JPH0648709A - 窒化珪素粉末の製造方法 - Google Patents
窒化珪素粉末の製造方法Info
- Publication number
- JPH0648709A JPH0648709A JP4219644A JP21964492A JPH0648709A JP H0648709 A JPH0648709 A JP H0648709A JP 4219644 A JP4219644 A JP 4219644A JP 21964492 A JP21964492 A JP 21964492A JP H0648709 A JPH0648709 A JP H0648709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- powder
- silicon
- reaction
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 25
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 9
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 abstract description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 3
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012936 correction and preventive action Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N phencyclidine Chemical class C1CCCCN1C1(C=2C=CC=CC=2)CCCCC1 JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010977 unit operation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
うな高価な原料を用いることなく、また、湿式の精製処
理のような手間のかかる後処理も必要としないで、窒化
珪素粉末を安価に製造する。 【構成】 流動層で金属シリコン粉末を窒化反応させて
窒化珪素粉末を製造する方法において、流動層に振幅
0.5〜10mm、振動数8〜100Hzの振動を与え
ること特徴とする窒化珪素粉末の製造方法。
Description
として賞用される窒化珪素粉末の流動層を用いた製造方
法の改良に関する。
の観点から、ターボロータ、バルブ、スワールチャンバ
ーなど自動車のエンジン部品や、各種産業用機械部品に
窒化珪素が検討されている。これらは過酷な条件下での
使用であるため、原料粉に求められる条件も以下のよう
に厳しいものとなっている。
以下の4法がある。 a)金属シリコンを窒素やアンモニア等の反応ガスを用
いて窒化する直接窒化法。 b)シリカを炭素等の還元剤と反応ガスを用いて窒化す
る還元窒化法。 c)四塩化珪素から生成するシリコンジイミドを熱分解
して窒化珪素を製造するイミド熱分解法。 d)レーザーやプラズマ等の加熱によりモノシランや四
塩化珪素ガス等の原料とアンモニア等のガスを反応させ
て窒化珪素を製造する気相法。
スト的に有利であり、イミド熱分解法と気相法は生成粉
末の物性が優れているといわれてきた。すなわち、直接
窒化法では、インゴットの粉砕によって粉末を得るた
め、上記条件の内、3)、4)の達成が比較的困難であ
り、高純度品を得るためには、通常、精製工程を必要と
することから収率があまり良くない。また、還元窒化法
では、原料のシリカに含まれる内部酸素の完全除去が難
しく、他の製造法に比べて焼結性の良くない粉末が生成
し易いという欠点がある。
常、原料に高価な四塩化珪素やモノシランを使用するた
め、前二者に比べてコスト的に不利である。さらに、イ
ミド熱分解法では、原料の四塩化珪素に含まれる塩素が
残留し易く、気相法では、工業的に使用できるほど大型
のレーザーやプラズマ装置が非常に高価であり、しかも
調達しにくい点も問題である。
固体粒子を浮遊懸濁させ流体に似たような状態で、吸
収、乾燥、吸着などの単位操作や反応を行わせるもので
ある。しかしながら、従来、流動化の対称となったもの
は、Geldart の粉体分類によるA、B、Dグループに属
し、流動化の良好な数十μm以上の粒径を持つ粉体であ
った。
に属し、通常の流動化方法では流動化が非常に困難であ
るが、これまでにいくつかの提案がある。原料粉末の造
粒(例えば、特開昭61-97110号公報や特開昭63-40710号
公報等)、反応温度の制御(特開昭61-97110号公報
等)、多段の窒化(特開平3-60410 号公報等)あるいは
流動化装置の改良(特公平4-25202号公報等)などであ
る。
窒化法において試みられてきたが、いずれも満足な結果
とは言えず、実際の工業化には至っていない。すなわ
ち、従来の流動層を用いる窒化珪素粉末の製造法は、上
記1)〜6)の条件を満足したものではなかった。
ような問題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、原
料として比較的安価な金属シリコン粉末を用い、それを
流動層で反応させる際に振動を与えることによって、上
記1)〜6)の条件を満足させた窒化珪素粉末を製造で
きることを見いだし、本発明を完成させたものである。
動層で金属シリコン粉末を窒化反応させて窒化珪素粉末
を製造する方法において、流動層に振幅0.5〜10m
