程と同時に実施できる。また、回路部品と端子導体との
接続を半導体片の電極と端子導体との接続と同様の導線
を用いて行うため、超音波溶接など同じ手法で引きつづ
く工程で行うことができる。このため組立工程は著しく
簡素化される。さらに端子導体と補助端子導体との間あ
るいは両端子導体と中継導体の間に近接した個所が設け
られ、その個所で回路部品の接続を行うため、接続導線
が裸線であっても半導体片あるいは導電性基板と接触し
て障害を生ずることがない。
以下第２図と共通の部分には同一の符号を付した図面を
引用して本考案の三つの実施例について説明する。各図
とも（ａ）が平面図，（ｂ）が右側面図である。
引用して本考案の三つの実施例について説明する。各図
とも（ａ）が平面図，（ｂ）が右側面図である。
第１図に示した実施例では導電性基板12に絶縁板22,23
を介して固着されるエミッタ端子導体2,ゲート端子導体
３は半導体片１の一方の側に近接して配置され、それぞ
れの上にツエナダイオードチップあるいは抵抗などの回
路部品８が直接ろう付けされている。このろう付けに
は、半導体片１と導電性基板12とのろう付けに用いるは
んだを用い、そのろう付けと同時に行う。回路部品８に
は個別素子を用いないので樹脂の耐熱温度を考慮するこ
となく、任意の融点，あるいは組成のはんだを用いるこ
とができる。そしてこの回路部品８と端子導体2,3の接
続には、半導体１の電極と端子導体2,3の接続に用いるA
l線７と同様のAl線71の超音波ボンディングで行う。こ
のAl線71が垂れ下がって導電性基板12あるいは回路部品
８と接触しないようにするためには端子導体2,3間の距
離l1あるいは回路部品８の間の距離l2を小さくした方が
よく、l1は15mm以下にすることが望ましい。
を介して固着されるエミッタ端子導体2,ゲート端子導体
３は半導体片１の一方の側に近接して配置され、それぞ
れの上にツエナダイオードチップあるいは抵抗などの回
路部品８が直接ろう付けされている。このろう付けに
は、半導体片１と導電性基板12とのろう付けに用いるは
んだを用い、そのろう付けと同時に行う。回路部品８に
は個別素子を用いないので樹脂の耐熱温度を考慮するこ
となく、任意の融点，あるいは組成のはんだを用いるこ
とができる。そしてこの回路部品８と端子導体2,3の接
続には、半導体１の電極と端子導体2,3の接続に用いるA
l線７と同様のAl線71の超音波ボンディングで行う。こ
のAl線71が垂れ下がって導電性基板12あるいは回路部品
８と接触しないようにするためには端子導体2,3間の距
離l1あるいは回路部品８の間の距離l2を小さくした方が
よく、l1は15mm以下にすることが望ましい。
第３図に示した実施例では、エミッタ端子導体２とゲー
ト端子導体３とが半導体片１をはさんで配置されている
が、引出し部51,52と反対側の端が延長されてその間の
距離がl1まで近づけられている。従って回路部品８を接
続するAl線71が垂れ下がって導電性基板12に接触するこ
とがない。
ト端子導体３とが半導体片１をはさんで配置されている
が、引出し部51,52と反対側の端が延長されてその間の
距離がl1まで近づけられている。従って回路部品８を接
続するAl線71が垂れ下がって導電性基板12に接触するこ
とがない。
第４図に示した実施例では、エミッタ端子導体とゲート
端子導体３とはやはり半導体片１をはさんで配置されて
いるが、その間の距離の開きを補うため両端子導体2,3
と同程度の厚さの中継導体９が絶縁板24を介して導電性
基板12の面に固着され、両端子導体2,3との距離l1が15m
m以下にされている。回路部品８はこの中継導体９に半
導体片１の基板12とのはんだ付けと同時にはんだ付け
し、端子導体2,3とは、半導体片１の電極の端子導体2,3
との接続工程につづいてAl線71の超音波ボンディングに
より接続する。
端子導体３とはやはり半導体片１をはさんで配置されて
いるが、その間の距離の開きを補うため両端子導体2,3
と同程度の厚さの中継導体９が絶縁板24を介して導電性
基板12の面に固着され、両端子導体2,3との距離l1が15m
m以下にされている。回路部品８はこの中継導体９に半
導体片１の基板12とのはんだ付けと同時にはんだ付け
し、端子導体2,3とは、半導体片１の電極の端子導体2,3
との接続工程につづいてAl線71の超音波ボンディングに
より接続する。
以上の実施例では回路部品８を二つ固着したが、回路上
一つでよければ一方の端子導体上のみに、あるいは中継
導体上に１個のみ固着すればよい。
一つでよければ一方の端子導体上のみに、あるいは中継
導体上に１個のみ固着すればよい。
本考案によれば、端子導体同志間あるいはその中間に配
置される中継導体と端子導体との間の距離の小さい個所
を設け、その個所で回路部品を半導体片と導電性基板の
ろう付けと同一温度，同一時期にろう付けし、回路部品
と端子導体との接続を半導体片の電極と端子導体の接続
と同一手段で行うことにより、接続のための導線の垂れ
下がりがなくて信頼性高く、組立工数の少ない半導体装
置が得られた。
置される中継導体と端子導体との間の距離の小さい個所
を設け、その個所で回路部品を半導体片と導電性基板の
ろう付けと同一温度，同一時期にろう付けし、回路部品
と端子導体との接続を半導体片の電極と端子導体の接続
と同一手段で行うことにより、接続のための導線の垂れ
下がりがなくて信頼性高く、組立工数の少ない半導体装
置が得られた。
第１図（ａ），（ｂ）は本考案の一実施例のパワーモジ
ュールを示し、（ａ）は平面図，（ｂ）は右側面図、第
２図（ａ），（ｂ）は従来のパワーモジュールを示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、第３図（ａ），