m、振動数8〜100Hzの振動を与えること特徴とす
る窒化珪素粉末の製造方法である。
る。
コン粉末及び生成物である窒化珪素粉末を浮遊懸濁させ
るものであれば特にこれを制限するものではない。流動
層に十分な振動と反応温度が与えられ、反応ガスを供給
できる一般の装置を採用することができる。例えば、化
学工学論文集15, [5] PP.992-997(1989)などに記載され
たものが使用できる。
形状などについても、多くの提案があるが、本発明にお
いては、特にこれを制限するものではない。但し、供給
ガスと反応したり、あるいは揮発成分や酸素を放出し易
い材質の容器は、生成物の不純物の増加につながるので
好ましくない。好ましい材質を例示すれば、アルミナ、
マグネシア、ムライト、窒化珪素、炭化珪素、窒化硼
素、黒鉛等である。
いては、通常の直接窒化法で用いられているもので十分
であり、特別なものである必要はない。金属シリコンの
不純物濃度は、生成物の純度に影響するので、高純度品
を要求する場合には、高純度なシリコンを用いるのがよ
い。特に酸素量が0.3重量%以下であるものが望まし
い。
小さすぎると、窒化反応が過大となって暴走反応を生じ
易くなる上に生成物中に原料が飛び込み易くなり、逆
に、余り大きすぎると、流動化開始ガス流速が大きくな
り、多量のガスが必要となって、コスト的に不利とな
る。好ましい金属シリコン粉末の比表面積は、0.1〜
7m2/g特に0.2〜5m2/gである。なお、暴走反応
をおさえるには、反応ガスをAr、He等の不活性ガスで希
釈したり、窒化反応に不活性な粉末を反応系内に加えて
原料を希釈することは有効な手段である。
応が進行するので、生成する窒化珪素粉末は、固定層に
おける数〜数十μmの不定形塊状もしくは柱状と異な
り、平均粒径が1μm以下の微粒子で、等軸晶的形状と
なる。また、窒化速度も固定層の数〜数十倍に速くする
ことができる。
際に振動を与えることである。原料の金属シリコンに比
べて生成物の窒化珪素は、流動化が非常に困難であるの
で、通常の流動層で金属シリコンを流動化しながら窒化
すると、窒化珪素の生成にともなって流動化状態が悪く
なり、ついには固定層に変わってしまう。しかしなが
ら、本発明のように、振動を付与すると、金属シリコ
ン、窒化珪素、及び両者の混合物は、ほぼ同じ流動化条
件で流動化できるため、流動化しながら金属シリコンを
窒化することができ、固定層に変わることはない。
よって決定される。振動数と振幅については、あまり小
さいと振動の効果がみられなくなり、あまり大きいと振
動の発生装置に制約があるため、振動数は8〜100H
z好ましくは12〜60Hzであり、振幅は0.5〜1
0mm好ましくは1〜6mmである。
向のみの場合は、振動層と側壁の間からガスが優先的に
通り抜けてしまう、いわゆる吹き抜けが生じ易くなるの
で、両者を加えた斜め方向が好ましく、特に水平方向と
のなす角度が20〜70度が好ましい。
反応ガスの二種類である。前者は流動化状態を保つため
に必要なガスであり、総量よりも流速が重要である。流
動化ガスの流速は、金属シリコンの粒度、表面状態、振
動の状態によって異なるが、0.4〜10m/s特に
0.5〜5m/sが好ましい。ガスの成分としては、特
に限定するものではないが、金属シリコンと反応して窒
化珪素以外のものを生成する成分は好ましくなく、特に
酸素は500ppm以下特に300ppm以下であるこ
とが好ましい。流動化ガスを例示すれば、アルゴン、ヘ
リウム等の不活性ガスや、窒素、水素、アンモニア等の
非酸化性ガスである。
であるので、窒素を含むアンモニアや窒素ガス、あるい
は窒素と水素の混合ガスなどを用いることができ、さら
には反応の促進や生成粒子の凝集を防ぐために、ハロゲ
ンやハロゲン化水素などを加えても良い。この場合は、
流速よりも供給総量が重要であり、少なくとも反応に必
要な理論量、すなわちモル数でシリコンの4/3倍は必
要であるが、通常は数倍から数十倍程度供給する。反応
ガスの供給によって流動化を賄えることもできる。
性ガスと反応ガスの混合ガスを用いるが、どちらの場合
も、反応で消費された後のガス、すなわち流動層を通過
した後のガスが上記した流動化ガス流速を保っているこ
とが必要である。
末に不活性な粉末を加えることができる。その目的は以
下のとおである。
の効果である。窒化反応が進行すると、金属シリコン
は、表面で生成したり付着したりした窒化珪素の微粒子
で覆われてくるため、表面性状としては窒化珪素の微粒
子の性質が強くなり、粒子としては殆ど未反応であって
も粒子同士が凝集し易くなって、流動化を困難としてし
まう。このような凝集性のある粒子の中に、凝集しにく
い粒子を加えると流動化が容易になる。
材としての効果である。窒化反応は、反応温度や反応ガ
ス組成、ガス量によって決定されるが、反応に不活性な
粒子を加えることによって、原料粒子の密度が薄めら
れ、流動層内の反応がより均一に進むようになる。
珪素微粒子の分離を促進する解砕材としての効果であ
る。流動層内で混合される粒子が、互いに衝突する際
に、表面に付着した微粒子は解砕・分離されるが、上記
したように、表面が窒化珪素で覆われたシリコンは、凝
集性があるため、その効果が小さく、解砕が十分に行わ
れなくなってしまう。凝集性の小さい粒子を加えること
によって、その効果を高め、生成物の取り出しが容易と
なる。
温度において、反応ガスと反応が殆ど生じることなく、
流動化状態を保つ粉末のことである。好ましい具体例を
あげれば、窒化珪素、アルミナ、シリカ、マグネシア、
カルシア、炭化珪素等である。これらの粒子は僅かなが
ら生成物に混入する可能性もある点を考慮すれば、特に
窒化珪素、シリカ及び炭化珪素が好ましい。
板状粒子は流動化しにくいので好ましくなく、球状ある
いは破砕形状が好ましい。また、表面硬度の低い粒子や
解砕しやすい粒子の凝集体も好ましくなく、窒化珪素の
二次凝集粉体等を用いる場合には、予め、不活性または
窒素雰囲気下の高温で焼成するなどして、強く凝集した
粒子にしておくことが好ましい。
補集方法については、特に制限はないが、連続あるいは
それを間欠的に操作して半連続的に、原料を流動層に投
入でき、流動層から浮上してきた粒子を連続的に補修で
きれば良い。但し、水中補集はろ過、乾燥、解砕等の後
工程が必要になるのであまり好ましくない。補集装置と
してはバグフィルターやサイクロンなどがある。
に具体的に説明する。
セラミックス製ロールクラッシャーを用いて粗砕し、さ
らに窒化珪素製ボールミルで粉砕して比表面積0.2〜
8m2/gに調整して原料金属シリコン粉末とした。
て、窒化珪素粉末(電気化学社製商品名「SN-9FW」)を
窒素雰囲気中、1800℃で12時間焼成し88μmフ
ルイ下にして用いた。
にアルミナ製の分散板を用い、反応ガスとしては、表1
に示す各組成の混合ガスを用いた。
し、表1に示した所定の各反応温度まで昇温後、金属シ
リコン粉末を入れた。表1に示す所定時間を反応させた
後、室温まで降温して試料を取り出した。
時分析装置で測定した含有窒素量から窒化率を測定し、
粉末X線回折を行なってα相とβ相の回折線強度比か
ら、生成された窒化珪素中のα化率を決定した。また、
粒度分布は堀場製作所社製の超遠心式自動分布測定装置
(CAPA)で測定し、生成物の粒子形状は走査型電子顕微
鏡を用いて観察した。さらに、比表面積は湯浅アイオニ
クス社製のカウンタソーブによった。これらの結果を表
2に示す。
実施例では、窒化反応中に流動化の停止は起こらず、流
動化(バブリングベッド)状態を保ったまま反応が終了
して、ほぼ完全に窒化することができた。得られた生成
物は、解砕等の後処理の必要ない、ほぼα相の窒化珪素
微粒子であった。また、生成物の形状は等軸晶的であっ
た。
発明の範囲にない比較例1では、窒化反応中に流動化が
停止してしまい、比較例2では最初から流動化せず、生
成した窒化珪素はα化率の低い不定形塊状粒子からな
り、反応率も低かった。また、振幅が本発明の範囲にな
い比較例3においても反応途中の流動化停止により、針
状の一次粒子の強固な凝集体が得られた。比較例1〜3
で得られた窒化珪素粉末はいずれも比表面積も小さく、
焼結用原料として使用するためには、非常に長時間の、
あるいは特殊な粉砕が必要である。
ランや四塩化珪素のような高価な原料を用いることな
く、また、湿式の精製処理のような手間のかかる後処理
も必要としないで窒化珪素粉末を安価に製造することが
できる。
Claims (1)
- 【請求項1】 流動層で金属シリコン粉末を窒化反応さ
せて窒化珪素粉末を製造する方法において、流動層に振
幅0.5〜10mm、振動数8〜100Hzの振動を与
えること特徴とする窒化珪素粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21964492A JP3246951B2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 窒化珪素粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21964492A JP3246951B2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 窒化珪素粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0648709A true JPH0648709A (ja) | 1994-02-22 |
| JP3246951B2 JP3246951B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=16738757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21964492A Expired - Fee Related JP3246951B2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 窒化珪素粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3246951B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7584919B2 (en) * | 2004-06-04 | 2009-09-08 | Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg | Compacting device |
| KR101587044B1 (ko) * | 2015-07-08 | 2016-01-20 | 주식회사 티마운트 | 탁구공 회전량을 증가시킬 수 있는 탁구대 상판 및 그 제조 방법 |
| KR20170076542A (ko) | 2015-12-24 | 2017-07-04 | 주식회사 엘지화학 | α질화 규소의 제조 방법 |
| JP2022543382A (ja) * | 2019-08-08 | 2022-10-12 | シュミット シリコン テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | シリコン含有材料を製造するための方法及び装置 |