（ｂ）、第４図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本考案の異な
る実施例のパワーモジュールを示し、いずれも（ａ）は
平面図、（ｂ）は右側面図である。 1:半導体片、2:エミッタ端子導体、3:ゲート端子導体、
4:容器、51:エミッタ引出し部、52:ゲート引出し部、7,
71:Al線、8:回路部品、9:中継導体、12:導電性基板,22,
23,24:絶縁板。
ュールを示し、（ａ）は平面図，（ｂ）は右側面図、第
２図（ａ），（ｂ）は従来のパワーモジュールを示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、第３図（ａ），
（ｂ）、第４図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本考案の異な
る実施例のパワーモジュールを示し、いずれも（ａ）は
平面図、（ｂ）は右側面図である。 1:半導体片、2:エミッタ端子導体、3:ゲート端子導体、
4:容器、51:エミッタ引出し部、52:ゲート引出し部、7,
71:Al線、8:回路部品、9:中継導体、12:導電性基板,22,
23,24:絶縁板。
Claims (3)
- 【請求項１】導電性基体上に半導体片がろう付けされ、
それぞれ半導体片の電極と導線を介して接続される主端
子導体と補助端子導体が導電性基板に絶縁板を介して固
着されるものにおいて、主端子導体および補助端子導体
に互いに近接した個所が設けられ、両近接個所の双方に
回路部品が、半導体片を導電性基板にろう付けするため
のろう材と同種のろう材を用いてろう付けされ、その回
路部品が他の端子導体上の回路部品と、半導体片の電極
と端子導体とを接続するための導線と同種の導線によっ
て接続されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】導電性基体上に半導体片がろう付けされ、
それぞれ半導体片の電極と導線を介して接続される主端
子導体と補助端子導体が導電性基板に絶縁板を介して固
着されるものにおいて、主端子導体および補助端子導体
に互いに近接した個所が設けられ、一方の端子導体の近
接個所に回路部品が、半導体片を導電性基板にろう付け
するためのろう材と同種のろう材を用いてろう付けさ
れ、その回路部品が他の端子導体と、半導体片の電極と
端子導体とを接着するための導線と同種の導線によって
接続されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】導電性基体上に半導体片がろう付けされ、
それぞれ半導体片の電極と導線を介して接続される主端
子導体と補助端子導体が導電性基板に絶縁板を介して固
着されるものにおいて、主端子導体および補助端子導体
のほかに中継導体が両端子導体の一部にそれぞれ近接し
て導電性基板に絶縁して固着され、中継導体には少なく
とも一つの回路部品が、半導体片を導電性基板にろう付
けするためのろう材と同種のろう材を用いてろう付けさ
れ、その回路部品が端子導体と、半導体片の電極と端子
導体とを接続するための導線と同種の導線によって接続
されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988139711U JPH0648874Y2 (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988139711U JPH0648874Y2 (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260237U JPH0260237U (ja) | 1990-05-02 |
| JPH0648874Y2 true JPH0648874Y2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=31403226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988139711U Expired - Lifetime JPH0648874Y2 (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648874Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526566Y2 (ja) * | 1990-07-18 | 1997-02-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の実装基板 |
| US5408128A (en) * | 1993-09-15 | 1995-04-18 | International Rectifier Corporation | High power semiconductor device module with low thermal resistance and simplified manufacturing |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP1988139711U patent/JPH0648874Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0260237U (ja) | 1990-05-02 |
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