-
1992
- 1992-07-28 JP JP21964492A patent/JP3246951B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7584919B2 (en) * | 2004-06-04 | 2009-09-08 | Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg | Compacting device |
| KR101587044B1 (ko) * | 2015-07-08 | 2016-01-20 | 주식회사 티마운트 | 탁구공 회전량을 증가시킬 수 있는 탁구대 상판 및 그 제조 방법 |
| KR20170076542A (ko) | 2015-12-24 | 2017-07-04 | 주식회사 엘지화학 | α질화 규소의 제조 방법 |
| JP2022543382A (ja) * | 2019-08-08 | 2022-10-12 | シュミット シリコン テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | シリコン含有材料を製造するための方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3246951B2 (ja) | 2002-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0327401B1 (en) | Apparatus and method for producing uniform, fine ceramic powders | |
| JP2002540054A (ja) | 珪素及び珪素含有材料からの非晶質シリカの製造方法及び装置 | |
| JPH06506905A (ja) | 制御された燃焼窒化によって窒化アルミニウム粉末を製造するための方法 | |
| US4342837A (en) | Sinterable silicon carbide powders and sintered body produced therefrom | |
| US5194234A (en) | Method for producing uniform, fine boron-containing ceramic powders | |
| EP0620803B1 (en) | Process for preparing ultrafine aluminum nitride powder | |
| CN103159190B (zh) | 一种超纯氮化物粉体的制备方法 | |
| JP3246951B2 (ja) | 窒化珪素粉末の製造方法 | |
| JP3708649B2 (ja) | 銅シリサイドを有する金属珪素粒子の製造方法 | |
| CA2008645C (en) | Process for producing sinterable crystalline aluminum nitride powder | |
| JPH0352402B2 (ja) | ||
| JP3348798B2 (ja) | 窒化ケイ素の製造方法 | |
| US3135599A (en) | Production of uranium metal powder in a pulsed fluidized bed and powder resulting therefrom | |
| Chang et al. | Nitridation characteristics of floating aluminium powder | |
| CN115432676B (zh) | 一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法 | |
| JPS62100403A (ja) | 高純度六方晶窒化硼素微粉末の製造方法 | |
| JPH05117035A (ja) | 結晶質窒化珪素粉末の製造法 | |
| JP2792949B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末およびその製造方法 | |
| JP2541019B2 (ja) | 窒化ケイ素粉末の製造方法 | |
| JP3367567B2 (ja) | 易粉砕性・高α型窒化ケイ素の製造方法 | |
| AU616950B2 (en) | Apparatus and method for producing uniform, fine boron-containing ceramic powders | |
| JP3342753B2 (ja) | 窒化ケイ素の製造方法 | |
| JPS6340710A (ja) | 窒化けい素もしくは炭化けい素またはこれらの複合微粉末の製造法 | |
| JPS6227003B2 (ja) | ||
| JPH0114168B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071102 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081102 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081102 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091102 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |